JP2003321771A - スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スパッタリング中に、割れやクラック、異常
放電の発生がなく、高速でかつ安定なスパッタリングが
可能であり、記録再生特性に優れた相変化光記録媒体を
高い生産性で得ることができるスパッタリングターゲッ
トを提供する。 【解決手段】 酸化物から選ばれる１種類以上の物質と
炭化物から選ばれる１種類以上の物質から構成される焼
結体でスパッタリングターゲットを構成し、焼結体中の
炭化物含有量を０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、相対
密度を７０％以上とする。特に、Ｔａの酸化物とＳｉの
炭化物とを含む焼結体であって、該焼結体中のＳｉの炭
化物の含有量が０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であ
り、かつ、相対密度が７０％以上である焼結体でスパッ
タリングターゲットを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
情報記録媒体のなかで、レーザービーム等によって記録
層に相変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を
行なう相変化光記録媒体の製造に用いられるスパッタリ
ングターゲット及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】相変化型光記録ディスクは書き換え可能
な光記録ディスクの一種であり、記録層の可逆的な相変
化（多くは結晶−アモルファス間）によって情報を記録
するものである。単一ヘッドにより単層記録膜で光変調
オーバーライトが可能であり、また、相変化に伴う反射
率の変化により信号を読み取るので、ＣＤ−ＲＯＭ等の
既存の光記録ディスクとの互換性が高い等の特徴を有す
ることから、書き換え可能な光記録ディスクとして近年
盛んに研究開発がなされており、書き換え可能なＤＶＤ
に応用されている。

【０００３】相変化型光記録ディスク等の相変化光記録
媒体は、一般に、記録層の結晶相（消去状態）上にレー
ザービームによってアモルファス相の記録マークを形成
することによって記録を行ない、結晶相とアモルファス
相との反射率の差を検出することによって再生信号を得
る。また、信号記録の際にレーザービームの強度をアモ
ルファス化の強度（ピークパワー）と結晶化の強度（バ
イアスパワー）との間で強度変調させることにより、単
一ビーム、単層記録膜の組み合わせで光変調オーバーラ
イト（ダイレクトオーバーライト：ＤＯＷ）が可能であ
り、大容量かつ高転送レートの記録ディスクを得ること
ができる。

【０００４】一方、相変化光記録媒体のさらなる大容量
化に伴い、さらに高速の転送レートでの記録再生が求め
られており、例えば、１０ｍ／ｓｅｃ以上といった高線
速でのオーバーライトが求められている。従来の相変化
光記録媒体では、このような高線速においては、消去率
が低下してしまうという問題があり、この問題を解決す
るために、記録層に接して形成される保護層に関して多
くの検討がなされており(例えば、非特許文献１〜５参
照)、また、記録層の保護や記録層の結晶化の促進等の
機能を複数の層で分担するために、記録層と保護層との
間に、記録層に接して薄い界面層を形成する等の提案が
なされている(例えば、非特許文献６〜１０参照)。

【０００５】なお、このような相変化光記録媒体の保護
層や界面層を構成する材料としては酸化物、窒化物、炭
化物等が用いられており、また、この保護層や界面層の
形成方法としては、それらを構成する材料からなる焼結
体をスパッタリングターゲットに用いたスパッタ法が多
く用いられている（例えば、特許文献１、特許文献２参
照）。

【０００６】相変化光記録媒体の製造において、保護層
や界面層を形成する際、酸化物のみのターゲットでスパ
ッタリングして得られる薄膜では密着性が十分ではな
く、また、得られる相変化光記録媒体の記録感度特性が
悪いという問題があった(例えば、非特許文献５参照)。

【０００７】

【特許文献１】特開平０５−１４４０８３号公報（第２
−３頁）

【特許文献２】特開２０００−３３９７５０号公報（第
３−４頁）

【非特許文献１】「GeSbTe薄膜の結晶過程に及ぼす保護
膜の影響」、第４回相変化記録研究会シンポジウム講演
予稿集 p.12、1992年発行

【非特許文献２】「相変化型光ディスクの記録消去過程
と保護膜の関係」、信学技報（ＭＲ９２−７４）p.55、
1992年発行

【非特許文献３】「AlN第二保護層を用いた相変化光記
録媒体の記録／消去特性」、第４０回応用物理学関係連
合講演会 講演予稿集 第３分冊 p.1013、1993年発行

【非特許文献４】「Phase Change Disc for High Data
Rate Recording」、Proceedingsof PCOS2000 p.65、200
0年発行

【非特許文献５】「Investigation of Protect Layer f
or High Transfer Rate Phase Change Optical Dis
k」、Proceedings of PCOS200１ p.37、2001年発行

【非特許文献６】「相変化光ディスクの記録膜界面層の
影響」、第４３回応用物理学関係連合講演会 講演予稿
集 第３分冊 p.1083、1996年発行

【非特許文献７】「記録層の両側に窒化物層を有する相
変化光ディスク」、第４５回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集 第３分冊 p.1128、1998年発行

【非特許文献８】「酸化物界面層による相変化光ディス
クの保護層・記録層間相互拡散の防止」、第４５回応用
物理学関係連合講演会 講演予稿集 第３分冊 p.1127、1
998年発行

【非特許文献９】「Large Capacity and High-Data-Rat
e Phase-Change Disk」、Jpn.J.Appl.Phys. Vol.39 p.7
56、2000年発行

【非特許文献１０】「Effect of Interface Layer on t
he Recording Characteristics ofHigh Density Phase
Change Recording Media」、Proceedings of PCOS200２
p.20、2002年発行

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】これらを解決するた
め、保護層や界面層を構成する材料として酸化物に添加
剤を加えた材料を用いることが有効であるが、酸化物に
添加剤を加えたスパッタリングターゲットではスパッタ
リング中に、割れやクラックが発生し易く、その結果、
製造スループットを上げられないという問題があった。
さらに、スパッタリング中の異常放電によるパーティク
ルの発生により、製品歩留りが低下する問題があった。

【０００９】本発明はこのような事情に着目してなされ
たものであり、相変化光記録媒体の保護層や界面層の形
成に有用なスパッタリングターゲットであって、高速で
かつ安定なスパッタリングが可能となり、記録再生特性
に優れた相変化光記録媒体を得ることができる、生産性
の高いスパッタリングターゲットを提供するとともに、
そのようなスパッタリングターゲットを、簡便に製造歩
留り良く製造することが可能な製造方法を提供するもの
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決するために鋭意検討した結果、酸化物と炭化物の
原料粉末を混合し、得られた混合粉末を特定の条件で焼
結させた高密度スパッタリングターゲットを使用するこ
とにより、スパッタリングを行っても割れやクラックの
発生がなく、高速でかつ安定なスパッタリングが可能で
あり、さらには記録再生特性の優れた相変化光記録媒体
が得られることを見出した。

【００１１】本発明は上述の研究結果に基づいてなされ
たものである。すなわち、本発明のスパッタリングター
ゲットは、酸化物から選ばれる１種類以上の物質と、炭
化物から選ばれる１種類以上の物質とから構成される焼
結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲッ
トであり、相変化光記録媒体の保護層形成用や界面層形
成用のスパッタリングターゲットとして好適に用いられ
るものである。なお、焼結体中の炭化物含有量は０．１
ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることが好ましく、ま
た、焼結体の相対密度は７０％以上であることが好まし
い。

【００１２】前記焼結体を構成する酸化物は、Ｔａ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＳｎの酸
化物から選ばれる１種類以上の酸化物であることが好ま
しく、前記焼結体を構成する炭化物は、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｎｂ及びＷの炭化物から選ばれる１種類以上の炭化
物であることが好ましい。なお、炭化物が２種類以上含
まれる場合には、含まれている炭化物の総量として、そ
の含有量が０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であること
が好ましい。

【００１３】焼結体を構成する炭化物はＳｉの炭化物で
あることが特に好ましい。炭化物がＳｉの炭化物である
場合は、Ｓｉ以外の他の元素の炭化物を実施的に含まな
いことがさらに好ましい。

【００１４】また、本発明のスパッタリングターゲット
は、Ｔａの酸化物とＳｉの炭化物を含む焼結体であっ
て、該焼結体中のＳｉの炭化物の含有量が０．１ｗｔ％
以上２０ｗｔ％以下であり、かつ、相対密度が７０％以
上である焼結体からなることを特徴とするスパッタリン
グターゲットである。この場合も、前記焼結体は、Ｓｉ
以外の他の元素の炭化物を実質的に含まないことが好ま
しい。

【００１５】なお、本発明において、Ｓｉ以外の他の元
素の炭化物を実質的に含まないとは、Ｘ線回折プロファ
イルにおいて、Ｓｉ以外の他の元素の炭化物に帰属され
る回折ピークが明瞭には認められないことを意味する。
より具体的には、例えば、焼結体のＸ線回折プロファイ
ルにおける最大の回折ピークの強度Ｉｍａｘに対するＳ
ｉ以外の他の元素の炭化物の回折ピークの強度Ｉｃの比
（Ｉｃ／Ｉｍａｘ）が０．０１未満であることを意味す
る。

【００１６】また、本発明におけるＴａの酸化物、Ｓｉ
の炭化物としては、それぞれ、例えば、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｓｉ
Ｃを用いることができる。

【００１７】本発明のスパッタリングターゲットの製造
方法は、酸化物と炭化物の原料粉末を混合して得られた
混合粉末を焼結して焼結体を得る工程を有する、酸化物
から選ばれる１種類以上の物質と、炭化物から選ばれる
１種類以上の物質とから構成される焼結体からなるスパ
ッタリングターゲットの製造方法であって、前記混合粉
末として平均粒径が１５μｍ以下の混合粉末を用いると
ともに、前記混合粉末中の炭化物粉末の含有量を０．１
ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下とし、焼結温度９００℃以
上、焼結温度での保持時間３０分以上、かつ、焼結終了
後の降温速度３００℃／ｈｒ以下で焼結することを特徴
とするスパッタリングターゲットの製造方法である。

【００１８】また、本発明のスパッタリングターゲット
の製造方法は、Ｔａの酸化物とＳｉの炭化物とを含む混
合粉末を焼結して焼結体を得る工程を有する、Ｔａの酸
化物とＳｉの炭化物とを含む焼結体からなるスパッタリ
ングターゲットの製造方法であって、前記混合粉末とし
て平均粒径が１５μｍ以下の混合粉末を用いるととも
に、前記混合粉末中のＳｉの炭化物の含有量を０．１ｗ
ｔ％以上２０ｗｔ％以下とし、焼結温度９００℃以上、
焼結温度での保持時間３０分以上、かつ、焼結終了後の
降温速度３００℃／ｈｒ以下で焼結することを特徴とす
るスパッタリングターゲットの製造方法である。特に、
焼結温度は９００℃以上１２００℃以下とすることが好
ましく、これにより、ＴａＣ等のＴａの炭化物を実質的
に含まない焼結体からなるスパッタリングターゲットを
得ることができる。また、ホットプレス法を用い、焼結
圧力１００ｋｇ／ｃｍ²以上で焼結することが好まし
く、これにより、より高密度の焼結体を容易に得ること
ができる。

【００１９】以下に本発明をさらに詳細に説明する。

【００２０】本発明のスパッタリングターゲットは、酸
化物から選ばれる１種類以上の物質と、炭化物から選ば
れる１種類以上の物質とから構成される焼結体からなる
ことを特徴とするものであり、前記焼結体中の炭化物含
有量が０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、相対密度が７
０％以上であることを特徴とするものである。

【００２１】また、本発明のスパッタリングターゲット
は、Ｔａの酸化物とＳｉの炭化物とを含む焼結体であっ
て、該焼結体中のＳｉの炭化物の含有量が０．１ｗｔ％
以上２０ｗｔ％以下であり、かつ、相対密度が７０％以
上であることを特徴とするスパッタリングターゲットで
ある。

【００２２】焼結体中のＳｉＣ等の炭化物含有量が２０
ｗｔ％を越えると、スパッタリングして得られる膜の透
明性が低下し、記録再生特性が低下するため実用的でな
く、また、０．１ｗｔ％未満では記録感度の向上に効果
がない。焼結体中の炭化物含有量は、０．１〜１５ｗｔ
％であることがより好ましく、０．１〜１０ｗｔ％であ
ることがさらに好ましい。また、焼結体の相対密度を７
０％以上とすることにより、スパッタリング時の割れや
クラックの発生、異常放電が激減する。焼結体の相対密
度は８０％以上がより好ましく、９０％以上であること
がさらに好ましい。

【００２３】前記焼結体を構成する酸化物としては、例
えば、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｉ
ｎ及びＳｎの酸化物から選ばれる１種類以上の酸化物を
用いることができるが、得られるスパッタリングターゲ
ットを用いて作製される相変化光記録媒体の消去率特性
向上の観点から、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ及びＮｂの酸
化物から選ばれる１種類以上の酸化物であることが好ま
しい。ただし、ＳｉＯ ₂は屈折率が低いため、ＳｉＯ₂を
主成分とする焼結体からなるスパッタリングターゲット
を用いて作製される相変化光記録媒体では、信号強度が
相対的に低下する場合がある。また、前記焼結体を構成
する炭化物としては、得られるスパッタリングターゲッ
トを用いて作製される相変化光記録媒体の記録感度特性
向上の観点から、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ及びＷの炭化
物から選ばれる１種類以上の炭化物であることが好まし
い。

【００２４】特に、記録感度特性向上の観点からはＳｉ
の炭化物が最も効果的である。そのため、炭化物がＳｉ
の炭化物である場合は、Ｓｉ以外の他の元素の炭化物は
実施的に含まれていないことがより好ましい。

【００２５】相変化光記録媒体の消去率特性及び記録感
度特性をともに向上させる観点から、Ｔａの酸化物とＳ
ｉの炭化物とを含む焼結体からなるスパッタリングター
ゲットを用いることが特に好ましい。この場合もＳｉ以
外の他の元素の炭化物は実施的に含まれていないことが
好ましい。副生成物として生じたＴａＣを含む焼結体か
らなるスパッタリングターゲットを用いた場合は、Ｔａ
Ｃ副生成物を含まない焼結体からなるスパッタリングタ
ーゲットを用いた場合に比べて、得られる相変化光記録
媒体の消去率特性が低下する。一方、焼結体を構成する
酸化物に関しては、Ｔａの酸化物のみであっても良い
が、Ｔａの酸化物に加えて、例えば、Ｉｎの酸化物やＺ
ｒの酸化物を含むものであっても良く、それにより、記
録感度特性をさらに向上させることができる。なお、Ｔ
ａの酸化物、Ｉｎの酸化物、Ｚｒの酸化物、Ｓｉの炭化
物としては、それぞれ、例えば、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｉｎ₂Ｏ₃、
ＺｒＯ₂、ＳｉＣを用いることができる。

【００２６】上述のように、本発明のスパッタリングタ
ーゲットは、相変化光記録媒体の保護層の形成や界面層
の形成のためのスパッタリングターゲットとして好適に
用いられるものである。

【００２７】以下に、本発明のスパッタリングターゲッ
トを用いて作製することが好ましい相変化光記録媒体に
ついて説明する。このような相変化光記録媒体は、基板
上に保護層、記録層を含む多層膜を形成し、この記録層
の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な相変化を利
用して、情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体で
あり、少なくとも、結晶相とアモルファス相との間で可
逆的に相変化する記録層と、基板を記録再生時に発生す
る熱から保護したり、記録層を物理的・化学的に保護
し、光記録信号を増強する等のための誘電体からなる保
護層とが基板上に形成されている。この保護層は、記録
層の両側に形成されていることが多いが、基板と記録層
との間のみ、あるいは記録層の基板とは反対側にのみ形
成されていても良い。この保護層は記録層に接して直接
積層されていても良いが、記録層への原子拡散の防止や
記録層の結晶化の促進等の機能を担うために、記録層と
保護層との間に、記録層に接して薄い界面層が形成され
ていても良い。この場合、保護層は界面層の上に直接積
層されていても良いし、他の何らかの層を介して積層さ
れていても良い。この界面層は、記録層の両側の面に形
成されていても良いが、基板側又は基板と反対側のいず
れか一方の面のみに形成されていても良い。また、記録
層のいずれか一方の面に本発明のスパッタリングターゲ
ットを用いて形成される界面層を形成し、他方の面には
他の材料からなる界面層を形成しても良い。なお、上記
のように、界面層とは、記録層の両側又は基板側若しく
は基板とは反対側の面に、記録層に接して形成されるも
のであって、記録層への原子拡散の防止、記録層の結晶
化の促進等の機能を果たすものであり、その厚さは、
０．１〜２０ｎｍであり、より好ましくは０．２〜１０
ｎｍ、さらに好ましくは０．２〜２．５ｎｍである。

【００２８】このような相変化光記録媒体に用いられる
基板としては使用するレーザーの波長領域において十分
透明であり、機械特性などの媒体基板としての特性を満
たすものであれば特に限定されず、ガラス、ポリカーボ
ネート、アモルファスポリオレフィン等を用いることが
できる。なお、記録再生用のレーザー光を基板を通さず
に、記録層側から照射する場合は、基板が透明である必
要はなく、機械特性などの媒体基板としての特性を満た
すものであれば良い。

【００２９】保護層は使用するレーザー波長領域で透明
な膜で形成され、本発明のスパッタリングターゲットを
用いて形成される膜の他にも、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＡ
ｌＯＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂などの膜を用いることができ
る。また、記録層はＧｅＳｂＴｅ系薄膜、ＩｎＳｂＴｅ
系薄膜等の可逆的相変化を有する膜から構成される。さ
らに、相変化光記録媒体では、一般に、照射されたレー
ザー光を反射して信号検出系に戻すための反射層が形成
されているが、この反射層はＡｌ合金やＡｇ合金等の、
使用するレーザーの波長域において反射率の高い膜から
構成される。

【００３０】なお、上記保護層は記録層を保護する役割
のほかに記録層への光吸収効率を高めたり、また、記録
前後の反射光の変化量を大きくする役割も有するためこ
れらの厚さは使用するレーザー波長や、記録層の膜厚な
どを考慮して最適になるように設計する。さらに、これ
らの層を形成した後、その上に、必要に応じて合成樹脂
等からなる保護コート層を形成しても良い。

【００３１】本発明のスパッタリングターゲットのより
詳細な製造方法の一例を以下に示す。酸化物と炭化物の
原料粉末を所定の組成となるように配合し、例えば、ボ
ールミルなどで乾式または湿式にて均一に混合して混合
粉末を得る。この際、得られた混合粉末中の炭化物粉末
含有量を０．１〜２０ｗｔ％とするが、より好ましくは
０．１〜１５ｗｔ％、さらに好ましくは０．１〜１０ｗ
ｔ％である。炭化物粉末の含有量が２０ｗｔ％を越える
と、得られたスパッタリングターゲットにて、スパッタ
リングして得られる膜の透明性が低下し、記録再生特性
が低下するため実用的でなく、０．１ｗｔ％以下では記
録感度向上に効果がない。

【００３２】本発明のスパッタリングターゲットに用い
られる焼結体を作製するための原料粉末として用いられ
る酸化物粉末及び炭化物粉末としては特には限定され
ず、市販の粉末を使用することができるが、より均一で
高密度の焼結体を得るためには、得られた混合粉末の平
均粒径が１５μｍ以下であることが好ましく、より好ま
しくは平均粒径１０μｍ以下、さらに好ましくは平均粒
径が５μｍ以下である。

【００３３】得られた混合粉末をプレス機等で仮成形
し、常圧焼成炉にて焼成を行う。さらに焼結密度を高く
するためには、得られた混合粉末を黒鉛型等に充填し、
ホットプレス機を用いて加圧焼結するのが好ましい。ま
た、ＨＩＰにより焼結体を形成しても良い。焼結の際、
降温速度が３００℃／ｈｒより大きいと、焼結体に割れ
やクラック等の欠陥が生じるため、降温速度は３００℃
／ｈｒ以下とする。降温速度は、より好ましくは２００
℃／ｈｒ以下、さらに好ましくは１００℃／ｈｒ以下で
ある。

【００３４】焼結温度は９００℃以上であり、より好ま
しくは１０００℃以上、さらに好ましくは１１００℃以
上である。９００℃未満では相対密度７０％以上の高焼
結密度の焼結体を得ることが難しく、ホットプレス法を
用いる場合でも、非常に高い圧力を必要とし、装置の能
力から考えると実用的でない。

【００３５】なお、Ｔａの酸化物とＳｉの炭化物とを含
む焼結体を製造する場合には、焼結体中にＴａＣが生成
しないようにするために、焼結温度を９００℃以上１２
００℃以下とすることが好ましい。

【００３６】ホットプレス法を用いる場合の焼結圧力は
焼結密度を上げるためには１００ｋｇ／ｃｍ²以上が好
ましく、より好ましくは１５０ｋｇ／ｃｍ²以上、さら
に好ましくは２００ｋｇ／ｃｍ²以上である。

【００３７】焼結温度での保持時間は３０分以上が好ま
しく、より好ましくは１時間以上、さらに好ましくは２
時間以上である。

【００３８】上記のようにして得られた焼結体は、乾式
または湿式の機械加工により所定の形状に加工され、必
要に応じて、スパッタリング中の熱を効率的に放冷する
ためのバッキングプレートにボンディングされて、本発
明のスパッタリングターゲットが作製される。

【００３９】スパッタリングターゲットの形状として
は、使用するスパッタリング装置によって適宜選択する
ことができ、例えば、直径３〜８インチ程度の円形、ま
たは（４〜６インチ）×（５〜２０インチ）程度の方形
などが一般的である。また、スパッタリングターゲット
の厚さとしては、通常３〜２０ｍｍ程度である。

【００４０】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００４１】（実施例１）原料紛末として、Ｔａ₂Ｏ₅粉
末、ＳｉＣ粉末を使用した。ＳｉＣ粉末を、全量に対し
て、ＳｉＣ粉末含有量が２．５ｗｔ％となるようにＴａ
₂Ｏ₅粉末に添加し、これをジルコニアボールとともに樹
脂製のポットに投入して、ボールミルにて１２時間混合
した。得られた平均粒径１μｍの混合粉末をホットプレ
ス黒鉛型に充填し、純アルゴン気流中で、焼結温度１１
００℃、焼結圧力２００ｋｇ／ｃｍ ²の条件にてホット
プレス焼結を行い、焼結体を作製した。なお、昇温速度
２００℃／ｈｒ、降温速度１００℃／ｈｒ、保持時間は
２時間とした。ホットプレスの温度パターン及び加圧パ
ターンを図１に示す。得られた焼結体を機械加工によ
り、円板状（直径１０１．６ｍｍ、厚さ６ｍｍ）に加工
した。銅製のバッキングプレートにボンディングしてス
パッタリングターゲットを作製した。

【００４２】保護層の形成に上記のスパッタリングター
ゲットを用いて、図２（ａ）に示すような構造の相変化
光記録媒体を製造した。０．７μｍの幅の溝を１．４μ
ｍピッチで形成したポリカーボネート製のディスク状の
基板３１１上に上記のスパッタリングターゲットを用い
て、第一保護層３１２（膜厚：１００ｎｍ）を酸素ガス
を体積比で５％添加したアルゴンガス雰囲気（０．４５
Ｐａ）でＲＦスパッタリングすることにより成膜した。
この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅合金ターゲットを用いて記録
層３１３（膜厚：２０ｎｍ）をアルゴンガス０．４５Ｐ
ａの圧力でＤＣスパッタリングにより成膜した。さら
に、上記のスパッタリングターゲットを用いて、第二保
護層３１４（膜厚：２０ｎｍ）を酸素ガスを体積比で５
％添加したアルゴンガス雰囲気（０．４５Ｐａ）でＲＦ
スパッタリングすることにより成膜した。この後、Ａｌ
−３ｗｔ％Ｃｒ合金ターゲットを用いて、反射層３１５
（膜厚：１００ｎｍ）を形成した。この上に、保護コー
ト層３１６として紫外線硬化樹脂を１０μｍの厚みに形
成して相変化光記録媒体を作製した（以下、この構造の
相変化光記録媒体を「相変化光記録媒体Ｉ」又は「媒体
Ｉ」と称す）。

【００４３】また、界面層の形成に上記のスパッタリン
グターゲットを用いて、図２（ｂ）に示すような構造の
相変化光記録媒体を製造した。０．７μｍの幅の溝を
１．４μｍピッチで形成したポリカーボネート製のディ
スク状の基板３２１上に、第一保護層３２２をＺｎＳ−
２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂からなるスパッタリングターゲッ
トをＲＦスパッタ（アルゴンガス雰囲気：０．４５Ｐ
ａ）して１００ｎｍの厚さに形成した。この上に上記の
スパッタリングターゲットを用いて第一界面層３２３
（膜厚：２ｎｍ）を酸素ガスを体積比で５％添加したア
ルゴンガス雰囲気（０．４５Ｐａ）でＲＦスパッタリン
グすることにより成膜した。この後、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅
合金ターゲットを用いて記録層３２４（膜厚：２０ｎ
ｍ）をアルゴンガス０．４５Ｐａの圧力でＤＣスパッタ
リングにより成膜した。さらに、上記のスパッタリング
ターゲットを用いて、第二界面層３２５（膜厚：２ｎ
ｍ）を酸素ガスを体積比で５％添加したアルゴンガス雰
囲気（０．４５Ｐａ）でＲＦスパッタリングすることに
より成膜した。さらに、この上に第二保護層３２６を、
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂からなるスパッタリング
ターゲットをＲＦスパッタ（アルゴンガス雰囲気：０．
４５Ｐａ）して２０ｎｍの厚さに形成した。この後、Ａ
ｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金ターゲットを用いて、反射層３２
７（膜厚：１００ｎｍ）を形成した。この上に、保護コ
ート層３２８として紫外線硬化樹脂を１０μｍの厚みに
形成して相変化光記録媒体を作製した（以下、この構造
の相変化光記録媒体を「相変化光記録媒体ＩＩ」又は
「媒体ＩＩ」と称す）。

【００４４】（実施例２）Ｔａ₂Ｏ₅の代わりに、Ａｌ、
Ｚｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｉｎ又はＳｎの酸化物
のいずれかを使用したこと以外は実施例１と同様の方法
でスパッタリングターゲットを作製した（実施例２−１
〜８）。また、得られたスパッタリングターゲットを用
いて、実施例１と同様にして、相変化光記録媒体Ｉ及び
相変化光記録媒体ＩＩを作製した。

【００４５】（実施例３）ＳｉＣの代わりに、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ又はＭｎの炭化物のい
ずれかを使用したこと以外は実施例１と同様の方法でス
パッタリングターゲットを作製した（実施例３−１〜
８）。また、得られたスパッタリングターゲットを用い
て、実施例１と同様にして、相変化光記録媒体Ｉ及び相
変化光記録媒体ＩＩを作製した。

【００４６】（実施例４）混合粉末中のＳｉＣ粉末の含
有量を０．１ｗｔ％から２０ｗｔ％の間で変化させたこ
と以外は実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲ
ットを作製した（実施例４−１〜６）。また、得られた
スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様に
して、相変化光記録媒体Ｉ及び相変化光記録媒体ＩＩを
作製した。

【００４７】（実施例５）混合粉末の平均粒径を変化さ
せたこと以外は実施例１と同様の方法でスパッタリング
ターゲットを作製した（実施例５−１〜３）。

【００４８】（実施例６）降温速度を２００℃／ｈｒ又
は３００℃／ｈｒにしたこと以外は実施例１と同様の方
法でスパッタリングターゲットを作製した（実施例６−
１、２）。

【００４９】（実施例７）焼結温度を９００℃、１２０
０℃又は１３００℃にしたこと以外は実施例１と同様の
方法でスパッタリングターゲットを作製した（実施例７
−１〜３）。また、得られたスパッタリングターゲット
を用いて、実施例１と同様にして、相変化光記録媒体Ｉ
及び相変化光記録媒体ＩＩを作製した。

【００５０】（実施例８）焼結温度が９００℃、１１０
０℃、１２００℃又は１３００℃の常圧焼結法で焼結を
行ったこと以外は実施例１と同様の方法でスパッタリン
グターゲットを作製した（実施例８−１〜４）。また、
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１
と同様にして、相変化光記録媒体Ｉ及び相変化光記録媒
体ＩＩを作製した。

【００５１】（実施例９）焼結圧力を１００ｋｇ／ｃｍ
²又は１５０ｋｇ／ｃｍ²にしたこと以外は実施例１と同
様の方法でスパッタリングターゲットを作製した（実施
例９−１、２）。

【００５２】（実施例１０）焼結温度での保持時間を３
０分又は１時間にしたこと以外は実施例１と同様の方法
でスパッタリングターゲットを作製した（実施例１０−
１、２）。

【００５３】（実施例１１）原料紛末として、Ｔａ₂Ｏ₅
粉末、ＳｉＣ粉末及びＩｎ₂Ｏ₃粉末を使用し、全量に対
して、ＳｉＣ粉末含有量が２．５ｗｔ％、Ｉｎ₂Ｏ₃粉末
含有量が２．５ｗｔ％となるようにＴａ₂Ｏ₅粉末に添加
し、これをジルコニアボールとともに樹脂製のポットに
投入して、ボールミルにて１２時間混合した。得られた
平均粒径１μｍの混合粉末を用いて、実施例１と同様に
してスパッタリングターゲットを作製した。また、得ら
れたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同
様にして、相変化光記録媒体Ｉ及び相変化光記録媒体Ｉ
Ｉを作製した。

【００５４】（実施例１２）Ｉｎ₂Ｏ₃粉末の代わりに、
ＺｒＯ₂粉末（２．５ｗｔ％）を使用したこと以外は実
施例１１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作
製した。また、得られたスパッタリングターゲットを用
いて、実施例１と同様にして、相変化光記録媒体Ｉ及び
相変化光記録媒体ＩＩを作製した。

【００５５】（比較例１）ＳｉＣ粉末の代わりに、Ｃｅ
Ｎ粉末又はＺｒＮ粉末を使用したこと以外は実施例１と
同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した（比
較例１−１、２）。また、得られたスパッタリングター
ゲットを用いて、実施例１と同様にして、相変化光記録
媒体Ｉ及び相変化光記録媒体ＩＩを作製した。

【００５６】（比較例２）混合粉末中のＳｉＣ粉末の含
有量を０ｗｔ％又は２５ｗｔ％としたこと以外は実施例
１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した
（比較例２−１、２）。また、得られたスパッタリング
ターゲットを用いて、実施例１と同様にして、相変化光
記録媒体Ｉ及び相変化光記録媒体ＩＩを作製した。

【００５７】（比較例３）平均粒径が２０μｍ又は１８
μｍの混合粉末を使用したこと以外は実施例１と同様の
方法でスパッタリングターゲットを作製した（比較例３
−１、２）。

【００５８】（比較例４）降温速度を４００℃／ｈｒに
したこと以外は実施例１と同様の方法でスパッタリング
ターゲットを作製した。

【００５９】（比較例５）焼結温度を８００℃にしたこ
と以外は実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲ
ットを作製した。

【００６０】（比較例６）焼結温度での保持時間を１５
分にしたこと以外は実施例１と同様の方法でスパッタリ
ングターゲットを作製した。

【００６１】上記実施例１〜１２及び比較例１〜６にお
いて、焼結体作製時における割れやクラック発生の観察
を行うとともに、得られた焼結体について密度測定及び
Ｘ線回折測定を行い、さらに、得られたスパッタリング
ターゲットの成膜評価を実施した。

【００６２】焼結体の密度は一般的なアルキメデス法に
より測定して相対密度を算出した。この際、焼結体の理
論密度としては、焼結前の混合粉末中の酸化物と炭化物
の密度の、混合粉末の組成を重みとした加重平均として
得られる値を用いて相対密度を算出した。なお、焼結体
の理論密度は、焼結体のＸ線回折測定により同定される
結晶相により、その焼結体が構成されているものと仮定
して算出しても良い。また、Ｘ線回折測定により同定さ
れた結晶相の焼結体中の存在量には、例えばＥＰＭＡに
より測定される焼結体中の各原子の存在比から算出され
る値を仮定して、焼結体の理論密度を算出しても良い。

【００６３】Ｘ線回折測定は、得られた焼結体の一部を
採取して、Ｘ線ディフラクトメーターにより、以下の条
件により測定した。Ｘ線：Ｃｕｋα線、パワー：５０ｋ
Ｖ−２００ｍＡ、２θスキャン速度：４°／ｍｉｎ、２
θスキャン範囲：１０〜１００°、スリット系（ＤＳ−
ＳＳ−ＲＳ）：０．５°−０．５°−０．１５ｍｍ。

【００６４】スパッタリング放電試験は、ＲＦマグネト
ロンスパッタリング装置により、アルゴンガス圧力０．
４Ｐａ、投入パワー３００Ｗの条件で行い、スパッタリ
ングターゲットに割れやクラック、異常放電が生じたか
否かを調べた。

【００６５】実施例１〜４、６、７、１１、１２及び比
較例１、２で作製した相変化光記録媒体Ｉ及び相変化光
記録媒体ＩＩを初期化装置にて、記録層の初期結晶化を
行なった。

【００６６】次に、記録層を結晶化させた領域のトラッ
ク上に、線速度６ｍ／ｓｅｃで０．６μｍの長さのアモ
ルファスマークを記録した（記録ピッチ：１．２μｍ、
λ：６８５ｎｍ、ＮＡ＝０．５５）。この記録の際、図
３に示すようなオフパルスを付加したレーザー変調パタ
ーンを使用し、オフパルスパワー（Ｐｏｆｆ）およびリ
ードパワー（Ｐｒ）を１ｍＷ、また、ピークパワーの幅
を５０ｎｓ、オフパルスの幅は３３ｎｓとした。バイア
スパワー（Ｐｂ）を５ｍＷとしてピークパワー（Ｐｐ）
を変化させアモルファスマークを記録し、ＣＮＲが最大
となるＰｐを最適Ｐｐ（Ｐｐ₀）とした。次に、Ｐｂ＝
５ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐｐ₀としてアモルファスマークを記録
し、種々のパワーのレーザービームを照射してアモルフ
ァスマークを消去した。この時、消去前後でのキャリア
レベルの差を消去率として測定し、消去率が最大となる
レーザーパワーを最適Ｐｂ（Ｐｂ₀）とした。次に、Ｐ
ｐを（Ｐｐ₀−１）ｍＷ、Ｐｂを（Ｐｂ₀−１）ｍＷとし
てアモルファスマーク（マーク長：０．６μｍ）を記録
し、（Ｐｂ₀−１）ｍＷのレーザーで消去する。この記
録−消去を１トラック当たり２０回行なった（以下、こ
の工程を初期化処理と称す）。

【００６７】初期化処理したトラックに対して、Ｐｂ＝
Ｐｂ₀ｍＷとして、線速度６ｍ／ｓｅｃでアモルファス
マーク（マーク長：０．６μｍ）を記録し、ＣＮＲの記
録パワー（Ｐｐ）依存性（以下パワーカーブと称す）を
測定した。また、初期化処理したトラックに対して、線
速度６ｍ／ｓｅｃで０．６μｍの長さのアモルファスマ
ークをＰｒ＝１ｍＷ、Ｐｏｆｆ＝１ｍＷ、Ｐｐ＝Ｐ
ｐ₀、Ｐｂ＝Ｐｂ₀のレーザーパワーで記録し（記録ピッ
チ：１．２μｍ）、この記録マークを１２ｍ／ｓｅｃの
線速度、種々の消去パワーで消去し、消去前後でのキャ
リアレベルの差を測定し、その最大値を消去率として定
義した。

【００６８】実施例１で得られたスパッタリングターゲ
ットを用いて作製された相変化光記録媒体ＩのＣＮＲの
パワーカーブを図４に示す。パワーカーブがＣＮＲ＝３
０ｄＢと交わる交点を各々の相変化光記録媒体の記録感
度（Ｐｔｈ）として定義した。

【００６９】実施例１及び実施例２（実施例２−１〜
８）のスパッタリングターゲットに対する評価結果を表
１に示す。表１から明らかなように、実施例１及び実施
例２のいずれのスパッタリングターゲットにおいても７
０％以上の相対密度が得られており、焼結時、スパッタ
リング時ともに割れやクラックの発生がなかった。ま
た、スパッタリング時の異常放電の発生もなく、パーテ
ィクルの発生も見られなかった。消去率では、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅が特に良
好であった。

【００７０】

【表１】 実施例１、実施例３（実施例３−１〜８）、比較例１
（比較例１−１、２）及び比較例２（比較例２−１）の
スパッタリングターゲットに対する評価結果を表２に示
す。表２から明らかなように、これらのいずれのスパッ
タリングターゲットにおいても７０％以上の相対密度が
得られているが、添加物に炭化物を用いた実施例１及び
実施例３（実施例３−１〜８）のスパッタリングターゲ
ットでは、焼結時、スパッタリング時ともに割れやクラ
ックの発生はなく、また、スパッタリング時の異常放電
の発生もなく、パーティクルの発生も見られなかった。

【００７１】特に、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ、Ｎｂ
₂Ｃ、ＷＣでは消去率が減少せずに高感度化が可能であ
り良好な結果であった。これに対して、窒化物を添加し
た比較例１（比較例１−１、２）のスパッタリングター
ゲットではスパッタ時に割れや異常放電が発生し、記録
感度も低く、また、何も添加していない比較例２（比較
例２−１）のスパッタリングターゲットでは記録感度が
低かった。

【００７２】

【表２】 実施例１、実施例４（実施例４−１〜６）及び比較例２
（比較例２−１、２）のスパッタリングターゲットに対
する評価結果を表３に示す。炭化物粉末含有量が２０ｗ
ｔ％以下では消去率が低下せず、記録感度Ｐｔｈの観点
から、炭化物粉末含有量が０．１〜２０ｗｔ％のものが
良好であり、特に１〜１０ｗｔ％ものが良好であること
が分かる。なお、これらのスパッタリングターゲットで
は、焼結時及びスパッタリング時に割れやクラックの発
生がなかった。また、スパッタリング時の異常放電の発
生もなく、パーティクルの発生も見られなかった。

【００７３】

【表３】 実施例１、実施例５（実施例５−１〜３）及び比較例３
（比較例３−１、２）のスパッタリングターゲットに対
する評価結果を表４に示す。混合粉末の平均粒径が１５
μｍ以下では、十分な焼結密度が得られ、焼結時及びス
パッタリング時に割れやクラックの発生がなかった。ま
た、スパッタリング時の異常放電の発生もなく、パーテ
ィクルの発生も見られなかった。

【００７４】

【表４】 実施例１、実施例６（実施例６−１、２）及び比較例４
のスパッタリングターゲットに対する評価結果を表５に
示す。焼結終了後の降温速度が３００℃／ｈｒ以下では
焼結時及び、スパッタリング時に割れやクラックの発生
がなかった。また、スパッタリング時の異常放電の発生
もなく、パーティクルの発生も見られなかった。

【００７５】

【表５】 実施例１、実施例７（実施例７−１〜３）、実施例８
（実施例８−１〜４）及び比較例５のスパッタリングタ
ーゲットに対する評価結果を表６に示す。焼結温度９０
０℃以上では、十分な焼結密度が得られ、特にホットプ
レス法により高い相対密度が得られた。焼結温度を９０
０℃以上としたものでは、焼結時及びスパッタリング時
に割れやクラックの発生はなかった。また、スパッタリ
ング時の異常放電の発生もなく、パーティクルの発生も
見られなかった。

【００７６】なお、ホットプレス法においても、常圧焼
結法においても、焼結温度１３００℃で得られたスパッ
タリングターゲット（実施例７−２、実施例８−３）で
は、Ｘ線回折測定の結果、ＴａＣの生成が認められた。
このＴａＣの生成が認められたスパッタリングターゲッ
トを用いて作製された相変化光記録媒体では、相変化光
記録媒体Ｉ及び相変化光記録媒体ＩＩのいずれにおいて
も、相対的に消去率が低下していることが認められた。

【００７７】

【表６】 実施例１及び実施例９（実施例９−１、２）のスパッタ
リングターゲットに対する評価結果を表７に示す。焼結
時の圧力が１００ｋｇ／ｃｍ²以上で、十分な焼結密度
が得られ、焼結時及びスパッタリング時に割れやクラッ
クの発生はなかった。また、スパッタリング時の異常放
電の発生もなく、パーティクルの発生も見られなかっ
た。

【００７８】

【表７】 実施例１、実施例１０（実施例１０−１、２）及び比較
例６のスパッタリングターゲットに対する評価結果を表
８に示す。焼結時の保持時間が０．５ｈｒ以上では、十
分な焼結密度が得られ、焼結時及びスパッタリング時に
割れやクラックの発生はなかった。また、スパッタリン
グ時の異常放電の発生もなく、パーティクルの発生も見
られなかった。

【００７９】

【表８】 実施例１、実施例１１及び実施例１２のスパッタリング
ターゲットに対する評価結果を表９に示す。これらのス
パッタリングターゲットでは、いずれも十分な焼結密度
が得られ、焼結時及びスパッタリング時に割れやクラッ
クの発生はなく、また、スパッタリング時の異常放電の
発生もなく、パーティクルの発生も見られなかった。

【００８０】焼結体を構成する酸化物として、Ｔａの酸
化物に加えてＩｎの酸化物又はＺｒの酸化物を含む焼結
体からなるスパッタリングターゲットを用いて得られた
相変化光記録媒体では、相変化光記録媒体Ｉ及び相変化
光記録媒体ＩＩのいずれにおいても、焼結体を構成する
酸化物としてＴａの酸化物のみを含む焼結体からなるス
パッタリングターゲットを用いて得られた相変化光記録
媒体に比べて、記録感度特性がさらに向上していること
が認められた。

【００８１】

【表９】 上記のように、基板上に、保護層、記録層を含む多層
膜、又は、保護層、界面層、記録層を含む多層膜を形成
し、この記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆
的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行なう相変
化光記録媒体において、酸化物から選ばれる１種類以上
の物質と、炭化物から選ばれる１種類以上の物質とから
構成され、該炭化物の含有量が総量で０．１ｗｔ％以上
２０ｗｔ％以下である材料により、保護層又は界面層を
形成することにより、線速１２ｍ／ｓｅｃ以上でのオー
バーライトが可能な相変化光記録媒体を得ることができ
る。なお、酸化物としては、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＳｎの酸化物から選ばれる
１種類以上の酸化物であることが好ましく、また、炭化
物としては、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ及びＷの炭化物か
ら選ばれる１種類以上の炭化物であることが好ましい。
特に、Ｔａ₂Ｏ₅等のＴａの酸化物とＳｉＣ等のＳｉの炭
化物とを含み、かつ、Ｓｉの炭化物の含有量が０．１ｗ
ｔ％以上２０ｗｔ％以下である材料により保護層又は界
面層を形成することにより、消去率特性及び記録感度特
性のさらに優れた相変化光記録媒体を得ることができ
る。

【００８２】また、Ｔａ₂Ｏ₅等のＴａの酸化物に加え
て、Ｉｎ₂Ｏ₃等のＩｎの酸化物又はＺｒＯ₂等のＺｒの
酸化物を含み、かつ、０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下
のＳｉＣ等のＳｉの炭化物を含む材料により保護層又は
界面層を形成することにより、記録感度特性がさらに優
れた相変化光記録媒体を得ることができる。

【００８３】なお、記録層の保護、記録層の結晶化の促
進、記録層への原子拡散の防止等のために形成する層
を、単層の保護層としてではなく、界面層＋保護層とし
て形成して、それらの機能を分担させることにより、相
変化光記録媒体の設計の自由度を増大させることがで
き、記録再生特性、耐久性、信頼性等においてさらに優
れた相変化光記録媒体を得ることができる。このような
界面層の厚さは、０．１〜２０ｎｍであることが好まし
く、より好ましくは０．２〜１０ｎｍ、さらに好ましく
は０．２〜２．５ｎｍである。

【００８４】

【発明の効果】本発明のスパッタリングターゲットは、
スパッタリングを行っても割れやクラック、異常放電が
発生することがなく、高速かつ安定に成膜することがで
きるものである。したがって、本発明のスパッタリング
ターゲットを使用することで、記録再生特性の優れた相
変化光記録媒体を高い生産性で得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例及び比較例で用いた焼結の際の温度パタ
ーンと加圧パターンを示す図である。

【図２】実施例及び比較例で作製した相変化光記録媒体
Ｉ及び相変化記録媒体ＩＩの構造を示す断面図である。
（ａ）相変化記録媒体Ｉ、（２）相変化記録媒体ＩＩ

【図３】実施例及び比較例で作製した相変化光記録媒体
の評価に用いたレーザー変調パターンを示す図である。

【図４】実施例１で作製した相変化光記録媒体ＩのＣＮ
Ｒのパワーカーブを示す図である。

【符号の説明】

３１１、３２１：基板 ３１２、３２２：第一保護層 ３２３：第一界面層 ３１３、３２４：記録層 ３２５：第二界面層 ３１４、３２６：第二保護層 ３１５、３２７：反射層 ３１６、３２８：保護コート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA16 AA17 AA20 AA21 AA32 AA34 AA36 AA37 AA39 AA44 AA45 AA47 BA14 CA09 GA04 GA11 GA29 GA30 4K029 AA11 AA24 BA21 BA43 BA55 BB02 CA05 DC05 DC09 DC35 5D121 AA04 EE03 EE09 EE11 EE13

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 酸化物から選ばれる１種類以上の物質
   と、炭化物から選ばれる１種類以上の物質とから構成さ
   れ、該炭化物の含有量が０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以
   下であり、かつ、相対密度が７０％以上である焼結体か
   らなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2. 【請求項２】 焼結体を構成する酸化物がＴａ、Ｓｉ、
   Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＳｎの酸化物
   から選ばれる１種類以上の酸化物であることを特徴とす
   る請求項１記載のスパッタリングターゲット。
3. 【請求項３】 焼結体を構成する炭化物がＳｉ、Ｔａ、
   Ｔｉ、Ｎｂ及びＷの炭化物から選ばれる１種類以上の炭
   化物であることを特徴とする請求項１又は２記載のスパ
   ッタリングターゲット。
4. 【請求項４】 焼結体を構成する炭化物がＳｉの炭化物
   であることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタ
   リングターゲット。
5. 【請求項５】 焼結体が、Ｓｉ以外の他の元素の炭化物
   を実質的に含まないことを特徴とする請求項４記載のス
   パッタリングターゲット。
6. 【請求項６】 Ｔａの酸化物とＳｉの炭化物とを含む焼
   結体であって、該焼結体中のＳｉの炭化物の含有量が
   ０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であり、かつ、相対密
   度が７０％以上である焼結体からなることを特徴とする
   スパッタリングターゲット。
7. 【請求項７】 焼結体がＳｉ以外の他の元素の炭化物を
   実質的に含まないことを特徴とする請求項６記載のスパ
   ッタリングターゲット。
8. 【請求項８】 酸化物と炭化物の原料粉末を混合して得
   られた混合粉末を焼結して焼結体を得る工程を有する、
   酸化物から選ばれる１種類以上の物質と、炭化物から選
   ばれる１種類以上の物質とから構成される焼結体からな
   るスパッタリングターゲットの製造方法であって、前記
   混合粉末として平均粒径が１５μｍ以下の混合粉末を用
   いるとともに、前記混合粉末中の炭化物粉末の含有量を
   ０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下とし、焼結温度９００
   ℃以上、焼結温度での保持時間３０分以上、かつ、焼結
   終了後の降温速度３００℃／ｈｒ以下で焼結することを
   特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
9. 【請求項９】 Ｔａの酸化物とＳｉの炭化物とを含む混
   合粉末を焼結して焼結体を得る工程を有する、Ｔａの酸
   化物とＳｉの炭化物とを含む焼結体からなるスパッタリ
   ングターゲットの製造方法であって、前記混合粉末とし
   て平均粒径が１５μｍ以下の混合粉末を用いるととも
   に、前記混合粉末中のＳｉの炭化物の含有量を０．１〜
   ２０ｗｔ％とし、焼結温度９００℃以上、焼結温度での
   保持時間３０分以上、かつ、焼結終了後の降温速度３０
   ０℃／ｈｒ以下で焼結することを特徴とするスパッタリ
   ングターゲットの製造方法。
10. 【請求項１０】 焼結温度を９００℃以上１２００℃以
    下として焼結することを特徴とする請求項９記載のスパ
    ッタリングターゲットの製造方法。