JP5363742B2 - 酸化亜鉛系透明導電膜 - Google Patents
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Description
焼結温度:1250℃
昇温速度:50℃/hr
保持時間:5時間
焼結雰囲気:Ar雰囲気中
得られた焼結体を6インチφ×5mmtに加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングした。
装置:dcマグネトロンスパッタ装置
磁界強度:1000Gauss(ターゲット直上、水平成分)
基板温度:200℃
到達真空度:5×10−5Pa
スパッタリングガス:Ar
スパッタリングガス圧:0.5Pa
DCパワー:300W
膜厚:100nm
使用基板:無アルカリガラス(日本電気ガラス製OA−10ガラス)
得られた薄膜の抵抗率をホール効果測定装置を用いて測定した。ガリウムが1原子%を超え8原子%未満かつモリブデンが(Mo/(Zn+Ga+Mo))0.1原子%を超え1原子%未満の範囲で10−4Ωcm台の低抵抗率の膜を得ることができた。
Claims (3)
- 亜鉛、アルミニウム、珪素、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、珪素がSi/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有された焼結体ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含む液晶ディスプレイまたはタッチパネルを有し、
前記酸化亜鉛系透明導電膜は、厚さが200nm未満であって、少なくともアルミニウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする機器。 - 亜鉛、アルミニウム、ガリウム、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、ガリウムがGa/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有された焼結体ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含む液晶ディスプレイまたはタッチパネルを有し、
前記酸化亜鉛系透明導電膜は、厚さが200nm未満であって、少なくともアルミニウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする機器。 - 亜鉛、アルミニウム、インジウム、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、インジウムがIn/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有された焼結体ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含む液晶ディスプレイまたはタッチパネルを有し、
前記酸化亜鉛系透明導電膜は、厚さが200nm未満であって、少なくともアルミニウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする機器。
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