KR20220098123A

KR20220098123A - 스퍼터링 타깃, 광학 기능막, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법

Info

Publication number: KR20220098123A
Application number: KR1020227001827A
Authority: KR
Inventors: 게이타 우메모토
Original assignee: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Priority date: 2019-11-07
Filing date: 2020-10-16
Publication date: 2022-07-11
Also published as: WO2021090662A1; TW202132596A; JP2021075746A

Abstract

이 스퍼터링 타깃은, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유하고, 밀도비가 84 ％ 이상이다. 이 광학 기능막 (12) 은, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유하고, 막두께 d 와 가시광 영역의 굴절률 n 과 가시광 영역의 소쇠계수 k 의 곱 n × k × d 가 30 이상 150 이하의 범위 내이다. 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법에서는, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유함과 함께 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 74 vol％ 이상인 VN 함유 원료분을 준비하고, 상기 VN 함유 원료분을 가압하여 1000 ℃ 이상의 온도에서 소결한다.

Description

스퍼터링 타깃, 광학 기능막, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법

본 발명은, 금속 박막 등에 적층되어, 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 저감하는 광학 기능막을 성막하기 위한 스퍼터링 타깃, 광학 기능막, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 관한 것이다.

본원은, 2019년 11월 7일에, 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-202004호에 근거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

최근, 휴대 단말 장치 등의 입력 수단으로서, 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널이 채용되고 있다. 이 방식의 터치 패널에서는, 터치 위치 검출을 위해서, 센싱용 전극이 형성되어 있다. 이 센싱용 전극은, 패터닝에 의해 형성하는 것이 통상이며, 투명 기판의 일방의 면에, X 방향으로 연장된 X 전극과, X 방향에 대해 직교하는 Y 방향으로 연장된 Y 전극을 형성하고, 이들을 격자상으로 배치하고 있다.

터치 패널의 전극에 금속 박막을 사용한 경우에는, 금속 박막이 금속 광택을 가지므로, 전극의 패턴이 외부로부터 시인되어 버린다. 이 때문에, 금속 박막 상에, 가시광의 반사율이 낮은 저반사율막을 성막함으로써, 전극의 시인성을 저하시키는 것이 생각된다.

액정 표시 장치나 플라스마 디스플레이로 대표되는 플랫 패널 디스플레이에서는, 컬러 표시를 목적으로 한 컬러 필터가 채용되고 있다. 이 컬러 필터에서는, 콘트라스트나 색순도를 양호하게 하여, 시인성을 향상시키는 것을 목적으로 하여, 블랙 매트릭스라고 칭해지는 흑색의 부재가 형성되어 있다.

상기 서술한 저반사율막은, 이 블랙 매트릭스 (이하 "BM" 으로 기재한다) 로서도 이용 가능하다.

태양 전지 패널에 있어서, 유리 기판 등을 개재하여 태양광이 입사되는 경우, 그 반대 측에는, 태양 전지의 이면 전극이 형성되어 있다. 이 이면 전극으로는, 몰리브덴 (Mo), 은 (Ag) 등의 금속막이 사용되고 있다. 이와 같은 양태의 태양 전지 패널을 이면 측으로부터 보았을 때, 그 이면 전극인 금속막이 시인되어 버린다.

이 때문에, 이면 전극 상에, 상기 서술한 저반사율막을 성막함으로써, 이면 전극의 시인성을 저하시키는 것이 생각된다.

상기 서술한 저반사율막으로서, 예를 들어 특허문헌 1 에는, 카본 블랙 또는 질화티탄으로 이루어지는 흑색 안료와, 수지와, 중합 개시제와, 굴절률 조제용의 산화물을 갖는 흑화막이 개시되어 있다.

특허문헌 2, 3 에는, 광학 박막을 성막하기 위한 스퍼터링 타깃으로서, 탄화물과 산화물을 함유하는 것이 제안되어 있다.

일본 공개특허공보 2017-211826호 일본 공개특허공보 2005-068507호 일본 공개특허공보 2003-321771호

특허문헌 1 에 기재된 저반사막에 있어서는, 카본 블랙 또는 질화티탄으로 이루어지는 흑색 안료를 함유하는 수지를 막상으로 형성한 것이며, 수지가 주성분이기 때문에, 내구성이 불충분하였다.

특허문헌 2, 3 에 기재된 스퍼터링 타깃에 있어서는, 탄화물을 함유하고 있지만, 탄화물은 융점이 높고 소결성이 열등하므로, 소결체의 밀도를 충분히 향상시키는 것이 곤란하였다. 밀도가 낮은 스퍼터링 타깃에 있어서는, 스퍼터 시에 이상 방전이 다발하여, 안정적으로 성막할 수 없을 우려가 있었다.

상기 서술한 광학 기능막에는, 제조 시 및 사용 시에 있어서 광학 특성이 크게 변화하지 않도록, 내구성이 요구된다. 예를 들어, 성막 후에 가열 공정이 실시되는 경우에는, 내열성이 요구된다. 또, 에칭으로 배선 패턴을 형성하는 경우에는, 레지스트막을 박리할 때에 알칼리가 사용되기 때문에, 내알칼리성이 요구된다. 또한, 에칭 후나 알칼리 처리 후의 세정 시마다 물과 접촉하기 때문에, 내수성이 요구된다.

본 발명은, 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 내구성을 가짐과 함께 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막, 이 광학 기능막을 안정적으로 성막 가능한 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃은, VN (질화바나듐) 을 주성분으로 하는 스퍼터링 타깃으로서, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유하고, 밀도비가 84 ％ 이상인 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성의 스퍼터링 타깃에 의하면, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유하고 있으므로, 후술하는 바와 같이, 내구성이 우수하고, 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막을 성막할 수 있다.

그리고, 밀도비가 84 ％ 이상으로 되어 있으므로, 스퍼터 시에 있어서의 이상 방전의 발생을 억제할 수 있어, 안정적으로 광학 기능막을 성막할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 스퍼터링 타깃 중의 V 가 모두 VN 으로서 존재한다고 가정하고 산출한 VN 의 함유량이 50 mol％ 이상인 경우, VN 이 주성분이라고 판단한다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 최대 직경이 50 ㎛ 이상인 포어가 존재하지 않는 것이 바람직하다.

이 경우, 최대 직경이 50 ㎛ 이상인 비교적 조대한 포어가 존재하고 있지 않아, 이 포어를 기인으로 한 이상 방전의 발생을 억제할 수 있어, 더욱 안정적으로 광학 기능막을 성막할 수 있다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 비저항값이 0.1 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 것이 바람직하다.

이 경우, 도전성이 확보되어 있기 때문에, 스퍼터 시에 있어서의 이상 방전의 발생을 더욱 억제할 수 있어, 안정적으로 광학 기능막을 성막할 수 있다. 또, DC 스퍼터에 의해 안정적으로 성막할 수 있어, 광학 기능막을 효율적으로 성막할 수 있다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 산화물을 함유하고 있어도 된다.

이 경우, 산화물을 적절히 첨가함으로써, 성막한 광학 기능막의 반사율이나 비저항값을 조정하는 것이 가능해진다.

본 발명의 일 양태인 광학 기능막은, VN 을 주성분으로 하는 광학 기능막으로서, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유하고, 막두께 d 와 가시광 영역의 굴절률 n 과 가시광 영역의 소쇠계수 k 의 곱 n × k × d 가 30 이상 150 이하의 범위 내로 되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성의 광학 기능막에 의하면, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유함과 함께, 상기 서술한 n × k × d 가 30 이상 150 이하의 범위 내로 되어 있으므로, 가시광역의 반사율을 충분히 낮게 억제하는 것이 가능해진다.

또, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유하고 있으므로, 막의 내구성을 향상시킬 수 있고, 또한, 막의 도전성을 확보할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 광학 기능막 중의 V 가 모두 VN 으로서 존재한다고 가정하고 산출한 VN 의 함유량이 50 mol％ 이상인 경우, VN 이 주성분이라고 판단한다.

본 발명의 일 양태인 광학 기능막에 있어서는, 비저항값이 5 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 것이 바람직하다.

이 경우, 비저항값이 5 Ω·㎝ 이하이고 도전성이 확보되어 있어, 이 광학 기능막을 개재하여 통전을 실시할 수 있다.

본 발명의 일 양태인 광학 기능막에 있어서는, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.6 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 서술한 n × k × d 를 비교적 용이하게 30 이상 150 이하의 범위 내로 할 수 있어, 가시광역의 반사율을 충분히 낮게 억제하는 것이 가능해진다.

본 발명의 일 양태인 광학 기능막에 있어서는, 가시광 영역의 소쇠계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, VN 을 주성분으로 하고, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유함과 함께 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 74 vol％ 이상으로 된 VN 함유 원료분을 준비하고, 상기 VN 함유 원료분을 가압하여 1000 ℃ 이상의 온도에서 소결하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 구성의 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 의하면, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유함과 함께 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 74 vol％ 이상으로 된 VN 함유 원료분을 사용하고 있으므로, 소결성이 우수하여, 소결체의 밀도비를 향상시키는 것이 가능해진다. 또, 소결 온도가 1000 ℃ 이상으로 되어 있으므로, 소결을 충분히 진행시킬 수 있어, 소결체의 밀도비를 향상시키는 것이 가능해진다.

본 발명에 있어서는, VN 함유 원료분 중의 VN 의 함유량이 50 mol％ 이상인 경우, VN 이 주성분이라고 판단한다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 있어서는, 상기 VN 함유 원료분의 BET 값이 0.3 ㎡/g 이상인 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 VN 함유 원료분의 BET 값이 0.3 ㎡/g 이상으로 되어 있으므로, 소결체의 내부에, 최대 직경이 50 ㎛ 이상인 조대한 포어가 형성되는 것을 억제할 수 있다.

본 발명의 일 양태인 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 있어서는, 가압 압력이 15 ㎫ 이상인 것이 바람직하다.

이 경우, 가압 압력이 15 ㎫ 이상으로 되어 있으므로, 소결체의 밀도비를 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.

본 발명에 의하면, 내구성을 가짐과 함께 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막, 이 광학 기능막을 안정적으로 성막 가능한 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공할 수 있다.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 광학 기능막을 구비한 적층막의 단면 설명도이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 나타내는 플로도이다.
도 3 은, 본 발명예 1 의 스퍼터링 타깃의 조직의 관찰 결과이다.

이하에, 본 발명의 실시형태인 광학 기능막, 스퍼터링 타깃, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 대해, 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

본 실시형태에 관련된 광학 기능막 (12) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 표면에 성막된 금속 배선막 (11) 상에 적층하도록 성막되어 있다.

금속 배선막 (11) 은, 도전성이 우수한 금속인 알루미늄 및 알루미늄 합금, 구리 또는 구리 합금 등으로 구성되어 있고, 본 실시형태에서는, 구리에 의해 구성되어 있다. 이 금속 배선막 (11) 은, 금속 광택을 가지므로, 가시광을 반사하여, 외부로부터 시인되어 버린다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 적층한 금속 배선막 (11) 에 있어서의 가시광의 반사를 억제하기 위해서 형성된다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 은, VN 을 주성분으로 하고, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유하고, 막두께 d 와 가시광 영역의 굴절률 n 과 가시광 영역의 소쇠계수 k 의 곱 n × k × d 가 30 이상 150 이하의 범위 내로 되어 있다. 여기서 말하는 가시광이란 380 ∼ 780 ㎚ 의 범위의 파장으로 한다.

이 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 가시광의 흡수 (소쇠계수 k) 와 간섭 (막두께 d 및 굴절률 n) 에 의해, 금속 배선막 (11) 의 반사를 억제하고 있다. 소쇠계수 k 를 조정함으로써 가시광의 전체 파장의 반사를 억제하고, 막두께 d 및 굴절률 n 을 조정함으로써, 반사광의 파형 및 피크를 억제하고 있다.

d × n × k 는 40 이상으로 하는 것이 바람직하고, 50 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또, d × n × k 는 130 이하로 하는 것이 바람직하고, 110 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.6 이하의 범위 내로 되어 있는 것이 바람직하다.

가시광 영역의 굴절률 n 은 1.8 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하고, 2.0 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또, 가시광 영역의 굴절률 n 은 2.5 이하로 하는 것이 더욱 바람직하고, 2.4 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 가시광 영역의 소쇠계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.

가시광 영역의 소쇠계수 k 는 0.4 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하고, 0.5 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 가시광 영역의 소쇠계수 k 는 1.4 이하로 하는 것이 더욱 바람직하고, 1.3 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 그 막두께 d 가 30 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.

광학 기능막 (12) 의 막두께 d 는 35 ㎚ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하고, 40 ㎚ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 광학 기능막 (12) 의 막두께 d 는 85 ㎚ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하고, 70 ㎚ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유하고 있으므로, 도전성이 확보된다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, V 와 N 의 함유량은 각각 22.5 원자％ 이상인 것이 바람직하고, 25 원자％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 광학 기능막 (12) 에 있어서의 V 와 N 의 함유량은, 각각 50 원자％ 이하인 것이 바람직하고, 40 원자％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 비저항값이 5 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 광학 기능막 (12) 을 개재하여 금속 배선막 (11) 과, 외부의 배선의 도통을 실시하는 것이 가능해진다. 비저항값이 5 Ω·㎝ 를 초과하는 경우에는, 금속 배선과 외부를 도통시키기 위해서, 저반사막이나 기판에 구멍을 형성함으로써 외부의 배선과의 도통이 가능해진다.

광학 기능막 (12) 의 비저항값은 1 Ω·㎝ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하고, 0.1 Ω·㎝ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, V 와 N 과 함께 각종 산화물을 함유함으로써, 반사율이나 비저항 등의 광학 기능막 (12) 의 각종 특성을 조정하는 것이 가능해진다.

산화물로는, 예를 들어, ZrO₂, TiO₂, WO₃, MoO₂, SnO₂, Ta₂O₅ 등을 사용하는 것이 바람직하다. 산화물의 함유량은, 산화물의 금속 성분이 5 원자％ 이상인 것이 바람직하고, 10 원자％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 산화물의 함유량은, 25 원자％ 이하인 것이 바람직하고, 20 원자％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 산화물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 있어서는, 염소의 함유량이 1 원자％ 이하인 것이 바람직하다. 염소의 함유량을 1 원자％ 이하로 억제함으로써, 광학 기능막 (12) 을 가열했을 때의 염소 가스의 발생을 억제할 수 있고, 금속 배선막 (11) 의 저항이 상승하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.

광학 기능막 (12) 에 있어서의 염소의 함유량은 0.1 원자％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.05 원자％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 대해 설명한다. 본 실시형태인 스퍼터링 타깃은, 상기 서술한 광학 기능막 (12) 을 성막하기 위해서 사용된다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃은, VN 을 주성분으로 하고, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유한다.

V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유함으로써, 본 실시형태인 스퍼터링 타깃의 도전성이 확보된다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, V 를 30 mass％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 40 mass％ 이상 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 또, N 을 10 mass％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 15 mass％ 이상 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 스퍼터링 타깃에 있어서의 V 는, 80 mass％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 70 mass％ 이하 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 또, N 을 22 mass％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 20 mass％ 이하 함유하는 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 밀도비가 84 ％ 이상으로 되어 있다. 밀도비를 84 ％ 이상으로 함으로써, 스퍼터 시에 있어서의 이상 방전의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.

밀도비는, 치수 밀도를 계산 밀도로 나눈 비율을 나타낸다. 치수 밀도는, 스퍼터링 타깃의 치수로부터 스퍼터링 타깃의 체적을 산출하고, 치수를 측정한 스퍼터링 타깃의 중량의 값을 체적으로 나누는 것에 의해 계산된다. 계산 밀도는 VN 밀도 (g/㎤) 이다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 밀도비는 90 ％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 95 ％ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 최대 직경이 50 ㎛ 이상인 포어가 존재하지 않는 것이 바람직하다.

최대 직경이 50 ㎛ 이상인 조대한 포어가 존재하지 않는 것에 의해, 스퍼터 시에 있어서의 이상 방전의 발생을 억제할 수 있어, 스퍼터 성막을 안정적으로 실시하는 것이 가능해진다. 최대 직경이 50 ㎛ 이상인 포어의 유무에 대해서는, 스퍼터링 타깃의 단면 (스퍼터면에 직교하는 면) 을, 전자 프로브 애널라이저 (EPMA) 를 사용하여 관찰함으로써 평가할 수 있다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 비저항값이 0.1 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 것이 바람직하다. 비저항값을 0.1 Ω·㎝ 이하로 함으로써, DC 스퍼터에 의한 성막이 가능해진다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 비저항값은 5 × 10^-2Ω·㎝ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하고, 1 × 10^-2Ω·㎝ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, V 및 N 과 함께 각종 산화물을 함유함으로써, 성막한 광학 기능막 (12) 의 반사율이나 비저항 등의 각종 특성을 조정하는 것이 가능해진다.

산화물로는, 예를 들어, ZrO₂, TiO₂, WO₃, MoO₂, SnO₂, Ta₂O₅ 등을 사용하는 것이 바람직하다. 산화물의 함유량은, 산화물의 금속 성분이 10 mass％ 이상인 것이 바람직하고, 20 mass％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 산화물의 함유량은, 70 mass％ 이하인 것이 바람직하고, 60 mass％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 산화물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

산화물을 함유하는 경우, 밀도비를 산출할 때에 사용하는 계산 밀도는, 이하의 식으로부터 산출된다.

계산 밀도 (g/㎤) = 100/{VN 함유량 (mass％)/VN 밀도 (g/㎤) ＋ 첨가 성분 함유량 (mass％)/첨가 성분 밀도 (g/㎤)}

첨가 성분이 복수가 되는 경우에는, 동일하게 첨가 성분의 항을 추가한다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서는, 염소의 함유량이 1 원자％ 이하인 것이 바람직하다. 염소의 함유량을 1 원자％ 이하로 억제함으로써, 스퍼터 성막한 광학 기능막 (12) 을 가열했을 때의 염소 가스의 발생을 억제할 수 있고, 금속 배선막 (11) 의 저항이 상승하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.

본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 있어서의 염소의 함유량은 0.1 원자％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.05 원자％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태에 관련된 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 대해, 도 2 를 참조하여 설명한다.

본 실시형태에 있어서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, VN 함유 원료분을 준비하는 VN 함유 원료분 준비 공정 S01 과, VN 함유 원료분을 소결하는 소결 공정 S02 와, 얻어진 소결체를 기계 가공하는 기계 가공 공정 S03 을 구비하고 있다.

(VN 함유 원료분 준비 공정 S01)

이 VN 함유 원료분 준비 공정 S01 에 있어서는, VN 을 주성분으로 하고, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유함과 함께, 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 74 vol％ 이상으로 된 VN 함유 원료분을 준비한다. 산화물을 첨가하는 경우에는, VN 분과 산화물분을 혼합 장치로 혼합하여, 상기 서술한 VN 함유 원료분을 얻는다.

입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량을 74 vol％ 이상으로 함으로써, 소결성이 향상되어, 소결체의 밀도비를 높게 하는 것이 가능해진다.

추가적인 소결성의 향상을 도모하기 위해서는, 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량을 95 vol％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

VN 함유 원료분은, V 를 30 mass％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 40 mass％ 이상 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 또, N 을 10 mass％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 15 mass％ 이상 함유하는 것이 더욱 바람직하다.

VN 함유 원료분은, V 를 80 mass％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 70 mass％ 이하 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 또, N 을 22 mass％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 20 mass％ 이하 함유하는 것이 더욱 바람직하다.

산화물을 첨가하는 경우의 산화물의 함유량은, 산화물의 금속 성분이 10 mass％ 이상인 것이 바람직하고, 20 mass％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 산화물의 함유량은, 70 mass％ 이하인 것이 바람직하고, 60 mass％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 74 vol％ 이상으로 된 VN 함유 원료분은, 시판되는 VN 분을 기류 분쇄 장치 (제트 밀) 나 볼 밀 장치로 분쇄하여 얻어도 된다.

본 실시형태에 있어서는, VN 함유 원료분의 BET 값을 0.3 ㎡/g 이상으로 하는 것이 바람직하다. BET 값을 0.3 ㎡/g 이상으로 함으로써, 소결체의 내부에 조대한 포어가 생성되는 것을 억제하는 것이 가능해진다.

조대한 포어의 발생을 더욱 억제하기 위해서는, VN 함유 원료분의 BET 값을 1 ㎡/g 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, VN 함유 원료분의 BET 값은 30 ㎡/g 이하로 하는 것이 바람직하다.

BET 값이 0.3 ㎡/g 이상으로 된 VN 함유 원료분은, 제트 밀로 VN 함유 원료분을 얻을 때에, 제트 밀의 풍량을 0.3 ㎥/min 이상, 압력을 0.6 ㎫ 이상으로 하여 얻어도 된다.

(소결 공정 S02)

다음으로, 상기 서술한 소결 원료분을, 가압하면서 가열함으로써 소결하여, 소결체를 얻는다. 본 실시형태에서는, 핫 프레스 장치 또는 열간 등방압 가압 장치 (HIP) 를 사용하여, 소결을 실시하였다.

이 소결 공정 S02 에 있어서의 소결 온도는 1000 ℃ 이상으로 한다. 또, 소결 온도에서의 유지 시간은 2 시간 이상, 가압 압력은 15 ㎫ 이상인 것이 바람직하다.

소결 온도는 1200 ℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 1600 ℃ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 소결 온도는 1800 ℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.

소결 온도에서의 유지 시간은 3 시간 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 소결 온도에서의 유지 시간은 6 시간 이하로 하는 것이 바람직하다.

가압 압력은 20 ㎫ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 가압 압력은 200 ㎫ 이하로 하는 것이 바람직하다.

(기계 가공 공정 S03)

다음으로, 얻어진 소결체를 소정의 치수가 되도록 기계 가공한다. 이로써, 본 실시형태인 스퍼터링 타깃이 제조된다.

이상과 같은 구성으로 된 본 실시형태인 스퍼터링 타깃에 의하면, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유하고 있으므로, 내구성이 우수하고, 금속 배선막 (11) 으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막 (12) 을 성막할 수 있다.

그리고, 밀도비가 84 ％ 이상으로 되어 있으므로, 스퍼터 시에 있어서의 이상 방전의 발생을 억제할 수 있어, 안정적으로 광학 기능막 (12) 을 성막할 수 있다.

본 실시형태의 스퍼터링 타깃에 있어서, 최대 직경이 50 ㎛ 이상인 포어가 존재하지 않는 경우에는, 이 포어를 기인으로 한 이상 방전의 발생을 억제할 수 있어, 더욱 안정적으로 광학 기능막 (12) 을 성막할 수 있다.

본 실시형태의 스퍼터링 타깃에 있어서, 비저항값이 0.1 Ω·㎝ 이하인 경우에는, 도전성이 확보되어 있기 때문에, 스퍼터 시에 있어서의 이상 방전의 발생을 더욱 억제할 수 있어, 안정적으로 광학 기능막 (12) 을 성막할 수 있다. 또, DC 스퍼터에 의해 안정적으로 성막할 수 있어, 광학 기능막 (12) 을 효율적으로 성막할 수 있다.

본 실시형태의 스퍼터링 타깃에 있어서, 산화물 (예를 들어, ZrO₂, TiO₂, WO₃, MoO₂, SnO₂, Ta₂O₅등) 을 함유하고 있는 경우에는, 성막한 광학 기능막 (12) 의 반사율이나 비저항값을 조정하는 것이 가능해진다.

본 실시형태인 광학 기능막 (12) 에 의하면, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유함과 함께, 막두께 d 와 가시광 영역의 굴절률 n 과 가시광 영역의 소쇠계수 k 의 곱 n × k × d 가 30 이상 150 이하의 범위 내로 되어 있으므로, 가시광역의 반사율을 충분히 낮게 억제하는 것이 가능해진다.

또, V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유하고 있으므로, 광학 기능막 (12) 의 내구성을 향상시킬 수 있고, 또한, 광학 기능막 (12) 의 도전성을 확보할 수 있다.

본 실시형태의 광학 기능막 (12) 에 있어서, 가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.6 이하의 범위 내인 경우, 혹은, 가시광 영역의 소쇠계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내인 경우에는, 상기 서술한 n × k × d 를 비교적 용이하게 30 이상 150 이하의 범위 내로 할 수 있어, 가시광역의 반사율을 충분히 낮게 억제하는 것이 가능해진다.

본 실시형태의 광학 기능막 (12) 에 있어서, 비저항값이 5 Ω·㎝ 이하로 되어 있는 경우에는, 광학 기능막 (12) 의 도전성이 확보되어 있어, 광학 기능막 (12) 을 개재하여 금속 배선막 (11) 과, 외부의 배선의 도통을 실시하는 것이 가능해진다.

본 실시형태의 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 의하면, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유함과 함께, 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 74 vol％ 이상으로 된 VN 함유 원료분을 사용하고 있으므로, 소결성이 우수하고, 소결체의 밀도비를 향상시키는 것이 가능해진다. 또, 소결 온도가 1000 ℃ 이상으로 되어 있으므로, 소결을 충분히 진행시킬 수 있어, 소결체의 밀도비를 향상시키는 것이 가능해진다.

본 실시형태의 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 있어서, 상기 VN 함유 원료분의 BET 값이 0.3 ㎡/g 이상인 경우에는, 소결체의 내부에, 최대 직경이 50 ㎛ 이상인 조대한 포어가 형성되는 것을 억제할 수 있다.

본 실시형태의 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 있어서, 가압 압력이 15 ㎫ 이상인 경우에는, 소결체의 밀도비를 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 그 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.

예를 들어, 본 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 구조의 적층막을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 유리 기판/광학 기능막/금속 배선으로 한 구조의 적층막이어도 된다. 이 경우, 유리 기판으로부터의 광을 반사한다. 또, 이 구조이면, 광학 기능막에 도전성은 불필요해진다.

실시예

이하에, 본 발명에 관련된 스퍼터링 타깃, 광학 기능막, 및, 스퍼터링 타깃의 제조 방법의 작용 효과에 대해 평가한 평가 시험의 결과를 설명한다.

스퍼터링 타깃을 제조하기 위해, 순도 99 mass％ 이상의 VN 분말과, 순도 99.9 mass％ 이상의 ZrO₂ 분말, TiO₂ 분말, WO₃ 분말, MoO₂ 분말, SnO₂ 분말, Ta₂O₅ 분말을 준비하고, 이들을 표 1 에 나타내는 배합비로 칭량하고, 칭량된 각 분말을 10 L 포트에 2 ㎏ 충전하고, φ5 ㎜ 의 볼을 6 ㎏ 투입한 후, 볼 밀 장치로 혼합하여 VN 함유 원료분을 얻었다. 얻어진 VN 함유 원료분에 있어서의 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량, 및, BET 값을 이하와 같이 하여 평가하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.

비교예 1, 2 에서는, 순도 99 mass％ 이상의 VN 분말을 제트 밀로 제트 밀의 풍량을 0.3 ㎥/min 미만, 압력을 0.6 ㎫ 미만으로 하여 분쇄해 VN 함유 원료분을 얻었다.

＜VN 함유 원료분에 있어서의 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량＞

헥사메타인산나트륨 농도 0.2 vol％ 의 수용액을 100 mL 조제하고, 이 수용액에 각 원료 분말을 10 mg 첨가하고, 레이저 회절 산란법 (측정 장치 : 닛키소 주식회사 제조, Microtrac MT3000) 을 사용하여, 입경 분포를 측정하였다. 얻어진 결과로부터 100 ㎛ 이하의 분말의 비율을 계산하였다.

＜VN 함유 원료분의 BET 값＞

BET 비표면적을, 비표면적 측정 장치 (마운텍사 제조, Macsorb model 1201) 에 의해 측정하였다.

다음으로, 상기 서술한 VN 함유 원료분을, 카본제의 핫 프레스의 형 (型) (φ135 ㎜) 에 충전하고, 표 1 에 기재된 온도, 압력으로 각각 3 시간, 진공 중에서 핫 프레스를 실시하여, 소결체를 제작하였다.

이들 소결체를, 직경 : 125 ㎜, 두께 : 5 ㎜ 로 기계 가공한 후에, Cu 제의 백킹 플레이트에 In 땜납으로 부착하여 스퍼터링 타깃을 제작하였다.

상기 서술한 바와 같이 하고, 얻어진 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막된 광학 기능막에 대해, 이하의 항목에 대해 평가하였다.

＜스퍼터링 타깃의 조성＞

얻어진 스퍼터링 타깃으로부터 측정 시료를 채취하고, 이 측정 시료를 산 용액에 용해하고, ICP-AES 장치를 사용하여 금속 원소의 정량 분석을 실시하였다. 동일한 측정 시료를 사용하여, 가스 분석 장치 (비분산형 적외선 흡수법) 에 의해 산소의 정량 분석을 실시하였다. 이때, N 성분에 대해서는, 잔부로서 기재하였다. 각각의 결과를 표 2 에 나타냈다.

＜VN 함유량＞

스퍼터링 타깃 중의 V 는 VN 으로서, V 이외의 금속 원소는 산화물로서 존재한다고 가정하고, 표 2 에 기재한 V 와 첨가 성분의 조성 (mass％) 으로부터 VN 의 함유량 (mol％) 을 산출하였다.

스퍼터링 타깃 중에 VN 이 존재하는 것을 X 선 회절 분석으로 확인하였다.

＜스퍼터링 타깃의 밀도비＞

얻어진 가공이 완료된 스퍼터링 타깃의 치수로부터 스퍼터링 타깃의 체적을 산출하고, 측정한 중량의 값을 체적으로 나눔으로써 스퍼터링 타깃의 밀도를 계산하였다. 치수 밀도를 계산 밀도로 나눈 비율을 밀도비로서 표 2 에 기재하였다. 또한 계산 밀도는 하기의 식에 따라서 산출하였다.

VN 과 첨가 성분의 함유량은, 하기의 조직 관찰에 있어서 구성 원소의 면분석을 실시하고, VN 과 첨가 성분의 각각이 차지하는 면적으로부터 산출하였다.

＜조직 관찰＞

얻어진 스퍼터링 타깃의 일부를 에폭시 수지에 매립하고, 연마 처리를 실시하였다. 이때 관찰하는 면이 단면 (스퍼터면에 대해 수직이 되는 면) 이 되도록 파편을 설치하였다. 얻어진 연마면에 대해 전자 프로브 마이크로애널라이저 (EPMA) 장치를 사용하여 배율 300 배로 50 ㎜ × 50 ㎜ 의 면적을 관찰하고, 가장 큰 공공이 보인 지점에 대해 SEI 상을 촬영하였다. 화상 중에서 가장 큰 공공의 외접원이 50 ㎛ 를 초과하는 것이 있었던 경우, 그 개수를 계측하였다. 표 2 에는 개수를 기재하였다. 또, 도 3 에 본 발명예 1 의 관찰 결과를 나타낸다.

＜스퍼터링 타깃의 비저항＞

얻어진 스퍼터링 타깃의 스퍼터면의 중심부에 대해, 미츠비시 화학 주식회사 제조의 저저항률계 (Loresta-GP) 를 사용하고, 4 탐침법으로 측정한 값을 표 2 에 기재하였다. 측정 시의 온도는 23±5 ℃, 습도는 50±20 ％ 의 범위 내에서 측정하였다. 측정 시의 프로브는 ASP 프로브를 사용하였다.

＜이상 방전 측정＞

얻어진 스퍼터링 타깃을 사용하여 이하의 조건으로 1 시간 스퍼터를 실시했을 때의 이상 방전 횟수를 표 2 에 기재하였다. 방전이 일어나지 않은 스퍼터링 타깃에 대해서는, DC 스퍼터 불가라고 판단하였다.

전원 : DC 전원 (mks 사 제조 RPG-50)

전력 : 615 W

가스압 : 0.67 Pa

가스 유량 : Ar 50 sccm

(단막 평가)

얻어진 타깃에 대해 안정적으로 DC 스퍼터가 가능했던 것에 대해, 가로 세로 20 ㎜ 의 Si 기판 상에 50 ㎚ 성막을 실시하였다. 안정적으로 DC 스퍼터가 가능하지 않았던 것에 대해서는, 성막 불가라고 판단하였다. 이때의 막두께는, 사전에 계측한 막의 부착 속도로부터 성막 시간을 각각 산출하고, 목표 막두께로 하였다. 얻어진 막에 대해, 하기의 (1) ∼ (3) 의 평가를 실시하였다.

(1) 막 조성 분석

EPMA 장치의 정량 분석에 의해, 각 성분의 정량을 실시하였다. 얻어진 결과로부터, 검출된 성분의 합계값을 100 ％ 로 했을 때의 각 성분의 비율을 계산하고, 표 3 에 기재하였다. 이때, N 성분에 대해서는, 잔부로서 기재하였다. Cl 의 함유는 확인되지 않았다.

광학 기능막 중의 V 는 VN 으로서, V 이외의 금속 원소는 산화물로서 존재한다고 가정하고, 표 3 에 기재한 V 와 첨가 원소의 조성 (원자％) 으로부터 VN 의 함유량 (mol％) 을 산출하였다.

광학 기능막 중에 VN 이 존재하는 것을 XPS (X 선 광전자 분광법) 로 확인하였다.

(2) 굴절률·소쇠계수 측정

UVISEL-HR320 (호리바 제작소사 제조 분광 엘립소메트리) 을 사용하여, 굴절률과 소쇠계수를 계산하였다. 얻어진 굴절률과 소쇠계수로부터 550 ㎚ 의 파장에서의 값을 표 3 에 기재하였다. 굴절률과 소쇠계수, 흑색막 형성 시의 막두께의 곱 (n × k × d) 에 대해 계산한 값도 표 3 에 기재하였다.

흑색막 형성 시 (적층막 형성 시) 의 광학 기능막의 막두께는, 후술되는 반사율 측정에서 성막된 광학 기능막의 막두께로 하였다.

(3) 비저항 측정

Loresta-GP (미츠비시 화학 애널리틱사 제조) 를 사용하고, 4 탐침법으로 측정한 값을 표 3 에 기재하였다. 측정 시의 온도는 23±5 ℃, 습도는 50±20 ％ 에서 측정하였다. 측정 시의 프로브는 PSP 프로브를 사용하였다.

＜반사율 측정＞

유리 기판 상에, 두께 200 ㎚ 의 Cu 막을 성막하였다. 또, 유리 기판 상에, 두께 20 ㎚ 의 Mo 막/두께 100 ㎚ 의 Al 막/두께 20 ㎚ 의 Mo 막 (MAM 막) 을 성막하였다.

Cu 막, 및, MAM 막 상에, 상기 서술한 광학 기능막을 각각 표 3 에 기재된 막두께 d 가 되도록 성막하여, 적층막을 제작하였다. 다음으로, 상기와 같이 유리 기판 상에 형성된 적층막에 대해, 반사율을 측정하였다. 이 측정에서는, 분광 광도계 (히타치 제조 U4100) 를 사용하고, 성막한 막 측으로부터 380 ∼ 780 ㎚ 의 파장에 있어서 측정하였다. 얻어진 반사율의 데이터의 평균값을 표 4 에 기재하였다.

＜내열 시험＞

반사율 측정에서 제작한 적층막을 400 ℃, 질소 분위기에서 30 분 가열 처리하였다. 처리 후의 반사율을 성막 직후와 동일하게 측정한 결과를 표 4 에 나타냈다.

＜내알칼리 시험＞

반사율 측정에서 제작한 적층막을 실온, 3 mass％ NaOH 수용액에 30 분 침지하였다. 처리 후의 반사율을 성막 직후와 동일하게 측정한 결과를 표 4 에 나타냈다.

＜침수 시험＞

반사율 측정에서 제작한 적층막을 40 ℃ 의 순수에 30 분 침지하였다. 처리 후의 반사율을 성막 직후와 동일하게 측정한 결과를 표 4 에 나타냈다.

비교예 1 에 있어서는, 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 66 vol％ 로 된 VN 함유 원료분을 사용했으므로, 스퍼터링 타깃의 밀도비가 78.7 ％ 로 낮아졌다. 또, 스퍼터 시에 이상 방전이 다발하여, 안정적으로 성막할 수 없었다. 이 때문에, 광학 기능막의 평가를 중지하였다.

비교예 2 에 있어서는, 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 71 vol％, BET 값이 0.27 ㎡/g 인 VN 함유 원료분을 사용했으므로, 스퍼터링 타깃의 밀도비가 82.1 ％ 로 낮아지고, 최대 직경 50 ㎛ 의 포어의 개수가 2 개가 되었다. 또, 스퍼터 시에 이상 방전이 다발하여, 안정적으로 성막할 수 없었다. 이 때문에, 광학 기능막의 평가를 중지하였다.

비교예 3 에 있어서는, 소결 온도가 950 ℃ 로 되어 있고, 스퍼터링 타깃의 밀도비가 77.4 ％ 로 낮아졌다. 또, 스퍼터 시에 이상 방전이 다발하여, 안정적으로 성막할 수 없었다. 이 때문에, 광학 기능막의 평가를 중지하였다.

이에 대하여, 본 발명예에 있어서는, 밀도비가 84 ％ 이상으로 높고, 최대 직경 50 ㎛ 이상의 포어가 존재하지 않고, 비저항값이 0.1 Ω·㎝ 이하가 되었다. 따라서, 이상 방전의 발생이 억제되어, DC 스퍼터에 의해 안정적으로 성막할 수 있었다.

성막된 광학 기능막에 있어서는, 비저항값이 5 Ω·㎝ 이하가 되고, 도전성이 우수하였다. 또, 성막 후의 반사율이 낮아, 금속 배선막의 반사를 억제할 수 있었다. 또한, 내열 시험, 내알칼리 시험, 침수 시험 후에 있어서도, 반사율이 크게 변화하지 않아, 내구성이 우수하였다.

이상으로부터, 본 발명예에 의하면, 내구성 및 도전성을 가짐과 함께 금속 박막 등으로부터의 광의 반사를 충분히 억제하는 것이 가능한 광학 기능막, 이 광학 기능막을 효율적이고 안정적으로 성막 가능한 스퍼터링 타깃, 및, 이 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공할 수 있는 것이 확인되었다.

12 : 광학 기능막

Claims

VN (질화바나듐) 을 주성분으로 하는 스퍼터링 타깃으로서,
V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유하고, 밀도비가 84 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.
제 1 항에 있어서,
최대 직경이 50 ㎛ 이상인 포어가 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
비저항값이 0.1 Ω·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.
VN 을 주성분으로 하는 광학 기능막으로서,
V 와 N 을 각각 20 원자％ 이상 함유하고,
막두께 d 와 가시광 영역의 굴절률 n 과 가시광 영역의 소쇠계수 k 의 곱 n × k × d 가 30 이상 150 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 광학 기능막.
제 5 항에 있어서,
비저항값이 5 Ω·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 광학 기능막.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
가시광 영역의 굴절률 n 이 1.5 이상 2.6 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 광학 기능막.
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
가시광 영역의 소쇠계수 k 가 0.3 이상 1.5 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 광학 기능막.
VN 을 주성분으로 하고, V 를 20 mass％ 이상, N 을 5 mass％ 이상 함유함과 함께 입경 100 ㎛ 이하의 분말의 함유량이 74 vol％ 이상인 VN 함유 원료분을 준비하고,
상기 VN 함유 원료분을 가압하여 1000 ℃ 이상의 온도에서 소결하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃의 제조 방법.
제 9 항에 있어서,
상기 VN 함유 원료분의 BET 값이 0.3 ㎡/g 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃의 제조 방법.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
가압 압력이 15 ㎫ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃의 제조 방법.