WO2009078329A1 - 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 - Google Patents
酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 Download PDFInfo
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title abstract 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
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- C23C14/34—Sputtering
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
Abstract
ZnOを主成分とする緻密な焼結体中に金属成分を分散させたターゲットを用いてスパッタリングを安定させ、低抵抗の透明電極を得る。本発明の酸化亜鉛焼結体の製造方法によって製造される酸化亜鉛焼結体は、ZnO中にB、Al、Si、Sc、Ti、V、Ga、Y、Zr、Mo、Ag、Hf、Ce、Dyのうちいずれか1種以上の添加物元素が含有されることによって、導電性を有する。更に、この焼結体中に酸化されていない金属Znを分散させることによって、成膜されるZnO中のZnの量を化学量論的組成よりも大きくすることができる。この酸化亜鉛焼結体の製造方法においては、ZnO粉末、金属Zn粉末、上記の添加物元素が含まれる粉末、の3種類の粉末が混合された本焼成前粉末が造粒・成型され、非酸化性雰囲気で焼成されて酸化亜鉛焼結体が得られる。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009546231A JPWO2009078329A1 (ja) | 2007-12-19 | 2008-12-11 | 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007326752 | 2007-12-19 | ||
JP2007-326752 | 2007-12-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2009078329A1 true WO2009078329A1 (ja) | 2009-06-25 |
Family
ID=40795445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/072497 WO2009078329A1 (ja) | 2007-12-19 | 2008-12-11 | 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2009078329A1 (ja) |
WO (1) | WO2009078329A1 (ja) |
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- 2008-12-11 JP JP2009546231A patent/JPWO2009078329A1/ja active Pending
- 2008-12-11 WO PCT/JP2008/072497 patent/WO2009078329A1/ja active Application Filing
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JPWO2009078329A1 (ja) | 2011-04-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
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|
NENP | Non-entry into the national phase |
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|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 08861625 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |