JPS61199674A - 薄膜太陽電池モジユ−ル - Google Patents
薄膜太陽電池モジユ−ルInfo
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- JPS61199674A JPS61199674A JP60040541A JP4054185A JPS61199674A JP S61199674 A JPS61199674 A JP S61199674A JP 60040541 A JP60040541 A JP 60040541A JP 4054185 A JP4054185 A JP 4054185A JP S61199674 A JPS61199674 A JP S61199674A
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- Japan
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- glass plate
- solar cell
- reinforced glass
- thin film
- glass substrate
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、複数の非晶質シリコンなどを用いた薄膜太陽
電池素子からなり透光性カバーで保護される薄膜太陽電
池モジュールに関する。
電池素子からなり透光性カバーで保護される薄膜太陽電
池モジュールに関する。
非晶質シリコンの価電子制御が可能であることが発見さ
れて以来、この材料を用いた電子素子の開発が進めされ
ている。特に太陽電池に関しては、電卓等の民生機器へ
の適用はすでに実現されているが、いわゆる発電用の太
陽電池への通用は、非晶質シリコンが単結晶シリコン等
に比較して低価格で製造出来るにもかかわらず、周辺材
料、例えば基板材料、“モジエール化材料等の低価格化
を進めない限り実現は困−である。 さらに発電用の太陽電池は、厳しい環境下に設置される
ために、高い信輔性を要求されることはいうまでもない
０例えば耐衝撃性という意味では、太陽電池モジュール
の保護のための透光性カバーに゛強化ガラスを用いるこ
とが最も適していると思われ、この強化ガラスを基板と
してグロー放電分解法などによりその上に直接非晶質太
陽電池を形成することが当然考えられる。 ところが、実際グロー放電分解法で非晶質シリコン太陽
電池を強化ガラス上に形成したものは、成長時の温度が
比較的低温（１５０℃〜３００℃）であるにもかかわら
ず、２２５ｇの鋼球を１．５ ｍの高さから落下させる
衝撃テストには合格しないことが明らかになった。つま
り非晶質シリコン成膜工程でガラスの強化処理の効果が
なまってしまうのである。 次にこの様な実験事実から、強化ガラスのなまりを回避
する方法として、第２図の様なモジュール構造が考えら
れる。すなわち、通常のガラス基板１上に非晶質シリコ
ン層を電極層と共に積層して非晶質シリコン太陽電池素
子２を形成し、更に表面には強化ガラス板３、裏面には
樹脂フィルム４でカバーし、モジュール化するものであ
る。しかしながらこの構造は、 （１１工程数が多く、材料費が高い、 （２）裏面が樹脂フィルムなので、高温高湿下での信頼
性が得にくい、 □ という二つの欠点を有している。
れて以来、この材料を用いた電子素子の開発が進めされ
ている。特に太陽電池に関しては、電卓等の民生機器へ
の適用はすでに実現されているが、いわゆる発電用の太
陽電池への通用は、非晶質シリコンが単結晶シリコン等
に比較して低価格で製造出来るにもかかわらず、周辺材
料、例えば基板材料、“モジエール化材料等の低価格化
を進めない限り実現は困−である。 さらに発電用の太陽電池は、厳しい環境下に設置される
ために、高い信輔性を要求されることはいうまでもない
０例えば耐衝撃性という意味では、太陽電池モジュール
の保護のための透光性カバーに゛強化ガラスを用いるこ
とが最も適していると思われ、この強化ガラスを基板と
してグロー放電分解法などによりその上に直接非晶質太
陽電池を形成することが当然考えられる。 ところが、実際グロー放電分解法で非晶質シリコン太陽
電池を強化ガラス上に形成したものは、成長時の温度が
比較的低温（１５０℃〜３００℃）であるにもかかわら
ず、２２５ｇの鋼球を１．５ ｍの高さから落下させる
衝撃テストには合格しないことが明らかになった。つま
り非晶質シリコン成膜工程でガラスの強化処理の効果が
なまってしまうのである。 次にこの様な実験事実から、強化ガラスのなまりを回避
する方法として、第２図の様なモジュール構造が考えら
れる。すなわち、通常のガラス基板１上に非晶質シリコ
ン層を電極層と共に積層して非晶質シリコン太陽電池素
子２を形成し、更に表面には強化ガラス板３、裏面には
樹脂フィルム４でカバーし、モジュール化するものであ
る。しかしながらこの構造は、 （１１工程数が多く、材料費が高い、 （２）裏面が樹脂フィルムなので、高温高湿下での信頼
性が得にくい、 □ という二つの欠点を有している。
本発明は、上述の欠点を除いて機械的保護のために強化
ガラスよりなるカバーを有し、しかも少ない工程数で製
作できる高性能で耐衝撃性の強い１ｍ太陽電池モジュー
ルを提供することを目的とする。
ガラスよりなるカバーを有し、しかも少ない工程数で製
作できる高性能で耐衝撃性の強い１ｍ太陽電池モジュー
ルを提供することを目的とする。
本発明によれば、ガラス基板上に半導体薄膜を電極層と
共に積層してなる太陽電池素子の複数個を備え、素子の
反ガラス基板側が接着された強化ガラス板によって被覆
されていることにより上記の目的を達成する。この場合
強化ガラス板がガラス基板より大きい面積を有し、ガラ
ス基板き対向しない領域に出力用の配線を備えることが
有効である。
共に積層してなる太陽電池素子の複数個を備え、素子の
反ガラス基板側が接着された強化ガラス板によって被覆
されていることにより上記の目的を達成する。この場合
強化ガラス板がガラス基板より大きい面積を有し、ガラ
ス基板き対向しない領域に出力用の配線を備えることが
有効である。
第１図は本発明の一実施例を示し、通常のソーダライム
ガラス板ｌの上に電極層を介してグロー放電分解法で成
膜したｐ−１−ｎ構造の非晶質シリコン層、さらに透明
導電膜からなる透明電極を積層してなる非晶質シリコン
太陽電池素子２を形成し、この素子２が内側になるよう
に接着材５を介して強化ガラス板３と接着する。この強
化ガラス板３はガラス基板ｌよりも大きな面積を育して
おり、ガラス基板からはみ出した部分３１に出力リード
線や端子を設置することにより、このモジエール相互の
接続配線が容易になるような構造となっている。 このような薄膜太陽電池素子は強化ガラス板３の側から
光が入射するように用いれば、表面が強化ガラス板によ
り保護されるため機械的損傷を受けることがない、従っ
て太陽電池素子の上部電極は上記のように透明導電膜が
用いられることはいうまでもないが、下部電極は金ｍ薄
膜あるいは透明導電膜のみあるいはその両者を重ね合わ
せたものが考えられる。金属薄膜は入射光線の裏面反射
の効果をねらったもので、場合によっては電極として用
いないでガラス基＠１の外側に被着することも有効であ
る。ガラス基板１は絶縁性であればよく、必ずしも透光
性の必要はないが、表面平滑な板が得やす（、化学的性
質がすぐれている上比較的低価格であるため基板として
有用である。各太陽電池素子を直列に接続することは太
陽電池の大面積化にとっては必須であり、屑知である。 第３図は本発明の別の実施例を示し、この場合には個々
のソーダライムガラス基板ｌの上に形成されたＩＩＩＩ
！太陽電池素子２の複数個を透明樹脂７を介して強化ガ
ラス板３に接着し、さらに例えば樹脂からなる裏面カバ
ー８で覆う、この実施例は、第１図に示した実施例に比
較すると、工程数が多く、高温、高温環境における信頼
性が幾分劣るものの、耐衝撃性の点で、また大面積のモ
ジュール製造の場合には有効である。 【発明の効果］ 本発明によれば、低価格のガラス基板上に形成されたｒ
ｌＩＷＩ４太陽電池素子の複数個の上面を接着される強
化ガラス板で被覆することにより、保護用強化ガラス板
がなまることなしに高性能、高信韻性の薄膜太陽電池モ
ジュールが低い材料費と少ない工程数で得られ、その効
果は特に発電用太陽電池において極めて高い。
ガラス板ｌの上に電極層を介してグロー放電分解法で成
膜したｐ−１−ｎ構造の非晶質シリコン層、さらに透明
導電膜からなる透明電極を積層してなる非晶質シリコン
太陽電池素子２を形成し、この素子２が内側になるよう
に接着材５を介して強化ガラス板３と接着する。この強
化ガラス板３はガラス基板ｌよりも大きな面積を育して
おり、ガラス基板からはみ出した部分３１に出力リード
線や端子を設置することにより、このモジエール相互の
接続配線が容易になるような構造となっている。 このような薄膜太陽電池素子は強化ガラス板３の側から
光が入射するように用いれば、表面が強化ガラス板によ
り保護されるため機械的損傷を受けることがない、従っ
て太陽電池素子の上部電極は上記のように透明導電膜が
用いられることはいうまでもないが、下部電極は金ｍ薄
膜あるいは透明導電膜のみあるいはその両者を重ね合わ
せたものが考えられる。金属薄膜は入射光線の裏面反射
の効果をねらったもので、場合によっては電極として用
いないでガラス基＠１の外側に被着することも有効であ
る。ガラス基板１は絶縁性であればよく、必ずしも透光
性の必要はないが、表面平滑な板が得やす（、化学的性
質がすぐれている上比較的低価格であるため基板として
有用である。各太陽電池素子を直列に接続することは太
陽電池の大面積化にとっては必須であり、屑知である。 第３図は本発明の別の実施例を示し、この場合には個々
のソーダライムガラス基板ｌの上に形成されたＩＩＩＩ
！太陽電池素子２の複数個を透明樹脂７を介して強化ガ
ラス板３に接着し、さらに例えば樹脂からなる裏面カバ
ー８で覆う、この実施例は、第１図に示した実施例に比
較すると、工程数が多く、高温、高温環境における信頼
性が幾分劣るものの、耐衝撃性の点で、また大面積のモ
ジュール製造の場合には有効である。 【発明の効果］ 本発明によれば、低価格のガラス基板上に形成されたｒ
ｌＩＷＩ４太陽電池素子の複数個の上面を接着される強
化ガラス板で被覆することにより、保護用強化ガラス板
がなまることなしに高性能、高信韻性の薄膜太陽電池モ
ジュールが低い材料費と少ない工程数で得られ、その効
果は特に発電用太陽電池において極めて高い。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図、第３図は本発明の異なる実施例の断面図である
。 １：ソーダライムガラス板、２：薄膜太陽電池素子、３
：強化ガラス板、５：接着剤、６：端子、７：透明樹脂
。 ＋１− びフ又肩赴 第１図 第２図 第３図
断面図、第３図は本発明の異なる実施例の断面図である
。 １：ソーダライムガラス板、２：薄膜太陽電池素子、３
：強化ガラス板、５：接着剤、６：端子、７：透明樹脂
。 ＋１− びフ又肩赴 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ガラス基板上に半導体薄膜を電極層と共に積層して
なる太陽電池素子の複数個を備え、該素子の反ガラス基
板側が接着された強化ガラス板によって被覆されたこと
を特徴とする薄膜太陽電池モジュール。 ２）特許請求の範囲第１項記載のモジュールにおいて、
強化ガラス板がガラス基板より大きい面積を有し、その
ガラス基板に対向しない領域に出力用の配線を備えたこ
とを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040541A JPS61199674A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 薄膜太陽電池モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040541A JPS61199674A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 薄膜太陽電池モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199674A true JPS61199674A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12583304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040541A Pending JPS61199674A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 薄膜太陽電池モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199674A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4781852A (en) * | 1986-10-24 | 1988-11-01 | Olin Corporation | Process for making selected doped barium and strontium hexaferrite particles |
| JPH02113346U (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-11 | ||
| WO2011039860A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 三菱重工業株式会社 | 太陽電池モジュール、太陽電池パネル、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池パネルの製造方法 |
| WO2011039863A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 三菱重工業株式会社 | 太陽電池パネル |
| JP2013051266A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池および太陽電池モジュール |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60040541A patent/JPS61199674A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4781852A (en) * | 1986-10-24 | 1988-11-01 | Olin Corporation | Process for making selected doped barium and strontium hexaferrite particles |
| JPH02113346U (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-11 | ||
| WO2011039860A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 三菱重工業株式会社 | 太陽電池モジュール、太陽電池パネル、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池パネルの製造方法 |
| WO2011039863A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 三菱重工業株式会社 | 太陽電池パネル |
| JP2013051266A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池および太陽電池モジュール |
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