JPH0551190B2 - - Google Patents
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- JPH0551190B2 JPH0551190B2 JP60217656A JP21765685A JPH0551190B2 JP H0551190 B2 JPH0551190 B2 JP H0551190B2 JP 60217656 A JP60217656 A JP 60217656A JP 21765685 A JP21765685 A JP 21765685A JP H0551190 B2 JPH0551190 B2 JP H0551190B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は光照射を受けると起電力を発生する光
起電力装置の製造方法に関し、本発明により製造
された光起電力装置は特に電卓、腕時計、電子ゲ
ーム等の民生用小型電子機器の電源として用いら
れる。
起電力装置の製造方法に関し、本発明により製造
された光起電力装置は特に電卓、腕時計、電子ゲ
ーム等の民生用小型電子機器の電源として用いら
れる。
(ロ) 従来の技術
基板の絶縁表面に複数の発電領域を設けそれら
発電領域を電気的に直列接続した光起電力装置は
例えば特公昭58−21827号公報に開示された如く
既に知られており、上述の如き電卓等の民生用小
型電子機器の電源として実用化されている。斯る
先行技術に開示された光起電力装置の特徴は、複
数の発電領域を電気的に直列接続する構造にも拘
らず、光照射を受けると電子及び正孔の光キヤリ
アを発生する半導体光活性層を各個別の発電領域
毎に分割しなくても良いために、斯る半導体光活
性層のパターニングに微細な加工を必要としな
い。
発電領域を電気的に直列接続した光起電力装置は
例えば特公昭58−21827号公報に開示された如く
既に知られており、上述の如き電卓等の民生用小
型電子機器の電源として実用化されている。斯る
先行技術に開示された光起電力装置の特徴は、複
数の発電領域を電気的に直列接続する構造にも拘
らず、光照射を受けると電子及び正孔の光キヤリ
アを発生する半導体光活性層を各個別の発電領域
毎に分割しなくても良いために、斯る半導体光活
性層のパターニングに微細な加工を必要としな
い。
従つて、上記先行技術に開示された半導体光活
性層のパターニングは半導体光活性層の形成時
に、被着してはならないところをマスクで覆うマ
スキング法が用いられ、製造工程の簡略化を可能
とし、製造コストの低減に寄与していた。
性層のパターニングは半導体光活性層の形成時
に、被着してはならないところをマスクで覆うマ
スキング法が用いられ、製造工程の簡略化を可能
とし、製造コストの低減に寄与していた。
然し乍ら、斯るマスキング法は製造コストの低
減に寄与するものの、マスクを半導体光活性層の
形成時に支持基板に対して該光活性層が被着すべ
き所定箇所を露出せしめた状態で装着しなければ
ならず正確な位置決めが要求されるのみならず、
マスクが正確な位置に装着されたとしてもマスク
と支持基板表面との間に僅かながらも隙間が形成
されるために、斯る隙間に半導体材料が回り込み
半導体光活性層の周縁部分に上記半導体材料の回
り込みによる泌み出し部分が発生しパターン精度
の低下を招く。斯る半導体材料の回り込みは半導
体光活性層の形成時に加熱されたマスクが支持基
板との熱膨張係数の差や熱歪に基づき撓んだ際に
大きくなり、また半導体光活性層の膜層が薄いほ
ど回り込みによる影響は著しい。
減に寄与するものの、マスクを半導体光活性層の
形成時に支持基板に対して該光活性層が被着すべ
き所定箇所を露出せしめた状態で装着しなければ
ならず正確な位置決めが要求されるのみならず、
マスクが正確な位置に装着されたとしてもマスク
と支持基板表面との間に僅かながらも隙間が形成
されるために、斯る隙間に半導体材料が回り込み
半導体光活性層の周縁部分に上記半導体材料の回
り込みによる泌み出し部分が発生しパターン精度
の低下を招く。斯る半導体材料の回り込みは半導
体光活性層の形成時に加熱されたマスクが支持基
板との熱膨張係数の差や熱歪に基づき撓んだ際に
大きくなり、また半導体光活性層の膜層が薄いほ
ど回り込みによる影響は著しい。
一方、半導体光活性層のパターニングに、微細
加工に富むフオトリソグラフイ法を用いれば、マ
スギング法の持つ半導体材料の回り込みによる泌
み出し部分の発生はなくなるものの、工程が煩雑
となり製造コストの上昇の原因となるために、低
廉価が要求される民生用小型電子機器の電源とし
て用いられる光起電力装置の製造には不向きであ
る。
加工に富むフオトリソグラフイ法を用いれば、マ
スギング法の持つ半導体材料の回り込みによる泌
み出し部分の発生はなくなるものの、工程が煩雑
となり製造コストの上昇の原因となるために、低
廉価が要求される民生用小型電子機器の電源とし
て用いられる光起電力装置の製造には不向きであ
る。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
本発明製造方法は複数の発電領域を電気的に直
列接続した光起電力装置に於いて、半導体光活性
層を各個別の発電領域毎に分割することなく、斯
る光活性層のパターニングに従来のマスキング法
やリソグラフイ法の持つ欠点を解決しようとする
ものである。
列接続した光起電力装置に於いて、半導体光活性
層を各個別の発電領域毎に分割することなく、斯
る光活性層のパターニングに従来のマスキング法
やリソグラフイ法の持つ欠点を解決しようとする
ものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明製造方法は上記問題点を解決すべく、基
板の絶縁表面に複数の発電領域毎に、該発電領域
から基板の同一周縁に向かつて延出した延長部分
を有する第１電極膜を分割配置し、この第１電極
膜及びその延長部分を含んで上記基板の絶縁表面
のほぼ全面に半導体光活性層を設けた後、上記第
１電極膜の延長部分を覆つている半導体光活性層
部分に、一端の第１電極膜の延長部分から他端の
第１電極膜の延長部分までの延長部分の整列方向
に沿つて連続的かつ直線的にエネルギービームを
照射し、照射部分の半導体光活性層部分を除去し
て、上記第１電極膜の延長部分の少なくとも一部
分を露出せしめ、次いで当該露出した一端の第１
電極膜の延長部分を除く第１電極膜の延長部分
に、隣接した発電領域の半導体光活性層上に被着
された第２電極膜の延長部分を結合して隣接した
発電領域を電気的に直列接続すると共に、一端の
第１電極膜の延長部分及び他端の第２電極膜の延
長部分より出力を取り出す出力取出部を形成する
ことを特徴とする。
板の絶縁表面に複数の発電領域毎に、該発電領域
から基板の同一周縁に向かつて延出した延長部分
を有する第１電極膜を分割配置し、この第１電極
膜及びその延長部分を含んで上記基板の絶縁表面
のほぼ全面に半導体光活性層を設けた後、上記第
１電極膜の延長部分を覆つている半導体光活性層
部分に、一端の第１電極膜の延長部分から他端の
第１電極膜の延長部分までの延長部分の整列方向
に沿つて連続的かつ直線的にエネルギービームを
照射し、照射部分の半導体光活性層部分を除去し
て、上記第１電極膜の延長部分の少なくとも一部
分を露出せしめ、次いで当該露出した一端の第１
電極膜の延長部分を除く第１電極膜の延長部分
に、隣接した発電領域の半導体光活性層上に被着
された第２電極膜の延長部分を結合して隣接した
発電領域を電気的に直列接続すると共に、一端の
第１電極膜の延長部分及び他端の第２電極膜の延
長部分より出力を取り出す出力取出部を形成する
ことを特徴とする。
(ホ) 作用
上述の如く、基板の絶縁表面のほぼ全面に半導
体光活性層を設けた後、第１電極膜の延長部分を
覆つている半導体光活性層部分に、上記延長部分
の整列方向に沿つて連続的かつ直線的にエネルギ
ービームを照射することによつて、照射部分の半
導体光活性部分を除去し得、直列接続のための第
１電極膜の延長部分の少なくとも一部分が露出せ
しめられる。
体光活性層を設けた後、第１電極膜の延長部分を
覆つている半導体光活性層部分に、上記延長部分
の整列方向に沿つて連続的かつ直線的にエネルギ
ービームを照射することによつて、照射部分の半
導体光活性部分を除去し得、直列接続のための第
１電極膜の延長部分の少なくとも一部分が露出せ
しめられる。
(ヘ) 実施例
第１図乃至第４図は本発明製造方法を説明する
ためのものであつて、先ず第１図の工程では、ガ
ラス、セラミツク、高分子フイルム等の絶縁材料
からなる長方形状の基板１の一方の主面１ａにそ
の主面１ａの長辺方向に整列して複数の発電領域
２ａ〜２ｄを区画すべき第１電極膜３ａ〜３ｄが
分割配置される。斯る第１電極膜３ａ〜３ｄは、
基板１を受光面側とするとき、酸化インジウム錫
（ITO）や酸化錫（SnO2）に代表される透光性導
電酸化物（TCO）の単層、或いは積層構造であ
り、基板１を背面側とするとき、アルミニウム
（Al）、チタン銀合金（TiAg）、銀（Ag）の金属
からなる単層、或いは積層構造、更には斯る金属
層の表面を上記TCOで被覆した積層構造を持つ
と共に、基板１の長辺の一方の周縁に向つて延出
した延長部分３ae〜３deが設けられ、右隣りに
分割された第１電極膜３ｂ〜３ｄのある第１電極
膜３ａ〜３ｃの延長部分３ae〜３deは、右隣り
の第１電極膜３ｂ〜３ｄに向つて屈曲したＬ字状
にパターニングされている。
ためのものであつて、先ず第１図の工程では、ガ
ラス、セラミツク、高分子フイルム等の絶縁材料
からなる長方形状の基板１の一方の主面１ａにそ
の主面１ａの長辺方向に整列して複数の発電領域
２ａ〜２ｄを区画すべき第１電極膜３ａ〜３ｄが
分割配置される。斯る第１電極膜３ａ〜３ｄは、
基板１を受光面側とするとき、酸化インジウム錫
（ITO）や酸化錫（SnO2）に代表される透光性導
電酸化物（TCO）の単層、或いは積層構造であ
り、基板１を背面側とするとき、アルミニウム
（Al）、チタン銀合金（TiAg）、銀（Ag）の金属
からなる単層、或いは積層構造、更には斯る金属
層の表面を上記TCOで被覆した積層構造を持つ
と共に、基板１の長辺の一方の周縁に向つて延出
した延長部分３ae〜３deが設けられ、右隣りに
分割された第１電極膜３ｂ〜３ｄのある第１電極
膜３ａ〜３ｃの延長部分３ae〜３deは、右隣り
の第１電極膜３ｂ〜３ｄに向つて屈曲したＬ字状
にパターニングされている。
第２図の工程では、上記第１電極膜３ａ〜３ｄ
及びその延長部分３ae〜３deを含んで上記基板
１の絶縁表面のほぼ全面にSiH4、SiF4のシリコ
ン化合物ガスを主原料ガスとするプラズマCVD
法或いは光CVD法により、アモルフアスシリコ
ン、アモルフアスシリコンカーバイド、アモルフ
アスシリコンゲルマニウム、微結晶シリコン等を
適宜各層に配置したPin接合型、Pn接合型、Pi接
合型、或いはそれらのタンデム構造の半導体光活
性層４が形成される。
及びその延長部分３ae〜３deを含んで上記基板
１の絶縁表面のほぼ全面にSiH4、SiF4のシリコ
ン化合物ガスを主原料ガスとするプラズマCVD
法或いは光CVD法により、アモルフアスシリコ
ン、アモルフアスシリコンカーバイド、アモルフ
アスシリコンゲルマニウム、微結晶シリコン等を
適宜各層に配置したPin接合型、Pn接合型、Pi接
合型、或いはそれらのタンデム構造の半導体光活
性層４が形成される。
第３図の工程では、レーザビームや電子ビーム
の如きエネルギビームを用いて半導体光活性層４
により覆われ、その下層に位置している第１電極
膜３ａ〜３ｄの延長部分３ae〜３deの少なくと
も一部分を、特に本実施例にあつては露出長を大
きくするためにＬ字状の底辺を露出せしめる。使
用されるエネルギビーム源は波長1.06μｍのレー
ザビームを発するＱスイツチ付Nd：YAGレーザ
が適当であり、上記延長部分３ae〜３deの整列
方向に沿つてパルス繰り返し周波数１〜10KHz、
パワー密度２×107W／cm2、走査速度10〜100mm／
secの条件でパルス的に照射される。斯るレーザ
ビームの１回の走査による照射によつて、幅100
〜200μｍの半導体光活性層部分４′が除去され
る。従つて、要求される除去幅に応じて走査回数
や、エネルギ密度が決定される。
の如きエネルギビームを用いて半導体光活性層４
により覆われ、その下層に位置している第１電極
膜３ａ〜３ｄの延長部分３ae〜３deの少なくと
も一部分を、特に本実施例にあつては露出長を大
きくするためにＬ字状の底辺を露出せしめる。使
用されるエネルギビーム源は波長1.06μｍのレー
ザビームを発するＱスイツチ付Nd：YAGレーザ
が適当であり、上記延長部分３ae〜３deの整列
方向に沿つてパルス繰り返し周波数１〜10KHz、
パワー密度２×107W／cm2、走査速度10〜100mm／
secの条件でパルス的に照射される。斯るレーザ
ビームの１回の走査による照射によつて、幅100
〜200μｍの半導体光活性層部分４′が除去され
る。従つて、要求される除去幅に応じて走査回数
や、エネルギ密度が決定される。
尚、斯るレーザビームの照射による半導体光活
性層の除去自体は、例えば特開昭57−12568号公
報等に開示された如く既に知られているが、除去
される半導体光活性層は複数の発電領域が互いに
隣り合う隣接間隔部分であり、本実施例の如く４
つの発電領域２ａ〜２ｄを持つ光起電力装置にあ
つては各々の隣接間隔部分について最低３回レー
ザビームを照射しなければならないのに対し、露
出すべき延長部分３ae〜３deを一方的に整列配
置することによつて、最低１回のレーザビームの
照射で良い。
性層の除去自体は、例えば特開昭57−12568号公
報等に開示された如く既に知られているが、除去
される半導体光活性層は複数の発電領域が互いに
隣り合う隣接間隔部分であり、本実施例の如く４
つの発電領域２ａ〜２ｄを持つ光起電力装置にあ
つては各々の隣接間隔部分について最低３回レー
ザビームを照射しなければならないのに対し、露
出すべき延長部分３ae〜３deを一方的に整列配
置することによつて、最低１回のレーザビームの
照射で良い。
第４図の最終工程では、各発電領域２ａ〜２ｄ
の第１電極膜３ａ〜３ｄと隣接間隔部分が除去さ
れることなく連続した半導体光活性層４を挾んで
この面を受光面とするとき上記TCOからなり、
基板１を受光面とするとき上記Al、TiAg等の金
属からなる第２電極膜５ａ〜５ｄが対向配置され
ると共に、該第２電極膜５ａ〜５ｄの内、左隣に
発電領域２ａ〜２ｃが存在するもの５ｂ〜５ｄは
上記第３図のレーザビームの照射により露出した
第１電極膜３ａ〜３ｃの延長部分３ae〜３ceと
結合すべく、基板１の長辺の一方の周縁に向つて
延出し逆Ｌ字状に屈曲した延長部分５be〜５de
を持つ。斯る第１電極板３ａ〜３ｃのＬ字状延長
部分３ae〜３ceの底辺と、第２電極膜５ｂ〜５
ｄの逆Ｌ字状延長部分５be〜５deの底辺との結
合によつて、４つの発電領域２ａ〜２ｄは電気的
に直列接続されると共に、右端の第２電極膜５ａ
の延長部分５aeと、左端の第１電極膜３ｄの延
長部分３deとからなる出力取出部が形成される。
そして、発電領域２ａ〜２ｄの直列出力は、これ
ら出力取出部から導出される。
の第１電極膜３ａ〜３ｄと隣接間隔部分が除去さ
れることなく連続した半導体光活性層４を挾んで
この面を受光面とするとき上記TCOからなり、
基板１を受光面とするとき上記Al、TiAg等の金
属からなる第２電極膜５ａ〜５ｄが対向配置され
ると共に、該第２電極膜５ａ〜５ｄの内、左隣に
発電領域２ａ〜２ｃが存在するもの５ｂ〜５ｄは
上記第３図のレーザビームの照射により露出した
第１電極膜３ａ〜３ｃの延長部分３ae〜３ceと
結合すべく、基板１の長辺の一方の周縁に向つて
延出し逆Ｌ字状に屈曲した延長部分５be〜５de
を持つ。斯る第１電極板３ａ〜３ｃのＬ字状延長
部分３ae〜３ceの底辺と、第２電極膜５ｂ〜５
ｄの逆Ｌ字状延長部分５be〜５deの底辺との結
合によつて、４つの発電領域２ａ〜２ｄは電気的
に直列接続されると共に、右端の第２電極膜５ａ
の延長部分５aeと、左端の第１電極膜３ｄの延
長部分３deとからなる出力取出部が形成される。
そして、発電領域２ａ〜２ｄの直列出力は、これ
ら出力取出部から導出される。
尚、第１電極膜３ａ〜３ｃと第２電極膜５ｂ〜
５ｄとの直列接続は、Ｌ字状或いは逆Ｌ字状の延
長部分３ae〜３ce或いは５be〜５deの底辺同士
を結合することによつて、半導体光活性層４の除
去幅が狭くとも第１電極膜３ａ〜３ｃの延長部分
３ae〜３ceの露出長を大きくすることができる
ので、結合面積の減少による電力損失を可及的に
抑圧することができる。
５ｄとの直列接続は、Ｌ字状或いは逆Ｌ字状の延
長部分３ae〜３ce或いは５be〜５deの底辺同士
を結合することによつて、半導体光活性層４の除
去幅が狭くとも第１電極膜３ａ〜３ｃの延長部分
３ae〜３ceの露出長を大きくすることができる
ので、結合面積の減少による電力損失を可及的に
抑圧することができる。
(ト) 発明の効果
本発明製造方法は以上の説明から明らかな如
く、基板の同一周縁に向うて第１電極膜から延出
した延長部分を覆う半導体光活性層部分は、その
延長部分の整列方法に沿つて連続的かつ直線的に
エネルギービームが照射されることによつて、従
来の如くマスクを使用したり、フオトリソグラフ
イ法を使用することなく除去されるので、煩雑な
工程を経ずに直列接続のための第１電極膜の延長
部分の少なくとも一部分を露出せしめることがで
きる。
く、基板の同一周縁に向うて第１電極膜から延出
した延長部分を覆う半導体光活性層部分は、その
延長部分の整列方法に沿つて連続的かつ直線的に
エネルギービームが照射されることによつて、従
来の如くマスクを使用したり、フオトリソグラフ
イ法を使用することなく除去されるので、煩雑な
工程を経ずに直列接続のための第１電極膜の延長
部分の少なくとも一部分を露出せしめることがで
きる。
加えて、直列接続するための第１電極膜の延長
部分の少なくとも一部分を露出するための工程と
同工程で、出力を取り出すための一端の第１電極
膜の延長部分の露出をも行うことができ、製造工
程を非常に簡略化できる。
部分の少なくとも一部分を露出するための工程と
同工程で、出力を取り出すための一端の第１電極
膜の延長部分の露出をも行うことができ、製造工
程を非常に簡略化できる。
第１図乃至第４図は本発明製造方法を工程別に
示す平面図であつて、１は基板、２ａ〜２ｄは発
電領域、３ａ〜３ｄは第１電極膜、３ae〜３de
は第１電極膜３ａ〜３ｄの延長部分、４は半導体
光活性層、５ａ〜５ｄは第２電極膜、５ae〜５
deは第２電極膜、５ａ〜５ｄの延長部分。
示す平面図であつて、１は基板、２ａ〜２ｄは発
電領域、３ａ〜３ｄは第１電極膜、３ae〜３de
は第１電極膜３ａ〜３ｄの延長部分、４は半導体
光活性層、５ａ〜５ｄは第２電極膜、５ae〜５
deは第２電極膜、５ａ〜５ｄの延長部分。
Claims (1)
- １ 基板の絶縁表面に複数の発電領域毎に、該発
電領域から基板の同一周縁に向かつて延出した延
長部分を有する第１電極膜を分割配置し、この第
１電極膜及びその延長部分を含んで上記基板の絶
縁表面のほぼ全面に半導体光活性層を設けた後、
上記第１電極膜の延長部分を覆つている半導体光
活性層部分に、一端の第１電極膜の延長部分から
他端の第１電極膜の延長部分までの延長部分の整
列方向に沿つて連続的かつ直線的にエネルギービ
ームを照射し、照射部分の半導体光活性層部分を
除去して、上記第１電極膜の延長部分の少なくと
も一部分を露出せしめ、次いで当該露出した一端
の第１電極膜の延長部分を除く第１電極膜の延長
部分に、隣接した発電領域の半導体光活性層上に
被着された第２電極膜の延長部分を結合して隣接
した発電領域を電気的に直列接続すると共に、一
端の第１電極膜の延長部分及び他端の第２電極膜
の延長部分より出力を取り出す出力取出部を形成
することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217656A JPS6276786A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217656A JPS6276786A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276786A JPS6276786A (ja) | 1987-04-08 |
| JPH0551190B2 true JPH0551190B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=16707664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217656A Granted JPS6276786A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276786A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232176A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Kyocera Corp | 光起電力装置 |
| JPH07105510B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-11-13 | 京セラ株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS62259479A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-11-11 | Kyocera Corp | 光起電力装置 |
| JPH0193174A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2877328B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1999-03-31 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107276A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
| JPS5712568A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-22 | Rca Corp | Method of producing solar battery |
| JPS5976480A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217656A patent/JPS6276786A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107276A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
| JPS5712568A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-22 | Rca Corp | Method of producing solar battery |
| JPS5976480A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6276786A (ja) | 1987-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |