JP2005068507A - 酸化膜形成用スパッタリングターゲットとそれを用いた酸化膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Al、Y、Si、MgおよびCaから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化膜形成用スパッタリングターゲットである。このような酸化膜形成用スパッタリングターゲットは、上記した元素の酸化物と1〜50質量%の範囲の炭素とから実質的に構成されている。
【選択図】なし
Description
本発明の一実施形態による酸化膜形成用スパッタリングターゲットは、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Al、Y、Si、MgおよびCaから選ばれる少なくとも1種の金属元素(ここではSiを含めて金属元素と称する)の酸化膜を形成する際に用いられるターゲットであって、ターゲットを主として構成する上記元素(上記した金属元素)の酸化物と1〜50質量%の範囲の炭素とから実質的に構成されている。
まず、純度が3NのTa2O5粉末と炭素粉末とを用意し、これらをターゲット中の炭素含有量が表1に示す値となるようにそれぞれ混合した。Ta2O5粉末と炭素粉末との混合は、それぞれボールミルを用いて6時間以上の条件で実施した。次に、これら混合粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、表1に示す焼結温度および焼結時間でそれぞれ加圧焼結した。焼結時の圧力は10MPaとし、また焼結雰囲気はAr雰囲気とした。
まず、純度が3NのTa2O5粉末とTaC粉末とを用意し、これらをターゲット中の炭素含有量が表2に示す値となるようにそれぞれ混合した。Ta2O5粉末とTaC粉末との混合は、それぞれボールミルを用いて6時間以上の条件で実施した。次に、これら混合粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、表2に示す焼結温度および焼結時間でそれぞれ加圧焼結した。焼結時の圧力は10MPaとし、また焼結雰囲気はAr雰囲気とした。
まず、純度が3NのNb2O5粉末と炭素粉末とを用意し、これらをターゲット中の炭素含有量が表3に示す値となるようにそれぞれ混合した。Nb2O5粉末と炭素粉末との混合は、それぞれボールミルを用いて6時間以上の条件で実施した。次に、これら混合粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、表3に示す焼結温度および焼結時間でそれぞれ加圧焼結した。焼結時の圧力は10MPaとし、また焼結雰囲気はAr雰囲気とした。
まず、純度が3NのNb2O5粉末とNbC粉末とを用意し、これらをターゲット中の炭素含有量が表4に示す値となるようにそれぞれ混合した。Nb2O5粉末とNbC粉末との混合は、それぞれボールミルを用いて6時間以上の条件で実施した。次に、これら混合粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、表4に示す焼結温度および焼結時間でそれぞれ加圧焼結した。焼結時の圧力は10MPaとし、また焼結雰囲気はAr雰囲気とした。
まず、純度が3NのSiO2粉末と炭素粉末とを用意し、これらをターゲット中の炭素含有量が表5に示す値となるようにそれぞれ混合した。SiO2粉末と炭素粉末との混合は、それぞれボールミルを用いて6時間以上の条件で実施した。次に、これら混合粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、表5に示す焼結温度および焼結時間でそれぞれ加圧焼結した。焼結時の圧力は10MPaとし、また焼結雰囲気はAr雰囲気とした。
まず、純度が3NのSiO2粉末とSiC粉末とを用意し、これらをターゲット中の炭素含有量が表6に示す値となるようにそれぞれ混合した。SiO2粉末とSiC粉末との混合は、それぞれボールミルを用いて6時間以上の条件で実施した。次に、これら混合粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、表6に示す焼結温度および焼結時間でそれぞれ加圧焼結した。焼結時の圧力は10MPaとし、また焼結雰囲気はAr雰囲気とした。
Claims (8)
- Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Al、Y、Si、MgおよびCaから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化膜形成用スパッタリングターゲットであって、
前記元素の酸化物と、1〜50質量%の範囲の炭素とから実質的になることを特徴とする酸化膜形成用スパッタリングターゲット。 - 請求項1記載の酸化膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは前記炭素を10〜40質量%の範囲で含有することを特徴とする酸化膜形成用スパッタリングターゲット。 - 請求項1または請求項2記載の酸化膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
相対密度が50%以上の焼結材を具備することを特徴とする酸化膜形成用スパッタリングターゲット。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の酸化膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
光学薄膜の形成用ターゲットとして用いられることを特徴とする酸化膜形成用スパッタリングターゲット。 - Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Al、Y、Si、MgおよびCaから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化膜を形成するにあたって、
請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の酸化膜形成用スパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜する工程を具備することを特徴とする酸化膜の製造方法。 - 請求項5記載の酸化膜の製造方法において、
前記成膜工程は酸素を含む雰囲気中で行われることを特徴とする酸化膜の製造方法。 - 請求項5または請求項6記載の酸化膜の製造方法において、
前記酸化膜は光学薄膜であることを特徴とする酸化膜の製造方法。 - 請求項5または請求項6記載の酸化膜の製造方法において、
前記酸化膜は反射防止膜の構成膜であることを特徴とする酸化膜の製造方法。
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