JP4817895B2 - スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 - Google Patents
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Description
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴としている。
一般式:M(O1-xNx)z …(1)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、aおよびxは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する酸窒化物ターゲットであり、相変化光記録媒体の界面層膜の形成に好適に使用されるものである。
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z …(2)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する酸窒化物ターゲットであり、第1の実施形態と同様に、相変化光記録媒体の界面層膜の形成に好適に使用されるものである。
以下とすることがより好ましい。なお、Crを適用する際のM元素は、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
一般式:M(O1-xNx)z …(1)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、aおよびxは0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
または
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z …(2)
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有する。
まず、純度99%以上、平均粒子径2μmのTiO2粉末、TiO粉末、ZrO2粉末、HfO2粉末、TiN粉末、ZrN粉末、HfN粉末を用意した。さらに、純度99%以上、平均粒子径10μmのTi、Zr、Hfの各金属粉末を用意した。これら各粉末を表1に示す各組成比を満足するように調合した後、樹脂製のボールミル容器にアルミナボールと共に投入して24時間混合した。
上記した実施例1において、各原料粉末の調合組成や純度等を変更する以外は、実施例1と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。なお、比較例6ではGeNを用いた。これら各スパッタリングターゲットについても後述する特性評価に供した。
まず、純度99%以上、平均粒子径50μmのZrO2粉末、HfO2粉末、Cr2O3粉末、ZrN粉末、HfN粉末、CrN粉末を用意した。さらに、純度99%以上、平均粒子径30μmのZr、Hf、Crの各金属粉末を用意した。これら各粉末を表3に示す各組成比を満足するように調合した後、樹脂製のボールミル容器にアルミナボールと共に投入して24時間混合した。
上記した実施例10において、各原料粉末の調合組成や純度等を変更する以外は、実施例10と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。なお、比較例13ではGeNを用いた。これら各スパッタリングターゲットについても特性評価に供した。
Claims (9)
- 一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
純度が95%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットにおいて、
不純物としてのFe、NiおよびCoの合計含有量が1000ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
相変化光記録媒体における界面層膜の形成用ターゲットであることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなることを特徴とする相変化光記録媒体用界面層膜。
- 請求項5記載の相変化光記録媒体用界面層膜において、
前記界面層膜は、
一般式:(M1-aCra)(O1-xNx)z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴とする相変化光記録媒体用界面層膜。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気、または酸素および窒素の少なくとも一方を含む不活性ガス雰囲気中で、前記M元素とCrの複合酸窒化膜をスパッタ成膜する工程を具備することを特徴とする相変化光記録媒体用界面層膜の製造方法。
- 光照射により可逆的に記録・消去がなされる相変化光記録層と、
前記相変化光記録層の少なくとも一方の面に沿って配置された界面層であって、請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなる金属酸窒化膜からなる界面層と
を具備することを特徴とする相変化光記録媒体。 - 請求項8記載の相変化光記録媒体において、
前記界面層は、
一般式:(M 1-a Cr a )(O 1-x N x ) z
(式中、MはTi、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、a、xおよびzは0.1≦a≦0.5、0<x≦0.7、0.5≦z≦2.0(原子比)を満足する数である)
で表される組成を有することを特徴とする相変化光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006065558A JP4817895B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 |
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JP2007239061A JP2007239061A (ja) | 2007-09-20 |
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ID=38584882
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Country | Link |
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JP (1) | JP4817895B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013209716A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05179435A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Tosoh Corp | チタンスパッタリングターゲット |
JP2000222777A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
JP4227091B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2009-02-18 | 株式会社東芝 | 相変化光記録媒体 |
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