KR20210055669A

KR20210055669A - 광학 기능막, 스퍼터링 타깃, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법

Info

Publication number: KR20210055669A
Application number: KR1020217001279A
Authority: KR
Inventors: 게이타 우메모토; 요시노리 시라이; 유키야 스기우치; 다케시 오토모
Original assignee: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Priority date: 2018-09-07
Filing date: 2019-09-09
Publication date: 2021-05-17
Also published as: JP2020041217A; CN112424390A; TW202018111A

Abstract

본 발명의 광학 기능막은, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하고, 막 두께 d 가 30 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하이고, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.7 이하이고, 또한, 가시광 영역의 소쇠 계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하이다.

Description

광학 기능막, 스퍼터링 타깃, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법

본 발명은, 금속 박막 등에 적층되어, 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 저감시키는 광학 기능막, 이 광학 기능막을 성막하기 위해 사용되는 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 관한 것이다.

본원은, 2018년 9월 7일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2018-167996호, 및, 2019년 9월 6일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-163288호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

최근, 휴대 단말 장치 등의 입력 수단으로서, 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널이 채용되고 있다. 이 방식의 터치 패널에서는, 터치 위치 검출을 위해, 센싱용의 전극이 형성되어 있다. 이 센싱용의 전극은, 패터닝에 의해 형성하는 것이 통상적이며, 투명 기판의 일방의 면에, X 방향으로 연장된 X 전극과, X 방향에 대해 직교하는 Y 방향으로 연장된 Y 전극을 형성하고, 이것들을 격자상으로 배치하고 있다.

터치 패널의 전극에 금속막을 사용한 경우에는, 금속막이 금속 광택을 갖는 점에서, 전극의 패턴이 외부로부터 시인되어 버린다. 이 때문에, 금속 박막 상에, 가시광의 반사율이 낮은 저반사율막을 성막함으로써, 전극의 시인성을 저하시키는 것을 생각할 수 있다.

액정 표시 장치나 플라즈마 디스플레이로 대표되는 플랫 패널 디스플레이에서는, 컬러 표시를 목적으로 한 컬러 필터가 채용되고 있다. 이 컬러 필터에서는, 콘트라스트나 색 순도를 양호하게 하고, 시인성을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 블랙 매트릭스라고 칭해지는 흑색의 부재가 형성되어 있다.

상기 서술한 저반사율막은, 이 블랙 매트릭스 (이하 "BM" 이라고 기재한다) 로서도 이용 가능하다.

태양 전지 패널에 있어서, 유리 기판 등을 개재하여 태양광이 입사되는 경우, 그 반대측에는, 태양 전지의 이면 전극이 형성되어 있다. 이 이면 전극으로는, 몰리브덴 (Mo), 은 (Ag) 등의 금속막이 사용되고 있다. 이와 같은 양태의 태양 전지 패널을 이면측에서 보았을 때, 그 이면 전극인 금속막이 시인되어 버린다.

이 때문에, 이면 전극 상에, 상기 서술한 저반사율막을 성막함으로써, 이면 전극의 시인성을 저하시키는 것을 생각할 수 있다.

상기 서술한 저반사율막으로서, 예를 들어 특허문헌 1 에는, 카본 블랙 또는 질화티탄으로 이루어지는 흑색 안료와, 수지와, 중합 개시제와, 굴절률 조정용의 산화물을 갖는 흑화막이 개시되어 있다.

특허문헌 2, 3 에는, 광학 박막을 성막하기 위한 스퍼터링 타깃으로서, 탄화물과 산화물을 함유하는 것이 제안되어 있다.

일본 공개특허공보 2017-211826호 일본 공개특허공보 2005-068507호 일본 공개특허공보 2003-321771호

특허문헌 1 에 기재된 저반사막에 있어서는, 카본 블랙 또는 질화티탄으로 이루어지는 흑색 안료를 함유하는 수지를 막 상에 형성한 것으로, 수지가 주성분이기 때문에, 내구성이 불충분하였다.

특허문헌 2, 3 에 기재된 스퍼터링 타깃에 있어서는, 탄화물을 함유하고 있지만, 탄화물은 융점이 높아 소결성이 떨어지기 때문에, 소결체의 밀도를 충분히 향상시키는 것이 곤란하였다. 밀도가 낮은 스퍼터링 타깃에 있어서는, 스퍼터시에 이상 방전이 다발하여, 안정적으로 성막할 수 없을 우려가 있었다.

또, 특허문헌 2, 3 에 기재된 스퍼터링 타깃에 있어서는, 도전성이 불충분하기 때문에, DC 스퍼터로 안정적으로 성막할 수 없어, RF 스퍼터로 성막을 실시하고 있다. RF 스퍼터는, DC 스퍼터에 비해 성막 효율이 낮기 때문에, 광학 기능막을 효율적으로 성막할 수 없었다.

상기 서술한 광학 기능막에는, 제조시 및 사용시에 있어서 광학 특성이 크게 변화되지 않도록 내구성이 요구된다. 예를 들어, 성막 후에 가열 공정이 실시되는 경우에는, 내열성이 요구된다. 또, 에칭으로 배선 패턴을 형성하는 경우에는, 레지스트막을 박리할 때에 알칼리가 사용되기 때문에, 내알칼리성이 요구된다. 또한, 에칭 후나 알칼리 처리 후의 세정시마다 물과 접촉하기 때문에, 내수성이 요구된다.

이 발명은, 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 내구성을 가짐과 함께 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막, 이 광학 기능막을 효율적으로 안정적으로 성막 가능한 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 양태인 광학 기능막은, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하고, 막 두께 d 가 30 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하의 범위 내, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.7 이하의 범위 내, 또한, 가시광 영역의 소쇠 계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내로 되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성의 광학 기능막에 의하면, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분에 의해, 막의 내구성을 향상시킬 수 있고, 또한, 막의 도전성을 확보할 수 있다.

또, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유함으로써, 금속 배선막 상에 적층했을 때의 반사율을 보다 저감시키도록, 막의 광학 특성을 조정하는 것이 가능해진다. 제 1 성분, 제 2 성분은, 상기의 화학량론비의 것에 한정되지 않고, 탄소, 질소, 산소가 일부 결손된 것이어도 동일한 효과가 얻어진다.

본 발명의 일 양태인 광학 기능막에 있어서는, 막 두께 d 가 30 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하의 범위 내, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.7 이하의 범위 내, 또한, 가시광 영역의 소쇠 계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내로 되어 있으므로, 반사율을 낮게 억제할 수 있어, 금속의 반사를 억제할 수 있다.

본 발명의 일 양태인 광학 기능막에 있어서는, 비저항률이 5 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 것이 바람직하다.

이 경우, 비저항률이 5 Ω·㎝ 이하로서 도전성이 확보되어 있어, 이 광학 기능막을 개재하여 통전을 실시할 수 있다.

본 발명의 일 양태인 광학 기능막에 있어서는, C, N 의 합계 함유량 α 와 O 의 함유량 β 의 원자비 α/β 가 0.01 이상 5 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.

이 경우, C, N 의 합계 함유량 α 와 O 의 함유량 β 의 원자비 α/β 가 0.01 이상으로 되어 있으므로, 막의 내구성을 향상시킬 수 있다. 한편, C, N 의 합계 함유량 α 와 O 의 함유량 β 의 원자비 α/β 가 5 이하로 되어 있으므로, 광학 특성을 유지하는 것이 가능해진다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃은, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성의 스퍼터링 타깃에 의하면, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하고 있으므로, 상기 서술한 광학 기능막을 성막할 수 있다. 제 1 성분, 제 2 성분은, 상기의 화학량론비의 것에 한정되지 않고, 탄소, 질소, 산소가 일부 결손된 것이어도 동일한 효과가 얻어진다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 밀도비가 90 ％ 이상, 또한, 비저항률이 0.1 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 것이 바람직하다.

이 경우, 밀도비가 90 ％ 이상으로 되어 있으므로, 스퍼터시에 있어서의 이상 방전의 발생을 억제할 수 있어, 안정적으로 성막할 수 있다. 또한, 비저항률이 0.1 Ω·㎝ 이하로 되어 있으므로, DC 스퍼터에 의해 안정적으로 성막할 수 있어, 광학 기능막을 효율적으로 성막할 수 있다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 상기 제 1 성분의 함유량 A 와 상기 제 2 성분의 함유량 B 의 mol 비 A/B 가 0.1 이상 20 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.

이 경우, 제 1 성분의 함유량 A 와 상기 제 2 성분의 함유량 B 의 mol 비 A/B 가 0.1 이상 20 이하로 되어 있으므로, 광학 기능막이 하지 금속의 반사율을 억제하는 데에 적합한 광학 정수 (定數) 의 막을 얻을 수 있다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분 분말과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분 분말을 혼합하는 분말 혼합 공정과, 혼합 분말을 소결하는 소결 공정을 갖고, 상기 분말 혼합 공정에 있어서는, 상기 제 1 성분 분말은, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말이 3 vol％ 이상 50 vol％ 이하의 범위 내로 되어 있고, 상기 제 2 성분 분말은, 입자경 10 ㎛ 이하의 분말이 70 vol％ 이상으로 되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성의 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 의하면, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분 분말과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분 분말을 혼합하는 분말 혼합 공정과, 혼합 분말을 소결하는 소결 공정을 구비하고 있으므로, 상기 서술한 스퍼터링 타깃을 제조할 수 있다.

상기 제 1 성분 분말에 있어서, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말이 3 vol％ 이상으로 되어 있으므로, 소결체에 있어서 도전성을 갖는 제 1 성분 입자끼리가 연결되어, 스퍼터링 타깃의 도전성을 충분히 확보할 수 있다.

소결성이 떨어지는 제 1 성분 분말에 있어서 입자경 10 ㎛ 이상의 분말이 50 vol％ 이하로 되어 있고, 소결성이 우수한 상기 제 2 성분 분말에 있어서 입자경 10 ㎛ 이하의 분말이 70 vol％ 이상으로 되어 있으므로, 소결체의 밀도를 충분히 향상시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 내구성을 가짐과 함께 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막, 이 광학 기능막을 효율적으로 안정적으로 성막 가능한 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공할 수 있다.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 광학 기능막을 구비한 적층막의 단면 설명도이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 나타내는 플로도이다.
도 3 은, 본 발명예 8 의 스퍼터링 타깃의 조직의 관찰 결과이다.
도 4 는, 본 발명예 29 의 스퍼터링 타깃의 조직의 관찰 결과이다.

이하에, 본 발명의 실시형태인 광학 기능막, 스퍼터링 타깃, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 대해, 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

본 실시형태에 관련된 광학 기능막 (12) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 표면에 성막된 금속 배선막 (11) 상에 적층하도록 성막되어 있다.

금속 배선막 (11) 은, 도전성이 우수한 금속인 알루미늄 및 알루미늄 합금, 구리 또는 구리 합금 등으로 구성되어 있고, 본 실시형태에서는, 구리에 의해 구성되어 있다. 이 금속 배선막 (11) 은, 금속 광택을 갖는 점에서, 가시광을 반사하여 외부로부터 시인되어 버린다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 은, 적층된 금속 배선막 (11) 에 있어서의 가시광의 반사를 억제하기 위해 형성된 것이다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 은, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하고 있다.

TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분은, 도전성을 갖고 있고, 이 제 1 성분에 의해 광학 기능막 (12) 의 도전성이 확보된다. 또, 이 제 1 성분에 의해, 광학 기능막 (12) 의 내구성이 향상되게 된다.

In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분은, 상기 서술한 제 1 성분에 혼합됨으로써, 광학 기능막 (12) 의 광학 특성을 조정하는 것이 가능해진다.

제 1 성분과 제 2 성분의 함유 비율은, 광학 기능막 (12) 의 광학 특성에 따라 적절히 설정되게 되지만, 제 1 성분 유래의 C, N 의 합계 함유량 α 와 제 2 성분 유래의 O 의 함유량 β 의 원자비 α/β 가 0.01 이상 5 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. C, N 의 합계 함유량 α 와 O 의 함유량 β 의 원자비 α/β 가 0.01 이상이면, 막의 내구성을 확보하는 것이 가능해진다. 한편, C, N 의 합계 함유량 α 와 O 의 함유량 β 의 원자비 α/β 가 5 이하이면, 광학 특성을 유지할 수 있고, 반사율의 상승 등을 억제할 수 있다. 또, 본 기능을 달성하는 범위 내에 있어서는, 추가로 제 3 성분으로서 임의의 원소나 화합물을 첨가해도 된다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 은, 막 두께 d 가 30 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하의 범위 내, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.7 이하의 범위 내, 또한, 가시광 영역의 소쇠 계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내로 되어 있다. 또한, 여기서 말하는 가시광이란 380 ∼ 780 ㎚ 의 범위의 파장으로 한다.

이 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 가시광의 흡수 (소쇠 계수 k) 와 간섭 (막 두께 d 및 굴절률 n) 에 의해, 금속 배선막 (11) 의 반사를 억제하고 있다. 소쇠 계수 k 를 조정함으로써 가시광의 전체 파장의 반사를 억제하고, 막 두께 d 및 굴절률 n 을 조정함으로써, 반사광의 파형 및 피크를 억제하고 있다.

본 실시형태에 있어서는, 광학 기능막 (12) 의 막 두께 d 의 하한은 35 ㎚ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 40 ㎚ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 광학 기능막 (12) 의 막 두께 d 의 상한은 85 ㎚ 이하로 하는 것이 바람직하고, 70 ㎚ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

가시광 영역의 굴절률 n 의 하한은 1.8 이상으로 하는 것이 바람직하고, 2.0 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 가시광 영역의 굴절률 n 의 상한은 2.6 이하로 하는 것이 바람직하고, 2.5 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

가시광 영역의 소쇠 계수 k 의 하한은 0.4 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.5 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 가시광 영역의 소쇠 계수 k 의 상한은 1.4 이하로 하는 것이 바람직하고, 1.3 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 막 두께 d 와 가시광 영역 (파장 550 ㎚) 의 굴절률 n 과 가시광 영역 (파장 550 ㎚) 의 소쇠 계수 k 의 곱, d × n × k 가 30 이상 150 이하의 범위 내로 되어 있는 것이 바람직하다. d × n × k 를 상기 서술한 범위 내로 함으로써, 가시광의 흡수와 간섭에 의해, 가시광 영역의 반사를 더욱 확실하게 억제하는 것이 가능해진다.

d × n × k 의 하한은 40 이상으로 하는 것이 바람직하고, 50 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, d × n × k 의 상한은 130 이하로 하는 것이 바람직하고, 110 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 은, 비저항률이 5 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 광학 기능막 (12) 을 개재하여 금속 배선막 (11) 과 외부의 배선의 도통을 실시하는 것이 가능해진다. 또한, 비저항률이 5 Ω·㎝ 를 초과하는 경우에는, 금속 배선과 외부를 도통시키기 위해, 저반사막이나 기판에 구멍을 형성함으로써 외부의 배선과의 도통이 가능해진다.

비저항률은 1 Ω·㎝ 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.1 Ω·㎝ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

다음으로, 본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 대해 설명한다. 본 실시형태인 스퍼터링 타깃은, 상기 서술한 광학 기능막 (12) 을 성막하기 위해 사용되는 것이다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃은, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하고 있다.

TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분은, 도전성을 갖고 있고, 이 제 1 성분에 의해 본 실시형태인 스퍼터링 타깃의 도전성이 확보된다.

In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분은, 제 1 성분에 비해 소결성이 우수한 점에서, 본 실시형태인 스퍼터링 타깃의 밀도가 향상되게 된다.

제 1 성분과 제 2 성분의 함유 비율은, 성막하는 광학 기능막 (12) 의 광학 특성에 따라 적절히 설정되게 되지만, 예를 들어, 제 1 성분의 함유량 A 와 제 2 성분의 함유량 B 의 mol 비 A/B 가 0.1 이상 20 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃의 조직은, 제 1 성분과 제 2 성분의 함유 비율에 따라 변화되게 되지만, 본 실시형태에 있어서는, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분에, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분이 분산된 조직으로 되어 있다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 밀도비가 90 ％ 이상으로 되어 있다. 밀도비를 90 ％ 이상으로 함으로써, 스퍼터시에 있어서의 이상 방전의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 밀도비는 92 ％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 93 ％ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 비저항률이 0.1 Ω·㎝ 이하로 되어 있다. 비저항률을 0.1 Ω·㎝ 이하로 함으로써, DC 스퍼터에 의한 성막이 가능해진다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 비저항률은 5 × 10^-2 Ω·㎝ 이하로 하는 것이 바람직하고, 1 × 10^-2 Ω·㎝ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

다음으로, 본 실시형태에 관련된 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 대해, 도 2 를 참조하여 설명한다.

본 실시형태에 있어서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분 분말과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분 분말을 혼합하는 분말 혼합 공정 S01 과, 얻어진 혼합 분말을 소결하는 소결 공정 S02 와, 얻어진 소결체를 기계 가공하는 기계 가공 공정 S03 을 구비하고 있다.

(분말 혼합 공정 S01)

이 분말 혼합 공정 S01 에 있어서, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분 분말에 대해서는, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량을 3 vol％ 이상 50 vol％ 이하의 범위 내로 하고 있다. 또, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분 분말에 대해서는, 입자경 10 ㎛ 이하의 분말의 함유량을 70 vol％ 이상으로 하고 있다.

제 1 성분 분말에 대해, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량이 3 vol％ 미만인 경우에는, 제 1 성분에 의해 도전성을 충분히 확보할 수 없게 될 우려가 있다. 한편, 제 1 성분 분말에 대해, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량이 50 vol％ 를 초과하는 경우에는, 소결성이 불충분해져 밀도를 충분히 향상시킬 수 없게 될 우려가 있다.

이상으로부터, 본 실시형태에서는, 제 1 성분 분말에 대해, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량을 3 vol％ 이상 50 vol％ 이하의 범위 내로 하고 있다.

제 1 성분 분말에 대해, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량의 하한은 10 vol％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 20 vol％ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량의 상한은 45 vol％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 40 vol％ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

제 2 성분 분말에 대해, 입자경 10 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 70 vol％ 미만인 경우에는, 소결성을 확보할 수 없어, 밀도를 충분히 향상시킬 수 없게 될 우려가 있었다.

이상으로부터, 본 실시형태에서는, 제 2 성분 분말에 대해, 입자경 10 ㎛ 이하의 분말의 함유량을 70 vol％ 이상으로 하고 있다.

제 2 성분 분말에 대해, 입자경 10 ㎛ 이하의 분말의 하한은 75 vol％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 80 vol％ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다.

이것들 제 1 성분 분말과 제 2 성분 분말을 혼합함으로써, 소결 원료 분말을 얻는다.

(소결 공정 S02)

상기 서술한 소결 원료 분말을, 가압하면서 가열함으로써 소결하여, 소결체를 얻는다. 본 실시형태에서는, 핫 프레스 장치 또는 열간 등방압 가압 장치 (HIP) 를 사용하여, 소결을 실시하였다.

이 소결 공정 S02 에 있어서의 소결 온도는 800 ℃ 이상 1800 ℃ 이하의 범위 내, 소결 온도에서의 유지 시간은 1 시간 이상 15 시간 이하의 범위 내, 가압 압력은 10 ㎫ 이상 200 ㎫ 이하의 범위 내로 하였다.

(기계 가공 공정 S03)

얻어진 소결체를 소정의 치수가 되도록 기계 가공한다. 이로써, 본 실시형태인 스퍼터링 타깃이 제조된다.

이상과 같은 구성으로 된 본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 의하면, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분에 의해, 막의 내구성을 향상시킬 수 있고, 또한, 막의 도전성을 확보할 수 있다.

또, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유함으로써, 막의 광학 특성을 조정하는 것이 가능해진다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 막 두께 d 가 30 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하의 범위 내, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.7 이하의 범위 내, 또한, 가시광 영역의 소쇠 계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내로 되어 있으므로, 반사율을 낮게 억제하여 금속 배선막 (11) 의 금속 반사를 억제할 수 있어, 금속 배선막 (11) 이 외부로부터 시인되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 비저항률이 5 Ω·㎝ 이하로 되어 있으므로, 도전성이 확보되어 있어, 이 광학 기능막 (12) 을 개재하여 통전을 실시할 수 있다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 의하면, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하고 있으므로, 상기 서술한 광학 기능막 (12) 을 성막할 수 있다.

또, 밀도비가 90 ％ 이상으로 되어 있으므로, 스퍼터시에 있어서의 이상 방전의 발생을 억제할 수 있어, 안정적으로 성막할 수 있다.

또한, 비저항률이 0.1 Ω·㎝ 이하로 되어 있으므로, DC 스퍼터에 의해 안정적으로 성막할 수 있어, 상기 서술한 광학 기능막 (12) 을 효율적으로 성막할 수 있다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 의하면, TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분 분말과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분 분말을 혼합하는 분말 혼합 공정 S01 과, 혼합 분말을 소결하는 소결 공정 S02 를 구비하고 있으므로, 상기 서술한 스퍼터링 타깃을 제조할 수 있다.

제 1 성분 분말에 있어서, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말이 3 vol％ 이상으로 되어 있으므로, 소결체에 있어서 도전성을 갖는 제 1 성분 입자끼리가 연결되어, 스퍼터링 타깃의 도전성을 충분히 확보할 수 있다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 그 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.

예를 들어, 본 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 구조의 적층막을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 유리 기판/광학 기능막/금속 배선으로 한 구조의 적층막이어도 된다. 이 경우, 유리 기판으로부터의 광을 반사하게 된다. 또, 이 구조이면, 광학 기능막에 도전성은 불필요해진다.

실시예

이하에, 본 발명에 관련된 광학 기능막, 스퍼터링 타깃, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법의 작용 효과에 대해 평가한 평가 시험의 결과를 설명한다.

스퍼터링 타깃을 제조하기 위해, 표 1 ∼ 3 에 기재된 입자경을 갖는 순도 99 mass％ 이상의 제 1 성분 분말 (TiC 분말, NbC 분말, VC 분말, TiN 분말, NbN 분말, VN 분말), 및, 제 2 성분 분말 (In₂O₃ 분말, Y₂O₃ 분말, Nb₂O₅ 분말, V₂O₅ 분말, Al₂O₃ 분말, ZnO 분말, SiO₂ 분말) 을 준비하고, 원하는 타깃 조성비가 되도록 칭량된 각 분말을 10 ℓ 포트에 2 ㎏ 충전하고, φ5 ㎜ 의 볼을 6 ㎏ 투입한 후, 볼 밀 장치에서 혼합하였다.

제 1 성분의 함유량 A 와 제 2 성분의 함유량 B 의 mol 비 A/B 를 표 1 ∼ 3 에 기재하였다. 제 2 성분을 함유하고 있지 않은 비교예 1 ∼ 3 은「-」, 제 1 성분을 함유하고 있지 않고, 제 2 성분밖에 함유하고 있지 않은 비교예 4 는「0」으로 하였다.

상기 서술한 혼합 분말을 사용하여, 표 4 ∼ 6 에 나타내는 조건에서 소결하여, 소결체를 얻었다.

핫 프레스의 실시예에 대해서는, 혼합 분말을 카본제의 핫 프레스의 형 (型) (φ135 ㎜) 에 충전하고, 실시예에 기재된 온도와 압력에서 3 시간, 진공 중에서 핫 프레스를 실시하여, 소결체를 제조하였다.

HIP 의 실시예에 대해서는, 먼저, 혼합 분말을 φ225 ㎜ 의 고무형에 충전하고, 냉간 정수압 가압 (CIP) 장치에서 150 ㎫, 5 분간 가압 성형하여 성형체를 제조하였다. 그 후, SPCC (압연 강재) 의 캔에 성형체를 세트하고, SPCC 를 용접 후, 0.001 ㎩ 이하까지 진공화한 후, 캔을 봉하고, 실시예에 기재된 온도와 압력에서 2 시간 소결을 실시하여, 소결체를 제조하였다.

이것들 소결체를, 직경 : 125 ㎜, 두께 : 5 ㎜ 로 기계 가공한 후에, Cu 제의 배킹 플레이트에 In 땜납으로 붙여 스퍼터링 타깃을 제조하였다. 또한, 불순물 원소를 저감시키고자 하는 경우에는, 보다 순도가 높은 원료 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 또, In₂O₃ 분말과 ZnO 분말은, 핫 프레스시 및 HIP 시에 환원되어 각각 In 과 Zn 이 석출되는 경우가 있기 때문에, 카본형과 In₂O₃ 분말, ZnO 분말이 직접 닿지 않도록, 질화붕소를 카본형에 충분히 도포하는 것이 바람직하다.

제 1 성분 분말 및 제 2 성분 분말의 입자경은, 이하와 같이 측정하였다.

헥사메타인산나트륨 농도 0.2 vol％ 의 수용액을 100 ㎖ 조제하고, 이 수용액에 각 원료 분말을 10 ㎎ 첨가하고, 레이저 회절 산란법 (측정 장치 : 닛키소 주식회사 제조, Microtrac MT3000) 을 사용하여, 입자경 분포 (체적 기준) 를 측정하였다.

얻어진 입자경 분포 (체적 기준) 로부터, 제 1 성분 분말에 대해서는 10 ㎛ 이상의 분말의 체적의 비율을, 제 2 성분 분말에 대해서는 10 ㎛ 이하의 분말의 체적의 비율을 얻었다.

상기 서술한 바와 같이 하여, 얻어진 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 광학 기능막에 대해, 이하의 항목에 대해 평가하였다.

(스퍼터링 타깃의 밀도비)

얻어진 가공 완료된 스퍼터링 타깃의 치수로부터 스퍼터링 타깃의 체적을 산출하고, 측정한 중량의 값을 체적으로 나눔으로써 스퍼터링 타깃의 치수 밀도를 계산하였다. 치수 밀도를 계산 밀도로 나눈 비율을,「밀도비」로서 표에 기재하였다. 또한, 계산 밀도는 하기의 식에 따라 산출하였다. 평가 결과를 표 4 ∼ 6 에 나타낸다.

계산 밀도 (g/㎤) ＝ 100/{제 1 성분 투입량 (mass％)/제 1 성분 밀도 (g/㎤) ＋ 제 2 성분 투입량 (mass％)/제 2 성분 밀도 (g/㎤)}

(스퍼터링 타깃의 조직)

얻어진 스퍼터링 타깃으로부터 관찰 시료를 채취하여, 이것을 에폭시 수지에 매립하고, 연마 처리를 실시한 후, 전자 프로브 마이크로 애널라이저 (EPMA) 장치를 사용하여 배율 3000 배에서 36 ㎛ × 28 ㎛ 의 범위에 대해 원소 매핑을 실시하였다.

제 1 성분에 함유되는 금속의 매핑 이미지와, 제 2 성분에 함유되는 금속의 매핑 이미지로부터, 제 1 성분과 제 2 성분의 조직 구성을 관찰하였다.

얻어진 화상을 가로지르는 임의의 선분을 그었을 때, 제 1 성분의 영역과 제 2 성분의 영역을 함께 가로지르는 경우, 제 2 성분의 매트릭스 중에 제 1 성분이 균일하게 분산된 조직인 것으로 판단하여「Y」로 하였다. 또, 비교예의 단일 성분의 조직에 대해서는「-」로 하였다. 평가 결과를 표 4 ∼ 6 에 나타낸다.

도 3 에 본 발명예 8 의 관찰 결과를, 도 4 에 본 발명예 29 의 관찰 결과를 나타낸다.

(스퍼터링 타깃의 비저항)

얻어진 스퍼터링 타깃의 스퍼터면의 중심부에 대해, 미츠비시 화학 주식회사 제조의 저저항률계 (Loresta-GP) 를 사용하여, 4 탐침법으로 측정한 값을 표에 기재하였다. 측정시의 온도는 23 ± 5 ℃, 습도는 50 ± 20 ％ 에서 측정하였다. 또한, 측정시의 프로브는 ASP 프로브를 사용하였다. 측정값이 계측되지 않은 경우에는 O. R. (OverRange) 로 기재하였다. 평가 결과를 표 4 ∼ 6 에 나타낸다.

(이상 방전 측정)

얻어진 스퍼터링 타깃을 사용하여, 이하의 조건에서 1 시간 스퍼터를 실시했을 때의 이상 방전 횟수를 표에 기재하였다. 방전이 눈에 띄지 않은 스퍼터링 타깃에 대해서는, DC 스퍼터 불가로 판단하였다. 평가 결과를 표 4 ∼ 6 에 나타낸다.

전원 : DC 전원 (mks 사 제조 RPG-50)

전력 : 615 W

가스압 : 0.67 ㎩

가스 유량 : Ar 50 sccm

(단막 (單膜) 평가)

얻어진 스퍼터링 타깃에 있어서, 안정적으로 DC 스퍼터를 할 수 있었던 것에 대해, 가로세로 20 ㎜ 의 Si 기판 상에 50 ㎚ 성막을 실시하였다. 안정적으로 DC 스퍼터를 할 수 없었던 것에 대해서는, 성막 불가로 판단하였다. 이 때의 막 두께는, 사전에 성막했을 때에 산출한 막의 부착 속도를 사용하여, 목표 막 두께 (50 ㎚) 가 되는 성막 시간 동안 성막함으로써 관리하였다. 얻어진 막에 대해, 하기의 (1) ∼ (3) 의 평가를 실시하였다.

(1) 막 조성 분석

EPMA 장치의 정량 분석에 의해, 각 금속 성분과 C, O, N 성분의 정량을 실시하였다. 얻어진 결과로부터, 검출된 금속 성분과 C, O, N 성분의 합계값을 100 ％ 로 했을 때의 각 성분의 비율을 계산하여, 표 7 ∼ 9 에 기재하였다. 이 때, O 성분에 대해서는 잔부로서 기재하였다.

XPS 장치의 뎁스 프로파일 분석으로부터, 제 1 성분으로서 첨가한 TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 의 금속 성분의 프로파일로부터, 각각 TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에 동정되는 피크가 얻어지는 것을 확인하였다. 또한 제 2 성분으로서 첨가한 In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에 있어서도, 금속 성분의 프로파일로부터, 각각 In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에 동정되는 피크가 얻어지는 것을 확인하였다.

(2) 굴절률·소쇠 계수 측정

UVISEL-HR320 (호리바 제작소사 제조 분광 엘립소미트리) 을 사용하여, 굴절률과 소쇠 계수를 계산하였다. 얻어진 굴절률과 소쇠 계수로부터 550 ㎚ 의 파장에서의 값을 표 7 ∼ 9 에 기재하였다. 또, 굴절률과 소쇠 계수와, 흑색막 형성시 (적층막 형성시) 의 광학 기능막의 막 두께의 곱 (n × k × d) 에 대해 계산한 값도 표 7 ∼ 9 에 기재하였다. 흑색막 형성시 (적층막 형성시) 의 광학 기능막의 막 두께는, 후술되는 반사율 측정에서 성막된 광학 기능막의 막 두께로 하고, 표 7 ∼ 9 에 기재된 막 두께 d 를 사용하였다.

(3) 비저항 측정

Loresta-GP (미츠비시 화학 아날리텍사 제조) 를 사용하여, 4 탐침법으로 측정한 값을 표 7 ∼ 9 에 기재하였다. 측정시의 온도는 23 ± 5 ℃, 습도는 50 ± 20 ％ 에서 측정하였다. 또한, 측정시의 프로브는 PSP 프로브를 사용하였다.

(반사율 측정)

유리 기판 상에, 두께 200 ㎚ 의 Cu 막을 성막하였다. 또, 유리 기판 상에, 두께 20 ㎚ 의 Mo 막/두께 100 ㎚ 의 Al 막/두께 20 ㎚ 의 Mo 막 (MAM 막) 을 성막하였다.

그리고, Cu 막, 및, MAM 막 상에, 상기 서술한 광학 기능막을 각각 표 7 ∼ 9 에 기재된 막 두께 d 가 되도록 성막하여, 적층막을 제조하였다. 다음으로, 상기와 같이 유리 기판 상에 형성된 적층막에 대해, 반사율을 측정하였다. 이 측정에서는, 분광 광도계 (히타치 제조 U4100) 를 사용하여, 성막된 막측으로부터 380 ∼ 780 ㎚ 의 파장에 있어서 측정하였다. 얻어진 반사율의 데이터의 값의 평균값을 표 10 ∼ 12 에 기재하였다.

(내열 시험)

반사율 측정에서 제조한 적층막을 400 ℃, 질소 분위기에서 30 분 가열 처리하였다. 처리 후의 반사율을, 성막 직후와 동일하게 측정하였다. 평가 결과를 표 10 ∼ 12 에 나타낸다.

(내알칼리 시험)

반사율 측정에서 제조한 적층막을 실온, 3 mass％ NaOH 수용액에 30 분 침지하였다. 처리 후의 반사율을, 성막 직후와 동일하게 측정하였다. 평가 결과를 표 10 ∼ 12 에 나타낸다.

(침수 시험)

반사율 측정에서 제조한 적층막을 40 ℃ 의 순수에 30 분 침지하였다. 처리 후의 반사율을, 성막 직후와 동일하게 측정하였다. 평가 결과를 표 10 ∼ 12 에 나타낸다.

제 1 성분 및 제 2 성분을 함유하지 않고, 산화구리로 구성된 비교예 1 에 있어서는, 스퍼터링 타깃의 밀도비가 88.2 ％ 로 낮아지고, 이상 방전 횟수가 11 회로 비교적 많아졌다. 또, 이 스퍼터링 타깃에 의해 성막된 막에 있어서는, 내알칼리 시험 후에 반사율이 크게 변화되어 있고, 내알칼리성이 떨어졌다.

제 1 성분인 NbC 를 함유하지만 제 2 성분을 함유하지 않는 비교예 2 에 있어서는, 스퍼터링 타깃의 밀도비가 49.1 ％ 로 낮아졌다. 또, 이 스퍼터링 타깃에 의해 성막된 막에 있어서는, 성막된 막의 반사율이 높아졌다.

제 1 성분인 VC 를 함유하지만 제 2 성분을 함유하지 않는 비교예 3 에 있어서는, 스퍼터링 타깃의 밀도비가 78.2 ％ 로 낮아졌다. 또, 이 스퍼터링 타깃에 의해 성막된 막에 있어서는, 성막된 막의 반사율이 높아졌다.

제 2 성분인 Y₂O₃ 을 함유하지만 제 1 성분을 함유하지 않는 비교예 4 에 있어서는, 비저항이 지나치게 높아 측정할 수 없었다. 이 때문에, DC 스퍼터에 의해 성막할 수 없었다.

이에 반해, 제 1 성분 및 제 2 성분을 함유하고, 제 1 성분 분말에 있어서 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량이 5 vol％ 이상 50 vol％ 이하의 범위 내로 됨과 함께, 제 2 성분 분말에 있어서 10 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 70 vol％ 이상으로 된 본 발명예에 있어서는, 밀도비가 90 ％ 이상으로 높고, 비저항률이 0.1 Ω·㎝ 이하가 되었다. 따라서, 이상 방전의 발생이 억제되어, DC 스퍼터에 의해 안정적으로 성막할 수 있었다. 또한, 스퍼터링 타깃의 조직 관찰을 실시한 결과, 제 2 성분 중에 제 1 성분이 균일하게 분산된 조직으로 되어 있는 것이 확인되었다.

또, 성막된 광학 기능막에 있어서는, 비저항률이 5 Ω·㎝ 이하가 되어, 도전성이 우수하였다. 또, 성막 후의 반사율이 낮아, 금속 배선막의 반사를 억제할 수 있었다. 또한, 내열 시험, 내알칼리 시험, 침수 시험 후에 있어서도, 반사율이 크게 변화되지 않고, 내구성이 우수하였다.

이상으로부터, 본 발명예에 의하면, 내구성 및 도전성을 가짐과 함께 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막, 이 광학 기능막을 효율적으로 안정적으로 성막 가능한 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공할 수 있는 것이 확인되었다.

산업상 이용가능성

본 발명에 의하면, 내구성 및 도전성을 가짐과 함께 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막, 이 광학 기능막을 효율적으로 안정적으로 성막 가능한 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공할 수 있다.

12 : 광학 기능막

Claims

TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하고,
막 두께 d 가 30 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하이고, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.7 이하이고, 또한, 가시광 영역의 소쇠 계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는, 광학 기능막.
제 1 항에 있어서,
비저항률이 5 Ω·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는, 광학 기능막.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
C, N 의 합계 함유량 α 와 O 의 함유량 β 의 원자비 α/β 가 0.01 이상 5 이하인, 광학 기능막.
TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃.
제 4 항에 있어서,
밀도비가 90 ％ 이상, 또한, 비저항률이 0.1 Ω·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 성분의 함유량 A 와 상기 제 2 성분의 함유량 B 의 mol 비 A/B 가 0.1 이상 20 이하인, 스퍼터링 타깃.
TiC, NbC, VC, TiN, NbN, VN 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 1 성분 분말과, In₂O₃, Y₂O₃, Nb₂O₅, V₂O₅, Al₂O₃, ZnO, SiO₂ 에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 제 2 성분 분말을 혼합하여 혼합 분말을 얻는 분말 혼합 공정과, 상기 혼합 분말을 소결하는 소결 공정을 갖고,
상기 분말 혼합 공정에 있어서는, 상기 제 1 성분 분말은, 입자경 10 ㎛ 이상의 분말의 함유량이 3 vol％ 이상 50 vol％ 이하이고,
상기 제 2 성분 분말은, 입자경 10 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 70 ％ 이상인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃의 제조 방법.