TWI471435B - A thin film made of titanium oxide as a main component, a sintered body sputtering target suitable for producing a film mainly composed of titanium oxide, and a method for producing a thin film containing titanium oxide as a main component - Google Patents

A thin film made of titanium oxide as a main component, a sintered body sputtering target suitable for producing a film mainly composed of titanium oxide, and a method for producing a thin film containing titanium oxide as a main component Download PDF

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Description

以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶及以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法
本發明，係關於一種高折射率且具有低消光係數(extinction coefficient)之以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製造該薄膜之以氧化鈦為主成分的燒結體濺鍍靶及以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法。
近年來，開發出不需磁頭而可進行覆寫之高密度光資訊記錄媒體的高密度記錄光碟技術，並已快速地商品化。尤其是CD-RW，以可進行覆寫之CD的形態出現於1977年，目前，係最為普及之相變化光碟。此CD-RW之覆寫次數可達1000次左右。
又，雖然開發出作為DVD用之DVD-RW，並亦已商品化，但是此碟片之層構造基本上與CD-RW相同或類似。其覆寫次數則可達1000～10000次左右。
此等，係藉由照射光束，產生記錄材料之透射率、反射率等之光學變化，以進行資訊之記錄、再生、單寫，快速普及之電子零件。
一般，CD-RW或DVD-RW等所使用之相變化光碟，係呈以ZnS‧SiO2 等高熔點介電質之保護層夾持Ag-In-Sb-Te系或Ge-Sb-Te系等記錄薄膜層之兩側，並且再設置銀或銀合金或鋁合金反射膜之四層構造。又，為了提高重複次數，視需要，並在記憶層(memory layer)與保護層之間加入介面層等。
反射層與保護層，除了要求增大記錄層之非晶質部與結晶部之反射率之差的光學功能外，且對於記錄薄膜之耐濕性、防熱變形之功能、及記錄時熱的條件控制之功能亦有所要求(參照非專利文獻1)。
最近，為了可進行大容量、高密度之記錄，提出一種單面2層光記錄媒體(參照專利文獻1)。於此專利文獻1，從雷射光之入射方向，具有形成在基板1上之第一資訊層與形成在基板2上之第二資訊層，而此等係透過中間層貼合在一起，使資訊膜彼此相對向。
此時，第一資訊層係由記錄層與第1金屬反射層所構成，第二資訊層則由第1保護層、第2保護層、記錄層、第2金屬反射層所構成。其他，亦可任意形成用以防刮、防污等之硬塗層、熱擴散層等之層。又，此等之保護層、記錄層、反射層等，亦提出有多種之材料。
由高熔點介電質所構成之保護層，除了必須要對因升溫與冷卻所造成之熱反覆應力具有抗性，並且要使此等之熱影響不會對反射膜或其他地方造成影響，而且其本身要薄，具有低反射率且不會變質之堅韌度。此意指，介電質保護層具有重要之功能。又，當然，記錄層、反射層、干涉膜層等，於上述之CD、DVD等電子零件中，在發揮各別功能之意義上，亦同樣重要。
此等多層構造之各薄膜，通常係藉由濺鍍法來形成。此濺鍍法，係利用下述原理來形成膜：使由正電極與負電極所構成之基板與靶相對向，在惰性氣體環境氣氛下，於此等基板與靶之間施加高電壓，使其產生電場，此時經電離之電子與惰性氣體將會互相衝撞，形成電漿，此電漿中之陽離子衝撞於靶(負電極)表面，而將靶構成原子擊出，此飛出之原子會附著於對向之基板表面而形成膜。
其中，係提出使用氧化鈦(TiOX )之靶來作為用以形成熱線反射膜、抗反射膜之濺鍍靶(參照專利文獻2)。此時，為了穩定濺鍍時之放電，係使比電阻值在0.35Ωcm以下，且可進行DC濺鍍，而可得到高折射率之膜。然而，由於膜之透射率降低，故採取使氧含有量在35重量%，且導入氧之方法。又，由於導入氧會降低成膜速度，因此添加金屬氧化物，以謀求成膜速度之提升，但是在要求折射率更高、吸收少之膜的精密光學構件、電子零件的適用上卻會有問題。尤其是在400nm附近之短波長側會有問題。
非專利文獻1：技術雜誌「光學」26卷1號，第9～15頁。
專利文獻1：日本特開2006-79710號公報。
專利文獻2：日本特許第3836163號公報。
本發明，鑑於上述問題，其目的在於得到一種高折射率且具有低消光係數之以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製造該薄膜之以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶及以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法。
同時，其課題在於得到一種透射率優異，反射率之降低小，適用作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜的薄膜。又，亦可適用於玻璃基板，亦即亦可使用作為熱線反射膜、抗反射膜、干涉濾光器。
為了解決上述課題，本發明人等經潛心研究之結果，得到以下之見解：在氧化鈦添加銀或銀之氧化物極為有效，且不會損及作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜的特性，能得到可維持透射率，防止反射率之降低之材料。
根據此見解，提供以下之發明。
1)一種以氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於，由Ti、Ag、O之成分所構成，Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti＋0.5Ag)在0.97以上。
2)如上述1)所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜，其中，氧與Ti之比O/Ti在2以上。
3)如上述1)或2)所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜，其中，於400～410nm之波長區域的折射率在2.60以上。
4)如上述1)至3)中任一項所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜，其中，於400～410nm之波長區域的消光係數在0.1以下。
5)如上述4)所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜，其中，於400～410nm之波長區域的消光係數在0.03以下。
6)如上述1)至5)中任一項所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜，其係使用於干涉膜或保護膜之薄膜。
7)如上述6)所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜，其係使用作為光記錄媒體。
8)一種適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶，其特徵在於，由Ti、Ag、O之成分所構成，具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下。
9)如上述8)所記載之適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶，其係由Ti、Ag、O之成分所構成，具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.01≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下。
10)如上述8)或9)所記載之適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶，其中，存在於燒結體濺鍍靶中之Ag相的平均粒徑在15μm以下。
11)一種以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，其特徵在於，使用由Ti、Ag、O之成分所構成，且具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下之燒結體濺鍍靶，於無氧或含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍，藉此在基板上形成Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti＋0.5Ag)在0.97以上之薄膜。
12)如11)所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，其中，當以直流濺鍍進行成膜，使濺鍍之環境氣氛中的氧氣比率為b(%)時，於濺鍍靶之Ag的組成比n為0.0001≦n≦0.01的情形，係調整為0＜b≦83.3n-0.17之範圍，於Ag之組成比n為0.01≦n≦0.2的情形，則調整為17n-0.17≦b≦83.3n-0.17之範圍。
13)如11)所記載之以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，其中，當在0≦m≦0.05之範圍，且Ag之組成比n為0.0001≦n≦0.01的情形時，調整為氧氣比率b=0%，進行濺鍍。
如以上，本發明係一種高折射率且具有低消光係數之以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製造該薄膜之以氧化鈦為主成分的燒結體濺鍍靶及以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，藉由本發明所得之薄膜，作為光資訊記錄媒體之膜，層非常具有效果。
又，本發明之薄膜，同時具有優異之透射率，反射率之降低小，特別適用作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜。
高熔點介電質之保護層，必須要對因升溫與冷卻所造成之熱反覆應力具有抗性，並且要使此等之熱影響不會對反射膜或其他地方造成影響，而且其本身亦要薄，具有低反射率且不會變質之堅韌度，本發明之以氧化鈦為主成分之薄膜，具備有可適用於此種材料之特性。
又，由於濺鍍中之氧量亦可在較少之範圍進行調整，故亦具有亦可抑制成膜速度降低之效果。
本發明之以氧化鈦為主成分之薄膜，如上述，係由Ti、Ag、O之成分所構成，具有Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti＋0.5Ag)在0.97以上之組成比。
Ag之存在，具有提高薄膜之折射率的效果。若未達0.003時，則Ag之添加效果小，又若超過7.4時，則由於薄膜在400～410nm之波長區域之消光係數會有增加的傾向，因此薄膜中之Ag的存在量，較佳在0.03at%以上、7.4at%以下。
折射率獲得提升的原因，雖然未必明確，但係認為是由於銀(Ag)以微細粒子(奈米粒子等)之形態分散於氧化鈦之非晶質之膜中的緣故。
此銀，視情況，有時其一部分亦會以氧化銀(Ag2 O、Ag2 O2 等)之形態存在，但是上述之一部分會以氧化銀之形態存在的情形，亦不會特別造成問題，同樣地認為可提升折射率。氧化銀之存在，可在XPS分析下，於Ag3d之峰值位置在368.0eV以下時獲得確認。
以上述方式所得之高折射率之材料，多層光學膜設計之自由度高，為更加合適之材料。
此等之薄膜為非晶質之膜，可得到於400～410nm之波長區域的折射率在2.60以上之膜。又，可得到於400～410nm之波長區域的消光係數在0.1以下(進一步消光係數在0.03以下)之薄膜。
上述400～410nm之波長區域，係藍光雷射之波長區域，於此波長區域，如上述，折射率在2.60以上，此折射率以較高為佳。又，消光係數在0.1以下(進一步可達到0.03以下)，此消光係數越低，在多層化時越適用。此以氧化鈦為主成分之薄膜，適用作為干涉膜或保護膜，尤其是適用作為光記錄媒體。
上述薄膜，具有(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，可藉由使用比電阻在10Ωcm以下之燒結體濺鍍靶來製造。
此時之濺鍍，尤其是Ag量多的情形，由於在含有氧之環境氣氛下進行成膜較佳，故濺鍍膜中之氧會增加。尤其是藉由調整為氧與Ti之比，即O/Ti在2以上，可得到400～410nm之波長區域之消光係數低之以氧化鈦為主成分之薄膜。
本發明之燒結體靶，雖近似於薄膜之成分組成，但並非相同。亦即，靶之基本成分係由Ti、Ag、O之成分所構成，具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比。故，此靶具有10Ωcm以下之比電阻。
於上述中，若m超過0.5時，則由於氧缺陷會過大，消光係數具有增加的傾向，因此較佳係使m在0.5以下。又，當n未達0.0001時，則Ag之添加效果小，又若超過0.2時，則由於前述成膜時之消光係數具有增加的傾向，因此較佳係使n在0.0001以上、0.2以下。為了提升濺鍍效率，靶必須具有導電性，本發明之靶具備此條件，可進行DC濺鍍。
另，如後述，當在0≦m≦0.05之範圍，且Ag之組成比n為0.0001≦n≦0.01之情形時，可藉由使濺鍍條件，亦即使濺鍍環境氣氛為Ar＋O2 氣體或僅為Ar氣體，來調整加快成膜速度。0.05≦m≦0.5或0.01≦n≦0.2之情形，若濺鍍環境氣氛僅為Ar氣體，則由於消光係數會增加，因此較佳為Ar＋O2 氣體。在此時，係依製造目的來改變靶之組成。
又，藉由使存在燒結體濺鍍靶中之Ag相的平均粒徑在I5μm以下，可使DC濺鍍更加容易進行。惟，若此Ag相之平均粒徑超過15μm時，則由於會常常發生異常放電，故此Ag相之平均粒徑較佳在15μm以下。
可使用此燒結體濺鍍靶，於無氧或含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍，在基板上形成含有Ag及/或Ag氧化物之氧化鈦薄膜。
在製造薄膜時，如上述，可藉由使用由Ti、Ag、O之成分所構成，具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下之燒結體濺鍍靶，於無氧或含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍，來加以製造。亦即，藉此，可於基板上形成Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti＋0.5Ag)在0.97以上之以氧化鈦為主成分的薄膜。
此時，當以直流濺鍍進行成膜，使濺鍍之環境氣氛中的氧氣比率為b(%)時，於濺鍍靶之Ag的組成比n為0.0001≦n≦0.01的情形，係調整為0＜b≦83.3n-0.17之範圍，於Ag之組成比n為0.01≦n≦0.2的情形，則調整為17n-0.17≦b≦83.3n-0.17之範圍，此係在製造本發明之以氧化鈦為主成分之薄膜時，較佳之條件。
然而，如上述，當在0≦m≦0.05之範圍，且Ag之組成比n為0.0001≦n≦0.01的情形時，亦可調整為氧氣比率b=0%，進行濺鍍。亦即，即使沒有漏氧，亦可進行可滿足光學特性之濺鍍，並且可得到成膜速度(rate)可獲得大幅改善的效果。
製造靶時，係使用高純度(通常在4N以上)且平均粒徑在10μm以下之氧化鈦(TiO2 )及高純度(通常在3N以上)且平均粒徑在20μm以下之銀粉作為原料。將其混合成本發明之組成比。
接著，將此等加以混合後，再使用濕式球磨機或乾式摻合機(混合機)加以混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。
混合後，填充於碳製之鑄模，然後進行熱壓。熱壓之條件，可依燒結原料之量來加以改變，通常係在800～1000℃之範圍、面壓力100～500kgf/cm2 之範圍來進行。然而，此條件，係表示代表性之條件者，其選擇可為任意，並無特別限制。燒結後，再對燒結體進行機械加工，精加工成靶形狀。
藉此，可得到靶之基本成分由Ti、Ag、O之成分所構成，具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比且銀(Ag)及/或氧化銀(Ag2 O、Ag2 O2 等)以微細粒子之形態分散於氧化鈦之基質中的靶。
[實施例]
以下，根據實施例及比較例加以說明。另，本實施例僅是表示較佳之例，並非欲藉由此例來限制本發明。亦即，本發明僅受到申請專利範圍的限制，而包含本發明所含之實施例以外的各種變形。
(實施例1)
使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為15μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=99：1(at%)，進行混合。
使用濕式球磨機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將已使水分蒸發且經乾燥之混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為900℃、面壓300kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，得到密度96%、比電阻7Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為15μm。濺鍍中沒有發生異常放電。此結果示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-0.5%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。經EPMA進行分析之膜之組成，為Ti：32.9at%，Ag：0.7at%，O：66.4at%，O/Ti：2.02，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.00。對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。另，使表2之氧比率為均衡。
以上之結果，折射率高達2.63，又消光係數顯著低至0.005。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例2)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為10μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=90：10(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，得到密度96%、比電阻2Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為10μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-2%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：31.2at%，Ag：3.5at%，O：65.3at%，O/Ti：2.09，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.02。對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。
以上之結果，折射率高達2.73，又消光係數顯著低至0.008。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(比較例1)
於此比較例，係於無氧之Ar環境氣氛，對實施例2所得之靶進行濺鍍的情形。雖然DC濺鍍本身可毫無問題地實施，但是薄膜之特性卻發生問題。亦即，所得之膜之折射率降低至2.65，又消光係數高達0.23。
從以上可知，即使是靶沒有問題的情形，當在無氧之Ar環境氣氛進行濺鍍時，亦無法形成較佳之薄膜。將此比較例1之結果，靶的部分示於表1，薄膜之組成與結果則示於表2。
如該等之表所示，膜之組成，為Ti：32.3at%，Ag：3.7at%，O：64at%，O/Ti：1.98，O/(2Ti＋0.5Ag)：0.96。
又，同樣地進行一些測試，當在Ag含有量超過1.5%之範圍時，則若不在含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍的話，則已知會產生折射率降低與消光係數升高的問題。
因此，使用本發明之燒結體濺鍍靶，尤其是在Ag含有量包含1.5%以上之情形，可確認較佳係在含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍。
(比較例2)
使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )作為原料。亦即，比較例2，並無添加銀粉，而僅使用TiO2 ：100(at%)。
將此粉末1kg填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為950℃、面壓250kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，密度為97%，密度獲得提升。然而，卻得到比電阻超過100Ωcm之靶。此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-2%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。然而，此DC濺鍍，因為發生異常放電而呈不穩定之狀態，因此中斷而改以RF濺鍍進行成膜。
膜之組成，為Ti：33.2at%，Ag：0at%，O：66.8at%，O/Ti：2.01，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.01。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。
以上之結果，折射率降低至2.59。又消光係數為0.004。消光係數雖然並無問題，但是卻有折射率降低，且有時會發生異常放電，具有DC濺鍍之穩定性顯著變差的問題。
(實施例3)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為10μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=99.9：0.1(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，得到密度98%、比電阻10Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為10μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。成膜速度大幅提升至1.7/sec/kW。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.3at%，Ag：0.04at%，O：66.66at%，O/Ti：2.00，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.00。另，Ag之組成分析係以SIMS進行。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。
以上之結果，折射率高達2.63，又消光係數為0.01。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例4)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為15μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=98：2(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，得到密度96%、比電阻6Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為15μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-1%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：32.2at%，Ag：1.4at%，O：66.4at%，O/Ti：2.06，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.02。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。
以上之結果，折射率高達2.67，又消光係數顯著低至0.006。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(比較例3)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為20μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=60：40(at%)，進行混合。
將此粉末1kg填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為950℃、面壓250kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，密度為90%，密度獲得提升。然而，卻得到比電阻為0.0003Ωcm之靶。此結果同樣地示於表1。靶中之Ag相的粒徑為20μm。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-10%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。
膜之組成，為Ti：26.3at%，Ag：17.5at%，O：56.2at%，O/Ti：2.14，O/(2Ti＋0.5Ag)：0.92。
於玻璃基板上，形成之濺鍍膜。對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。
以上之結果，折射率為2.5，消光係數為0.15。消光係數升高，且折射率降低，然而，並無發生異常放電。此係被認為並不是因為Ag的粒徑的關係，而是由於Ag量多，電性穩定之故。
(實施例5)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為20μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=90：10(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，得到密度95%、比電阻0.5Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為5μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-2%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：31.0at%，Ag：3.6at%，O：65.4at%，O/Ti：2.11，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.03。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。
以上之結果，折射率高達2.72，又消光係數顯著低至0.008。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例6)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為1μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=90：10(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。結果，得到密度91%、比電阻0.6Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為1μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-2%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：31.4at%，Ag：3.5at%，O：65.1at%，O/Ti：2.07，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.01。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。
以上之結果，折射率高達2.74，又消光係數顯著低至0.007。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(比較例4)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為50μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=90：10(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度97%、比電阻15Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為50μm。接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜，但是在濺鍍中頻頻發生異常放電，難以成膜。因此，中斷成膜。
(比較例5)
與實施例2同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為10μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=90：10(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度96%、比電阻2Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為10μm。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體-20%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。雖然可毫無問題地實施DC濺鍍，但成膜速度低至0.3/sec/kW，於實用上有困難。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：30.7at%，Ag：3.1at%，O：66.2at%，O/Ti：2.16，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.05。對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率低至2.59，又消光係數為0.005。
(實施例7)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為10μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=99：1(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度98%、比電阻7Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為15μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。成膜速度大幅提升至1.8/sec/kW。可知以上述方式，於Ar氣體環境氣氛中之DC濺鍍靶，可大幅提升成膜速度。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.1at%，Ag：0.7at%，O：66.2at%，O/Ti：2.00，O/(2Ti＋0.5Ag)：0.99。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率高達2.67，又消光係數為0.02。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例8)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為10μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為10μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=99.5：0.5(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度98%、比電阻9Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為10μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。與實施例7相同，成膜速度亦大幅提升至1.8/sec/kW。可知以上述方式，於Ar氣體環境氣氛中之DC濺鍍靶，可大幅提升成膜速度。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.3at%，Ag：0.2at%，O：66.5at%，O/Ti：2.00，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.00。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率高達2.66，又消光係數為0.01。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例9)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為1μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為1.5μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=99.95：0.05(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度98%、比電阻10Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為1.5μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。成膜速度提升至1.6/sec/kW。可知以上述方式，於Ar氣體環境氣氛中之DC濺鍍靶，可大幅提升成膜速度。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.3at%，Ag：0.02at%，O：66.68at%，O/Ti：2.00，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.00。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率高達2.62，又消光係數為0.007。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例10)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為1μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )與平均粒徑為1.5μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO2 ：Ag=99.99：0.01(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度98%、比電阻10Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為1.5μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。成膜速度提升至1.6/sec/kW。可知以上述方式，於Ar氣體環境氣氛中之DC濺鍍靶，可大幅提升成膜速度。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.3at%，Ag：0.005at%，O：66.695at%，O/Ti：2.00，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.00。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率高達2.61，又消光係數為0.005。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例11)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為1μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )、平均粒徑為15μm且純度為3N之鈦粉、與平均粒徑為1.5μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO1.9 ：Ag=99.95：0.05(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度98%、比電阻0.01Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為1.5μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar-4%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。成膜速度為0.7/sec/kW。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.4at%，Ag：0.02at%，O：66.58at%，O/Ti：1.99，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.00。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率高達2.61，又消光係數為0.007。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例12)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為1μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )、平均粒徑為15μm且純度為3N之鈦粉、與平均粒徑為1.5μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO1.5 ：Ag=99.99：0.01(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度98%、比電阻0.008Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為1.5μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar＋4%O2 氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。成膜速度為0.6/sec/kW。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.4at%，Ag：0.006at%，O：66.594at%，O/Ti：1.99，O/(2Ti＋0.5Ag)：1.00。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率高達2.60，又消光係數為0.01。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(實施例13)
與實施例1同樣地，使用平均粒徑為1μm且純度為4N(99.99%)之氧化鈦(TiO2 )、平均粒徑為15μm且純度為3N之鈦粉、與平均粒徑為5μm且純度為3N(99.9%)之銀粉作為原料。將其調合成TiO1.95 ：Ag=99.9：0.1(at%)，進行混合。
使用乾式摻合機對此混合粉1kg進行混合，以使銀均勻地分散於氧化鈦粉。接著，將此混合粉填充於碳製之鑄模，進行熱壓。熱壓之條件為920℃、面壓350kgf/cm2 之範圍。對所得之燒結體進行機械加工，製成ψ152mm、5mmt之靶。
結果，得到密度98%、比電阻0.08Ωcm之靶。靶中之Ag相之粒徑為5μm。濺鍍中沒有發生異常放電。
此結果同樣地示於表1。
接著，使用以上述方式所製得之濺鍍靶，在玻璃基板上形成濺鍍膜。濺鍍條件，係於Ar氣體環境氣氛中，氣壓：0.5Pa，氣體流量：50sccm，濺鍍功率：500～1000w，實施DC濺鍍。可毫無問題地實施DC濺鍍，可確認此靶具有導電性。成膜速度提升至1.6/sec/kW。可知以上述方式，於Ar氣體環境氣氛中之DC濺鍍靶，可大幅提升成膜速度。
於玻璃基板上，形成500之濺鍍膜。膜之組成，為Ti：33.8at%，Ag：0.04at%，O：66.16at%，O/Ti：1.96，O/(2Ti＋0.5Ag)：0.98。
對此濺鍍膜之折射率及消光係數進行測量。折射率及消光係數，係使用光波長：405nm，藉由橢圓偏光計加以測量。此等之結果同樣地示於表2。以上之結果，折射率高達2.63，又消光係數為0.09。可形成較佳之光記錄媒體之干涉膜或保護膜。
(比較例6)
此比較例，係於無氧之Ar環境氣氛，對實施例11所得之靶進行濺鍍的情形。DC濺鍍本身雖然可毫無問題地實施，但是薄膜之特性卻發生問題。亦即，所得之膜的折射率降低至2.58，又消光係數高達0.21。
從以上可知，即使是靶沒有問題的情形，當在無氧之Ar環境氣氛進行濺鍍時，亦無法形成較佳之薄膜。將此比較例6之結果，靶的部分示於表1，薄膜之組成與結果則示於表2。
如該等之表所示，膜之組成，為Ti：34.3at%，Ag：0.02at%，O：65.68at%，O/Ti：1.91，O/(2Ti＋0.5Ag)：0.96。
又，同樣地進行一些測試，當在Ti含有量超過34.0%之範圍時，則若不在含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍的話，則已知會產生折射率降低與消光係數升高的問題。
因此，使用本發明之燒結體濺鍍靶，尤其是在Ti含有量超過34.0%時，可確認較佳係在含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍。
(比較例7)
此比較例，係於無氧之Ar環境氣氛，對實施例12所得之靶進行濺鍍的情形。DC濺鍍本身雖然可毫無問題地實施，但是薄膜之特性卻發生問題。亦即，所得之膜的折射率降低至2.54，又消光係數高達0.34。
從以上可知，即使是靶沒有問題的情形，當在無氧之Ar環境氣氛進行濺鍍時，亦無法形成較佳之薄膜。將此比較例7之結果，靶的部分示於表1，薄膜之組成與結果則示於表2。
如該等之表所示，膜之組成，為Ti：39.9at%，Ag：0.006at%，O：60.094at%，O/Ti：1.51，O/(2Ti＋0.5Ag)：0.75。
又，同樣地進行一些測試，當在Ti含有量超過34.0%之範圍時，則若不在含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍的話，則已知會產生折射率降低與消光係數升高的問題。
因此，使用本發明之燒結體濺鍍靶，尤其是在Ti含有量超過34.0%時，可確認較佳係在含有0.1～16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍。
(實施例與比較例之總結)
上述實施例與比較例，係顯示代表之例。上述之實施例雖無顯示，但是當薄膜之組成為Ti在29.6at%以上、34.Oat%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比之O/(2Ti＋0.5Ag)在0.97以上時，並且氧與Ti之比之O/Ti在2以上時，與上述實施例1至實施例7同樣地，任一者之折射率皆高，消光係數減小。
又，具有濺鍍靶之各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比者，且含有平均粒徑在15μm以下之Ag粒子時，可得到比電阻在10Ωcm以下，無異常放電之良好結果。
產業上之可利用性
本發明，係一種高折射率且具有低消光係數之以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製造該薄膜之以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶及以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，藉由本發明所製得之薄膜，可應用作為CD、DVD等之電子零件等光資訊記錄媒體之膜、層。
又，本發明之薄膜，同時具有優異之透射率，反射率之降低小，特別適用作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜。高熔點介電質之保護層，適用作為必須要對因升溫與冷卻所造成之熱反覆應力具有抗性，並且要使此等之熱影響不會對反射膜或其他地方造成影響，而且其本身亦要薄，具有低反射率且不會變質之堅韌度的介電質保護層。
並且，具有此種特性之材料，亦適用於建築用玻璃、汽車用玻璃、CRT用、平面顯示器用，亦即可使用作為熱線反射膜、抗反射膜、干涉濾光器。

Claims (13)

  1. 一種以氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於：由Ti、Ag、O之成分所構成，Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti+0.5Ag)在0.97以上；該以氧化鈦為主成分之薄膜於400~410nm之波長區域的折射率在2.60以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之以氧化鈦為主成分之薄膜，其中，氧與Ti之比O/Ti在2以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之以氧化鈦為主成分之薄膜，其中，於400~410nm之波長區域的消光係數在0.1以下。
  4. 如申請專利範圍第3項之以氧化鈦為主成分之薄膜，其中，於400~410nm之波長區域的消光係數在0.03以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之以氧化鈦為主成分之薄膜，其係使用於干涉膜或保護膜之薄膜。
  6. 如申請專利範圍第5項之以氧化鈦為主成分之薄膜，其係使用作為光記錄媒體。
  7. 一種適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶，其特徵在於：由Ti、Ag、O之成分所構成，具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下。
  8. 如申請專利範圍第7項之適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶，其係由Ti、Ag、O之成分所構成，具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.01≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶，其中，存在於燒結體濺鍍靶中之Ag相的平均粒徑在15μm以下。
  10. 一種以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，其特徵在於：使用由Ti、Ag、O之成分所構成，且具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下之燒結體濺鍍靶，於含有0.1~16%之氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍，藉此在基板上形成Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti+0.5Ag)在0.97以上之薄膜；該以氧化鈦為主成分之薄膜於400~410nm之波長區域的折射率在2.60以上。
  11. 一種以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，其特徵在於：使用由Ti、Ag、O之成分所構成，且具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下之燒結體濺鍍靶，當以直流濺鍍在基板上形成Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在 0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti+0.5Ag)在0.97以上的薄膜，使濺鍍之環境氣氛中的氧氣比率為b(%)時，於濺鍍靶之Ag的組成比n為0.0001≦n≦0.01的情形，係調整為0<b≦83.3n-0.17之範圍，於Ag之組成比n為0.01≦n≦0.2的情形，則調整為17n-0.17≦b≦83.3n-0.17之範圍；該以氧化鈦為主成分之薄膜於400~410nm之波長區域的折射率在2.60以上。
  12. 一種以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，其特徵在於：使用由Ti、Ag、O之成分所構成，且具有各成分為(TiO2-m )1-n Agn (其中，0≦m≦0.5，0.0001≦n≦0.2)之組成比，比電阻在10Ωcm以下之燒結體濺鍍靶，於無氧的氬氣環境氣氛中進行濺鍍，藉此在基板上形成Ti在29.6at%以上、34.0at%以下，Ag在0.003at%以上、7.4at%以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比O/(2Ti+0.5Ag)在0.97以上之薄膜；該以氧化鈦為主成分之薄膜於400~410nm之波長區域的折射率在2.60以上。
  13. 如申請專利範圍第12項之以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法，其中，m在0≦m≦0.05之範圍，且Ag之組成比n為0.0001≦n≦0.01。
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