JPS607730A - 集積型光起電力装置の製造方法 - Google Patents
集積型光起電力装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS607730A JPS607730A JP58116540A JP11654083A JPS607730A JP S607730 A JPS607730 A JP S607730A JP 58116540 A JP58116540 A JP 58116540A JP 11654083 A JP11654083 A JP 11654083A JP S607730 A JPS607730 A JP S607730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- films
- back electrode
- semiconductor film
- electrode film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 210000001809 melena Anatomy 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はレーザビームを利用した半導体装置の製造方法
Ｃ二関する。
Ｃ二関する。
（ロ） 従来技術
半導体膜を光活性層とする半導体装置として太陽電池や
一次元元センナ等が存在する。
一次元元センナ等が存在する。
第１図は既に実用化されている太陽電池の基本構造を示
し、（１）はガラス・耐熱プラスチック等の絶縁性且つ
透光性を有する基板、（２１（２１））（２０）・・・
は基板（１）上（ニ一定間隔で被着された非晶質半導体
膜、（４ａ）（４１））Ｃ４０）・＃−１各非晶質半導
体膜上（二重畳被着され、かつ各右隣りの透明導電膜（
２ｂ）Ｃ２０）・・・Ｃ二部公的に重畳せる裏面電極膜
である。
し、（１）はガラス・耐熱プラスチック等の絶縁性且つ
透光性を有する基板、（２１（２１））（２０）・・・
は基板（１）上（ニ一定間隔で被着された非晶質半導体
膜、（４ａ）（４１））Ｃ４０）・＃−１各非晶質半導
体膜上（二重畳被着され、かつ各右隣りの透明導電膜（
２ｂ）Ｃ２０）・・・Ｃ二部公的に重畳せる裏面電極膜
である。
各非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）（５Ｑ）・−は、そ
の内部に例えば膜面Ｃ二平行なＰＩＮ接合を含み、従っ
て透光性基板（１）及び透明導電膜（２ａ）（２１））
（２０）・・・を順次介して光入射があると、光起電力
を発生する。各非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）ｉＣ）
・・・内で発生した光起電力は裏面電極膜（４ａ）（４
ｂ）（４ｃ）での接続（二より直列的に相加される この様な装置において、光利用効率を左右する一つの要
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）Ｃ：対し
、実際に発電（：寄与する非晶質半導体膜（！ＩＩＬ）
（ｌｔ））Ｃ３Ｑ）の総面積の占める割合いである。然
る（二、各非晶質半導体膜（３ａ）（５１’）（３０）
・・・の隣接間に必然的（；存在する非晶質半導体のな
い領域（図中符号ＮＯＮで示”［領域）は上記面積割合
いを低下させる。
の内部に例えば膜面Ｃ二平行なＰＩＮ接合を含み、従っ
て透光性基板（１）及び透明導電膜（２ａ）（２１））
（２０）・・・を順次介して光入射があると、光起電力
を発生する。各非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）ｉＣ）
・・・内で発生した光起電力は裏面電極膜（４ａ）（４
ｂ）（４ｃ）での接続（二より直列的に相加される この様な装置において、光利用効率を左右する一つの要
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）Ｃ：対し
、実際に発電（：寄与する非晶質半導体膜（！ＩＩＬ）
（ｌｔ））Ｃ３Ｑ）の総面積の占める割合いである。然
る（二、各非晶質半導体膜（３ａ）（５１’）（３０）
・・・の隣接間に必然的（；存在する非晶質半導体のな
い領域（図中符号ＮＯＮで示”［領域）は上記面積割合
いを低下させる。
従って光利用効率を向上するには、まず透明導電膜（２
１（２ｂ）Ｃ２Ｑ）・・・の隣接間隔を小さくシ、そし
て非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）（３Ｃ）・・・の隣
接間隔を小さくせねばならない。
１（２ｂ）Ｃ２Ｑ）・・・の隣接間隔を小さくシ、そし
て非晶質半導体膜（３ａ）（３ｂ）（３Ｃ）・・・の隣
接間隔を小さくせねばならない。
技術が用いられている。この技術（二よる場合、基板（
１）上全面への透明導電膜の被着工程と、フォトレジス
ト及びエツチングによる各個別の透明導電膜（２！’）
（２１））（２０）・・・の分離、即ち、各透明導電膜
（２１Ｌ）（２１））（２Ｇ）・・・の隣接間隔部分の
除去工程と、これら各透明導電膜上な含む基板（１）上
全面への非晶質半導体膜の被着工程と、フォトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜（５ｇ）
（３ｂ）（５（１）・・・の分離、即ち、各非晶質半導
体膜（ｉ５ａ）′（５１））（３０）の隣接間隔部分の
除去工程とを順次繰ることになる。
１）上全面への透明導電膜の被着工程と、フォトレジス
ト及びエツチングによる各個別の透明導電膜（２！’）
（２１））（２０）・・・の分離、即ち、各透明導電膜
（２１Ｌ）（２１））（２Ｇ）・・・の隣接間隔部分の
除去工程と、これら各透明導電膜上な含む基板（１）上
全面への非晶質半導体膜の被着工程と、フォトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜（５ｇ）
（３ｂ）（５（１）・・・の分離、即ち、各非晶質半導
体膜（ｉ５ａ）′（５１））（３０）の隣接間隔部分の
除去工程とを順次繰ることになる。
しかし乍ら、写真蝕刻技術は細密加工の上で優れてはい
るが、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのピンホ
ールや周縁での剥れ（二より非晶質半導体膜（：欠陥を
生じさせやすい。
るが、蝕刻パターンを規定するフォトレジストのピンホ
ールや周縁での剥れ（二より非晶質半導体膜（：欠陥を
生じさせやすい。
特開昭５７−１２５６８号公報Ｃ：開示された先行技術
は、Ｖ−ザビームの照射（＝よる膜の焼き切りで上記隣
接間隔を設Ｃするものであり、写真蝕刻技術で必要なフ
ォトレジスト、即ちクエフトプロセスを一切使わず細密
加工性に富むその技法は上記の課題を解決する上で極め
て有効である。
は、Ｖ−ザビームの照射（＝よる膜の焼き切りで上記隣
接間隔を設Ｃするものであり、写真蝕刻技術で必要なフ
ォトレジスト、即ちクエフトプロセスを一切使わず細密
加工性に富むその技法は上記の課題を解決する上で極め
て有効である。
一方、第２図Ｃ二示す如く、各光電変換領域（５”）
（５１））・・・（二連続して被着された非晶質半導体
膜（３）を各領域（５！Ｌ）（５ｔ））・・・毎Ｃ：分
割するに先立って直ち４：肉薄な第１裏面電極膜（４１
）を上記半導体膜（３）上全面に予め積層被着する工程
を含む製造方法が提案された。即ち、非晶質半導体膜（
３）を分割せしめる工程後裏面電極膜を被着せしめたの
では両者の接合界面に塵埃や、写真蝕刻技術用した水分
等が介在することがあり、斯る介在物を原因として発生
していた裏面電極膜（４＆）（４１’）・・・の剥離や
ｇ匂事故を抑圧することができる。
（５１））・・・（二連続して被着された非晶質半導体
膜（３）を各領域（５！Ｌ）（５ｔ））・・・毎Ｃ：分
割するに先立って直ち４：肉薄な第１裏面電極膜（４１
）を上記半導体膜（３）上全面に予め積層被着する工程
を含む製造方法が提案された。即ち、非晶質半導体膜（
３）を分割せしめる工程後裏面電極膜を被着せしめたの
では両者の接合界面に塵埃や、写真蝕刻技術用した水分
等が介在することがあり、斯る介在物を原因として発生
していた裏面電極膜（４＆）（４１’）・・・の剥離や
ｇ匂事故を抑圧することができる。
然るＣ二、第３図（二要部を拡大して示す如く、各光電
変換領域（５Ｂ）（５’ｌ’）・・・（二連続して積層
被着された非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極膜（
４１）を各領域（５ａ）（５’ｔ））・・・毎に分割す
べくレーザビームの照射Ｃ二よりｐ￥接曲間隔部６）に
位置する半導体膜（３１及び第１裏面電極膜（４１’）
を除去すると、斯る隣接間隔部（６）Ｃ二非晶質半導体
膜の溶融物等の残留物（７）（７）・・・が除去部分近
傍Ｃ：残存付看する危惧を有していた。即ち、上記残留
物（７）（７）・・・か存在すると第４図の工程で被着
される第２裏面電極膜（４２）は斯る残留物（７）（７
）・・・の影に付着するに至らず、従って第５図の工程
で隣接間隔部（６１がン′−ザピームの照射（二より除
去され、各党電変換価域（５１！Ｌ）（５１））・・・
が直列接続された上記隣接間隔Ｃ二於ける第２裏面電極
膜（４２ａ）（４２１１）・・・と透明導電膜（２１）
）（２Ｃ１）・・・どの間弓二上記残留物（７）（７）
・・・が介在したり、或いは間隙（８）・・・を形成し
たりする結果、両者の接着強度を低下せしめ、遂には裏
面電極１１！（４’）（４ｂ）・・・が剥離する事故を
招く原因となる。
変換領域（５Ｂ）（５’ｌ’）・・・（二連続して積層
被着された非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極膜（
４１）を各領域（５ａ）（５’ｔ））・・・毎に分割す
べくレーザビームの照射Ｃ二よりｐ￥接曲間隔部６）に
位置する半導体膜（３１及び第１裏面電極膜（４１’）
を除去すると、斯る隣接間隔部（６）Ｃ二非晶質半導体
膜の溶融物等の残留物（７）（７）・・・が除去部分近
傍Ｃ：残存付看する危惧を有していた。即ち、上記残留
物（７）（７）・・・か存在すると第４図の工程で被着
される第２裏面電極膜（４２）は斯る残留物（７）（７
）・・・の影に付着するに至らず、従って第５図の工程
で隣接間隔部（６１がン′−ザピームの照射（二より除
去され、各党電変換価域（５１！Ｌ）（５１））・・・
が直列接続された上記隣接間隔Ｃ二於ける第２裏面電極
膜（４２ａ）（４２１１）・・・と透明導電膜（２１）
）（２Ｃ１）・・・どの間弓二上記残留物（７）（７）
・・・が介在したり、或いは間隙（８）・・・を形成し
たりする結果、両者の接着強度を低下せしめ、遂には裏
面電極１１！（４’）（４ｂ）・・・が剥離する事故を
招く原因となる。
（ハ）発明の目的
本発明は斯る点に鑑みて為されたものであって、その目
的は裏面電極膜の剥離事故を招くことなく細密加工性Ｃ
：富むレーザビームの利用を可能ならしめること（二あ
る。
的は裏面電極膜の剥離事故を招くことなく細密加工性Ｃ
：富むレーザビームの利用を可能ならしめること（二あ
る。
に）発明の構成
本発明半導体装置の製造方法は、複数の領域Ｃ連続して
積層被着された半導体膜及び電極膜を各領域毎（二分割
すべくレーザビームの照射により隣接間隔部に位置する
半導体膜及び電極膜を同時（−除去すると共Ｃ二、該除
去工程に於いて形成された半導体膜の残留物Ｚプラズマ
エツチングにより排除する構成にある。
積層被着された半導体膜及び電極膜を各領域毎（二分割
すべくレーザビームの照射により隣接間隔部に位置する
半導体膜及び電極膜を同時（−除去すると共Ｃ二、該除
去工程に於いて形成された半導体膜の残留物Ｚプラズマ
エツチングにより排除する構成にある。
（ホ）実施例
第６図乃至第８図は本発明製造方法Ｃより太陽電池を製
造する場合の工程別要部拡大断面図であって、第６図の
工程以前にあっては従来と同じ第２図及び第６図の工！
：４が施される。即ち、第２図の工程では既（＝絶縁性
且つ透光性を有する基板０■の一主面上に於いて各光電
変換領域（５＆）（５’ｂ）・−・毎に分割された酸化
スズ、酸化インジウムスズ等の透明導電ｆｆ％ （２１
５，） （２１） ）・・・を連続的に覆う如く非晶質
シリコン系の非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極膜
（４１）が被着される。より詳しくは非晶質半導体膜（
３）が水素化非晶質シリコンであって、光入射側からＢ
ｆｆｉ、面Ｃ二平行なＰＩＮ接合を備えている場合、先
ずシリコン化合物雰囲気例えばシラン（ＳｉＨ４）ガス
雰囲気にＰ型決定不純物を含むジボラン（ＢＩＨ６）Ｙ
添加しグロー放電を生起せしめることにより股堕５ｏ八
〜２ＯＤＡ程度のＰ型層を形成し、次いで順次ＳｉＨ４
ガスのみにより膜厚４０００Ａ〜６０００Ａ程べの真性
（１型）ＰＩと８１Ｈ４ガスにＮ型決定不純物を含むホ
スフィン（ＰＨＲ）を添加し膜厚１００Ａ〜５００Ａ程
度のＮ型層とが積層被着される。斯る非晶質半導体膜（
３）形成後該半導体膜（３）上への塵埃の付着等を防止
すべく２００Ａ程度と肉薄なアルミニウム（ＡＪ）から
成る第１の裏面電極膜（４１）が直ちに蒸着される。
造する場合の工程別要部拡大断面図であって、第６図の
工程以前にあっては従来と同じ第２図及び第６図の工！
：４が施される。即ち、第２図の工程では既（＝絶縁性
且つ透光性を有する基板０■の一主面上に於いて各光電
変換領域（５＆）（５’ｂ）・−・毎に分割された酸化
スズ、酸化インジウムスズ等の透明導電ｆｆ％ （２１
５，） （２１） ）・・・を連続的に覆う如く非晶質
シリコン系の非晶質半導体膜（３）及び第１裏面電極膜
（４１）が被着される。より詳しくは非晶質半導体膜（
３）が水素化非晶質シリコンであって、光入射側からＢ
ｆｆｉ、面Ｃ二平行なＰＩＮ接合を備えている場合、先
ずシリコン化合物雰囲気例えばシラン（ＳｉＨ４）ガス
雰囲気にＰ型決定不純物を含むジボラン（ＢＩＨ６）Ｙ
添加しグロー放電を生起せしめることにより股堕５ｏ八
〜２ＯＤＡ程度のＰ型層を形成し、次いで順次ＳｉＨ４
ガスのみにより膜厚４０００Ａ〜６０００Ａ程べの真性
（１型）ＰＩと８１Ｈ４ガスにＮ型決定不純物を含むホ
スフィン（ＰＨＲ）を添加し膜厚１００Ａ〜５００Ａ程
度のＮ型層とが積層被着される。斯る非晶質半導体膜（
３）形成後該半導体膜（３）上への塵埃の付着等を防止
すべく２００Ａ程度と肉薄なアルミニウム（ＡＪ）から
成る第１の裏面電極膜（４１）が直ちに蒸着される。
＄６図の工程では、隣接間隔部（６）・・・の非晶質半
導体膜＜ｓｆ・・・及び第１裏面笥極膜（１’）・・・
がレーザビームの照射により同時に除去されて、個別の
各非晶質半導体膜（５ａ）（３ｂ）・・・及び第１裏面
電極膜（４１＆）（４１１））・・・が各光電変換領域
（５ａ）（５ｂ）・・・毎蚤；分割形成される。使用さ
れるレーザは例えば波長１．０６μｍ、パルス周波数！
ｌＫＨ２のＮａ：ＹＡＧレーザであり、そのエネルギ密
度ば２Ｘ ｉ ０７ Ｗ／ｄ＋二なるべくレーザビーム
径が調整されている。斯るレーザビームの照射（二より
隣接間隔部（６）の距にＩｎ（Ｌｌ）は約３００μｍに
設定される。
導体膜＜ｓｆ・・・及び第１裏面笥極膜（１’）・・・
がレーザビームの照射により同時に除去されて、個別の
各非晶質半導体膜（５ａ）（３ｂ）・・・及び第１裏面
電極膜（４１＆）（４１１））・・・が各光電変換領域
（５ａ）（５ｂ）・・・毎蚤；分割形成される。使用さ
れるレーザは例えば波長１．０６μｍ、パルス周波数！
ｌＫＨ２のＮａ：ＹＡＧレーザであり、そのエネルギ密
度ば２Ｘ ｉ ０７ Ｗ／ｄ＋二なるべくレーザビーム
径が調整されている。斯るレーザビームの照射（二より
隣接間隔部（６）の距にＩｎ（Ｌｌ）は約３００μｍに
設定される。
もイ斤硲１点であるため（二はぼ完全（−鋳失するもの
の、肉厚な非晶質半導体膜（３１・・・は完全に炉失せ
ずその溶融物及び飛散物等を含む残留物（７１（７）・
・・がｐ４接間隔部（６）の露出部分及びその近傍に位
・かに残存付管している。
の、肉厚な非晶質半導体膜（３１・・・は完全に炉失せ
ずその溶融物及び飛散物等を含む残留物（７１（７）・
・・がｐ４接間隔部（６）の露出部分及びその近傍に位
・かに残存付管している。
第６図の工程では上記残留物（７）（７）・・・を排除
丁べ（四フッ化炭素（ＯＦ４）’ｉ？チャンノ（内１：
桿入しプラズマを励起してプラズマエツチングＺ施す。
丁べ（四フッ化炭素（ＯＦ４）’ｉ？チャンノ（内１：
桿入しプラズマを励起してプラズマエツチングＺ施す。
このプラズマエツチング時注目すべきは第１裏面電極膜
（４１ａ ） （４１’ｂ ）・・・の各々が各光電変
換領域（５ａ）（５℃）・・・毎（二分割された各非晶
負半導体１１＆（３ａ）（５’ｂ）・帽二対しマスクと
して作用することである。従って、斯るプラズマエツチ
ングにあっては上記第１裏面電極膜（４１ａ） （４１
１））・・・（−よってマスクされていない残留物（７
）（７）・・・のみン排除する。
（４１ａ ） （４１’ｂ ）・・・の各々が各光電変
換領域（５ａ）（５℃）・・・毎（二分割された各非晶
負半導体１１＆（３ａ）（５’ｂ）・帽二対しマスクと
して作用することである。従って、斯るプラズマエツチ
ングにあっては上記第１裏面電極膜（４１ａ） （４１
１））・・・（−よってマスクされていない残留物（７
）（７）・・・のみン排除する。
続（第７図の工程では、残留物（７Ｈ７１・・・が排除
された第１裏面電極膜（４１ｏ、 ） （４１ｂ ）・
・・及び透明導′屯膜（２ｂ）・・・上（二膜厚１００
０Ａ〜４０００ＸＯ）Ａｌと膜厚５０００Ａ程度のチタ
ン（Ｔｉ）から成る二層構造の第２裏面電極膜（４２）
が連続的Ｃ二積層される。上記Ｔ１は下血のｈｌ：０）
水分（二よる腐食を防止すると共に、次工程（二於ける
レーザ加工を容易ならしめるものである。
された第１裏面電極膜（４１ｏ、 ） （４１ｂ ）・
・・及び透明導′屯膜（２ｂ）・・・上（二膜厚１００
０Ａ〜４０００ＸＯ）Ａｌと膜厚５０００Ａ程度のチタ
ン（Ｔｉ）から成る二層構造の第２裏面電極膜（４２）
が連続的Ｃ二積層される。上記Ｔ１は下血のｈｌ：０）
水分（二よる腐食を防止すると共に、次工程（二於ける
レーザ加工を容易ならしめるものである。
９１図の］獲終工牙呈ではｊ車う訂１勺にネ皮−へさＡ
またγ５２裏面電極ｒ、＃ｒ： （４２＞θ）隣接１１
川も５″１部１＋−１ズ１穎／−・Ｖビームの照射によ
り除去されて各党・Ｇ’、ｌ’（ｉ ４ Ｒ領域（５８
） （５１’）・・・毎（二分割された多面構造の傳１
ｎ」ｊＥＬ ４７１＋膜（４ａ）（４ｂ）・・・を形成
すると共ｔ−１（４・接１ｉ’＋ｊ士の透明導電膜（２
１１＞・・・と竺２火面電極ｆｌｓ−（４２ａ）・・・
とが重畳することにより各光電変１外角’４．ｌｊ二；
（５Ｂ）（５１・・・は電気的に直列接続される。使
用されるレーザはＮ ａ ： Ｙ Ａ Ｇレーザであり
、その時のエネルギ密度は５ｘ１ｏ’Ｗ／Ｐ！で、隣接
ｎ４Ｊ隔部（６１の距離（Ｌ ２ ）は約２０ 、ｚｒ
ｍ （二設定嵯する。
またγ５２裏面電極ｒ、＃ｒ： （４２＞θ）隣接１１
川も５″１部１＋−１ズ１穎／−・Ｖビームの照射によ
り除去されて各党・Ｇ’、ｌ’（ｉ ４ Ｒ領域（５８
） （５１’）・・・毎（二分割された多面構造の傳１
ｎ」ｊＥＬ ４７１＋膜（４ａ）（４ｂ）・・・を形成
すると共ｔ−１（４・接１ｉ’＋ｊ士の透明導電膜（２
１１＞・・・と竺２火面電極ｆｌｓ−（４２ａ）・・・
とが重畳することにより各光電変１外角’４．ｌｊ二；
（５Ｂ）（５１・・・は電気的に直列接続される。使
用されるレーザはＮ ａ ： Ｙ Ａ Ｇレーザであり
、その時のエネルギ密度は５ｘ１ｏ’Ｗ／Ｐ！で、隣接
ｎ４Ｊ隔部（６１の距離（Ｌ ２ ）は約２０ 、ｚｒ
ｍ （二設定嵯する。
（へ）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかなυ１１、く、ｌ／−サ
ビームの除去工程（−於いて形成さハた半３１！、、（
制御、＜ｊａ）残留物をプラズマエツチング（二より排
βｒｌ′＋せしめたので、次工程で被層される電極膜と
の接着強度るで低下せしめることなく細密加工１生（二
富むと共にウェットプロセスを用いないレーザビームの
使用を可能ならしめることができ、特Ｃ二太陽電池の製
造に本発明を適用すること（二より光電変換領域の隣接
間隔部の距離を縮小し得、光電変換（二寄与する有効面
積の増大が図れる。更Ｃミ上記残留物のプラズマエツチ
ング時、予め半導体膜よ（二積層被着された電極膜がマ
スクとして作用し、上記半導体膜をエツチング（二対し
保護せしめることができる。
ビームの除去工程（−於いて形成さハた半３１！、、（
制御、＜ｊａ）残留物をプラズマエツチング（二より排
βｒｌ′＋せしめたので、次工程で被層される電極膜と
の接着強度るで低下せしめることなく細密加工１生（二
富むと共にウェットプロセスを用いないレーザビームの
使用を可能ならしめることができ、特Ｃ二太陽電池の製
造に本発明を適用すること（二より光電変換領域の隣接
間隔部の距離を縮小し得、光電変換（二寄与する有効面
積の増大が図れる。更Ｃミ上記残留物のプラズマエツチ
ング時、予め半導体膜よ（二積層被着された電極膜がマ
スクとして作用し、上記半導体膜をエツチング（二対し
保護せしめることができる。
第１図は従来の太陽電池を示す断面図、第２図乃至第５
図は従来の製造方法の工程別要部拡大断面図、＄６図乃
至第８図は本発明製造方法の工程別要部拡大断面図、乞
夫々示している。 （１）・・・基板、（３）（５ａ）（５ｂ）（！ｌ（り
・・・非晶質半導体膜、（４１（４１！Ｌ）（４１））
（４Ｃ）・・・裏面電極膜、（４１） （４１ａ ）
（４ｔ ｈ ） 、、、第１裏面電極膜、（４２）（４
２ａ）（４２ｂ）−＄２２裏電極膜、（５ａ）（５１）
）Ｃ５Ｑ）・・・光電変換領域、（７）・・・残留物。
図は従来の製造方法の工程別要部拡大断面図、＄６図乃
至第８図は本発明製造方法の工程別要部拡大断面図、乞
夫々示している。 （１）・・・基板、（３）（５ａ）（５ｂ）（！ｌ（り
・・・非晶質半導体膜、（４１（４１！Ｌ）（４１））
（４Ｃ）・・・裏面電極膜、（４１） （４１ａ ）
（４ｔ ｈ ） 、、、第１裏面電極膜、（４２）（４
２ａ）（４２ｂ）−＄２２裏電極膜、（５ａ）（５１）
）Ｃ５Ｑ）・・・光電変換領域、（７）・・・残留物。
Claims (1)
- （１） 複数の領域に連続して積層被着された半導体膜
及び電極膜を各領域毎Ｃ二分割すべくレーザビームの照
射（二より隣接間隔部Ｃ二位置する半導体膜及び電極膜
を同時（二除去すると共Ｃ二、該除去工程に於いて形成
された半導体膜の残留物をプラズマエツチングにより排
除することを特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116540A JPS607730A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116540A JPS607730A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607730A true JPS607730A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH053150B2 JPH053150B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=14689643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116540A Granted JPS607730A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 集積型光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066872A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| US7288739B2 (en) * | 2001-02-26 | 2007-10-30 | Sts Atl Corporation | Method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5191662A (ja) * | 1975-02-07 | 1976-08-11 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58116540A patent/JPS607730A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5191662A (ja) * | 1975-02-07 | 1976-08-11 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066872A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| US7288739B2 (en) * | 2001-02-26 | 2007-10-30 | Sts Atl Corporation | Method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053150B2 (ja) | 1993-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2004204637B2 (en) | Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method | |
| US4542578A (en) | Method of manufacturing photovoltaic device | |
| JP3653800B2 (ja) | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 | |
| CN102239571A (zh) | 薄膜光电变换装置的制造方法 | |
| JPS616828A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPS607730A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| AU2018253508A1 (en) | Solar cell and preparation method thereof | |
| JPH07105511B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2000277764A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP4201457B2 (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPS62205668A (ja) | 集積型太陽電池の製造方法 | |
| JPH0551190B2 (ja) | ||
| JPS59220978A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6095979A (ja) | 光電変換半導体装置作製方法 | |
| JPS60262471A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS61210683A (ja) | 集積型光起電力装置 | |
| JPS5935486A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2517226B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS601831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61164274A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6265480A (ja) | 薄膜太陽電池装置 | |
| JPH05299679A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0370184A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS61210681A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPH06232430A (ja) | 光起電力装置の製法 |