JPH07233469A - ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の製造方法 - Google Patents
ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH07233469A JPH07233469A JP6024420A JP2442094A JPH07233469A JP H07233469 A JPH07233469 A JP H07233469A JP 6024420 A JP6024420 A JP 6024420A JP 2442094 A JP2442094 A JP 2442094A JP H07233469 A JPH07233469 A JP H07233469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- oxide
- film
- refractive index
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】室温での比抵抗値が１０Ωｃｍ以下であり、酸
素含有量が３５重量％以上であるところの主成分がＴｉ
ＯX （１＜Ｘ＜２）の酸化物焼結体スパッタリングター
ゲットとその製造方法および該ターゲットを用いた高屈
折率膜の製造方法。 【効果】本発明のターゲットを用いることにより、高屈
折率の膜が高速度にしかも安定に生産できる。
素含有量が３５重量％以上であるところの主成分がＴｉ
ＯX （１＜Ｘ＜２）の酸化物焼結体スパッタリングター
ゲットとその製造方法および該ターゲットを用いた高屈
折率膜の製造方法。 【効果】本発明のターゲットを用いることにより、高屈
折率の膜が高速度にしかも安定に生産できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高屈折率を有する酸化
物透明薄膜をスパッタリング法で形成する場合に用いる
ターゲット材とその製造方法、およびこのターゲット材
を用いて高屈折率膜を形成する方法に関するものであ
る。
物透明薄膜をスパッタリング法で形成する場合に用いる
ターゲット材とその製造方法、およびこのターゲット材
を用いて高屈折率膜を形成する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】酸化物薄膜の光学的な応用は、単層の熱
線反射ガラスや反射防止膜から始まり、さらに特定の波
長の光が選択的に反射あるいは透過するような分光特性
が優れるように設計した多層膜系の反射防止コート、反
射増加コート、干渉フィルター、偏光膜など多分野にわ
たっている。また、多層膜の一部に透明導電膜や金属、
導電性セラミックス等の導電性や熱線反射などの各種機
能をもった膜をはさむことにより、帯電防止や熱線反
射、電磁波カットなどの機能をもたせた多層膜が検討さ
れている。
線反射ガラスや反射防止膜から始まり、さらに特定の波
長の光が選択的に反射あるいは透過するような分光特性
が優れるように設計した多層膜系の反射防止コート、反
射増加コート、干渉フィルター、偏光膜など多分野にわ
たっている。また、多層膜の一部に透明導電膜や金属、
導電性セラミックス等の導電性や熱線反射などの各種機
能をもった膜をはさむことにより、帯電防止や熱線反
射、電磁波カットなどの機能をもたせた多層膜が検討さ
れている。
【０００３】多層膜の分光特性は各層の屈折率と膜厚を
パラメータとして光学的設計するが、一般的に、高屈折
率膜と低屈折率膜を組み合わせて用いる。優れた光学特
性を実現するには、高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率の
差が大きい方がよく、高屈折率膜として二酸化チタン
（ｎ＝２．４）、二酸化セリウム（ｎ＝２．３）、三酸
化ニオブ（ｎ＝２．１）、五酸化タンタル（ｎ＝２．
１）などが知られている。また、低屈折率膜としは二酸
化珪素（ｎ＝１．４６）、フッ化マグネシウム（ｎ＝
１．３８）などが知られている。これらは、真空蒸着法
や塗布法等で成膜できる。しかし、これらの成膜法は、
大面積の基板上への均一な成膜は困難であり、建築用ガ
ラスや自動車用ガラスあるいはＣＲＴやフラットディス
プレイ等の大面積基板が必要な場合にはスパッタリング
法が用いられることが多い。さらに、スパッタリング法
の中でも特に直流放電を利用したＤＣスパッタリング法
が大面積の成膜には最適である。
パラメータとして光学的設計するが、一般的に、高屈折
率膜と低屈折率膜を組み合わせて用いる。優れた光学特
性を実現するには、高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率の
差が大きい方がよく、高屈折率膜として二酸化チタン
（ｎ＝２．４）、二酸化セリウム（ｎ＝２．３）、三酸
化ニオブ（ｎ＝２．１）、五酸化タンタル（ｎ＝２．
１）などが知られている。また、低屈折率膜としは二酸
化珪素（ｎ＝１．４６）、フッ化マグネシウム（ｎ＝
１．３８）などが知られている。これらは、真空蒸着法
や塗布法等で成膜できる。しかし、これらの成膜法は、
大面積の基板上への均一な成膜は困難であり、建築用ガ
ラスや自動車用ガラスあるいはＣＲＴやフラットディス
プレイ等の大面積基板が必要な場合にはスパッタリング
法が用いられることが多い。さらに、スパッタリング法
の中でも特に直流放電を利用したＤＣスパッタリング法
が大面積の成膜には最適である。
【０００４】高屈折率膜には、屈折率が高く、材料費も
比較的安価な二酸化チタンが広く用いられているが、こ
れをＤＣスパッタリング法で成膜する場合、導電性を有
する金属Ｔｉターゲットを酸素を含む雰囲気でスパッタ
する、いわゆる反応性スパッタリングを用いているのが
現状である。しかし、この方法で得られる二酸化チタン
薄膜の成膜速度は極めて遅く、このため生産性が悪く、
コストが高くつくということが製造上の大きな問題とな
っていた。
比較的安価な二酸化チタンが広く用いられているが、こ
れをＤＣスパッタリング法で成膜する場合、導電性を有
する金属Ｔｉターゲットを酸素を含む雰囲気でスパッタ
する、いわゆる反応性スパッタリングを用いているのが
現状である。しかし、この方法で得られる二酸化チタン
薄膜の成膜速度は極めて遅く、このため生産性が悪く、
コストが高くつくということが製造上の大きな問題とな
っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、二酸
化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタ
リング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極
めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようと
するものである。
化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタ
リング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極
めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決すべくなされたものであり、主成分がＴｉＯX であ
る酸化物焼結体スパッタリングターゲットにおいて、室
温での比抵抗値が１０Ωｃｍ以下であり、Ｘの範囲が１
＜Ｘ＜２であり、かつ、酸素含有量が３５重量％以上で
あることを特徴とする酸化物焼結体スパッタリングター
ゲットとその製造方法を提供するものである。
解決すべくなされたものであり、主成分がＴｉＯX であ
る酸化物焼結体スパッタリングターゲットにおいて、室
温での比抵抗値が１０Ωｃｍ以下であり、Ｘの範囲が１
＜Ｘ＜２であり、かつ、酸素含有量が３５重量％以上で
あることを特徴とする酸化物焼結体スパッタリングター
ゲットとその製造方法を提供するものである。
【０００７】本発明は、また、主成分がＴｉＯX （１＜
Ｘ＜２）である酸化物焼結体スパッタリングターゲット
を用いてスパッタリング法により高屈折率膜を形成する
方法において、該ターゲットが、室温での比抵抗値が１
０Ωｃｍ以下であり、酸素含有量が３５重量％以上であ
ることを特徴とする高屈折率膜の形成方法を提供するも
のである。
Ｘ＜２）である酸化物焼結体スパッタリングターゲット
を用いてスパッタリング法により高屈折率膜を形成する
方法において、該ターゲットが、室温での比抵抗値が１
０Ωｃｍ以下であり、酸素含有量が３５重量％以上であ
ることを特徴とする高屈折率膜の形成方法を提供するも
のである。
【０００８】本発明のターゲットを用いて、アルゴン雰
囲気中あるいはアルゴンと酸素の混合雰囲気中で１×１
０-3〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空中でスパッタリン
グすると均一な透明膜を高速度で成膜できる。より高速
成膜を行うため雰囲気の酸素分圧を低く調節したほうが
よいが、本発明のターゲットを用いて透明な膜を作製す
るには、スパッタ雰囲気中に酸素の供給源となる若干の
酸素あるいは水分が必要である。
囲気中あるいはアルゴンと酸素の混合雰囲気中で１×１
０-3〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空中でスパッタリン
グすると均一な透明膜を高速度で成膜できる。より高速
成膜を行うため雰囲気の酸素分圧を低く調節したほうが
よいが、本発明のターゲットを用いて透明な膜を作製す
るには、スパッタ雰囲気中に酸素の供給源となる若干の
酸素あるいは水分が必要である。
【０００９】しかし、本発明のターゲットを用いた場
合、現実的にはスパッタリング装置中に真空ポンプで排
出されずに残存した酸素や水分量で透明膜を得るための
酸素量は十分である。したがって、本発明のターゲット
を用いた場合、導入ガスはアルゴンガスだけで十分透明
な膜が得られる。
合、現実的にはスパッタリング装置中に真空ポンプで排
出されずに残存した酸素や水分量で透明膜を得るための
酸素量は十分である。したがって、本発明のターゲット
を用いた場合、導入ガスはアルゴンガスだけで十分透明
な膜が得られる。
【００１０】また、基板となる板ガラスがエアロックチ
ャンバなどを通して連続的に供給され成膜を行うような
量産に適した連続式のスパッタリング装置を用いる場合
には、必要な酸素や水分はエアロックチャンバを通して
供給され、たとえば、導入ガスがアルゴンのみであって
も透明な膜が得られる。したがって、本発明のターゲッ
トを用いることにより、スパッタ雰囲気中に反応スパッ
タリングでは必要である酸素ガスを導入しない、あるい
は非常に少なくできるので、従来のＴｉターゲットを用
いる反応スパッタリングに比較して、高い成膜速度が実
現できる。
ャンバなどを通して連続的に供給され成膜を行うような
量産に適した連続式のスパッタリング装置を用いる場合
には、必要な酸素や水分はエアロックチャンバを通して
供給され、たとえば、導入ガスがアルゴンのみであって
も透明な膜が得られる。したがって、本発明のターゲッ
トを用いることにより、スパッタ雰囲気中に反応スパッ
タリングでは必要である酸素ガスを導入しない、あるい
は非常に少なくできるので、従来のＴｉターゲットを用
いる反応スパッタリングに比較して、高い成膜速度が実
現できる。
【００１１】本発明のターゲットは、導電性を有してい
るためＤＣスパッタリング法を用いて成膜でき、大面積
にわたり均一で透明な高屈折率の膜を高速で成膜でき
る。もちろん、本発明のターゲットはＲＦ（高周波）ス
パッタリング装置を用いて成膜できる。
るためＤＣスパッタリング法を用いて成膜でき、大面積
にわたり均一で透明な高屈折率の膜を高速で成膜でき
る。もちろん、本発明のターゲットはＲＦ（高周波）ス
パッタリング装置を用いて成膜できる。
【００１２】本発明のターゲットの室温の比抵抗は、ス
パッタリング中の放電を安定に行うため、１０Ωｃｍ以
下であることが好ましい。比抵抗が１０Ωｃｍより大き
いと放電が安定しないので好ましくない。酸化チタン
（ＴｉＯX ：１＜Ｘ＜２）質のターゲットにおいて、タ
ーゲット（焼結体）中の酸素含有量は３５重量％以上で
あることが好ましい。３５重量％より小さいと、透明膜
を作製するために、雰囲気中の酸素分圧を高くする必要
があり、成膜速度が低下するので好ましくない。
パッタリング中の放電を安定に行うため、１０Ωｃｍ以
下であることが好ましい。比抵抗が１０Ωｃｍより大き
いと放電が安定しないので好ましくない。酸化チタン
（ＴｉＯX ：１＜Ｘ＜２）質のターゲットにおいて、タ
ーゲット（焼結体）中の酸素含有量は３５重量％以上で
あることが好ましい。３５重量％より小さいと、透明膜
を作製するために、雰囲気中の酸素分圧を高くする必要
があり、成膜速度が低下するので好ましくない。
【００１３】本発明のターゲットにおいて、上記の酸化
チタンにチタン以外の金属酸化物を５０重量％未満を加
えることにより、高速成膜を維持したまま、屈折率や機
械的、化学的特性などの膜質を改善できる。
チタンにチタン以外の金属酸化物を５０重量％未満を加
えることにより、高速成膜を維持したまま、屈折率や機
械的、化学的特性などの膜質を改善できる。
【００１４】特に、クロム、セリウム、ジルコニウム、
イットリウム、ニオブ、タンタルの酸化物は比較的高い
屈折率を有しており、成膜速度も比較的速いので、これ
ら酸化物を添加することにより、高い屈折率を維持した
まま、より高速成膜を実現できる。また、珪素、アルミ
ニウム、ホウ素の酸化物の添加することにより、ターゲ
ットの機械的強度を高くできるため、より高い電力をス
パッタ時に投入できるため、実質的にさらに高速の成膜
を実現できる。
イットリウム、ニオブ、タンタルの酸化物は比較的高い
屈折率を有しており、成膜速度も比較的速いので、これ
ら酸化物を添加することにより、高い屈折率を維持した
まま、より高速成膜を実現できる。また、珪素、アルミ
ニウム、ホウ素の酸化物の添加することにより、ターゲ
ットの機械的強度を高くできるため、より高い電力をス
パッタ時に投入できるため、実質的にさらに高速の成膜
を実現できる。
【００１５】本発明のターゲットはたとえば次のように
して作製できる。たとえば、酸化チタン質ターゲットの
場合、二酸化チタン粉末をホットプレス（高温高圧プレ
ス）して焼結することにより、本発明のターゲットが形
成される。この場合、粉末の粒径は０．０５μｍから４
０μｍが適当である。なお、ホットプレスの雰囲気は非
酸化雰囲気であり、のアルゴンや窒素がターゲット中の
酸素含有量を調整できるので好ましい。また、さらにア
ルゴンや窒素に水素を添加しても差し支えない。
して作製できる。たとえば、酸化チタン質ターゲットの
場合、二酸化チタン粉末をホットプレス（高温高圧プレ
ス）して焼結することにより、本発明のターゲットが形
成される。この場合、粉末の粒径は０．０５μｍから４
０μｍが適当である。なお、ホットプレスの雰囲気は非
酸化雰囲気であり、のアルゴンや窒素がターゲット中の
酸素含有量を調整できるので好ましい。また、さらにア
ルゴンや窒素に水素を添加しても差し支えない。
【００１６】また、ホットプレスの条件は、特に限定さ
れないが、温度としては、１０００〜１３００℃が好ま
しく、１１５０〜１２００℃が特に好ましい、また、圧
力としては５０〜１００kg/cm2が好ましい。
れないが、温度としては、１０００〜１３００℃が好ま
しく、１１５０〜１２００℃が特に好ましい、また、圧
力としては５０〜１００kg/cm2が好ましい。
【００１７】また、たとえば、クロムを含む酸化チタン
ターゲットの場合、酸化クロム粉末と酸化チタン粉末を
たとえばボールミルなどで混合して混合粉末を調製し
て、前記と同様のホットプレスすることにより本発明の
ターゲットが形成される。ターゲットはスパッタリング
時の割れ等が起こりにくいように、銅製のバッキングプ
レートにメタルボンディングしたほうがよい。
ターゲットの場合、酸化クロム粉末と酸化チタン粉末を
たとえばボールミルなどで混合して混合粉末を調製し
て、前記と同様のホットプレスすることにより本発明の
ターゲットが形成される。ターゲットはスパッタリング
時の割れ等が起こりにくいように、銅製のバッキングプ
レートにメタルボンディングしたほうがよい。
【００１８】
【作用】本発明のターゲットは、酸化物で構成されてい
るため、スパッタ雰囲気中に反応性スパッタリングでは
必要である酸素ガスを導入しないあるいは非常に少なく
しても透明膜が形成できる。このため成膜速度の低下の
要因と考えられる酸素原子のターゲット表面上への付着
を小さくできるので、成膜速度を速くできると考えられ
る。
るため、スパッタ雰囲気中に反応性スパッタリングでは
必要である酸素ガスを導入しないあるいは非常に少なく
しても透明膜が形成できる。このため成膜速度の低下の
要因と考えられる酸素原子のターゲット表面上への付着
を小さくできるので、成膜速度を速くできると考えられ
る。
【００１９】また、酸素分圧が極めて少ない雰囲気中で
の焼結により、酸化物から雰囲気への酸素の移動が起こ
り、結果として、酸素欠陥を有する酸化物焼結体が得ら
れ、こうした酸素欠陥を有する構造とすることにより酸
化物でありながら導電性を有することとなり、大面積の
成膜が可能なＤＣスパッタリング法が使用できる。
の焼結により、酸化物から雰囲気への酸素の移動が起こ
り、結果として、酸素欠陥を有する酸化物焼結体が得ら
れ、こうした酸素欠陥を有する構造とすることにより酸
化物でありながら導電性を有することとなり、大面積の
成膜が可能なＤＣスパッタリング法が使用できる。
【００２０】
［実施例１〜７］市販されている高純度のＴｉＯ2 粉末
を準備し、カーボン製のホットプレス用型に充填し、ア
ルゴン雰囲気中１１００℃〜１４００℃で１時間保持の
条件でホットプレスを行った。このときのホットプレス
圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2 とした。得られた焼結体の密
度、比抵抗を測定した。また、得られた焼結体をメノウ
乳鉢で粉砕し、空気中で１１００℃に加熱し、その重量
増加を測定した。この空気中での加熱後には粉末が完全
に酸化したＴｉＯ2 になっているとして、その重量増加
分から、ホットプレス後の焼結体の酸素量を求めた。こ
れらの結果を表１に示す。
を準備し、カーボン製のホットプレス用型に充填し、ア
ルゴン雰囲気中１１００℃〜１４００℃で１時間保持の
条件でホットプレスを行った。このときのホットプレス
圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2 とした。得られた焼結体の密
度、比抵抗を測定した。また、得られた焼結体をメノウ
乳鉢で粉砕し、空気中で１１００℃に加熱し、その重量
増加を測定した。この空気中での加熱後には粉末が完全
に酸化したＴｉＯ2 になっているとして、その重量増加
分から、ホットプレス後の焼結体の酸素量を求めた。こ
れらの結果を表１に示す。
【００２１】［実施例８〜１１および比較例１〜２］ま
た、１２００℃でホットプレスした焼結体を直径６イン
チ、厚さ５ｍｍの寸法に機械加工し、ターゲットを作製
した。ターゲットは銅製のバッキングプレートにメタル
ボンドで接着して用いた。
た、１２００℃でホットプレスした焼結体を直径６イン
チ、厚さ５ｍｍの寸法に機械加工し、ターゲットを作製
した。ターゲットは銅製のバッキングプレートにメタル
ボンドで接着して用いた。
【００２２】つぎに、このターゲットをマグネトロンス
パッタリング装置に取り付けて、ＴｉＯ2 膜の成膜を行
った。このときの条件は投入電力：ＤＣ１ｋＷ，背圧：
１×１０-5Ｔｏｒｒ、スパッタリング圧力：２×１０-3
Ｔｏｒｒで行った。スパッタガスには、アルゴンあるい
はアルゴンと酸素の混合ガスを用いた。基板にはソーダ
ライムガラスを用いた。また、基板に対するは意図的な
加熱は特に行わなかった。膜厚はおよそ１００ｎｍとな
るように行った。スパッタ中の放電はきわめて安定して
おりＤＣスパッタリングでも安定して成膜ができた。
パッタリング装置に取り付けて、ＴｉＯ2 膜の成膜を行
った。このときの条件は投入電力：ＤＣ１ｋＷ，背圧：
１×１０-5Ｔｏｒｒ、スパッタリング圧力：２×１０-3
Ｔｏｒｒで行った。スパッタガスには、アルゴンあるい
はアルゴンと酸素の混合ガスを用いた。基板にはソーダ
ライムガラスを用いた。また、基板に対するは意図的な
加熱は特に行わなかった。膜厚はおよそ１００ｎｍとな
るように行った。スパッタ中の放電はきわめて安定して
おりＤＣスパッタリングでも安定して成膜ができた。
【００２３】成膜後、膜厚を触針式の膜厚測定装置を用
いて測定した。さらに、エリプソメーターで膜の屈折率
を測定した。このとき、用いた光の波長は６３３ｎｍで
ある。表２に、成膜速度および膜の屈折率を示す。ま
た、得られた膜はすべて透明で膜の光吸収は無かった。
いて測定した。さらに、エリプソメーターで膜の屈折率
を測定した。このとき、用いた光の波長は６３３ｎｍで
ある。表２に、成膜速度および膜の屈折率を示す。ま
た、得られた膜はすべて透明で膜の光吸収は無かった。
【００２４】表２には、比較例として、一般的な金属Ｔ
ｉターゲットおよび一酸化チタン（ＴｉＯ）ターゲット
を用いて、同様のスパッタリング成膜を行った。ただ、
このときのスパッタガスはアルゴンと酸素の混合ガスを
用い、酸素の割合は２０〜３０体積％とした。Ｔｉター
ゲットの場合、酸素が３０％より低いと膜は吸収性とな
り、透明な膜を得るには酸素が３０％以上必要であっ
た。また、ＴｉＯターゲットの場合、酸素が２０％より
低いと膜は吸収性となり、透明な膜を得るには酸素が２
０％以上必要であった。したがって、透明膜が得られ、
Ｔｉターゲットを用いた場合では、もっとも成膜速度の
速い酸素割合３０％の場合を選び、また、ＴｉＯターゲ
ットを用いた場合では、もっとも成膜速度の速い酸素割
合２０％の場合を選び行った。
ｉターゲットおよび一酸化チタン（ＴｉＯ）ターゲット
を用いて、同様のスパッタリング成膜を行った。ただ、
このときのスパッタガスはアルゴンと酸素の混合ガスを
用い、酸素の割合は２０〜３０体積％とした。Ｔｉター
ゲットの場合、酸素が３０％より低いと膜は吸収性とな
り、透明な膜を得るには酸素が３０％以上必要であっ
た。また、ＴｉＯターゲットの場合、酸素が２０％より
低いと膜は吸収性となり、透明な膜を得るには酸素が２
０％以上必要であった。したがって、透明膜が得られ、
Ｔｉターゲットを用いた場合では、もっとも成膜速度の
速い酸素割合３０％の場合を選び、また、ＴｉＯターゲ
ットを用いた場合では、もっとも成膜速度の速い酸素割
合２０％の場合を選び行った。
【００２５】表１、表２の結果から明らかなように、本
発明のターゲットを用いることにより高屈折率を有する
透明なＴｉＯ2 膜が高速度で成膜できた。
発明のターゲットを用いることにより高屈折率を有する
透明なＴｉＯ2 膜が高速度で成膜できた。
【００２６】［実施例１２〜１６］市販されている高純
度のＴｉＯ2 粉末と添加物としてＣｒ2 Ｏ3 粉末、Ｃｅ
Ｏ2 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 粉末、を準備し、Ｃｒ2 Ｏ3 粉
末、ＣｅＯ2 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 粉末がそれぞれ２０重量
％、またＡｌ2 Ｏ3 粉末，ＳｉＯ2 粉末がそれぞれ５重
量％になるように、ＴｉＯ2 粉末とボールミルで混合し
た。これら３種類の混合粉末をカーボン製のホットプレ
ス用型に充填し、アルゴン雰囲気中１２００℃で１時間
保持の条件でホットプレスを行った。このときのホット
プレス圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2 とした。得られた焼結体
の密度、比抵抗を測定した。これらの結果を表３に示
す。
度のＴｉＯ2 粉末と添加物としてＣｒ2 Ｏ3 粉末、Ｃｅ
Ｏ2 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 粉末、を準備し、Ｃｒ2 Ｏ3 粉
末、ＣｅＯ2 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 粉末がそれぞれ２０重量
％、またＡｌ2 Ｏ3 粉末，ＳｉＯ2 粉末がそれぞれ５重
量％になるように、ＴｉＯ2 粉末とボールミルで混合し
た。これら３種類の混合粉末をカーボン製のホットプレ
ス用型に充填し、アルゴン雰囲気中１２００℃で１時間
保持の条件でホットプレスを行った。このときのホット
プレス圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2 とした。得られた焼結体
の密度、比抵抗を測定した。これらの結果を表３に示
す。
【００２７】また、それぞれの焼結体を直径６インチ、
厚さ５ｍｍの寸法に機械加工し、ターゲットを作製し
た。ターゲットは銅製のバッキングプレートにメタルボ
ンドで接着して用いた。
厚さ５ｍｍの寸法に機械加工し、ターゲットを作製し
た。ターゲットは銅製のバッキングプレートにメタルボ
ンドで接着して用いた。
【００２８】また、これらのターゲットとなる焼結体の
一部を酸溶解あるいはアルカリ溶融して、水溶液を調製
し、ＩＣＰ装置で焼結体の組成を分析した結果、混合粉
末の仕込組成と焼結体の組成はほぼ一致していることを
確認している。
一部を酸溶解あるいはアルカリ溶融して、水溶液を調製
し、ＩＣＰ装置で焼結体の組成を分析した結果、混合粉
末の仕込組成と焼結体の組成はほぼ一致していることを
確認している。
【００２９】［実施例１７〜３１］つぎに、このターゲ
ットをマグネトロンスパッタリング装置に取り付けて、
ＴｉＯ2 膜の成膜を行った。このときの条件は投入電
力：ＤＣ１ｋＷ，背圧：１×１０-5Ｔｏｒｒ、スパッタ
リング圧力：２×１０-3Ｔｏｒｒで行った。スパッタガ
スには、アルゴンあるいはアルゴンと酸素の混合ガスを
用いた。基板にはソーダライムガラスを用いた。また、
基板は意図的な加熱は特に行わなかった。膜厚はおよそ
１００ｎｍとなるように行った。スパッタ中の放電はき
わめて安定しておりＤＣスパッタリングでも安定して成
膜ができた。成膜後、膜厚を触針式の膜厚測定装置を用
いて測定した。さらに、エリプソメーターで膜の屈折率
を測定した。表４に、成膜速度および膜の屈折率を示
す。また、得られた膜はすべて透明で膜の光吸収は無か
った。
ットをマグネトロンスパッタリング装置に取り付けて、
ＴｉＯ2 膜の成膜を行った。このときの条件は投入電
力：ＤＣ１ｋＷ，背圧：１×１０-5Ｔｏｒｒ、スパッタ
リング圧力：２×１０-3Ｔｏｒｒで行った。スパッタガ
スには、アルゴンあるいはアルゴンと酸素の混合ガスを
用いた。基板にはソーダライムガラスを用いた。また、
基板は意図的な加熱は特に行わなかった。膜厚はおよそ
１００ｎｍとなるように行った。スパッタ中の放電はき
わめて安定しておりＤＣスパッタリングでも安定して成
膜ができた。成膜後、膜厚を触針式の膜厚測定装置を用
いて測定した。さらに、エリプソメーターで膜の屈折率
を測定した。表４に、成膜速度および膜の屈折率を示
す。また、得られた膜はすべて透明で膜の光吸収は無か
った。
【００３０】表３、表４の結果から明らかなように、本
発明のターゲットを用いることにより高屈折率を有する
透明なＴｉＯ2 膜が高速度で成膜できた。
発明のターゲットを用いることにより高屈折率を有する
透明なＴｉＯ2 膜が高速度で成膜できた。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】
【表４】
【００３５】
【発明の効果】上記のことから明らかなように、本発明
のスパッタリングターゲットを用いることにより、高屈
折率を有する透明膜をＤＣスパッタリング法において、
高速度に成膜できる。また、本発明のターゲットはスパ
ッタ雰囲気の酸素分圧を少なくできるのでアーキング等
の異常放電を少なくできるという効果も有する。したが
って、本発明のターゲットを用いることにより、高屈折
率の膜が高速度にしかも安定に生産できる。
のスパッタリングターゲットを用いることにより、高屈
折率を有する透明膜をＤＣスパッタリング法において、
高速度に成膜できる。また、本発明のターゲットはスパ
ッタ雰囲気の酸素分圧を少なくできるのでアーキング等
の異常放電を少なくできるという効果も有する。したが
って、本発明のターゲットを用いることにより、高屈折
率の膜が高速度にしかも安定に生産できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｋ 8414−4Ｋ
Claims (7)
- 【請求項１】主成分がＴｉＯX （１＜Ｘ＜２）である酸
化物焼結体の製造方法において、二酸化チタン粉末を非
酸化雰囲気でホットプレスして焼結することを特徴とす
る酸化物焼結体の製造方法。 - 【請求項２】主成分がＴｉＯX である酸化物焼結体スパ
ッタリングターゲットにおいて、室温での比抵抗値が１
０Ωｃｍ以下であり、Ｘが１＜Ｘ＜２の範囲であり、か
つ、酸素含有量が３５重量％以上であることを特徴とす
る酸化物焼結体スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】ＴｉＯX 以外の金属酸化物を５０重量％未
満を含むことを特徴とする請求項２の酸化物焼結体スパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項４】前記金属酸化物が、クロム、セリウム、ジ
ルコニウム、イットリウム、ニオブ、タンタル、珪素、
アルミニウム、およびホウ素からなる群から選ばれる少
なくとも１種の酸化物であることを特徴とする請求項３
の酸化物焼結体スパッタリングターゲット。 - 【請求項５】主成分がＴｉＯX （１＜Ｘ＜２）である酸
化物焼結体スパッタリングターゲットを用いてスパッタ
リング法により高屈折率膜を形成する方法において、該
ターゲットが、室温での比抵抗値が１０Ωｃｍ以下であ
り、酸素含有量が３５重量％以上であることを特徴とす
る高屈折率膜の形成方法。 - 【請求項６】前記ターゲットはＴｉＯX 以外の金属酸化
物を５０重量％未満を含むことを特徴とする請求項５の
高屈折率膜の形成方法。 - 【請求項７】前記金属酸化物が、クロム、セリウム、ジ
ルコニウム、イットリウム、ニオブ、タンタル、珪素、
アルミニウム、およびホウ素からなる群から選ばれる少
なくとも１種の酸化物であることを特徴とする請求項６
の高屈折率膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02442094A JP3836163B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 高屈折率膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02442094A JP3836163B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 高屈折率膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003287703A Division JP4121022B2 (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | ターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07233469A true JPH07233469A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3836163B2 JP3836163B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=12137669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02442094A Expired - Fee Related JP3836163B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 高屈折率膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3836163B2 (ja) |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997025451A1 (en) * | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Bvba Vanderstraeten E | Sputtering targets and method for the preparation thereof |
| EP0792852A1 (de) * | 1996-03-01 | 1997-09-03 | MERCK PATENT GmbH | Stabilisierte Aufdampfmaterialien auf Basis von Titanoxid |
| US6060178A (en) * | 1996-06-21 | 2000-05-09 | Cardinal Ig Company | Heat temperable transparent glass article |
| US6193856B1 (en) | 1995-08-23 | 2001-02-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a highly refractive index |
| EP1284302A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-19 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Sputtertarget auf Basis von Titandioxid |
| WO2003034106A1 (fr) * | 2001-10-18 | 2003-04-24 | Bridgestone Corporation | Element optique et procede de production de cet element, filtre passe bande, filtre de coupure des ondes proche infrarouge et film anti-reflexion |
| JP2004346357A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Mitsubishi Materials Corp | 強度および耐スパッタ割れ性に優れた酸化チタンターゲットの製造方法 |
| US6872452B2 (en) | 2001-03-19 | 2005-03-29 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dielectric film having high refractive index and method for preparation thereof |
| WO2004106582A3 (en) * | 2003-05-23 | 2005-04-07 | Symmorphix Inc | Physical vapor deposition of titanium-based films |
| JP2005179129A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
| WO2006001138A1 (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-05 | Pioneer Corporation | 薄膜形成用スパッタリングターゲット、誘電体薄膜、光ディスク及びその製造方法 |
| JP2006225696A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、高屈折率膜とその製造方法、およびそれを用いた反射防止膜とディスプレイ装置 |
| WO2006112107A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-26 | Asahi Glass Company, Limited | 高反射鏡とその製造方法 |
| WO2007058767A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-24 | Guardian Industries Corp. | Sputtering target |
| JP2007290875A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化チタン系焼結体およびその製造方法 |
| JP2009227513A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | 高密度および低比抵抗を有する酸化チタンターゲットの製造方法 |
| WO2010110412A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | Ｔｉ－Ｎｂ系酸化物焼結体スパッタリングターゲット、Ｔｉ－Ｎｂ系酸化物薄膜及び同薄膜の製造方法 |
| CN101903557A (zh) * | 2007-12-18 | 2010-12-01 | 日矿金属株式会社 | 以氧化钛为主成分的薄膜、适于制造以氧化钛为主成分的薄膜的烧结体溅射靶以及以氧化钛为主成分的薄膜的制造方法 |
| JP2011252198A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Shimane Univ | 透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法 |
| JP2012107276A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Nichia Corp | チタン酸化物系蒸着材料及びその製造方法 |
| JP2012162404A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mie Prefecture | マイクロ波吸収・自己発熱性耐熱陶磁器およびその製造方法 |
| USRE43817E1 (en) | 2004-07-12 | 2012-11-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| DE102011116062A1 (de) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Sintertechnik Gmbh | Keramisches Erzeugnis zur Verwendung als Target |
| EP2584062A1 (de) | 2011-10-19 | 2013-04-24 | Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG | Sputtertarget und seine Verwendung |
| US8501052B2 (en) | 2009-02-05 | 2013-08-06 | JX Nippon Mining & Metals Corporatoin | Thin film comprising titanium oxide as main component and sintered compact sputtering target comprising titanium oxide as main component |
| US8679302B2 (en) | 2005-11-14 | 2014-03-25 | Guardian Industries Corp. | Silicon titanium oxide coating, coated article including silicon titanium oxide coating, and method of making the same |
| US8906523B2 (en) | 2008-08-11 | 2014-12-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
| US9334557B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-05-10 | Sapurast Research Llc | Method for sputter targets for electrolyte films |
| US9532453B2 (en) | 2009-09-01 | 2016-12-27 | Sapurast Research Llc | Printed circuit board with integrated thin film battery |
| US9634296B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-04-25 | Sapurast Research Llc | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US9738967B2 (en) | 2006-07-12 | 2017-08-22 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including target mounting and control |
| US9786873B2 (en) | 2008-01-11 | 2017-10-10 | Sapurast Research Llc | Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices |
| US9793523B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-10-17 | Sapurast Research Llc | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| US10680277B2 (en) | 2010-06-07 | 2020-06-09 | Sapurast Research Llc | Rechargeable, high-density electrochemical device |
| CN116143512A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-05-23 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯二氧化钛平面靶材及其制备方法 |
-
1994
- 1994-02-22 JP JP02442094A patent/JP3836163B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6743343B2 (en) | 1995-08-23 | 2004-06-01 | Asahi Glass Ceramics Co., Ltd. | Target and process for its production, and method of forming a film having a high refractive index |
| US6193856B1 (en) | 1995-08-23 | 2001-02-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a highly refractive index |
| US6440278B1 (en) | 1995-08-23 | 2002-08-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a high refractive index |
| US6334938B2 (en) * | 1995-08-23 | 2002-01-01 | Asahi Glass Company, Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a high refractive index |
| WO1997025450A1 (en) * | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Bvba Vanderstraeten E | Process for coating a substrate with titanium dioxide |
| EP0871792A1 (en) | 1996-01-05 | 1998-10-21 | bvba VANDERSTRAETEN E | Process for coating a substrate with titanium dioxide |
| EP0871794A1 (en) | 1996-01-05 | 1998-10-21 | bvba VANDERSTRAETEN E | Sputtering targets and method for the preparation thereof |
| AU716603B2 (en) * | 1996-01-05 | 2000-03-02 | Bvba Vanderstraeten E | Sputtering targets and method for the preparation thereof |
| WO1997025451A1 (en) * | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Bvba Vanderstraeten E | Sputtering targets and method for the preparation thereof |
| US6511587B2 (en) | 1996-01-05 | 2003-01-28 | Bekaert Vds | Sputtering targets and method for the preparation thereof |
| US6461686B1 (en) | 1996-01-05 | 2002-10-08 | Bekaert Vds | Sputtering targets and method for the preparation thereof |
| US6468402B1 (en) | 1996-01-05 | 2002-10-22 | Bekaert Vds | Process for coating a substrate with titanium dioxide |
| US5776847A (en) * | 1996-03-01 | 1998-07-07 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Stabilized vapour-deposition materials based on titanium oxide |
| KR970065769A (ko) * | 1996-03-01 | 1997-10-13 | 플레믹 크리스티안 | 산화 티탄을 기제로 하는 안정화된 증착 물질 |
| EP0792852A1 (de) * | 1996-03-01 | 1997-09-03 | MERCK PATENT GmbH | Stabilisierte Aufdampfmaterialien auf Basis von Titanoxid |
| US6231999B1 (en) | 1996-06-21 | 2001-05-15 | Cardinal Ig Company | Heat temperable transparent coated glass article |
| US6060178A (en) * | 1996-06-21 | 2000-05-09 | Cardinal Ig Company | Heat temperable transparent glass article |
| US6872452B2 (en) | 2001-03-19 | 2005-03-29 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dielectric film having high refractive index and method for preparation thereof |
| US7431808B2 (en) | 2001-08-17 | 2008-10-07 | W.C. Heraeus Gmbh & Co., Kg | Sputter target based on titanium dioxide |
| EP1284302A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-19 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Sputtertarget auf Basis von Titandioxid |
| WO2003034106A1 (fr) * | 2001-10-18 | 2003-04-24 | Bridgestone Corporation | Element optique et procede de production de cet element, filtre passe bande, filtre de coupure des ondes proche infrarouge et film anti-reflexion |
| US9634296B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-04-25 | Sapurast Research Llc | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US9793523B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-10-17 | Sapurast Research Llc | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| JP2004346357A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Mitsubishi Materials Corp | 強度および耐スパッタ割れ性に優れた酸化チタンターゲットの製造方法 |
| WO2004106582A3 (en) * | 2003-05-23 | 2005-04-07 | Symmorphix Inc | Physical vapor deposition of titanium-based films |
| JP2005179129A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
| JP4711619B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2011-06-29 | 京セラ株式会社 | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
| WO2006001138A1 (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-05 | Pioneer Corporation | 薄膜形成用スパッタリングターゲット、誘電体薄膜、光ディスク及びその製造方法 |
| USRE43817E1 (en) | 2004-07-12 | 2012-11-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| USRE44155E1 (en) | 2004-07-12 | 2013-04-16 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| JP2006225696A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、高屈折率膜とその製造方法、およびそれを用いた反射防止膜とディスプレイ装置 |
| JP4619811B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット、高屈折率膜とその製造方法、およびそれを用いた反射防止膜とディスプレイ装置 |
| WO2006112107A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-26 | Asahi Glass Company, Limited | 高反射鏡とその製造方法 |
| WO2007058767A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-24 | Guardian Industries Corp. | Sputtering target |
| US8679302B2 (en) | 2005-11-14 | 2014-03-25 | Guardian Industries Corp. | Silicon titanium oxide coating, coated article including silicon titanium oxide coating, and method of making the same |
| US9945983B2 (en) | 2005-11-14 | 2018-04-17 | Guardian Glass, LLC | Silicon titanium oxide coating, coated article including silicon titanium oxide coating, and method of making the same |
| JP2007290875A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化チタン系焼結体およびその製造方法 |
| US9738967B2 (en) | 2006-07-12 | 2017-08-22 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including target mounting and control |
| CN103498126A (zh) * | 2007-12-18 | 2014-01-08 | Jx日矿日石金属株式会社 | 适于制造以氧化钛为主成分的薄膜的烧结体溅射靶 |
| US11651790B2 (en) | 2007-12-18 | 2023-05-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Thin film comprising titanium oxide, and method of producing thin film comprising titanium oxide |
| CN101903557A (zh) * | 2007-12-18 | 2010-12-01 | 日矿金属株式会社 | 以氧化钛为主成分的薄膜、适于制造以氧化钛为主成分的薄膜的烧结体溅射靶以及以氧化钛为主成分的薄膜的制造方法 |
| CN103498126B (zh) * | 2007-12-18 | 2015-11-18 | Jx日矿日石金属株式会社 | 适于制造以氧化钛为主成分的薄膜的烧结体溅射靶 |
| TWI471435B (zh) * | 2007-12-18 | 2015-02-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | A thin film made of titanium oxide as a main component, a sintered body sputtering target suitable for producing a film mainly composed of titanium oxide, and a method for producing a thin film containing titanium oxide as a main component |
| US9334557B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-05-10 | Sapurast Research Llc | Method for sputter targets for electrolyte films |
| US9786873B2 (en) | 2008-01-11 | 2017-10-10 | Sapurast Research Llc | Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices |
| JP2009227513A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | 高密度および低比抵抗を有する酸化チタンターゲットの製造方法 |
| US8906523B2 (en) | 2008-08-11 | 2014-12-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
| US8501052B2 (en) | 2009-02-05 | 2013-08-06 | JX Nippon Mining & Metals Corporatoin | Thin film comprising titanium oxide as main component and sintered compact sputtering target comprising titanium oxide as main component |
| US8758497B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-06-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target of sintered Ti—Nb based oxide, thin film of Ti—Nb based oxide, and method of producing the thin film |
| WO2010110412A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | Ｔｉ－Ｎｂ系酸化物焼結体スパッタリングターゲット、Ｔｉ－Ｎｂ系酸化物薄膜及び同薄膜の製造方法 |
| JP5349583B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2013-11-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Ｔｉ−Ｎｂ系酸化物焼結体スパッタリングターゲット、Ｔｉ−Ｎｂ系酸化物薄膜及び同薄膜の製造方法 |
| US9532453B2 (en) | 2009-09-01 | 2016-12-27 | Sapurast Research Llc | Printed circuit board with integrated thin film battery |
| JP2011252198A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Shimane Univ | 透明導電薄膜用ターゲット材およびその製造方法 |
| US10680277B2 (en) | 2010-06-07 | 2020-06-09 | Sapurast Research Llc | Rechargeable, high-density electrochemical device |
| JP2012107276A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Nichia Corp | チタン酸化物系蒸着材料及びその製造方法 |
| JP2012162404A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mie Prefecture | マイクロ波吸収・自己発熱性耐熱陶磁器およびその製造方法 |
| DE102011116062A1 (de) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Sintertechnik Gmbh | Keramisches Erzeugnis zur Verwendung als Target |
| WO2013056968A1 (en) | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Heraeus Materials Tech Gmbh | Sputtering target and use thereof |
| EP2584062A1 (de) | 2011-10-19 | 2013-04-24 | Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG | Sputtertarget und seine Verwendung |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| US11325859B2 (en) | 2016-11-17 | 2022-05-10 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| CN116143512A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-05-23 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯二氧化钛平面靶材及其制备方法 |
| CN116143512B (zh) * | 2023-02-15 | 2024-02-27 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯二氧化钛平面靶材及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3836163B2 (ja) | 2006-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07233469A (ja) | ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の製造方法 | |
| EP0852266B1 (en) | Target, process for production thereof, and method of forming highly refractive film | |
| JP4670097B2 (ja) | ターゲットおよび該ターゲットによる高屈折率膜の製造方法 | |
| US5354446A (en) | Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production | |
| JP4087447B2 (ja) | スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| EP1557479B1 (en) | Substrate having multilayer film and method for manufacturing the same | |
| JP3806521B2 (ja) | 透明導電膜、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜付き基体 | |
| JP2008057045A (ja) | 酸化物焼結体スパッタリングターゲット | |
| JP4619811B2 (ja) | スパッタリングターゲット、高屈折率膜とその製造方法、およびそれを用いた反射防止膜とディスプレイ装置 | |
| JP3651909B2 (ja) | セラミックス回転カソードターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH05230645A (ja) | セラミックス回転カソードターゲット及びその製造法 | |
| JP4121022B2 (ja) | ターゲットの製造方法 | |
| JPH07196365A (ja) | Ｉｔｏ焼結体ならびにｉｔｏ透明電導膜およびその膜の形成方法 | |
| JP3695790B2 (ja) | ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の形成方法 | |
| EP1924719A2 (en) | Siox:si composite articles and methods of making same | |
| JP2585595B2 (ja) | セラミックス焼結体の製造方法 | |
| JPH08283935A (ja) | ターゲットおよび該ターゲットによる高屈折率膜の製造方法 | |
| JP3651910B2 (ja) | セラミックス回転カソードターゲット及びその製造方法 | |
| WO2015182167A1 (ja) | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜 | |
| JP4763962B2 (ja) | 酸化膜形成用スパッタリングターゲットとそれを用いた酸化膜の製造方法 | |
| US20020125130A1 (en) | Cathode targets of silicon and transition metal | |
| JPH05230644A (ja) | セラミックス回転カソードターゲットおよびその製造法 | |
| JPH05222528A (ja) | セラミックス回転カソードターゲット及びその製造方法 | |
| JP3121851B2 (ja) | 薄膜とその製造方法 | |
| JP2005068507A (ja) | 酸化膜形成用スパッタリングターゲットとそれを用いた酸化膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060113 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060623 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060725 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060726 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |