JP4711619B2 - 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 - Google Patents
導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4711619B2 JP4711619B2 JP2003423723A JP2003423723A JP4711619B2 JP 4711619 B2 JP4711619 B2 JP 4711619B2 JP 2003423723 A JP2003423723 A JP 2003423723A JP 2003423723 A JP2003423723 A JP 2003423723A JP 4711619 B2 JP4711619 B2 JP 4711619B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium oxide
- sintered body
- oxide
- sputtering target
- conductive titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 111
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 100
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 31
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 30
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 17
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011802 pulverized particle Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
製膜スピードを有するスパッタリングターゲットに導電性酸化チタン焼結体が用いられるようになってきた。スパッタリングターゲットとは、薄膜を形成するためのスパッタ装置で利用する部材のことをいい、スパッタリングターゲットの材質がそのまま薄膜の材質となる。
この薄膜は、基板表面に作製され種々の用途に利用されており、この中でも酸化チタンの薄膜は、反射防止膜等に利用されている。特に、ガラスや透明な樹脂に反射防止膜を形成した透光性部材は、液晶モジュールなど幅広い分野で利用されている。
結晶の粒界に前記第2添加物が存在することを特徴とするものである。
これより大きくなると粒界の抵抗が大きくなり、焼結体の線抵抗値が大きくなるからである。
望ましい。これより大きい未粉砕粒子が残っている場合、酸化チタンとドーパントとの分散性が悪くなりノジュールの原因となる高抵抗の酸化チタンが部分的に発生するためである。
のから5μm以下の微粉のものがあげられるが、ドーパントとの分散性の問題や製造上の
問題等から2μm以下のものを使用することが好ましい。また、純度は99.5%以下の
低純度のものから99.99%以上の高純度のものがあげられる。最終形態の薄膜の状態では不純物の可視光吸収により光の透過性などが著しく低下するなどの問題が発生するために純度は99.9%以上のものを用いることが好ましい。
上のものを用いることが好ましい。
結晶の安定性、価格の面からTa2O5を使用することが好ましい。また、平均粒径、純度ともに酸化チタンと同様な理由により平均粒径で2μm以下、純度も99.9%以上のも
のを用いることが好ましい。
パントのみと比べて線抵抗の値にはほとんど差がなく、3.0重量%以上では最終形態である酸化チタン薄膜の可視光の屈折率が小さくなってしまう。より好ましくは1.0〜2
.0重量%である。
ましい。
また、本発明に用いる酸化ガリウムはGa2O、Ga2O3が挙げられるが、結晶の安定性、価格の面からGa2O3を使用することが好ましい。また、平均粒径、純度ともに酸化チタンと同様な理由により平均粒径で2μm以下、純度も99.9%以上のものを用い
ることが好ましい。
のを用いることが好ましい。
結体をスパッタリングターゲットとして用いた場合は、既にターゲット内に酸素が含まれているため、少量の酸素の導入で十分であるばかりか、表面の酸化によるスパッタレートの低下はほとんど見られない。さらに、基体5などのスパッタ対象物付近での酸素濃度分布が小さいため色むらが発生しない。
色を表示する。バックライト14はディスプレーの背後から光を照射し、画面を明るくする。本発明の透光性部材をもちいると、外部光のディスプレーへの映り込みを減少させるばかりでなく、バックライト14からの光を無駄なく透過させることができるため鮮明な画像を表示することができる。
る工程と、成形体を酸化雰囲気で焼成する工程と、焼成後の磁器を表面研磨し寸法を調整する工程を経て製造される。粉砕行程でのメディアの摩耗による不純物の増加を防ぐためにも、一次原料の粒径は2μm以下のものが望ましい。ミルの種類、メディアの種類など
は不純物の混入を防ぐために慎重に選ばなくてはならない。
タンターゲットは導電性が無いため、RFスパッタ法にてガラス基板表面に酸化チタン薄膜を製膜した。このようにして得られた酸化チタン薄膜の屈折率はエリプソメーターにて測定した。測定値は波長550nmの屈折率をもちいた。
Claims (5)
- 酸化チタンを主成分とし、酸化ニオブまたは酸化タンタルから選ばれる少なくとも一種類を第1添加物として含み、さらに酸化錫を第2添加物として含む導電性酸化チタン焼結体であって、前記酸化チタンと前記第1添加物とを含む結晶を有し、前記第1添加物はドーパントとして作用し、前記結晶の粒界に前記第2添加物が存在することを特徴とする導電性酸化チタン焼結体。
- 線抵抗値が10Ω未満であることを特徴とする請求項1に記載の導電性酸化チタン焼結体。
- 請求項1又は請求項2に記載の導電性酸化チタン焼結体を用いたことを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項3に記載のスパッタリングターゲットを用いて製膜した酸化チタン薄膜を樹脂、ガラス、単結晶、もしくはセラミックスの基体に積層させてなる透光性部材。
- 請求項4に記載の透光性部材を用いたことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003423723A JP4711619B2 (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003423723A JP4711619B2 (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005179129A JP2005179129A (ja) | 2005-07-07 |
JP4711619B2 true JP4711619B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=34784128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003423723A Expired - Lifetime JP4711619B2 (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4711619B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080071973A (ko) * | 2005-10-13 | 2008-08-05 | 엔.브이. 베카에르트 에스.에이. | 스퍼터링에 의한 코팅 증착법 |
DE102006027029B4 (de) * | 2006-06-09 | 2010-09-30 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget mit einem Sputtermaterial auf Basis TiO2 sowie Herstellverfahren |
JP2008052913A (ja) | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 透明導電膜およびその製造方法 |
JP5326383B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2013-10-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP5413540B2 (ja) * | 2011-07-01 | 2014-02-12 | 宇部マテリアルズ株式会社 | スパッタリング用MgOターゲット |
WO2013151091A1 (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | 日本電気硝子株式会社 | 光学膜 |
CN106458763B (zh) | 2014-07-31 | 2021-03-12 | 东曹株式会社 | 氧化物烧结体、其制造方法及溅射靶 |
CN109503149A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-22 | 北京富兴凯永兴光电技术有限公司 | 一种高折射率光学镀膜材料及制备方法、光学增透膜 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07233469A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Asahi Glass Co Ltd | ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の製造方法 |
JPH11211687A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒素酸化物検知素子の製造方法 |
JP2003073820A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-12 | Wc Heraeus Gmbh | 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット |
-
2003
- 2003-12-19 JP JP2003423723A patent/JP4711619B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07233469A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Asahi Glass Co Ltd | ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の製造方法 |
JPH11211687A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒素酸化物検知素子の製造方法 |
JP2003073820A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-12 | Wc Heraeus Gmbh | 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005179129A (ja) | 2005-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6015801B2 (ja) | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、および透明導電膜 | |
JP4552950B2 (ja) | ターゲット用酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜 | |
JP4324470B2 (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法 | |
JP4926977B2 (ja) | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系焼結体スパッタリングターゲット | |
KR20100029780A (ko) | 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재 | |
JP5170009B2 (ja) | 酸化インジウム系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP6677095B2 (ja) | Sn−Zn−O系酸化物焼結体とその製造方法 | |
JPWO2007142330A1 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット | |
KR20080015892A (ko) | 산화갈륨-산화아연계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막의 형성방법 및 투명 도전막 | |
JPWO2009078329A1 (ja) | 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 | |
JP6078189B1 (ja) | Izo焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP4711619B2 (ja) | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 | |
TWI592383B (zh) | 氧化銦系氧化物燒結體及其製造方法 | |
JP5949718B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP5418105B2 (ja) | 複合酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、及びその製造方法 | |
JP5292130B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
WO2020262433A1 (ja) | 酸化物焼結体 | |
JP6677058B2 (ja) | Sn−Zn−O系酸化物焼結体とその製造方法 | |
JPWO2020090867A1 (ja) | 焼結体 | |
JP7203088B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 | |
WO2014021374A1 (ja) | 酸化物焼結体およびそれを加工したタブレット | |
JP2007317536A (ja) | 無機エレクトロルミネッセンス素子用酸化ジルコニウム系バリア膜 | |
WO2023189535A1 (ja) | 酸化物焼結体 | |
JP2013067538A (ja) | 酸化物焼結体および酸化物透明導電膜 | |
WO2017149882A1 (ja) | Sn-Zn-O系酸化物焼結体とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110322 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4711619 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |