JP2006213964A - スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SnO2を主成分とするIn2O3-ZnO-ZrO2-SnO2系複合酸化物に、Ta、Yの何れか1種又は2種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。該スパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。
【選択図】なし
Description
しかし、今日Blue-Rayに代表される書き換え型DVDは、さらに書き換え回数の増加、大容量化、高速記録化が強く求められている。
また、大容量化、高速記録化のため高反射率で高熱伝導特性を有する純AgまたはAg合金が反射層材に使用されるようになったが、このような反射層も保護層材であるZnS−SiO2と接するように配置されている。
したがって、この場合も同様に、ZnS−SiO2からの硫黄成分の拡散により、純AgまたはAg合金反射層材も腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き起こす要因となっていた。
上記のような問題を解決するため、保護層材に硫化物を含まない酸化物のみの材料へと置き換え、ZnS−SiO2と同等以上の光学特性、非晶質安定性を有する材料系を見出すことが急務となっていた。
ところが、この高周波スパッタリング(RF)装置は、装置自体が高価であるばかりでなく、スパッタリング効率が悪く、電力消費量が大きく、制御が複雑であり、成膜速度も遅いという多くの欠点がある。
また、成膜速度を上げるため、高電力を加えた場合、基板温度が上昇し、ポリカーボネート製基板の変形を生ずるという問題がある。また、ZnS−SiO2は膜厚が厚いために起因するスループット低下やコスト増も問題となっていた。
しかし、特許文献1は、光学特性及び非晶質性が劣る領域を含む問題があり、また特許文献2は、十分な成膜速度が得られず、非晶質性に劣る領域を含むという問題があった。
本発明者らは、ZnSを使用せず、透過率、屈折率、非晶質性大きく改善した光情報記録媒体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲットに関する発明を行った(特許文献3参照)。この発明は極めて有効であるが、本願発明は特許文献3に示す発明を基礎に、青色レーザーに対する405nmでの透過率をさらに改善するものである。
を提供する。
特に、本願発明においては、青色レーザーに対する405nmでの透過率を大きく改善できる効果を有する。また、本材料系を使用することにより、光情報記録媒体の特性改善、生産性の大幅な向上が可能となるという優れた効果を有する。
本発明のスパッタリングターゲットは、SnO2を主成分とするIn2O3-ZnO-ZrO2-SnO2系複合酸化物に、Ta、Yの何れか1種又は2種の元素の酸化物を添加した材料を基本とするものである。
この材料は、光学特性及び膜の非晶質性が安定しており、相変化型光記録媒体の保護層材に適しており、スパッタ成膜速度も速いことが判った。
本材料系にさらにTa2O5、Y2O3を適量添加することにより、より非晶質性が安定し、透過率を向上させることが出来るため、書換え速度の速い相変化記録媒体や青色レーザー系の相変化記録媒体用保護層材に適する。
さらに、本発明のスパッタリングターゲットは、Ta、Yの何れか1種又は2種の元素をAとしたとき、(Sn+A)/(In+Zn+Sn+A)=0.45〜0.92、で構成される酸化物である材料から構成することもできる。これによって、光学特性及び成膜速度をさらに改善することができる。
上記に述べるスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成する光情報記録媒体を提供することができる。さらに、上記スパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されている光情報記録媒体を作製することができる。
DCスパッタリングはRFスパッタリングに比べ、成膜速度が速く、スパッタリング効率が良いという点で優れている。また、DCスパッタリング装置は価格が安く、制御が容易であり、電力の消費量も少なくて済むという利点がある。
また、保護膜自体の膜厚を薄くすることも可能となるため、生産性向上、基板加熱防止効果をさらに発揮できる。また、特にZrO2を添加すると青色レーザーに対する405nmでの透過率をさらに改善することができる。
また、大容量化、高速記録化のため、高反射率で高熱伝導特性を有する純AgまたはAg合金が反射層材に使用されるようになったが、この隣接する反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、同様に反射層材が腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、空孔を減少させ結晶粒を微細化し、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができるという著しい効果を有し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。
4N相当で5μm以下のIn2O3粉、SnO2粉、ZrO2粉、Ta2O5粉、Y2O3粉、及び4N相当で平均粒径5μm以下のZnO粉を準備し、表1に示す組成となるように調合して、湿式混合し、乾燥後、1100°Cで仮焼した。
さらに、この仮焼粉を平均粒径1μm相当まで湿式微粉砕した後、バインダーを添加してスプレードライヤーで造粒した。この造粒粉を冷間で加圧成形し、酸素雰囲気、1300°Cで常圧焼結し、この焼結材を機械加工でターゲット形状に仕上げた。このターゲットの構成成分、組成比(In/(In+Zn+Zr+Sn+A)、Zn/(In+Zn+Zr+Sn+A)、Sn/(In+Zn+Zr+Sn+A)、Zr/(In+Zn+Zr+Sn+A)、 A/(In+Zn+Zr+Sn+A))を表1に示す。
なお、表1における非晶質性は、アニール(600°C、Ar雰囲気、30min)を施した成膜サンプルのXRD測定における2θ=20-60°の範囲の未成膜ガラス基板に対する最大ピーク強度比で表した。
成膜サンプルの透過率(波長405nm)%、屈折率(波長633nm)、非晶質性(成膜サンプルのアニール処理(600°C×30min、Ar雰囲気)を施した、XRD(Cu−Kα、40kV、30mA)による測定における2θ=20−60°の範囲の未成膜ガラス基板に対する最大ピーク強度で表した)、さらにスパッタ方式及び成膜速度(Å/sec)の測定した結果等を表1に示す。
また、スパッタ膜の透過率は、75〜84%(405nm)に達し、屈折率は2.0〜2.1であり、また特定の結晶ピークは見られず、安定した非晶質性(1.0〜1.3)を有していた。
本実施例のターゲットは、ZnSを使用していないので、硫黄の拡散・汚染による光情報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプルの透過率、屈折率、非晶質の安定性、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、選択される成分組成によっては、DCスパッタも可能であった。
表1に示すように、本発明者らが、先に出願した特許文献3に記載する発明の範囲内であり、本願発明の条件とは異なる原料粉の成分及び組成比の材料、すなわちZrO2粉を含有しない原料粉を準備した。これを実施例と同様の条件で、ターゲットを作製し、かつこのターゲットを用いてスパッタ膜を形成した。この結果を、同様に表1に示す。
さらに、非晶質性が安定化するとともにターゲットに導電性が付与され、相対密度を90%以上の高密度化によって、材料によっては安定したDCスパッタを可能とする。そして、このDCスパッタリングの特徴である、スパッタの制御性を容易にし、成膜速度を上げ、スパッタリング効率を向上させることができるという著しい効果がある。さらにまた、成膜の際にスパッタ時に発生するパーティクル(発塵)やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。特に、本願発明においては、青色レーザーに対する透過率を大きく改善できる効果を有する。したがって、光情報記録媒体用薄膜(特に保護膜としての使用)及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットとして極めて有用である。
Claims (6)
- SnO2を主成分とするIn2O3-ZnO-ZrO2-SnO2系複合酸化物に、Ta、Yの何れか1種又は2種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- Ta、Yの何れか1種又は2種の元素をAとしたとき、それぞれの元素比がIn/(In+Zn+Zr+Sn+A)=0.005〜0.41、Zn/(In+Zn+Zr+Sn+A)=0.03〜0.45、Sn/(In+Zn+Zr+Sn+A)=0.13〜0.82、Zr/(In+Zn+Zr+Sn+A)=0.02〜0.40、A/(In+Zn+Zr+Sn+A)=0.02〜0.30、で構成される酸化物であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- Ta、Yの何れか1種又は2種の元素をAとしたとき、
(Sn+A)/(In+Zn+Zr+Sn+A)=0.45〜0.92、で構成される酸化物であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。 - 相対密度が90%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されていることを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7677366B2 (en) * | 2005-03-03 | 2010-03-16 | Akebono Brake Industry Co., Ltd. | Disc brake caliper and manufacturing method of disc brake caliper |
US20100206725A1 (en) * | 2007-09-06 | 2010-08-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target for forming zro2-in2o3 based protective film for optical storage medium |
US20140332735A1 (en) * | 2011-12-07 | 2014-11-13 | Tosoh Corporation | Complex oxide sintered body, sputtering target, transparent conductive oxide film, and method for producing same |
WO2020031635A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリングターゲット |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1170738A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
JP2000195101A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Japan Energy Corp | 光ディスク保護膜及び同保護膜形成用スパッタリングタ―ゲット |
JP2003105532A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 |
JP2003321771A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-11-14 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2004206805A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
2005
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1170738A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
JP2000195101A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Japan Energy Corp | 光ディスク保護膜及び同保護膜形成用スパッタリングタ―ゲット |
JP2003105532A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 |
JP2003321771A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-11-14 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2004206805A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7677366B2 (en) * | 2005-03-03 | 2010-03-16 | Akebono Brake Industry Co., Ltd. | Disc brake caliper and manufacturing method of disc brake caliper |
US20100206725A1 (en) * | 2007-09-06 | 2010-08-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target for forming zro2-in2o3 based protective film for optical storage medium |
US8466077B2 (en) * | 2007-09-06 | 2013-06-18 | Mitsubishi Material Corporation | Sputtering target for forming ZrO2-In2O3 based protective film for optical storage medium |
US20140332735A1 (en) * | 2011-12-07 | 2014-11-13 | Tosoh Corporation | Complex oxide sintered body, sputtering target, transparent conductive oxide film, and method for producing same |
US9418771B2 (en) * | 2011-12-07 | 2016-08-16 | Tosoh Corporation | Complex oxide sintered body, sputtering target, transparent conductive oxide film, and method for producing same |
WO2020031635A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP2020023740A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリングターゲット |
CN112469843A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-09 | 迪睿合株式会社 | 溅射靶 |
JP7141276B2 (ja) | 2018-08-09 | 2022-09-22 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリングターゲット |
US11827971B2 (en) | 2018-08-09 | 2023-11-28 | Dexerials Corporation | Sputtering target |
Also Published As
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