JP2007246986A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Ti,ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種のM元素の酸化物粉末とM元素の窒化物粉末を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、スパッタリングターゲットは、M(O1-xNx)z(MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比))、または(M1-aCra)(O1-xNx)z(MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比))で表される組成を有する。
【選択図】 図1
Description
一般式:M(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、aおよびxは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)で表される組成を有するスパッタリングターゲットを得ることを特徴としている。
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)で表される組成を有するスパッタリングターゲットを得ることを特徴としている。
一般式:M(O1-xNx)z …(1)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)で表される組成を有する酸窒化物ターゲットを製造する方法であり、該ターゲットは相変化光記録媒体の界面層膜の形成に好適に使用されるものである。
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z …(2)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)で表される組成を有する酸窒化物ターゲットを製造する方法であり、該ターゲットであり、第1の実施形態と同様に、相変化光記録媒体の界面層膜の形成に好適に使用されるものである。
以下とすることがより好ましい。なお、Crを適用する際のM元素は、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
例えば、スパッタ法により金属酸窒化膜を得る場合、金属ターゲットを酸素および窒素雰囲気中でスパッタする方法、金属酸化膜を窒素雰囲気中でスパッタする方法、金属窒化物ターゲットを酸素雰囲気中でスパッタする方法が考えられるが、これらはスパッタ中の反応を利用して金属酸窒化膜を得るので均一な膜を得難い。また、反応を利用するのでターゲットとの組成と雰囲気中の組成をマッチングさせるための管理が必要である。
一方、予め金属酸窒化物ターゲットであれば均質な金属酸窒化物膜を得易い。そこで本発明では、金属酸窒化物ターゲットを製造するに至ったのである。なお、後述するように本発明のスパッタターゲットをスッパタする際の雰囲気は特に限定されるものではなく、真空中、不活性雰囲気中、大気中、酸素含有雰囲気中、窒素含有雰囲気中、酸素及び窒素含有雰囲気中など様々な雰囲気でスパッタ可能である。
次に、本発明の相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法の実施形態について説明する。本発明の実施形態による界面層膜は、上述した第1の実施形態によるスパッタリングターゲットまたは第2の実施形態によるスパッタリングターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気中や酸素および窒素の少なくとも一方を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタ成膜することにより得られる。
一般式:M(O1-xNx)z …(1)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、xおよびzは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
または
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z …(2)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)で表される組成を有する。
まず、純度99%以上、平均粒子径2μmのTiO2粉末、TiO粉末、ZrO2粉末、HfO2粉末、TiN粉末、ZrN粉末、HfN粉末を用意した。さらに、純度99%以上、平均粒子径10μmのTi、Zr、Hfの各金属粉末を用意した。これら各粉末を表1に示す各組成比を満足するように調合した後、樹脂製のボールミル容器にアルミナボールと共に投入して24時間混合した。
上記した実施例1において、各原料粉末の調合組成や純度等を変更する以外は、実施例1と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。なお、比較例6ではGeNを用いた。これら各スパッタリングターゲットについても後述する特性評価に供した。
まず、純度99%以上、平均粒子径50μmのZrO2粉末、HfO2粉末、Cr2O3粉末、ZrN粉末、HfN粉末、CrN粉末を用意した。さらに、純度99%以上、平均粒子径30μmのZr、Hf、Crの各金属粉末を用意した。これら各粉末を表3に示す各組成比を満足するように調合した後、樹脂製のボールミル容器にアルミナボールと共に投入して24時間混合した。
上記した実施例10において、各原料粉末の調合組成や純度等を変更する以外は、実施例10と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。なお、比較例13ではGeNを用いた。これら各スパッタリングターゲットについても特性評価に供した。
次に製造条件を表5に示したように変えた以外は実施例1と同様のものを実施例17〜21とした。同様に製造条件を表5に示したように変えた以外は実施例10と同様のものを実施例22〜26とした。各スパッタターゲットにおいてターゲットの歩留まりを求めた。歩留まりに関しては割れ等の不良の発生しなかった割合を表示した。その結果を表6に示す。
また、平均結晶粒径は75μmより大きくても歩留まりは低下した。これは原料粉末の粒子径が大きいと緻密な成形体を得難いので焼結時に割れが発生し易くなるためであると考えられる。
Claims (9)
- Ti,ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種のM元素の酸化物粉末とM元素の窒化物粉末を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、
一般式:M(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、aおよびxは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)で表される組成を有するスパッタリングターゲットを得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - Ti,ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種のM元素の酸化物粉末とM元素の窒化物粉末、さらにはCrの酸化物粉末または窒化物粉末の少なくとも1種を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)で表される組成を有するスパッタリングターゲットを得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
スパッタリングターゲットの純度が95%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
不純物としてのFe、NiおよびCoの合計含有量が1000ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
相変化光記録媒体における界面層膜の形成用ターゲットであることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
焼結温度が800℃以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
焼結後の冷却速度が600℃/時間未満であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし請求項7のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、各粉末の平均粒子径が75μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
M元素の酸化物粉末とM元素の窒化物粉末を混合する工程において、金属M元素粉末を混合することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
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