JP2009170392A - 酸化亜鉛系透明導電膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)にモリブデンを共添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をAl/(Zn+Al+Mo)の原子比で1%を超え8%未満、かつモリブデンの含有量をMo/(Zn+Al+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満として作製したZnO系焼結体ターゲットもしくはペレットを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が改善されたZnO系透明導電膜を得ることができる。
【選択図】図3
Description
焼結温度:1250℃
昇温速度:50℃/hr
保持時間:5時間
焼結雰囲気:Ar雰囲気中
得られた焼結体を6インチφ×5mmtに加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングした。
装置:dcマグネトロンスパッタ装置
磁界強度:1000Gauss(ターゲット直上、水平成分)
基板温度:200℃
到達真空度:5×10−5Pa
スパッタリングガス:Ar
スパッタリングガス圧:0.5Pa
DCパワー:300W
膜厚:100nm
使用基板:無アルカリガラス(日本電気ガラス製OA−10ガラス)
得られた薄膜の抵抗率をホール効果測定装置を用いて測定した。ガリウムが1原子%を超え8原子%未満かつモリブデンが(Mo/(Zn+Ga+Mo))0.1原子%を超え1原子%未満の範囲で10−4Ωcm台の低抵抗率の膜を得ることができた。
Claims (12)
- 実質的に亜鉛、アルミニウム、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、アルミニウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 実質的に亜鉛、ガリウム、モリブデンおよび酸素からなり、ガリウムがGa/(Zn+Ga+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Ga+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、ガリウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 実質的に亜鉛、珪素、モリブデンおよび酸素からなり、珪素がSi/(Zn+Si+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、珪素がドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 実質的に亜鉛、アルミニウム、ガリウム、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、ガリウムがGa/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、アルミニウム及びガリウムがドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 実質的に亜鉛、アルミニウム、インジウム、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、インジウムがIn/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されていることにより、アルミニウム及びインジウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 実質的に亜鉛、アルミニウム、珪素、スズおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、珪素がSi/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+Si+Sn)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されていることにより、アルミニウム及び珪素がドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 実質的に亜鉛、ガリウム、インジウム、モリブデンおよび酸素からなり、ガリウムがGa/(Zn+Ga+In+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、インジウムがIn/(Zn+Ga+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Ga+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、ガリウム及びインジウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 実質的に亜鉛、ガリウム、珪素、モリブデンおよび酸素からなり、ガリウムがGa/(Zn+Ga+Si+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、珪素がSi/(Zn+Ga+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Ga+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、ガリウム及び珪素がドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 透明導電膜の厚さが200nm未満であることを特徴とする請求項1から8に記載の酸化亜鉛系透明導電膜。
- 請求項1から8記載の化学的組成からなるマグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット
- 請求項10記載の焼結体ターゲットを用いるマグネトロンスパッタリング法により作製した請求項1から9記載の酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる液晶ディスプレイ及びタッチパネル。
- 請求項10記載の焼結体ターゲットを用いるマグネトロンスパッタリング法により作製した請求項1から8記載の酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器。
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