JPH053150B2 - - Google Patents
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- JPH053150B2 JPH053150B2 JP58116540A JP11654083A JPH053150B2 JP H053150 B2 JPH053150 B2 JP H053150B2 JP 58116540 A JP58116540 A JP 58116540A JP 11654083 A JP11654083 A JP 11654083A JP H053150 B2 JPH053150 B2 JP H053150B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はレーザビームの如きエネルギビームを
利用した集積型光起電力装置の製造方法に関す
る。
利用した集積型光起電力装置の製造方法に関す
る。
(ロ) 従来技術
半導体膜を光活性層とする光起電力装置として
太陽電池や一次元光センサ等が存在する。
太陽電池や一次元光センサ等が存在する。
第１図は既に実用化されている集積型光起電力
装置の基本構造を示し、１はガラス、耐熱プラス
チツク等の絶縁性且つ透光性を有する基板、２
ａ，２ｂ，２ｃ…は基板１上に一定間隔で被着さ
れた透明導電膜から成る第１電極膜、３ａ，３
ｂ，３ｃ…は各透明導電膜上に重畳被着された非
晶質シリコン等の非晶質半導体膜、４ａ，４ｂ，
４ｃ…は各非晶質半導体膜上に重畳被着され、か
つ各右隣りの第１電極膜２ｂ，２ｃ…に部分的に
重畳せる裏面電極膜である。
装置の基本構造を示し、１はガラス、耐熱プラス
チツク等の絶縁性且つ透光性を有する基板、２
ａ，２ｂ，２ｃ…は基板１上に一定間隔で被着さ
れた透明導電膜から成る第１電極膜、３ａ，３
ｂ，３ｃ…は各透明導電膜上に重畳被着された非
晶質シリコン等の非晶質半導体膜、４ａ，４ｂ，
４ｃ…は各非晶質半導体膜上に重畳被着され、か
つ各右隣りの第１電極膜２ｂ，２ｃ…に部分的に
重畳せる裏面電極膜である。
各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…は、その
内部に例えば膜面に平行なPIN接合を含み、従つ
て透光性基板１及び第１電極膜２ａ，２ｂ，２ｃ
…を順次介して光入射があると、光起電力を発生
する。各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…内で
発生した光起電力は裏面電極膜４ａ，４ｂ，４ｃ
での接続により直列的に相加される。
内部に例えば膜面に平行なPIN接合を含み、従つ
て透光性基板１及び第１電極膜２ａ，２ｂ，２ｃ
…を順次介して光入射があると、光起電力を発生
する。各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…内で
発生した光起電力は裏面電極膜４ａ，４ｂ，４ｃ
での接続により直列的に相加される。
この様な装置において、光利用効率を左右する
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する非晶質半導
体膜３ａ，３ｂ，３ｃの総面積の占める割合いで
ある。然るに各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ
…の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体のな
い領域（図中符号のNONで示す領域）は上記面
積割合いを低下させる。
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する非晶質半導
体膜３ａ，３ｂ，３ｃの総面積の占める割合いで
ある。然るに各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ
…の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体のな
い領域（図中符号のNONで示す領域）は上記面
積割合いを低下させる。
従つて光利用効率を向上するには、まず第１電
極膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔を小さくし、
そして非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…の隣接
間隔を小さくせねばならない。
極膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔を小さくし、
そして非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…の隣接
間隔を小さくせねばならない。
この様な間隔縮小は各膜の加工精度で決まり、
従つて、従来は細密加工性に優れている写真蝕刻
技術が用いられている。この技術による場合、基
板１上全面への第１電極膜の被着工程と、フオト
レジスト及びエツチングによる各個別の第１電極
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の分離、即ち、各第１電極
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔部分の除去工程
と、これら各第１電極膜上を含む基板１上全面へ
の非晶質半導体膜の被着工程と、フオトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ，３ｃ…の分離、即ち、各非晶質半導体
膜３ａ，３ｂ，３ｃの隣接間隔部分の除去工程と
を順次経ることになる。
従つて、従来は細密加工性に優れている写真蝕刻
技術が用いられている。この技術による場合、基
板１上全面への第１電極膜の被着工程と、フオト
レジスト及びエツチングによる各個別の第１電極
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の分離、即ち、各第１電極
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔部分の除去工程
と、これら各第１電極膜上を含む基板１上全面へ
の非晶質半導体膜の被着工程と、フオトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ，３ｃ…の分離、即ち、各非晶質半導体
膜３ａ，３ｂ，３ｃの隣接間隔部分の除去工程と
を順次経ることになる。
しかし乍ら、写真蝕刻技術は細密加工の上で優
れてはいるが、蝕刻パターンを規定するフオトレ
ジストのピンホールや周縁での剥れにより非晶質
半導体膜に欠陥を生じさせやすい。
れてはいるが、蝕刻パターンを規定するフオトレ
ジストのピンホールや周縁での剥れにより非晶質
半導体膜に欠陥を生じさせやすい。
特開昭57−12568号公報に開示された先行技術
は、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上
記隣接間隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で
必要なフオトレジスト、即ちウエツトプロセスを
一切使わず細密加工性に富むその技法は上記の課
題を解決する上で極めて有効である。
は、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上
記隣接間隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で
必要なフオトレジスト、即ちウエツトプロセスを
一切使わず細密加工性に富むその技法は上記の課
題を解決する上で極めて有効である。
一方、第２図に示す如く、各光電変換領域５
ａ，５ｂ…に連続して被着された非晶質半導体膜
３を各領域５ａ，５ｂ…毎に分割するに先立つて
直ちに肉薄な第２電極膜４１を上記半導体膜３上
全面に予め積層被着する工程を含む製造方法が提
案された。即ち、非晶質半導体膜３を分割せしめ
る工程後裏面電極膜を被着せしめたのでは両者の
接合界面に塵挨や、写真蝕刻時使用した水分等が
介在することがあり、斯る介在物を原因として発
生していた裏面電極膜４ａ，４ｂ…の剥離や腐蝕
事故を抑圧することができる。
ａ，５ｂ…に連続して被着された非晶質半導体膜
３を各領域５ａ，５ｂ…毎に分割するに先立つて
直ちに肉薄な第２電極膜４１を上記半導体膜３上
全面に予め積層被着する工程を含む製造方法が提
案された。即ち、非晶質半導体膜３を分割せしめ
る工程後裏面電極膜を被着せしめたのでは両者の
接合界面に塵挨や、写真蝕刻時使用した水分等が
介在することがあり、斯る介在物を原因として発
生していた裏面電極膜４ａ，４ｂ…の剥離や腐蝕
事故を抑圧することができる。
然るに、第３図に要部を拡大して示す如く、各
光電変換領域５ａ，５ｂ…に連続して積層被着さ
れた非晶質半導体膜３及び第２電極膜４１を各領
域５ａ，５ｂ…毎に分割すべくレーザビームを照
射することにより隣接間隔部６に位置する半導体
膜３′及び第２電極膜４１′を除去しようとする
と、斯る隣接間隔部６に非晶質半導体膜の溶融物
等の残留物７，７…が除去部分近傍に残存付着す
る危惧を有していた。即ち、上記残留物７，７…
が存在すると第４図の工程で被着される第３電極
膜４２は斯る残留物７，７…の影に付着するに至
らず、従つて第５図の工程で隣接間隔部６′がレ
ーザビームの照射により除去され、各光電変換領
域５ａ，５ｂ…が直列接続された上記隣接間隔に
於ける第３電極膜４２ａ，４２ｂ…と第１電極膜
２ｂ，２ｃ…との間に上記残留物７，７…が介在
したり、或いは間隙８…を形成したりする結果、
両者の接着強度を低下せしめ、遂には裏面電極膜
４ａ，４ｂ…が剥離する事故を招く原因となる。
光電変換領域５ａ，５ｂ…に連続して積層被着さ
れた非晶質半導体膜３及び第２電極膜４１を各領
域５ａ，５ｂ…毎に分割すべくレーザビームを照
射することにより隣接間隔部６に位置する半導体
膜３′及び第２電極膜４１′を除去しようとする
と、斯る隣接間隔部６に非晶質半導体膜の溶融物
等の残留物７，７…が除去部分近傍に残存付着す
る危惧を有していた。即ち、上記残留物７，７…
が存在すると第４図の工程で被着される第３電極
膜４２は斯る残留物７，７…の影に付着するに至
らず、従つて第５図の工程で隣接間隔部６′がレ
ーザビームの照射により除去され、各光電変換領
域５ａ，５ｂ…が直列接続された上記隣接間隔に
於ける第３電極膜４２ａ，４２ｂ…と第１電極膜
２ｂ，２ｃ…との間に上記残留物７，７…が介在
したり、或いは間隙８…を形成したりする結果、
両者の接着強度を低下せしめ、遂には裏面電極膜
４ａ，４ｂ…が剥離する事故を招く原因となる。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯る点に鑑みて為されたものであつ
て、その目的はレーザビームの如きエネルギービ
ームを使用した際に生じる、残留物に因る電極膜
間の接着強度低下を抑圧し、引いては裏面電極膜
の剥離事故を招くことなく細密加工性に富むエル
ネギーの利用を可能ならしめることにある。
て、その目的はレーザビームの如きエネルギービ
ームを使用した際に生じる、残留物に因る電極膜
間の接着強度低下を抑圧し、引いては裏面電極膜
の剥離事故を招くことなく細密加工性に富むエル
ネギーの利用を可能ならしめることにある。
(ニ) 発明の構成
本発明集積型光起電力装置の製造方法は、絶縁
表面を有する基板の表面に、上記基板側から積層
された第１電極膜、半導体膜及び第２電極膜を少
なくとも含む複数の光電変換領域を分割配置し、
それら光電変換領域を当該光電変換領域間の隣接
間隔部で第３電極膜を介して電気的に直列接続せ
しめた集積型光起電力装置の製造方法であつて、
上記絶縁表面に離間配置された複数の第１電極膜
全面に跨つて積層被着された半導体膜及び第２電
極膜を、上記隣接間隔部の第１電極膜上に於いて
各領域毎に分割すべくエネルギービームの照射に
よりそれら半導体膜及び第２電極膜を同時に除去
すると共に、該除去工程において形成された半導
体膜の残留物をプラズマエツチングにより排除し
て第１電極膜の一部を露出せしめ、該第１電極膜
の露出部分と隣接する光電変換領域の第２電極膜
とを上記第３電極膜を介して接続する構成にあ
る。
表面を有する基板の表面に、上記基板側から積層
された第１電極膜、半導体膜及び第２電極膜を少
なくとも含む複数の光電変換領域を分割配置し、
それら光電変換領域を当該光電変換領域間の隣接
間隔部で第３電極膜を介して電気的に直列接続せ
しめた集積型光起電力装置の製造方法であつて、
上記絶縁表面に離間配置された複数の第１電極膜
全面に跨つて積層被着された半導体膜及び第２電
極膜を、上記隣接間隔部の第１電極膜上に於いて
各領域毎に分割すべくエネルギービームの照射に
よりそれら半導体膜及び第２電極膜を同時に除去
すると共に、該除去工程において形成された半導
体膜の残留物をプラズマエツチングにより排除し
て第１電極膜の一部を露出せしめ、該第１電極膜
の露出部分と隣接する光電変換領域の第２電極膜
とを上記第３電極膜を介して接続する構成にあ
る。
(ホ) 実施例
第６図乃至第８図は、本発明集積型光起電力装
置の製造方法の工程別要部拡大断面図であつて、
第６図の工程以前にあつては従来と同じ第２図及
び第３図の工程が施される。即ち、第２図の工程
では既に絶縁性且つ透光性を有する基板１の一主
面上に於いて各光電変換領域５ａ，５ｂ…毎に分
割された酸化スズ、酸化インジウムスズ等の透明
導電膜からなる第１電極膜２ａ，２ｂ…を連続的
に覆う如く非晶質シリコン系の非晶質半導体膜３
及び第２電極膜４１が被着される。より詳しくは
非晶質半導体膜３が水素化非晶質シリコンであつ
て、光入射側から膜面に平行なPIN接合を備えて
いる場合、先ずシリコン化合物雰囲気例えばシラ
ン（SiH4）ガス雰囲気にＰ型決定不純物を含む
ジボラン（B2H6）を添加しグロー放電を生起せ
しめることにより膜圧50Å〜200Å程度のＰ型層
を形成し、次いで、順次SiH4ガスのみにより膜
厚4000Å〜6000Å程度の真性（Ｉ型）層とSiH4
ガスにＮ型決定不純物を含むホスフイン（PH3）
を添加し膜厚100Å〜500Å程度のＮ型層とが積層
被着される。斯る非晶質半導体膜３形成後該半導
体膜３上への塵挨の付着等を防止すべく200Å程
度と肉薄なアルミニウム（Al）から成る第２電
極膜４１が直ちに蒸着される。
置の製造方法の工程別要部拡大断面図であつて、
第６図の工程以前にあつては従来と同じ第２図及
び第３図の工程が施される。即ち、第２図の工程
では既に絶縁性且つ透光性を有する基板１の一主
面上に於いて各光電変換領域５ａ，５ｂ…毎に分
割された酸化スズ、酸化インジウムスズ等の透明
導電膜からなる第１電極膜２ａ，２ｂ…を連続的
に覆う如く非晶質シリコン系の非晶質半導体膜３
及び第２電極膜４１が被着される。より詳しくは
非晶質半導体膜３が水素化非晶質シリコンであつ
て、光入射側から膜面に平行なPIN接合を備えて
いる場合、先ずシリコン化合物雰囲気例えばシラ
ン（SiH4）ガス雰囲気にＰ型決定不純物を含む
ジボラン（B2H6）を添加しグロー放電を生起せ
しめることにより膜圧50Å〜200Å程度のＰ型層
を形成し、次いで、順次SiH4ガスのみにより膜
厚4000Å〜6000Å程度の真性（Ｉ型）層とSiH4
ガスにＮ型決定不純物を含むホスフイン（PH3）
を添加し膜厚100Å〜500Å程度のＮ型層とが積層
被着される。斯る非晶質半導体膜３形成後該半導
体膜３上への塵挨の付着等を防止すべく200Å程
度と肉薄なアルミニウム（Al）から成る第２電
極膜４１が直ちに蒸着される。
第３図の工程では、隣接間隔部６…の第１電極
膜２ｂ，２ｃ…上における非晶質半導体膜３′…
及び第２電極膜４１′がレーザビームの照射によ
り同時に除去されて、個別の各非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ…及び第２電極膜４１ａ，４１ｂ…が各
光電変換領域５ａ，５ｂ…毎に分割形成される。
使用されるレーザは例えば波長1.06μm、パルス
周波数3KHzのNd：YAGレーザであり、そのエ
ネルギ密度は２×107Ｗ／cm2になるべくレーザビ
ーム径が調整されている。斯るレーザビームの照
射により隣接間隔部６の距離（L1）は約300μm
に設定される。
膜２ｂ，２ｃ…上における非晶質半導体膜３′…
及び第２電極膜４１′がレーザビームの照射によ
り同時に除去されて、個別の各非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ…及び第２電極膜４１ａ，４１ｂ…が各
光電変換領域５ａ，５ｂ…毎に分割形成される。
使用されるレーザは例えば波長1.06μm、パルス
周波数3KHzのNd：YAGレーザであり、そのエ
ネルギ密度は２×107Ｗ／cm2になるべくレーザビ
ーム径が調整されている。斯るレーザビームの照
射により隣接間隔部６の距離（L1）は約300μm
に設定される。
この時、除去した第２電極膜４１′は非晶質半
導体膜３′に較べその膜厚は遥かに薄く、しかも
低融点であるためにほぼ完全に消失するものの、
肉厚な非晶質半導体膜３′…は完全に消失せずそ
の溶融物及び飛散物等を含む残留物７，７…が隣
接間隔部６の露出部分及びその近傍に僅かに残存
付着している。
導体膜３′に較べその膜厚は遥かに薄く、しかも
低融点であるためにほぼ完全に消失するものの、
肉厚な非晶質半導体膜３′…は完全に消失せずそ
の溶融物及び飛散物等を含む残留物７，７…が隣
接間隔部６の露出部分及びその近傍に僅かに残存
付着している。
第６図の工程では上記残留物７，７…を排除す
べく四フツ化炭素（CF4）をチヤンバ内に導入し
プラズマを励起してプラズマエツチングを施す。
このプラズマエツチング時注目すべきは第２電極
膜４１ａ，４１ｂ…の各々が各光電変換領域５
ａ，５ｂ…毎に分割された各非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ…に対しマスクとして作用することであ
る。従つて、斯るプラズマエツチングにあつて上
記第２電極膜４１ａ，４１ｂ…によつてマスクさ
れていない残留物７，７…のみを排除することと
なる。
べく四フツ化炭素（CF4）をチヤンバ内に導入し
プラズマを励起してプラズマエツチングを施す。
このプラズマエツチング時注目すべきは第２電極
膜４１ａ，４１ｂ…の各々が各光電変換領域５
ａ，５ｂ…毎に分割された各非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ…に対しマスクとして作用することであ
る。従つて、斯るプラズマエツチングにあつて上
記第２電極膜４１ａ，４１ｂ…によつてマスクさ
れていない残留物７，７…のみを排除することと
なる。
続く第７図の工程では、残留物７，７…が排除
された第２電極膜４１ａ，４１ｂ…及び第１電極
膜２ｂ…上に膜厚1000Å〜4000ÅのAlと膜厚
5000Å程度のチタン（Ti）から成る二層構造の
第３電極膜４２が連続的に積層される。上記Ti
は下層のAlの水分による腐食を防止すると共に、
次工程に於けるレーザ加工を容易ならしめるもの
である。
された第２電極膜４１ａ，４１ｂ…及び第１電極
膜２ｂ…上に膜厚1000Å〜4000ÅのAlと膜厚
5000Å程度のチタン（Ti）から成る二層構造の
第３電極膜４２が連続的に積層される。上記Ti
は下層のAlの水分による腐食を防止すると共に、
次工程に於けるレーザ加工を容易ならしめるもの
である。
第８図の最終工程では連続的に被着された第３
電極膜４２の隣接間隔部６がレーザビームの照射
により除去されて各光電変換領域５ａ，５ｂ…毎
に分割された多層構造の裏面電極膜４ａ，４ｂ…
を形成すると共に隣接同士の第１電極膜２ｂ…と
第３電極膜４２ａ…とが重畳することにより各光
電変換領域５ａ，５ｂ…は電気的に直列接続され
る。使用されるレーザはNd：YAGレーザであ
り、その時のエネルギ密度は３×107Ｗ／cm2で、
隣接間隔部６′の距離（L2）は約20μmに設定さ
れる。
電極膜４２の隣接間隔部６がレーザビームの照射
により除去されて各光電変換領域５ａ，５ｂ…毎
に分割された多層構造の裏面電極膜４ａ，４ｂ…
を形成すると共に隣接同士の第１電極膜２ｂ…と
第３電極膜４２ａ…とが重畳することにより各光
電変換領域５ａ，５ｂ…は電気的に直列接続され
る。使用されるレーザはNd：YAGレーザであ
り、その時のエネルギ密度は３×107Ｗ／cm2で、
隣接間隔部６′の距離（L2）は約20μmに設定さ
れる。
(ヘ) 発明の効果
本発明集積型光起電力装置の製造方法は以上の
説明から明らかな如く、エネルギビームの除去工
程に於いて形成された半導体膜の残留物をプラズ
マエツチングにより排除せしめたので、次工程で
被着される電極膜との接着強度を低下せしめるこ
となく細密加工性に富むと共にウエツトプロセス
を用いないエネルギビームの使用を可能ならしめ
ることができ、集積型光起電力装置の光電変換領
域の隣接間隔部の距離を縮小し得、光電変換に寄
与する有効面積の増大が図れる。更に、上記残留
物のプラズマエツチング時、予め半導体膜上に積
層被着された電極膜がマスクとして作用し、上記
半導体膜がエツチング除去されることから保護せ
しめることができる。
説明から明らかな如く、エネルギビームの除去工
程に於いて形成された半導体膜の残留物をプラズ
マエツチングにより排除せしめたので、次工程で
被着される電極膜との接着強度を低下せしめるこ
となく細密加工性に富むと共にウエツトプロセス
を用いないエネルギビームの使用を可能ならしめ
ることができ、集積型光起電力装置の光電変換領
域の隣接間隔部の距離を縮小し得、光電変換に寄
与する有効面積の増大が図れる。更に、上記残留
物のプラズマエツチング時、予め半導体膜上に積
層被着された電極膜がマスクとして作用し、上記
半導体膜がエツチング除去されることから保護せ
しめることができる。
第１図は従来の集積型光起電力装置を示す断面
図、第２図乃至第５図は従来の製造方法を工程別
要部拡大断面図、第６図乃至第８図は本発明製造
方法の工程別要部拡大断面図、を夫々示してい
る。 １……基板、３，３ａ，３ｂ，３ｃ……非晶質
半導体膜、４，４ａ，４ｂ，４ｃ……裏面電極
膜、４１，４１ａ，４１ｂ……第２電極膜、４
２，４２ａ，４２ｂ……第３電極膜、５ａ，５
ｂ，５ｃ……光電変換領域、７……残留物。
図、第２図乃至第５図は従来の製造方法を工程別
要部拡大断面図、第６図乃至第８図は本発明製造
方法の工程別要部拡大断面図、を夫々示してい
る。 １……基板、３，３ａ，３ｂ，３ｃ……非晶質
半導体膜、４，４ａ，４ｂ，４ｃ……裏面電極
膜、４１，４１ａ，４１ｂ……第２電極膜、４
２，４２ａ，４２ｂ……第３電極膜、５ａ，５
ｂ，５ｃ……光電変換領域、７……残留物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁表面を有する基板の表面に、上記基板側
から積層された第１電極膜、半導体膜及び第２電
極膜を少なくとも含む複数の光電変換領域を分割
配置し、それら光電変換領域を当該光電変換領域
間の隣接間隔部で第３電極膜を介して電気的に直
列接続せしめた集積型光起電力装置の製造方法で
あつて、 上記絶縁表面に離間配置された複数の第１電極
膜全面に跨つて積層被着された半導体膜及び第２
電極膜を、上記隣接間隔部の第１電極膜上に於い
て各領域毎に分割すべくエネルギービームの照射
によりそれら半導体膜及び第２電極膜を同時に除
去すると共に、該除去工程において形成された半
導体膜の残留物をプラズマエツチングにより排除
して第１電極膜の一部を露出せしめ、該第１電極
膜の露出部分と隣接する光電変換領域の第２電極
膜とを上記第３電極膜を介して接続することを特
徴とする集積型光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116540A JPS607730A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116540A JPS607730A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607730A JPS607730A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH053150B2 true JPH053150B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=14689643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116540A Granted JPS607730A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607730A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066872A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| US7288739B2 (en) * | 2001-02-26 | 2007-10-30 | Sts Atl Corporation | Method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5191662A (ja) * | 1975-02-07 | 1976-08-11 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58116540A patent/JPS607730A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5191662A (ja) * | 1975-02-07 | 1976-08-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607730A (ja) | 1985-01-16 |
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