KR101412319B1

KR101412319B1 - ＺｎＯ계 투명 도전막용 타깃 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR101412319B1
Application number: KR1020127004170A
Authority: KR
Inventors: 히데꼬 후꾸시마
Original assignee: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2009-07-21
Filing date: 2010-07-15
Publication date: 2014-06-26
Also published as: WO2011010603A1; JPWO2011010603A1; KR20120039027A; CN102549191A; JP5392633B2; CN102549191B

Abstract

높은 소결 밀도를 갖는 붕소(B) 및 바나듐(V)을 모두 첨가한 ZnO계 투명 도전막용 타깃 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 타깃은, 붕소량이, B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.5 내지 10mass％, 바나듐량이, V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.05 내지 5mass％이며, 그 밀도가 상대 밀도로 90％ 이상의 산화물 소결체인 ZnO계 투명 도전막용 타깃이며, 본 발명의 제조 방법은, 붕소원으로서 H₃BO₃ 분말, 바나듐원으로서 V₂O₃ 분말을 사용하는 것을 특징으로 한다. 제조 방법에 있어서 H₃BO₃ 분말과, ZnO 분말 혹은 다시 V₂O₃ 분말을 혼합하여, 하소해서 얻은 하소 분말을 소결 원료로서 소결하는 것이 바람직하다.

Description

ＺｎＯ계 투명 도전막용 타깃 및 그 제조 방법{TARGET FOR ZnO-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME}

본 발명은, 액정 디스플레이나 박막 태양 전지 등의 제조에 사용되는 붕소(B) 및 바나듐(V)을 모두 첨가한 ZnO계 투명 도전막용 타깃 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

액정 디스플레이나 박막 태양 전지 등에는, 도전성이고 또한 광에 대하여 투명한 전극(투명 전극)이 사용되고 있다. 이러한 성질을 갖는 재료로서는, 예를 들어, In₂O₃-SnO₂(이하, ITO), ZnO-B₂O₃(이하, BZO), ZnO-Al₂O₃(이하, AZO), ZnO-Ga₂O₃(이하, GZO) 등의 산화물 재료가 알려져 있다. 이러한 재료는, 스퍼터링법에 의해 액정 디스플레이나 박막 태양 전지 상에 박막으로서 형성된 후에, 전극으로서 패터닝되어, 투명 전극이 된다.

스퍼터링법에 있어서는, 스퍼터링 장치 중에서, 박막이 형성되는 기판과 스퍼터링 타깃(이하, 타깃)을 대향시켜 배치된다. 이들 사이에서 가스 방전을 발생시키고, 이 가스 방전에 의해 발생한 이온이 타깃의 표면에 부딪치고, 그 충격에 의해 방출된 원자(입자)를 대향하는 기판에 부착시켜 박막이 형성된다. 이 타깃은 투명 전극이 되는 재료로 형성되고, 투명 전극의 특성은 사용한 타깃의 특성에 반영된다.

또한, 일반적으로 타깃은 매우 고가이고, 그 가격이 액정 디스플레이나 태양 전지의 제조 비용에서 차지하는 비율은 크다. 이로 인해, 액정 디스플레이나 태양 전지의 저비용화를 위해서는, 타깃이 저렴한 것도 요구된다. 그 중에서도 BZO 타깃은, 저렴한 원료인 ZnO 분말과 B₂O₃ 분말을 사용해서 제조되어, 저비용화에는 유망하다. 또한, BZO는, 투명 전극으로서 사용되고 있는 ITO, AZO에 비교하여, 파장 1000㎚ 이상의 투과율이 높고, 태양광이 유효하게 활용될 수 있다는 점에서 태양 전지용 투명 전극으로서 유망하다. 그러나, ZnO 분말과 B₂O₃ 분말을 소결해서 BZO 타깃을 얻으려고 하면, B₂O₃이 약 600℃ 부근에서 액상이 생성되기 시작하기 때문에 B₂O₃끼리에 의한 융착, 조대화가 행해져, 소결체 내에 편석이 발생하는 등의 문제, 혹은, 흡습성이나 B₂O₃의 증발의 문제 등에 의해 치밀한 소결체를 얻기 어렵다고 하는 문제가 지적되고 있다.

이 과제를 해결하기 위해서, ZnO 분말과 B₂O₃ 분말을 하소해서 얻은 복합 분말로 이루어지는 원료를 사용하는 것, 혹은 공심법에 의한 수산화물에 의한 분말을하소해서 얻은 복합 분말로 이루어지는 원료를 사용하는 것이 개시되어 있다(특허 문헌 1, 특허 문헌 2, 특허 문헌 3).

이와 같이, 미리 형성한 복합 분말을 사용하는 것은, 조대한 B₂O₃상이 존재하지 않게 되므로, 편석을 방지해 치밀한 소결체를 얻는 데 있어서 유효해진다.

또한, ZnO의 내약품성을 향상시키는 데 있어서, Co나 V 첨가가 유효한 것이 개시되어 있다(특허 문헌 4).

특허 문헌 4에 따르면, 도너 불순물로서 사용되는 상기 붕소가 속하는 III족 원소 등을 첨가한 ZnO계 도전막에 대해서도 Co나 V의 첨가는 유효한 것, 이러한 도전막의 형성에 스퍼터링법이 적용되고, 그를 위한 소결체의 개시도 있다.

일본 특허 출원 공개 평11-158607호 공보 일본 특허 출원 공개 평11-171539호 공보 일본 특허 출원 공개 평11-302835호 공보 일본 특허 출원 공개 제2002-75062호 공보

특허 문헌 4에 개시되는 V는, 내약품성을 향상시킨다고 하는 점에서는 유리하지만, 특허 문헌 4에 구체적인 기재가 있는 V₂O₅를 바나듐원으로 할 경우, V₂O₅의 독성에 대한 신중한 취급이 필요하다.

또한, V₂O₅보다도 독성이 낮은 V산화물로서 V₂O₃이 알려져 있지만, V₂O₅의 융점은, 690℃로 저온인 것에 대해서, V₂O₃의 융점은 1970℃로 높고, 붕소를 포함하는 ZnO계 소결체를 얻는 데 있어서의 거동이 불분명했다.

또한, 붕소의 첨가는, 특허 문헌 1 내지 3과 같이 복합 산화물을 형성하는 방법이 유효하다. 그러나, 이와 같은 복합 산화물을 사용하는 제조 기술에 있어서도, V를 첨가할 때의, 원료 산화물인 V의 가수가, 소결성 등에 어떠한 영향이 있을지는, 전혀 미지였다.

본 발명의 목적은, 높은 소결 밀도를 갖는 붕소(B) 및 바나듐(V)을 모두 첨가한 ZnO계 투명 도전막용 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명자는, V₂O₃이 붕소를 포함하는 소결체를 얻는 데 있어서, 소결 밀도의 향상에 기여하는 것을 찾아내어, 본 발명에 도달했다.

즉 본 발명은, 붕소량이, B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.5 내지 10mass％, 바나듐량이, V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.05 내지 5mass％이며, 그 밀도가 상대 밀도로 90％ 이상의 산화물 소결체인 ZnO계 투명 도전막용 타깃이다.

또한, 본 발명은, 알루미늄 및/ 또는 갈륨을 3가의 산화물로서 환산하여, 각각 2mass％ 이하 첨가할 수 있다.

또한, 본 발명의 제조 방법은, 붕소와 바나듐을 함유하고, 붕소량이, B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.5 내지 10mass％, 바나듐량이, V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.05 내지 5mass％인 산화물 소결체로 이루어지는 ZnO계 투명 전극용 타깃의 제조 방법이며, 붕소원으로서 H₃BO₃ 분말, 바나듐원으로서 V₂O₃ 분말을 사용하는 ZnO계 투명 도전막용 타깃의 제조 방법이다.

또한, 본 발명의 제조 방법에 있어서의 소결 온도는, 700 내지 1050℃, 소결 분위기는 비환원성 분위기로 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 제조 방법에 있어서, H₃BO₃ 분말과, ZnO 분말 혹은 V₂O₃ 분말을 더 혼합하고, 하소해서 얻은 하소 분말을 소결 원료로서 소결하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에서 하소 분말을 사용하는 경우, 하소 분말의 조성을 B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로, 0.8 내지 45mass％로 하고, 상기 하소 분말에 ZnO 분말 혹은 V₂O₃의 한쪽 또는 양쪽을 혼합, 소결해서 상대 밀도 90％ 이상의 소결체를 얻는 것이 바람직하다.

또한, 하소 온도는, 100 내지 500℃로 하는 것이 바람직하다.

본 발명은, 높은 소결 밀도를 갖는 붕소(B) 및 바나듐(V)을 모두 첨가한 ZnO계 투명 도전막용 타깃이며, 이상 방전이 적고, 액정 디스플레이나 박막 태양 전지 등의 제조에 적합하다. 또한, 본 발명의 제조 방법은, 안전하고 또한 정밀도가 높은 제조를 할 수 있으므로 상술한 타깃을 얻는 데 있어서, 중요한 기술이 된다.

도 1은 본 발명의 타깃의 마이크로 조직 및 대응하는 특정 원자 분포의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 비교예의 타깃의 마이크로 조직 및 대응하는 특정 원자 분포의 일례를 나타내는 도면이다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 중요한 특징은, V₂O₃이 붕소를 포함하는 소결체를 얻는 데 있어서, 소결 밀도의 향상에 기여하는 것을 발견하여, 높은 소결 밀도를 갖는 붕소 및 바나듐을 모두 첨가한 ZnO계 투명 도전막용 타깃을 실현한 것에 있다.

본 발명에 있어서, 붕소량을, B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.5 내지 10mass％로 한 것은, 붕소 첨가에 의해, 형성하는 도전막의 저저항성과 투명성을 확보하는 데 있어서, 유효하기 때문이다. 바람직하게는, 0.5 내지 5mass％이다.

또한, 본 발명에 있어서, 바나듐량을, V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.05mass％ 이상으로 한 것은, 0.05mass％ 미만에서는, 소결성 향상의 명확한 효과가 얻어지지 않고, 또 제조 시에 타깃에 있어서의 균일한 분산을 시키기 어렵기 때문이다. 또한, 5mass％ 이하로 한 것은, 저렴하고 특정 파장의 투과율이 높다고 하는 붕소 첨가의 작용을 유지하기 위해서이다. 바람직하게는, 0.05 내지 2mass％이다.

본 발명에 있어서는, 상기 붕소의 특징을 살리기 위해서, 붕소와 바나듐 이외의 도전성을 부여하는 산화물은 반드시 필요하지는 않지만, 첨가하는 것은 가능하다. 전형적으로는, 알루미늄(Al)이나 갈륨(Ga)의 산화물의 첨가가 가능하다. 이들의 첨가는, 3가의 산화물로서 환산하여, 각각 2mass％ 이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 타깃의 상대 밀도는, 90％ 이상으로 했다. 90％ 미만은, 통상의 소결에서도 용이하게 도달할 수 있기 때문에, V₂O₃ 첨가에 의한 소결성 향상의 의미가 적기 때문이다. 바람직하게는, 95％ 이상으로 한다. 보다 바람직하게는 98％ 이상이다.

또한, 본 발명에서 말하는 상대 밀도는, 타깃 조직 중에, ZnO, B₂O₃, V₂O₃의 각 상이 각각 독립하여 존재하고 있다고 가정하여, 계산되는 밀도에 대한 상대 밀도이다.

다음에, 본 발명의 제조 방법에 대해서 상세하게 설명한다.

본 발명의 제조 방법에 있어서는, 상술한 조성의 타깃을 얻기 위해서, 붕소원으로서 H₃BO₃ 분말, 바나듐원으로서 V₂O₃ 분말을 사용하는 데 중요한 특징의 하나가 있다.

보통 붕소원으로서 사용되는 B₂O₃ 분말은, 흡습성이 높아 칭량 오차를 일으키기 쉽다고 하는 문제를 확인하고 있다. 한편, 본 발명에서 사용하는 H₃BO₃ 분말은, 수화물이고 수분 흡수의 염려가 없어, 칭량 오차를 일으키기 어려운 것이며, 성분 조정의 정밀도를 높이는 데 있어서 유효하다.

또, 통상 바나듐원으로서 사용되는 V₂O₅은, 상술한 바와 같이 독성이 있어 취급상 문제가 있다. 한편, 본 발명이 사용하는 V₂O₃은, 그와 같은 문제가 없다. 그리고, 중요한 것은, V₂O₃이 1970℃라고 하는 고온의 융점을 가짐에도 불구하고, 소결성을 높이는 데에 기여한다고 하는 것을 발겨한 것에 있다.

본 발명자의 검토에 따르면, 타깃 조직에 존재하는 Zn-B-O상의 조직이, V₂O₃ 무첨가에서는 입상의 조직인 것에 대해서, V₂O₃의 첨가에 의해 주상 조직이 된다고 하는 현상을 확인하고 있다. 이것으로부터 첨가한 V₂O₃ 분말은 타깃 조직에 크게 영향을 미치고, 소결성을 향상시키는 인자가 되고 있다고 추정된다.

그리고, 이 방법에 의해, 상대 밀도를 90％, 바람직하게는 95％ 이상, 더욱 바람직하게는 98％ 이상으로 향상시키는 것이 가능해진다.

본 발명의 제조 방법에 있어서의 소결 온도는, 700 내지 1050℃, 소결 분위기는 비환원성 분위기로 하는 것이 바람직하다. 700℃ 미만의 소결 온도에서는, 소결 시간이 지나치게 걸려, 1050℃ 이상에서는, 구성하는 산화물의 분해가 진행되어 소정의 소결 밀도가 얻어지지 않을 뿐만아니라, 조성 변동도 커지는 경우가 있기 때문이다.

또한, 소결 분위기로서 비환원 분위기를 선택함으로써, 구성하는 산화물의 분해를 용이하게 억제할 수 있다고 하는 이점이 있다. 이 비환원성 분위기로서는, 공기, 질소, 불활성 가스 등을 사용하는 것이 가능하다.

본 발명의 제조 방법에 있어서, H₃BO₃ 분말의 사용은, 상술한 바와 같이 조성 제어에 있어서 유효하지만, 그대로 소결 원료로 하면 가열에 의해 산화 붕소와 물로 분해되기 때문에, 산화 붕소를 그대로 소결 원료로 했을 경우와 마찬가지로 소결체 내에 큰 편석이 발생하거나, 치밀한 소결체가 얻어지지 않을 경우가 있다.

그로 인해, ZnO 분말과 H₃BO₃ 분말을 혼합하고, 하소해서 얻은 하소 분말을 제조하여 이것을 소결 원료로 하면, 복합 산화물이 형성되어 있기 때문에, 편석을 방지해 치밀한 소결체를 얻는 것이 가능해진다. 또한, 하소 공정은, 소결체로서는 불필요한 수분을 미리 제거해 둘 수 있으므로, 수분 존재에 의한 소결체의 변형, 결함의 형성을 방지하는 데 있어서도 유효하다. 이때, V₂O₃ 분말도 동시에 혼합해 두어, 하소 분말을 얻어도 좋다.

또한, 본 발명의 제조법에 있어서, 하소 분말만을 원료로 해서 소결해도 되지만, 하소 분말에 더하여 다른 산화물 분말을 혼합해서 소결해도 된다. 구체적으로는, 하소 분말의 조성을 B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로, 0.5-45mass％로 조정하여, 상기 하소 분말에 ZnO 분말 혹은 V₂O₃의 한쪽 또는 양쪽을 혼합, 소결하는 것이 바람직하다.

B₂O₃비를, 0.5％ 이상으로 한 것은, 0.5％ 미만에서는 전극으로서의 특성을 얻기 어려워, 하소 분말에 더하여, 다른 붕소원 등을 첨가할 필요가 발생하기 때문이다.

한편, B₂O₃비를 45％ 이하로 한 것은, 45％을 초과해서 높아져 가면, 복합 산화물로서 존재하는 이외에 B₂O₃상으로서 존재하는 양이 많아져, B의 분산성이 나빠지는 경우가 있기 때문이다. 실제의 하소 분말의 조성은, 사용하는 H₃BO₃ 분말이 B₂O₃이 된 경우의 양과 ZnO 분말의 ZnO량, 혹은 V₂O₃ 분말의 V₂O₃량에 의해 조정할 수 있다.

상기, 하소 공정에 있어서, 하소 온도는 100℃ 이상 500℃ 이하로 하는 것이 적합하다. 이것은, 100℃보다 저온이면, H₃BO₃으로부터의 물의 분해 제거가 진행되기 어렵기 때문이다.

한편, 500℃보다 고온에서는, 하소 분말이 크게 성장해 버려, 소결 원료로서는 특별한 분쇄 처리 등이 필요해지기 때문이다.

[실시예]

이하, 본 발명의 실시예를 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 서술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.

본 실시예에서 적용한 제조 공정은 이하와 같다.

(공정 A1)

비표면적 4.5㎡/g의 ZnO 분말과 H₃BO₃ 분말을 표 1에 나타내는 소정의 타깃 조성이 되도록 칭량한 후, 볼밀로 혼합해 혼합분을 제작했다.

얻어진 혼합분을 소정의 온도에서 하소하여 하소 분말을 얻었다. 얻어진 하소 분말에 V₂O₃ 분말을 소정의 타깃 조성이 되도록 칭량한 후, 볼밀로 혼합해 혼합분을 제작했다. 얻어진 혼합분에 바인더로서 폴리비닐알코올을 0.5mass％ 첨가하여, 갈아 으깨면서 혼합한 후, 조립(造粒)한 조립분을 제작했다.

또한, 다른 산화물 분말을 첨가하는 경우에는, V₂O₃과 동일하게 첨가했다.

(공정 A2)

비표면적 4.5㎡/g의 ZnO 분말과 H₃BO₃ 분말과 V₂O₃ 분말을 소정의 타깃 조성이 되도록 칭량한 후, 볼밀로 혼합해 혼합분을 제작했다. 얻어진 혼합분을 소정의 온도에서 하소하여 하소 분말을 얻었다. 얻어진 하소 분말에 바인더로서 폴리비닐알코올을 0.5mass％ 첨가하여, 갈아 으깨면서 혼합한 후, 조립한 조립분을 제작했다.

(공정 A3)

비교예의 공정으로서, 비표면적 4.5㎡/g의 ZnO 분말과 H₃BO₃ 분말을 소정의 타깃 조성이 되도록 칭량한 후, 볼밀로 혼합해 혼합분을 제작했다.

얻어진 혼합분을 소정의 온도에서 하소하여 하소 분말을 얻었다. 얻어진 하소 분말에 바인더로서 폴리비닐알코올을 0.5mass％ 첨가하여, 갈아 으깨면서 혼합한 후, 조립한 조립분을 제작했다.

(공정 B)

다음에, A1 내지 A3의 어느 하나의 공정에서 얻어진 조립분을 냉간 정수압 프레스로 3ton/㎠의 압력으로 성형하여, 직경 120㎜, 두께 8㎜의 원반 형상의 성형체를 얻었다. 얻어진 성형체를, 표 1에 나타내는 소정의 온도, 분위기에서 소결해 소결체를 제작했다. 얻어진 소결체를 직경 100㎜, 두께 5㎜의 원반 형상으로 가공하여, 스퍼터링용 타깃을 제작했다.

(타깃 평가)

제조 과정에서 얻어진 소결체의 밀도를 수중치환법에 의해 측정하고, 소결체를 구성하는 성분이 소정의 산화물로서 존재한다고 가정해서 구한 이론 밀도로 나눈 값을 상대 밀도로 했다. 소결체의 조성 분석은, 고주파 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석법(ICP-AES)에 의해, Zn량, B량, V량, Al량, Ga량을 분석하고, ZnO, B₂O₃, V₂O₃, Al₂O₃, Ga₂O₃의 산화물로 다시 환산해 구했지만, 목적 조성과 일치하고 있었다. 이들의 결과를 표 1로 나타낸다.

얻어진 소결체를 주사형 전자 현미경으로 관찰하는 동시에, 조직에 있어서의 원소 분포를 EPMA으로 매핑했다. 전형적인 예로서, 도 1에 제 2 실시예, 도 2에 제2 비교예의 타깃의 마이크로 조직 및 대응하는 특정 원자 분포를 나타낸다.

도 1 및 도 2 각각에 나타내는 4개의 관찰상은, 좌상이 주사형 현미경에 의한 조직, 우상이 대응하는 시야에 있어서의 B 원자 분포, 좌하가 대응하는 시야에 있어서의 V 원자 분포, 우하가 대응하는 시야에 있어서의 Zn 원자 분포를 나타내고 있다. 또한, 원자 분포는 흑색-백색-갈색의 순으로 농도가 높은 것을 나타내고 있다.

또한, 실시예 및 비교예에 있어서 붕소 농화부에는, X선 회절 분석에 의해 Zn₃B₂O₆ 화합물이 검출되고, 바나듐 농화부에는, Zn₃(VO₄)₂ 화합물이 검출되었다.

(성막 평가)

제조한 타깃을 사용해서 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 막 두께 200㎚의 성막을 행했다. 스퍼터링 조건은, 투입 전력 200W, Ar 가스압 0.7Pa로 고정했다. 그리고 실험 개시로부터 10시간 경과 후 10분당 발생하는 이상 방전 횟수, 기판 온도 200℃시의 막의 체적 저항률과, 1200㎚ 파장 영역에 있어서의 투과율을 측정했다. 또한, 기판 온도 200℃시의 막을 온도 60℃, 습도 90％의 환경하에 폭로하고, 폭로 시간 1000간 후의 체적 저항률을 측정하여, 폭로 전의 체적 저항률에 대한 폭로 후의 체적 저항률의 변화를 평가했다. 결과를 표 2로 나타낸다.

표 1에 있어서, 예를 들어 제3 실시예와 제1 비교예를 대비하면, 동량의 B₂O₃에 대하여 V₂O₃의 첨가에 의해, 동일한 소결 조건이어도 현저하게 상대 밀도가 상승하고 있는 것을 알 수 있다. 또 제3 실시예와 제2 비교예를 대비하면, V₂O₃을 첨가하지 않을 경우, 소결 온도를 1000℃의 고온으로 하여, 겨우 근사한 소결 밀도가 얻어지는 것을 알 수 있다. 이들의 결과는, 붕소를 포함하는 ZnO계 소결체를 얻는 데 있어서, V₂O₃의 첨가가 소결 밀도를 높이기 위해서 유효하게 작용하는 것을 나타내고 있다.

또한, 표 2에 있어서, V₂O₃의 첨가에 의해, 체적 저항률의 변화를 억제할 수 있는 것을 알 수 있으며, V₂O₃의 첨가가 내환경성을 향상시키는 것을 알 수 있다. 또한, 소정의 V₂O₃의 첨가에 의해서도 1200㎚ 투과율은 크게 열화하지 않기 때문에, 붕소를 포함하는 ZnO계 소결체의 특성을 유지할 수 있다고 하는 점에서도 유효한 것을 알 수 있다.

Claims

붕소량이, B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.5 내지 10mass％, 바나듐량이, V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.05 내지 5mass％이며, 그 밀도가 상대 밀도로 90％ 이상이고, Zn-B-O상의 조직이 바나듐원으로서 사용되는 V₂O₃의 첨가에 의해 주상 조직이 되는 산화물 소결체이고, 상기 산화물 소결체로 이루어지는 타깃을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링법(투입 전력 200W, Ar 가스압 0.7Pa)에 의해 기판 상에 성막된 막 두께 200㎚의 막을, 상기 기판의 온도를 200℃로 하고, 온도 60℃, 습도 90％의 환경하에 1000시간 폭로했을 때에, 상기 폭로 전의 체적 저항률에 대한 상기 폭로 후의 체적 저항률의 변화를 나타내는 저항 변화율이 2.1 미만이 되는 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃.
제1항에 있어서, 알루미늄 및 갈륨 중 1종 이상을 3가의 산화물로서 환산하고, 각각 2mass％ 이하 포함하는 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃.
붕소와 바나듐을 함유하고, 붕소량이, B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.5 내지 10mass％, 바나듐량이, V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로 0.05 내지 5mass％이고, Zn-B-O상의 조직이 바나듐원으로서 사용되는 V₂O₃의 첨가에 의해 주상 조직이 되는 산화물 소결체로 이루어지는 ZnO계 투명 전극용 타깃의 제조 방법이며, 붕소원으로서 H₃BO₃ 분말, 바나듐원으로서 V₂O₃ 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃의 제조 방법.
제3항에 있어서, ZnO계 투명 전극용 타깃은, 알루미늄 및 갈륨 중 1종 이상을 3가의 산화물로서 환산하여, 각각 2mass％ 이하 포함하는 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃의 제조 방법.
제3항 또는 제4항에 있어서, 소결 온도는, 700 내지 1050℃, 소결 분위기는 비환원성 분위기인 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃의 제조 방법.
제3항 또는 제4항에 있어서, H₃BO₃ 분말과, ZnO 분말 혹은 V₂O₃ 분말을 더 혼합하고, 하소해서 얻은 하소 분말을 소결 원료로서 소결하는 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃의 제조 방법.
제6항에 있어서, 하소 분말의 조성을 B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100으로 한 산화물 환산으로, 0.5 내지 45mass％로 하고, 상기 하소 분말에 ZnO 분말 혹은 V₂O₃의 한쪽 또는 양쪽을 혼합, 소결하여, 상대 밀도 90％ 이상의 소결체를 얻는 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃의 제조 방법.
제6항에 있어서, 하소 온도를 100 내지 500℃로 하는 것을 특징으로 하는, ZnO계 투명 도전막용 타깃의 제조 방법.