JPS616828A - 集積型光起電力装置の製造方法 - Google Patents
集積型光起電力装置の製造方法Info
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- JPS616828A JPS616828A JP59126918A JP12691884A JPS616828A JP S616828 A JPS616828 A JP S616828A JP 59126918 A JP59126918 A JP 59126918A JP 12691884 A JP12691884 A JP 12691884A JP S616828 A JPS616828 A JP S616828A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N silver titanium Chemical compound [Ti].[Ag] MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 210000003141 lower extremity Anatomy 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 210000000496 pancreas Anatomy 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はレーザビームの如きエネルギビームを利用した
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
（ロ） 従来技術
半導体膜を光活性層とする半導体装置として太陽電池や
一次元光センサ等が存在する７゜第１図は既に実用化さ
れている太陽電池の基本構造を示し、（１）はガラス、
耐熱プラスチック等の絶縁性且つ透光性を有する基板、
（２ａ）（２’ｂ）（２Ｃ）・・・は基板（１）上に一
定間隔で被着された透明導電膜、（３ａ）（３１））（
３（３）・・・け各透明導電膜上に重畳被着された非晶
質シリコン等の非晶質半導体膜、（４ａ）（４ｔ１３（
４０）・・・は各非晶質半導体膜上に重畳被着され、か
つ各右隣りの透明導電膜（２ｂ）（２ｃ）・・・に部分
的に重畳せる裏面電極膜である。
一次元光センサ等が存在する７゜第１図は既に実用化さ
れている太陽電池の基本構造を示し、（１）はガラス、
耐熱プラスチック等の絶縁性且つ透光性を有する基板、
（２ａ）（２’ｂ）（２Ｃ）・・・は基板（１）上に一
定間隔で被着された透明導電膜、（３ａ）（３１））（
３（３）・・・け各透明導電膜上に重畳被着された非晶
質シリコン等の非晶質半導体膜、（４ａ）（４ｔ１３（
４０）・・・は各非晶質半導体膜上に重畳被着され、か
つ各右隣りの透明導電膜（２ｂ）（２ｃ）・・・に部分
的に重畳せる裏面電極膜である。
各非晶質半導体膜（３ａ）（３１））（３Ｑ）・・・は
、その内部に例えば膜面に平行なＰ工Ｎ接合を含み、従
って透光性基板（１）及び透明導電膜（２ａ）（２Ｑ（
２Ｃ）・・・を頃次介して光入射がるると、光起電力を
発生する。各非晶質半導体膜Ｃ３ａ’）Ｃ３ｂ）（３Ｑ
）・・・内で発生した光起電力は裏面電極膜（４ａ）（
４１））（４Ｃ）での接続により直列的に相加される。
、その内部に例えば膜面に平行なＰ工Ｎ接合を含み、従
って透光性基板（１）及び透明導電膜（２ａ）（２Ｑ（
２Ｃ）・・・を頃次介して光入射がるると、光起電力を
発生する。各非晶質半導体膜Ｃ３ａ’）Ｃ３ｂ）（３Ｑ
）・・・内で発生した光起電力は裏面電極膜（４ａ）（
４１））（４Ｃ）での接続により直列的に相加される。
この様な装置において、光利用効率を左右する一つの要
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）
（３ｃ）の総面積の占める割合いである。然るに、各非
晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）（３Ｃ）・・・の隣接間
に必然的に存在する非晶質半導体のない領域（図中符号
ＮＯＮで示す領域）は上記面積割合いを低下させる。
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）
（３ｃ）の総面積の占める割合いである。然るに、各非
晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）（３Ｃ）・・・の隣接間
に必然的に存在する非晶質半導体のない領域（図中符号
ＮＯＮで示す領域）は上記面積割合いを低下させる。
従って光利用効率を向上するには、まず透明導電膜（２
ａ）（２ｂ）（２ｃ）・・・の隣接間隔を小さくし、そ
して非晶質半導体膜（３ａ）（３１））（３０）・・・
の隣接間隔を小さくせねばならない。この様な間隔縮小
は各膜の加工精度で決まり、従って、従来は細密加工性
に優れている写真蝕刻技術が用いられている。この技術
による場合、基板（１）上全面への透明導電膜の被着工
程と、フォトレジスト及びエツチングによる各個別の透
明導電膜（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）・・・の分離、即ち
、各透明導電膜（２ａ）（２’ｂ）（２Ｃ）・・・の隣
接間隔部分の除去工程と、これら各透明導電膜上を含む
基板（１）上全面への非晶質半導体膜の被着工程と、フ
ォトレジスト及びエツチングによる各個別の非晶質半導
体膜（３ａ）（３１））（３Ｃ）・・・の分離、即ち、
各非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）（３０）の隣接間隔
部分の除去工程とを順次経ることになる。
ａ）（２ｂ）（２ｃ）・・・の隣接間隔を小さくし、そ
して非晶質半導体膜（３ａ）（３１））（３０）・・・
の隣接間隔を小さくせねばならない。この様な間隔縮小
は各膜の加工精度で決まり、従って、従来は細密加工性
に優れている写真蝕刻技術が用いられている。この技術
による場合、基板（１）上全面への透明導電膜の被着工
程と、フォトレジスト及びエツチングによる各個別の透
明導電膜（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）・・・の分離、即ち
、各透明導電膜（２ａ）（２’ｂ）（２Ｃ）・・・の隣
接間隔部分の除去工程と、これら各透明導電膜上を含む
基板（１）上全面への非晶質半導体膜の被着工程と、フ
ォトレジスト及びエツチングによる各個別の非晶質半導
体膜（３ａ）（３１））（３Ｃ）・・・の分離、即ち、
各非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）（３０）の隣接間隔
部分の除去工程とを順次経ることになる。
しかし乍ら、写真蝕刻技術は細密加工の上で優れてはい
るが、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのピンホ
ールや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じ
させやすい。
るが、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのピンホ
ールや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じ
させやすい。
特開昭５７−１２５６８号公報に開示された先行技術は
、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上記隣接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で必要なフォトレ
ジスト、即ちウェットプロセスを一切使わず細密加工性
に富むその技法は上記の課題を解決する上で極めて有効
である。
、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上記隣接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で必要なフォトレ
ジスト、即ちウェットプロセスを一切使わず細密加工性
に富むその技法は上記の課題を解決する上で極めて有効
である。
一方、第２図に示す如く、各光電変換領域（５、ａ）（
５ｂ）・・・に連続して被着された非晶質半導体膜（３
）を各領域（５ε） （５ｂ）・・・毎に分割するに先
立って直ちに肉薄な９１５７裏面電極膜（財）を上記半
導体膜（３）上全面に予め積層被着する工程を含む製造
方法が提案された。即ち、非晶質半導体膜（３）を分割
せしめる工程後裏面電極膜を被着せしめたのでは両者の
接合界面に塵埃や、写真館刻時使用した水分等が介在す
ることがあり、斯る介在物を原因として発生していた裏
面電極膜（４ａ）（４ｂ）・・・の剥離や腐蝕事故を抑
圧することができる。
５ｂ）・・・に連続して被着された非晶質半導体膜（３
）を各領域（５ε） （５ｂ）・・・毎に分割するに先
立って直ちに肉薄な９１５７裏面電極膜（財）を上記半
導体膜（３）上全面に予め積層被着する工程を含む製造
方法が提案された。即ち、非晶質半導体膜（３）を分割
せしめる工程後裏面電極膜を被着せしめたのでは両者の
接合界面に塵埃や、写真館刻時使用した水分等が介在す
ることがあり、斯る介在物を原因として発生していた裏
面電極膜（４ａ）（４ｂ）・・・の剥離や腐蝕事故を抑
圧することができる。
然るに、第６図に要部を拡大して示す如く、各光電変換
領域（５ａ）（５１））−・・に連続して積層被着され
た非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極膜（ロ）を各
領域（５ａ）（５ｂ）・・・毎に分割すべくレーザビー
ムの照射により隣接間隔部（６）に位置する半導体膜（
３）′及び第１裏面電極膜θη′を除去すると、斯る隣
接間隔部（６）に非晶質半導体膜の溶融物等の残留物（
７）（７）・・・が除去部分近傍に残存したり、或いは
予め定められたパターンに正確に除去することができず
この未除去による残留物（７１（７１・・・が特にレー
ザビームの走査方向の両側面に於いて残存する危惧を有
していた。上記両側面に残存した残留物（７１（７１・
・・はレーザビームに於けるエネルギ密度の分布が編＠
≠示すに４僅かながらも正規分布するために、隣接間隔
部の両側面が低エネルギ分布となり、その結果発生する
ものと考えられる。何れの原因にしろ除去すべき隣接間
隔部に上記残留物Ｆ７）＋７＋・−・が存在すると、第
４図の工程で被着される第２裏面電極膜（６）は斯る残
留物＋７１＋７１・・・の影に付着するに至らず、従っ
て、第５図の工程で隣接間隔部（６）′がレーザビーム
の照射により除去され、各光電変換領域（５ａ）（５ｂ
）・・・が直列接続された上記隣接間隔に於ける第２裏
面電極膜（４２ａ）（４２１））・・・と透明導電膜（
２ｂ）（２０）・・・との間に上記残留物＋７１ ＋７
１・・・が介在したり、或いは間隙（８）・・・全形成
したりする結果、両者の接着強度を低下せしめ、遂には
裏面電極膜（４ａ）（４ｂ）・・・が剥離する事故を招
くために製造歩留まシの低下の原因となる。
領域（５ａ）（５１））−・・に連続して積層被着され
た非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極膜（ロ）を各
領域（５ａ）（５ｂ）・・・毎に分割すべくレーザビー
ムの照射により隣接間隔部（６）に位置する半導体膜（
３）′及び第１裏面電極膜θη′を除去すると、斯る隣
接間隔部（６）に非晶質半導体膜の溶融物等の残留物（
７）（７）・・・が除去部分近傍に残存したり、或いは
予め定められたパターンに正確に除去することができず
この未除去による残留物（７１（７１・・・が特にレー
ザビームの走査方向の両側面に於いて残存する危惧を有
していた。上記両側面に残存した残留物（７１（７１・
・・はレーザビームに於けるエネルギ密度の分布が編＠
≠示すに４僅かながらも正規分布するために、隣接間隔
部の両側面が低エネルギ分布となり、その結果発生する
ものと考えられる。何れの原因にしろ除去すべき隣接間
隔部に上記残留物Ｆ７）＋７＋・−・が存在すると、第
４図の工程で被着される第２裏面電極膜（６）は斯る残
留物＋７１＋７１・・・の影に付着するに至らず、従っ
て、第５図の工程で隣接間隔部（６）′がレーザビーム
の照射により除去され、各光電変換領域（５ａ）（５ｂ
）・・・が直列接続された上記隣接間隔に於ける第２裏
面電極膜（４２ａ）（４２１））・・・と透明導電膜（
２ｂ）（２０）・・・との間に上記残留物＋７１ ＋７
１・・・が介在したり、或いは間隙（８）・・・全形成
したりする結果、両者の接着強度を低下せしめ、遂には
裏面電極膜（４ａ）（４ｂ）・・・が剥離する事故を招
くために製造歩留まシの低下の原因となる。
（ハ）発明の目的
本発明は斯る点に！！みて為されたものであってその目
的は、太陽電池にあっては裏面電極膜の剥離事故の原因
となり、また複数のセンサ領域を一次元的に配列せしめ
た一次元光センサにあってはパターン精度の低下を招く
残留物の形成を抑圧するにも拘らず、ウェットプロセス
を含まないレーザビームの如きエネルギビームの利用を
可能ならしめることにある。
的は、太陽電池にあっては裏面電極膜の剥離事故の原因
となり、また複数のセンサ領域を一次元的に配列せしめ
た一次元光センサにあってはパターン精度の低下を招く
残留物の形成を抑圧するにも拘らず、ウェットプロセス
を含まないレーザビームの如きエネルギビームの利用を
可能ならしめることにある。
四 発明の構成
本発明半導体装置の製造方法は、透光性基板の一主面に
於ける複数の領域に連続して積層被着された半導体膜及
び電極膜の分割すべき隣接間隔部に対して、上記基板の
他方の主面からエネルギビームを照射し該隣接間隔部に
位置した積層構造の半導体膜及び電極膜を除去して、上
記半導体膜及び電極膜を複数の領域毎に分割する構成に
ある。
於ける複数の領域に連続して積層被着された半導体膜及
び電極膜の分割すべき隣接間隔部に対して、上記基板の
他方の主面からエネルギビームを照射し該隣接間隔部に
位置した積層構造の半導体膜及び電極膜を除去して、上
記半導体膜及び電極膜を複数の領域毎に分割する構成に
ある。
電池を製造する場合の工程別要部拡大断面図であって、
第６図の工程以前にあっては従来と同じ第２図の工程が
施される。即ち、第２図の工程では既に絶縁性且つ透光
性を有する基板αＧの一主面上に於いて各光電変換領域
（５ａ）（５１））・・・毎に分割された酸化スズ、酸
化インジウムスズ等の単層或いは積層構造から成る透明
導電膜（２ａ）（２ｂ）・・・を連続的に覆う如く非晶
質シリコン系の非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極
膜（ロ）が被着される。より詳しくは非晶質半導体膜（
３）が水素化非晶質シリコンであって、光入射側から膜
面に平行なＰ工Ｎ接合を備えている場合、先ずシリコン
化合物雰囲気例えばシラン（Ｓ’１−Ｉ−Ｉ４）ガス雰
囲気にＰ型決定不純物を含むジボラン（Ｂ２Ｉ（６）を
添加しグロー放電を生起せしめることによ、り膜厚５０
人〜２００人程度のＰ型層を形成し、次いで順次ＳｉＨ
４ガスのみにより膜厚４０００人〜６０００人程度の真
性（丁型］層とＳｉＨ４ガスにＮ型決定不純物を含むホ
スフィン（ＰＨ３）を添加し膜厚１００−へ〜５００人
程度のＮ型層とが積層被着される。斯る非晶質半導体膜
（３）形成後肢半導体膜（３）上への塵埃の付着等を防
止すべく２０００人〜１μｍ程度のアルミニウム（Ａ＃
）から成る′＠１の裏面電極膜θηが直ちに蒸着される
。
第６図の工程以前にあっては従来と同じ第２図の工程が
施される。即ち、第２図の工程では既に絶縁性且つ透光
性を有する基板αＧの一主面上に於いて各光電変換領域
（５ａ）（５１））・・・毎に分割された酸化スズ、酸
化インジウムスズ等の単層或いは積層構造から成る透明
導電膜（２ａ）（２ｂ）・・・を連続的に覆う如く非晶
質シリコン系の非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極
膜（ロ）が被着される。より詳しくは非晶質半導体膜（
３）が水素化非晶質シリコンであって、光入射側から膜
面に平行なＰ工Ｎ接合を備えている場合、先ずシリコン
化合物雰囲気例えばシラン（Ｓ’１−Ｉ−Ｉ４）ガス雰
囲気にＰ型決定不純物を含むジボラン（Ｂ２Ｉ（６）を
添加しグロー放電を生起せしめることによ、り膜厚５０
人〜２００人程度のＰ型層を形成し、次いで順次ＳｉＨ
４ガスのみにより膜厚４０００人〜６０００人程度の真
性（丁型］層とＳｉＨ４ガスにＮ型決定不純物を含むホ
スフィン（ＰＨ３）を添加し膜厚１００−へ〜５００人
程度のＮ型層とが積層被着される。斯る非晶質半導体膜
（３）形成後肢半導体膜（３）上への塵埃の付着等を防
止すべく２０００人〜１μｍ程度のアルミニウム（Ａ＃
）から成る′＠１の裏面電極膜θηが直ちに蒸着される
。
第６図の工程では、隣接間隔部（６）・・・の非晶質半
導体膜（３）′・・・及び＄１１裏電極膜蝉が矢印で示
す如き基板０ａの他方の主面側からレーザビームの照射
圧より除去されて、個別の各非晶質半導体膜（３ａ）（
３１）） −・・及び第１裏面電極膜（４１ａ）（４
Ｈ）） ・・・が各光電変換領域（５ａ）（５ｂ）・・
・毎に分割形成される。使用されるレーザは例えば波長
１．０６μｍ、パルス周波数３ＫＨｚのＮｄ：ＹＡＧレ
ーザであす、そのエネルギ密度は２Ｘ１０Ｗ／ｄになる
べくレザビーム径が調整されている。斯るレーザビ△ 一ムの照射により隣接間隔部（６）の距離（Ｌｌ）は彰
６００μｍ〜５００μｍに設定される。
導体膜（３）′・・・及び＄１１裏電極膜蝉が矢印で示
す如き基板０ａの他方の主面側からレーザビームの照射
圧より除去されて、個別の各非晶質半導体膜（３ａ）（
３１）） −・・及び第１裏面電極膜（４１ａ）（４
Ｈ）） ・・・が各光電変換領域（５ａ）（５ｂ）・・
・毎に分割形成される。使用されるレーザは例えば波長
１．０６μｍ、パルス周波数３ＫＨｚのＮｄ：ＹＡＧレ
ーザであす、そのエネルギ密度は２Ｘ１０Ｗ／ｄになる
べくレザビーム径が調整されている。斯るレーザビ△ 一ムの照射により隣接間隔部（６）の距離（Ｌｌ）は彰
６００μｍ〜５００μｍに設定される。
斯るレーザビームの照射に於いて留意すべきはレーザビ
ームの照射方向が除去すべき隣接間隔部（６）・・・の
露出面側、即ち第１裏面電極膜ｄ側からではなく透明導
電膜（２ａ）（２ｂ）・・・との被着界面側である非晶
質半導体膜（３）′・・・側からと々るべく基板００の
他方の主面側から為されている点にある。即ち、従来の
レーザビームの照射は露出面側から施され、従って、そ
の厚み方向の除去も露出面側から序々に蒸発除去されて
いたために、レーザビームが正規型のエネルギ密度分布
を持つと、隣接間隔部（６）の除去断面もはゾ正規型に
近い形状となり両側面に於いて第６図に示す如く未除去
による残留物ｆ７１ ＋７＋・・・が発生していたのに
対し、レーザビームを正反対の基板（１）の他方の主面
側から照射するき、該レーザビームは基板（１）及び透
明導電膜（２ａ）（２ｂ）・・・を透過して先ず該透明
導電膜（２ａ）（２１））・・・との界面に被着された
非晶質半導体膜（３）に到達し、除去すべき隣接間隔部
（６）の腺をその界面から除去しようとする。その際、
上記レーザビームの照射により溶融した非晶質半導体膜
（３）は当然のことながら基板（１）、透明導電膜（２
ａ）（２ｂ）・・・及び第１裏面電極膜θ◇に囲まれた
隣接間隔部（６）に位置している。従って、界面から溶
融した非晶質半導体膜の溶融状態は上記界面から第１裏
面電極膜θηに向って膨張しながら進行し、第１裏面電
極膜（４］）の膜厚も含めた総合膜厚が極めて薄くなっ
た時点で、上記溶融物は上記肉薄と々っだ膜を打破し、
その殆んどは大気中に蒸発する。
ームの照射方向が除去すべき隣接間隔部（６）・・・の
露出面側、即ち第１裏面電極膜ｄ側からではなく透明導
電膜（２ａ）（２ｂ）・・・との被着界面側である非晶
質半導体膜（３）′・・・側からと々るべく基板００の
他方の主面側から為されている点にある。即ち、従来の
レーザビームの照射は露出面側から施され、従って、そ
の厚み方向の除去も露出面側から序々に蒸発除去されて
いたために、レーザビームが正規型のエネルギ密度分布
を持つと、隣接間隔部（６）の除去断面もはゾ正規型に
近い形状となり両側面に於いて第６図に示す如く未除去
による残留物ｆ７１ ＋７＋・・・が発生していたのに
対し、レーザビームを正反対の基板（１）の他方の主面
側から照射するき、該レーザビームは基板（１）及び透
明導電膜（２ａ）（２ｂ）・・・を透過して先ず該透明
導電膜（２ａ）（２１））・・・との界面に被着された
非晶質半導体膜（３）に到達し、除去すべき隣接間隔部
（６）の腺をその界面から除去しようとする。その際、
上記レーザビームの照射により溶融した非晶質半導体膜
（３）は当然のことながら基板（１）、透明導電膜（２
ａ）（２ｂ）・・・及び第１裏面電極膜θ◇に囲まれた
隣接間隔部（６）に位置している。従って、界面から溶
融した非晶質半導体膜の溶融状態は上記界面から第１裏
面電極膜θηに向って膨張しながら進行し、第１裏面電
極膜（４］）の膜厚も含めた総合膜厚が極めて薄くなっ
た時点で、上記溶融物は上記肉薄と々っだ膜を打破し、
その殆んどは大気中に蒸発する。
第７図はレーザビームの照射方向と逆の第１裏面電極膜
■側から隣接間隔部を見た拡大平面図であり、従来例を
示した＠３図はこの第７図のＡ−Ａ′ 線断面に相当し
、パルス的に出力されるレーザビームを１回走査したと
きの様子である。第８図は従来例の第７図と対応した拡
大平面図であって、斯る第８図に於けるＡ−Ａ’線断面
は第６図に相当し、レーザ出力、走査速度等の条件は同
一であり、レーザビームの照射方向のみが相違している
。
■側から隣接間隔部を見た拡大平面図であり、従来例を
示した＠３図はこの第７図のＡ−Ａ′ 線断面に相当し
、パルス的に出力されるレーザビームを１回走査したと
きの様子である。第８図は従来例の第７図と対応した拡
大平面図であって、斯る第８図に於けるＡ−Ａ’線断面
は第６図に相当し、レーザ出力、走査速度等の条件は同
一であり、レーザビームの照射方向のみが相違している
。
第９図及び第１０図は上記第７図及び第８図と対応した
顕微鏡写真でｓｂ、両写真とも同一方向である第１裏面
電極膜（ロ）側から臨んだものである。
顕微鏡写真でｓｂ、両写真とも同一方向である第１裏面
電極膜（ロ）側から臨んだものである。
この様に照射方向を除き同一条件でレーザ加工を施した
にも拘らず鮮明な加工界面が得られ、また加工（除去）
幅も広いものが得られることが理解できよう。
にも拘らず鮮明な加工界面が得られ、また加工（除去）
幅も広いものが得られることが理解できよう。
続く第１１図の工程では、基板（１）の他方の主面側か
らのレーザビームの照射により隣接間隔部（６）が除去
され複数の光電変換領域（５ａ、）（５ｂ）・・・毎に
分割された第１裏面電極膜（４１ａ）（４１ｂ）・・・
上及び隣接間隔部（６）に於いて露出状態にある透明導
電膜（２ａ）（２ｂ）・・・を連続的に覆うべく、膜厚
数１０００人程度０チタン（Ｔ１）或いはチタン銀（Ｔ
ｉ、Ａｇ） と、膜厚数１０００人のＡｌと、更に膜
厚数１０００人〜５０００人のＴ１或いはＴｉ−Ａｇの
三層構造の第２裏面電極膜に）が重畳被着される。上記
一層目、三層目のＴｉ或いはＴｉ、Ａｇは下層のＡｌの
水分による腐食を防止すると共に、次工程に於けるレー
ザ加工を容易ならしめるものであり、まだ第２裏面電極
膜輪に於けるＡ１層は直列抵抗を低減せしめるものであ
る。
らのレーザビームの照射により隣接間隔部（６）が除去
され複数の光電変換領域（５ａ、）（５ｂ）・・・毎に
分割された第１裏面電極膜（４１ａ）（４１ｂ）・・・
上及び隣接間隔部（６）に於いて露出状態にある透明導
電膜（２ａ）（２ｂ）・・・を連続的に覆うべく、膜厚
数１０００人程度０チタン（Ｔ１）或いはチタン銀（Ｔ
ｉ、Ａｇ） と、膜厚数１０００人のＡｌと、更に膜
厚数１０００人〜５０００人のＴ１或いはＴｉ−Ａｇの
三層構造の第２裏面電極膜に）が重畳被着される。上記
一層目、三層目のＴｉ或いはＴｉ、Ａｇは下層のＡｌの
水分による腐食を防止すると共に、次工程に於けるレー
ザ加工を容易ならしめるものであり、まだ第２裏面電極
膜輪に於けるＡ１層は直列抵抗を低減せしめるものであ
る。
第１２図の最終工程では、隣接間隔部（６）′がレーザ
ビームの照射により除去されて、個別の各第２裏面電極
膜（４２ａ）（４２ｂ）・・・が形成される。その結果
、各光電変換領域（５ａ）（５’ｂ）・・・が電気的に
直列接続される。上記レーザビームの照射は除去すべき
隣接間隔部（６）′が透明導電膜（２ａ）（２ｂ）・・
・上に位置する場合、半導体膜（３）及び第１裏面電極
膵ｈｅの照射と同じく基板（１）の他方の主面側から施
される。使用されるレーザはｌＪｄ：ＹＡＧレーザであ
り、その時のエネルギ密度は約３ＸｉＯＷ／ｄである。
ビームの照射により除去されて、個別の各第２裏面電極
膜（４２ａ）（４２ｂ）・・・が形成される。その結果
、各光電変換領域（５ａ）（５’ｂ）・・・が電気的に
直列接続される。上記レーザビームの照射は除去すべき
隣接間隔部（６）′が透明導電膜（２ａ）（２ｂ）・・
・上に位置する場合、半導体膜（３）及び第１裏面電極
膵ｈｅの照射と同じく基板（１）の他方の主面側から施
される。使用されるレーザはｌＪｄ：ＹＡＧレーザであ
り、その時のエネルギ密度は約３ＸｉＯＷ／ｄである。
第１３図及び第１４図は半導体膜（３）及び第１裏面電
極膜（６）の分割後、複数の光電変換領域（５ａ）（５
ｂ）・・・に跨って連続的に被着された第２裏面電極膜
□□□のパターニングの他の実施例を説明するだめのも
のである。即ち、第１３図の如く連続的に被着された第
２裏面電極膜（６）は、半導体膜（３）上の隣接間隔部
（６）ｋ於いて除去される。斯る隣接間隔部（６）ｂ除
去Ｆｉ＠１５図で矢印で示す如く上記第１２図の実施例
と同じく基板（１）の他方の主面側からレーザビームを
照射する方法と、その逆の第１４図矢印のように基板（
１）の一方の主面に積層被着された第２裏面電極膜輪の
露出面側から行なう方法が存在する。
極膜（６）の分割後、複数の光電変換領域（５ａ）（５
ｂ）・・・に跨って連続的に被着された第２裏面電極膜
□□□のパターニングの他の実施例を説明するだめのも
のである。即ち、第１３図の如く連続的に被着された第
２裏面電極膜（６）は、半導体膜（３）上の隣接間隔部
（６）ｋ於いて除去される。斯る隣接間隔部（６）ｂ除
去Ｆｉ＠１５図で矢印で示す如く上記第１２図の実施例
と同じく基板（１）の他方の主面側からレーザビームを
照射する方法と、その逆の第１４図矢印のように基板（
１）の一方の主面に積層被着された第２裏面電極膜輪の
露出面側から行なう方法が存在する。
上記第１３図の基板（１）の他方の主面側からのレーザ
ビームの照射条件は第１２図の実施例と同じであり、異
なるのは斯る照射に於いて除去されるのは第２裏面電極
膜（６）だけではなく、半導体膜（３）及び第１裏面電
極膜■も含むことである。
ビームの照射条件は第１２図の実施例と同じであり、異
なるのは斯る照射に於いて除去されるのは第２裏面電極
膜（６）だけではなく、半導体膜（３）及び第１裏面電
極膜■も含むことである。
一方、第１４図の第２裏面電極膜−〇露出面側から隣接
間隔部（６）警除去する場合、該第２裏面電極膜−〇下
には第１裏面電極膜（４１ｂ）及び半導体膜（３ｂ）が
存在しており、高エネルギ密度のレーザビームにより一
度に第２裏面電極膜に）及び第１裏面電極膜（４１ｂ
）を除去しようとすれば下層の半導体膜（３ｂ）にダメ
ージを与えたり、また上記露出面側からレーザビームを
照射するが故に加工界面に残留物が残存したりする。従
って、この実施例にあっては、露出面側に存在する第２
裏面電極膜Ｏりの最上層であるＴ１或いはＴ’ｉＡｇ層
をレーザビームの照射により除去して二層目のＡ／層を
露出せしめ、次いでこの露出したＡｌ１層を上記最して
、このレーザビームの照射及びプラズマエツチングを露
出面側から児て三層目のＴ１或いは、Ｔｊ−Ａｇ層及び
Ａ／から成る′＠１裏面電極膜（４１ｂ）についても再
度族こし、上記第２裏面電極膜（４２ａ）（４２１））
及び第１裏面ｉｌｉ極膜（４１ａ） （４１ｂ） ・７
％各先光電変換領域５ａ）（５ｂ）・・・毎に分割され
る。
間隔部（６）警除去する場合、該第２裏面電極膜−〇下
には第１裏面電極膜（４１ｂ）及び半導体膜（３ｂ）が
存在しており、高エネルギ密度のレーザビームにより一
度に第２裏面電極膜に）及び第１裏面電極膜（４１ｂ
）を除去しようとすれば下層の半導体膜（３ｂ）にダメ
ージを与えたり、また上記露出面側からレーザビームを
照射するが故に加工界面に残留物が残存したりする。従
って、この実施例にあっては、露出面側に存在する第２
裏面電極膜Ｏりの最上層であるＴ１或いはＴ’ｉＡｇ層
をレーザビームの照射により除去して二層目のＡ／層を
露出せしめ、次いでこの露出したＡｌ１層を上記最して
、このレーザビームの照射及びプラズマエツチングを露
出面側から児て三層目のＴ１或いは、Ｔｊ−Ａｇ層及び
Ａ／から成る′＠１裏面電極膜（４１ｂ）についても再
度族こし、上記第２裏面電極膜（４２ａ）（４２１））
及び第１裏面ｉｌｉ極膜（４１ａ） （４１ｂ） ・７
％各先光電変換領域５ａ）（５ｂ）・・・毎に分割され
る。
第１５図は本発明に於ける半導体膜（３）及び第１裏面
電極膜（ロ）を同時にレーザビームの照射により除去す
る実施例の顕微鏡写真であって、先の実施例の第１０図
と対応している。即ち、レーザビームのエネルギ密度、
パルス繰返し周波数、或いは走査速度等が最適数値範囲
から外れた場合、木発明方法であっても第１５図の如く
若干の残留物（７）ビームの照射により除去されている
ために宙に浮いた状態にある。従って、残留物（７）・
・・は加圧を空気を空気ノズルから吹き付けることによ
って飛散除去せしめたり、逆に吸引ノズルにより吸引除
去せしめられる。この様にして残留物（７）・・・が除
去せしめられた後、第２裏面電極膜（ロ）が−面に被着
され、斯る第２裏面電極膜四のパターニングは上記第１
２図乃至第１４図に示された種々の方法により施される
。
電極膜（ロ）を同時にレーザビームの照射により除去す
る実施例の顕微鏡写真であって、先の実施例の第１０図
と対応している。即ち、レーザビームのエネルギ密度、
パルス繰返し周波数、或いは走査速度等が最適数値範囲
から外れた場合、木発明方法であっても第１５図の如く
若干の残留物（７）ビームの照射により除去されている
ために宙に浮いた状態にある。従って、残留物（７）・
・・は加圧を空気を空気ノズルから吹き付けることによ
って飛散除去せしめたり、逆に吸引ノズルにより吸引除
去せしめられる。この様にして残留物（７）・・・が除
去せしめられた後、第２裏面電極膜（ロ）が−面に被着
され、斯る第２裏面電極膜四のパターニングは上記第１
２図乃至第１４図に示された種々の方法により施される
。
尚、以上の実施例にあっては本発明方法を太陽電池の製
造方法に適用したが、−次元光センサの半導体膜と裏面
電極膜との分割に用いても有益である。
造方法に適用したが、−次元光センサの半導体膜と裏面
電極膜との分割に用いても有益である。
（ハ）発明の効果
本発明製造方法は以上の説明から明らかな如く透光性基
板の一主面に於いて連続して積層被着された半導体膜及
び電極膜の分割すべき隣接間隔部に対して、上記基板の
他方の主面からエネルギビことかでき、ウェットプロセ
スを用いることなく太陽電池にあっては裏面電極膜の剥
離事故を防止し得、また−次元光センサにあってはパタ
ーン精度の向上が図れる。
板の一主面に於いて連続して積層被着された半導体膜及
び電極膜の分割すべき隣接間隔部に対して、上記基板の
他方の主面からエネルギビことかでき、ウェットプロセ
スを用いることなく太陽電池にあっては裏面電極膜の剥
離事故を防止し得、また−次元光センサにあってはパタ
ーン精度の向上が図れる。
第１図は太陽電池の基本構造を示す断面図、第２図乃至
第５図は従来の製造方法を工程別に示す拡大断面図、第
６図、第１１図及び第１２図は本発明製造方法を工程別
に示す拡大断面図、第７図゛は第３図の平面図、第８図
は第６図の平面図、第９図け′＠７図に相当する顕微鏡
写真ｔ、第１０図は′＠８図に相当する顕微鏡写真＃、
第１５図、第１４図及び第１６図は本発明製造方法の種
々の方法の要部を示す拡大断面図、第１５図は本発明製
造方法の他の実施例に於ける顕微鏡写真雲である。 （１１・・・基板、＋３１ （３ａ）（３１）） ・・
・半導体膜、＠ｆ） （４１ａ）（４１１）） ・・・
第１裏面電極膜、ｎ（ａａ）（４２ｂ） ・・・第２裏
面電極膜、（５ａ）（５ｂ）・・・光電変換領域。
第５図は従来の製造方法を工程別に示す拡大断面図、第
６図、第１１図及び第１２図は本発明製造方法を工程別
に示す拡大断面図、第７図゛は第３図の平面図、第８図
は第６図の平面図、第９図け′＠７図に相当する顕微鏡
写真ｔ、第１０図は′＠８図に相当する顕微鏡写真＃、
第１５図、第１４図及び第１６図は本発明製造方法の種
々の方法の要部を示す拡大断面図、第１５図は本発明製
造方法の他の実施例に於ける顕微鏡写真雲である。 （１１・・・基板、＋３１ （３ａ）（３１）） ・・
・半導体膜、＠ｆ） （４１ａ）（４１１）） ・・・
第１裏面電極膜、ｎ（ａａ）（４２ｂ） ・・・第２裏
面電極膜、（５ａ）（５ｂ）・・・光電変換領域。
Claims (1)
- （１）透光性基板の一主面に於ける複数の領域に連続し
て積層被着された半導体膜及び電極膜の分割すべき隣接
間隔部に対して、上記基板の他方の主面からエネルギビ
ームを照射し該隣接間隔部に位置した積層構造の半導体
膜及び電極膜を除去して、上記半導体膜及び電極膜を複
数の領域毎に分割することを特徴とした半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126918A JPS616828A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
| US06/745,301 US4650524A (en) | 1984-06-20 | 1985-06-14 | Method for dividing semiconductor film formed on a substrate into plural regions by backside energy beam irradiation |
| FR8509389A FR2566584B1 (fr) | 1984-06-20 | 1985-06-20 | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs avec subdivision d'une pellicule semi-conductrice dudit dispositif possedant une pluralite de regions de conversion photoelectrique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126918A JPS616828A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61035595A Division JPS61210682A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 集積型光起電力装置 |
| JP61035596A Division JPS61210683A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 集積型光起電力装置 |
| JP61035594A Division JPS61210681A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616828A true JPS616828A (ja) | 1986-01-13 |
| JPH053151B2 JPH053151B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=14947119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59126918A Granted JPS616828A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616828A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230024A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63274183A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 透明基板上の金属膜のパタ−ニング方法 |
| JPS6454769A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Res | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| JPS6486567A (en) * | 1987-06-18 | 1989-03-31 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| JPH01140766A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
| US6184058B1 (en) | 1997-10-24 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated thin film solar battery and method for fabricating the same |
| JP2008517451A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | インスティトゥート フューア ゾラールエネルギーフォルシュング ゲーエムベーハー | 背面接触式太陽電池上の導電層の接触分離の方法および太陽電池 |
| WO2010052982A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| WO2012014960A1 (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| WO2012017914A1 (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-09 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2012522393A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| US8664413B2 (en) | 2010-03-23 | 2014-03-04 | Toray Fine Chemicals Co., Ltd. | High-purity epoxy compound and method of producing thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750295A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laser working method |
| JPS5935489A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59126918A patent/JPS616828A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750295A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laser working method |
| JPS5935489A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230024A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63274183A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 透明基板上の金属膜のパタ−ニング方法 |
| JPS6486567A (en) * | 1987-06-18 | 1989-03-31 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| JPS6454769A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Res | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| JPH01140766A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
| US6184058B1 (en) | 1997-10-24 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated thin film solar battery and method for fabricating the same |
| JP2008517451A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | インスティトゥート フューア ゾラールエネルギーフォルシュング ゲーエムベーハー | 背面接触式太陽電池上の導電層の接触分離の方法および太陽電池 |
| JP2010114190A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| WO2010052982A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| US8835253B2 (en) | 2008-11-05 | 2014-09-16 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Photoelectric conversion device fabrication method and photoelectric conversion device |
| JP2012522393A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| US8664413B2 (en) | 2010-03-23 | 2014-03-04 | Toray Fine Chemicals Co., Ltd. | High-purity epoxy compound and method of producing thereof |
| WO2012014960A1 (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2012028718A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| US9142706B2 (en) | 2010-07-28 | 2015-09-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method of manufacturing solar cell |
| WO2012017914A1 (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-09 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2012033810A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| US8877545B2 (en) | 2010-08-02 | 2014-11-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053151B2 (ja) | 1993-01-14 |
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