JP2009167515A - 透明導電膜製造用スパッタリングターゲット及び透明導電膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】亜鉛、および、Al、In、B、Ga、Sc、Si、Y、Sn、Hf、MoおよびVからなる群より選ばれた2種以上の元素をそれぞれ0.1から8原子%、および、Cを0.1〜10原子%含有されてなる複合物、もしくは、Al、In、B、Ga、Sc、Si、Y、Sn、Hf、MoおよびVからなる群より選ばれた1種以上の元素をそれぞれ0.1から8原子%含有してなるZnO系複合酸化物に、炭化珪素、炭化硼素、炭化バナジウム、炭化モリブデン、炭化ハフニウムおよび炭化チタンからなる群より選ばれた1種もしくは2種以上の炭化物を0.1〜5重量%添加されてなる複合物焼結体を用いることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
K.Tominaga et al.,Jpn.J.Appl.Phys.,24(1985)944. T.Minami et al.,J.Vac.Sci.Technol.,A18(4)(2000)1584.
Claims (4)
- 亜鉛、および、Al、In、B、Ga、Sc、Si、Y、Sn、Hf、MoおよびVからなる群より選ばれた2種以上の元素をそれぞれ0.1から8原子%、および、炭素を0.1〜10原子%含有されてなる複合物成形体を用いることを特徴とする不純物共添加酸化亜鉛系透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。
- 実質的に、亜鉛、酸素、および、Al、In、B、Ga、Sc、Si、Y、Sn、Hf、MoおよびVからなる群より選ばれた2種以上の元素をそれぞれ0.1から8原子%、および、炭素を0.1〜10原子%含有されてなる複合物成形体を用いることを特徴とする請求項1に記載の不純物共添加酸化亜鉛系透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。
- Al、In、B、Ga、Sc、Si、Y、Sn、Hf、MoおよびVからなる群より選ばれた1種以上の元素をそれぞれ0.1から8原子%の割合で含有してなるZnO系複合酸化物に、炭化珪素、炭化硼素、炭化バナジウム、炭化モリブデン、炭化ハフニウムおよび炭化チタンからなる群より選ばれた1種もしくは2種以上の炭化物を0.1〜5重量%添加されてなる複合物焼結体を用いることを特徴とする請求項1及び請求項2に記載の不純物共添加酸化亜鉛系透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。
- 請求項1、2及び3記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成用スパッタリングターゲットを使用するスパッタリング法により成膜することを特徴とする不純物共添加酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170392A (ja) * | 2008-01-20 | 2009-07-30 | Kanazawa Inst Of Technology | 酸化亜鉛系透明導電膜 |
JP2009173962A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sony Corp | スパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法 |
JP2011042822A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Hitachi Metals Ltd | 酸化亜鉛系焼結体ターゲット |
WO2011102425A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 住友化学株式会社 | 酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲット |
JP5392633B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-01-22 | 日立金属株式会社 | ZnO系透明導電膜用ターゲットおよびその製造方法 |
WO2014054361A1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化亜鉛系焼結体、該焼結体からなる酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得られた酸化亜鉛系薄膜 |
JP2014065969A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-04-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜形成材料およびそれを用いたターゲット |
JP2014080312A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化亜鉛系焼結体の製造方法およびターゲット |
CN105441890A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-03-30 | 西安交通大学 | 一种高温低摩擦系数硬质涂层及其制备方法 |
CN108441827A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-08-24 | 长沙迅洋新材料科技有限公司 | 铝钪合金靶材制备方法 |
CN111517778A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-08-11 | 华南理工大学 | 一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH062130A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-01-11 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化亜鉛系スパッタリング用ターゲット |
JP2003321771A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-11-14 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2007284296A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 焼結体及びその製造方法、その焼結体を用いて得られる透明酸化物薄膜およびその製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH062130A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-01-11 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化亜鉛系スパッタリング用ターゲット |
JP2003321771A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-11-14 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2007284296A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 焼結体及びその製造方法、その焼結体を用いて得られる透明酸化物薄膜およびその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170392A (ja) * | 2008-01-20 | 2009-07-30 | Kanazawa Inst Of Technology | 酸化亜鉛系透明導電膜 |
JP2009173962A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sony Corp | スパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法 |
JP5392633B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-01-22 | 日立金属株式会社 | ZnO系透明導電膜用ターゲットおよびその製造方法 |
JP2011042822A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Hitachi Metals Ltd | 酸化亜鉛系焼結体ターゲット |
WO2011102425A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 住友化学株式会社 | 酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲット |
JP2014065969A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-04-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜形成材料およびそれを用いたターゲット |
WO2014054361A1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化亜鉛系焼結体、該焼結体からなる酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得られた酸化亜鉛系薄膜 |
JP5847308B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2016-01-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化亜鉛系焼結体、該焼結体からなる酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得られた酸化亜鉛系薄膜 |
JP2014080312A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化亜鉛系焼結体の製造方法およびターゲット |
CN105441890A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-03-30 | 西安交通大学 | 一种高温低摩擦系数硬质涂层及其制备方法 |
CN105441890B (zh) * | 2015-12-22 | 2018-04-17 | 西安交通大学 | 一种高温低摩擦系数硬质涂层及其制备方法 |
CN108441827A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-08-24 | 长沙迅洋新材料科技有限公司 | 铝钪合金靶材制备方法 |
CN111517778A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-08-11 | 华南理工大学 | 一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法 |
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