JPS6225466A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS6225466A JPS6225466A JP60165113A JP16511385A JPS6225466A JP S6225466 A JPS6225466 A JP S6225466A JP 60165113 A JP60165113 A JP 60165113A JP 16511385 A JP16511385 A JP 16511385A JP S6225466 A JPS6225466 A JP S6225466A
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- Japan
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- electrodes
- electrode
- layer
- amorphous
- solar cell
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は太陽電池の製造方法に関するものである０
従来の技術
第３図は非晶質半導体材料を使用した従来から提案され
ている太陽電池の典型的な例であって、同図ａ、ｂは構
造断面図、平面図をそれぞれ示す。
ている太陽電池の典型的な例であって、同図ａ、ｂは構
造断面図、平面図をそれぞれ示す。
図中３１は光透過性の給→セ台絶縁性基板、３２は光透
過性の導電電極から成る第１電極、３３は非晶質Ｓｉ
材料からなる光導電性半導体層、３４はアルミニウム、
チタンなどの金属電極からなる第２電極である。これら
については特開昭５６−１０７２７６号に詳細に記載さ
れている。
過性の導電電極から成る第１電極、３３は非晶質Ｓｉ
材料からなる光導電性半導体層、３４はアルミニウム、
チタンなどの金属電極からなる第２電極である。これら
については特開昭５６−１０７２７６号に詳細に記載さ
れている。
発明が解決しようとする問題点
この構成において特に光透過性の絶縁性基板３１上に形
成する第１電極３２は、それぞれ所定のパターン状に独
立分離させる為に電極形成時にメタルマスクを使用する
か、又は電極形成後にホトエソチング工程によりパター
ン状にする方法で形成されていり。シかしパターン精度
が６０ミクロン以下の高精度が要求される場合にはメタ
ルマスク法では精度が得られないので、ホトエソチング
工程が採られていた。
成する第１電極３２は、それぞれ所定のパターン状に独
立分離させる為に電極形成時にメタルマスクを使用する
か、又は電極形成後にホトエソチング工程によりパター
ン状にする方法で形成されていり。シかしパターン精度
が６０ミクロン以下の高精度が要求される場合にはメタ
ルマスク法では精度が得られないので、ホトエソチング
工程が採られていた。
即ち、従来法のメタルマスク法やホトエツチング法によ
る加工上の精度の問題や工程上の煩雑さの問題点を有し
ていた。本発明は絶縁基板上の全面に第１電極を形成し
たのちに非晶質Ｓｉ半導体層及び第２電極を順次形成し
、そして切削手段により複数個の独立した発電区域を有
する太陽電池をつくり、外部リード線により、第１電極
、第２電極を交互に接続することにより、太陽電池を電
気的に直列関係になるように接続することにより、従来
のパターン形成における煩雑さ及び精度上の問題を解決
することを目的とする。
る加工上の精度の問題や工程上の煩雑さの問題点を有し
ていた。本発明は絶縁基板上の全面に第１電極を形成し
たのちに非晶質Ｓｉ半導体層及び第２電極を順次形成し
、そして切削手段により複数個の独立した発電区域を有
する太陽電池をつくり、外部リード線により、第１電極
、第２電極を交互に接続することにより、太陽電池を電
気的に直列関係になるように接続することにより、従来
のパターン形成における煩雑さ及び精度上の問題を解決
することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点の解決法として従来から使用されて
いたメタルマスク法やホトエツチング法による加工技術
を用いて発電区域を互いに独立分離させ、かつ電気的に
直列関係になるように接続するものとは異なっ友方法、
即ち、第１電極、非晶質質Ｓｉ半導体層及び第２電極を
ストライプ状に形成し、かつ第１電極と第２電極とが互
いに直接接続しないように形成した後に、切削手段によ
り、従来よりも高精度に複数個の独立した発電区域にな
るように分離する。そして次に外部からのリード線材は
又は予めシート上に印刷し次パターン状のリード線によ
り、第１電極と第２電極がそれぞれ又互に直列接続され
るように結線することを特徴としたものである。
いたメタルマスク法やホトエツチング法による加工技術
を用いて発電区域を互いに独立分離させ、かつ電気的に
直列関係になるように接続するものとは異なっ友方法、
即ち、第１電極、非晶質質Ｓｉ半導体層及び第２電極を
ストライプ状に形成し、かつ第１電極と第２電極とが互
いに直接接続しないように形成した後に、切削手段によ
り、従来よりも高精度に複数個の独立した発電区域にな
るように分離する。そして次に外部からのリード線材は
又は予めシート上に印刷し次パターン状のリード線によ
り、第１電極と第２電極がそれぞれ又互に直列接続され
るように結線することを特徴としたものである。
作 用
これらの手段により製作した太陽電池は従来例の方法よ
り簡単な工程により製作でき、かつ高精度のバターニン
グ加工も可能になる。
り簡単な工程により製作でき、かつ高精度のバターニン
グ加工も可能になる。
実施例
第１図、第２図は本発明の実施列における太陽電池を示
す図であって、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ平面図、ｂはａの
Ａ −Ａ’線に沿った断面図、側面図を示す。透光性の
絶縁性基板１１上に第１電極１２をストライプ状に全面
形成する。形成材料はアルミ、チタン、クロムなどの金
属又は酸化錫、酸化インジウムなどの透光性導電膜であ
り、通常電子ビーム蒸着法により形成可能である。次に
非晶質Ｓｉ 半導体層１３を第１電極１２上に端面の一
部を除外し几全面にストライプ状に形成する。その形成
方法は通常のプラズマＣＶＤ法により、シラン、ジボラ
ン、ホスフィンなどのガスを適当に混合して、ｐ型非晶
質Ｓｔ半導体、ｉ空弁晶質Ｓｔ半導体、ｎ空弁晶質Ｓｔ
半導体からなるｐ−１−ｎ３層構造にする。次に第２電
罹１４を、非晶質Ｓｉ半導体層１３上に両端面の一部を
除外し、かつ第１電極１２と直接接続しないように形成
する。形成材料及び方法は上記第１電極と同様であるが
、第１電極が光反射性の金属電極（アルミ、チタン。
す図であって、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ平面図、ｂはａの
Ａ −Ａ’線に沿った断面図、側面図を示す。透光性の
絶縁性基板１１上に第１電極１２をストライプ状に全面
形成する。形成材料はアルミ、チタン、クロムなどの金
属又は酸化錫、酸化インジウムなどの透光性導電膜であ
り、通常電子ビーム蒸着法により形成可能である。次に
非晶質Ｓｉ 半導体層１３を第１電極１２上に端面の一
部を除外し几全面にストライプ状に形成する。その形成
方法は通常のプラズマＣＶＤ法により、シラン、ジボラ
ン、ホスフィンなどのガスを適当に混合して、ｐ型非晶
質Ｓｔ半導体、ｉ空弁晶質Ｓｔ半導体、ｎ空弁晶質Ｓｔ
半導体からなるｐ−１−ｎ３層構造にする。次に第２電
罹１４を、非晶質Ｓｉ半導体層１３上に両端面の一部を
除外し、かつ第１電極１２と直接接続しないように形成
する。形成材料及び方法は上記第１電極と同様であるが
、第１電極が光反射性の金属電極（アルミ、チタン。
クロムなど）の場合は、第２電極を透光性導電膜により
形成する。これらの方法により絶縁基板上にｐ ＋１
ｉ ｅ ｎ非晶質Ｓｉ 太陽電池が製作できるが、各工
程における形成するパターンは特別に加工されたメタル
マスクやホトエツチング法程によるパターン出しが必要
でなく、単純にストライプ状に順次形成する工程により
可能である。次に上記方法により形成したストライプ状
の太陽電池を複数個に独立分離させる几めに、レーザー
による切削加工を行なう。レーザーはＹＡＧレーザーを
使用し、切削部は第２電極１４．非晶質Ｓｉ半導体層１
３及び第１電極１２にまたがるものとする。レーザービ
ームを小さくすることにより、互いに独立分離させる線
幅を６〜１０ミクロン程度にすることができる。第２図
ａ、ｂ、ｃはレーザーにより切削し九太陽電池の平面図
、ａのＡ −Ａ’線に沿った断面図、側面図をそれぞれ
示す。同図において２５はレーザーにより切削除去し友
線幅を示す。
形成する。これらの方法により絶縁基板上にｐ ＋１
ｉ ｅ ｎ非晶質Ｓｉ 太陽電池が製作できるが、各工
程における形成するパターンは特別に加工されたメタル
マスクやホトエツチング法程によるパターン出しが必要
でなく、単純にストライプ状に順次形成する工程により
可能である。次に上記方法により形成したストライプ状
の太陽電池を複数個に独立分離させる几めに、レーザー
による切削加工を行なう。レーザーはＹＡＧレーザーを
使用し、切削部は第２電極１４．非晶質Ｓｉ半導体層１
３及び第１電極１２にまたがるものとする。レーザービ
ームを小さくすることにより、互いに独立分離させる線
幅を６〜１０ミクロン程度にすることができる。第２図
ａ、ｂ、ｃはレーザーにより切削し九太陽電池の平面図
、ａのＡ −Ａ’線に沿った断面図、側面図をそれぞれ
示す。同図において２５はレーザーにより切削除去し友
線幅を示す。
このようにレーザーによる切削加工により太陽電池を複
数個製作した後に、隣接する各太陽電池の第１電極２２
．第２電甑２４を交互にリード線を半田付けにより接続
するか、予めシート上にカーボン電極を印刷し定パター
ン状のリード線により熱圧着などの方法により接続する
ことで、電気的に直列関係になるように結線することが
可能である。
数個製作した後に、隣接する各太陽電池の第１電極２２
．第２電甑２４を交互にリード線を半田付けにより接続
するか、予めシート上にカーボン電極を印刷し定パター
ン状のリード線により熱圧着などの方法により接続する
ことで、電気的に直列関係になるように結線することが
可能である。
本発明の実施例では透光性の絶縁性基板について説明し
たが、不透明絶縁性基板でも可能である。
たが、不透明絶縁性基板でも可能である。
さらに非晶質半導体材料として非晶質Ｓｔについて説明
したが、非晶質Ｇｏ材料でも可能であるし、他の光導電
性を呈示する薄膜材料例えばＣｄＳ、Ｃｄ。
したが、非晶質Ｇｏ材料でも可能であるし、他の光導電
性を呈示する薄膜材料例えばＣｄＳ、Ｃｄ。
Ｔｅ などでも可能である。
発明の効果
以上のように本発明によれば太陽電池の製造方法におい
て、工程の簡略化と高精度化が可能になると共に、絶縁
性基板上に予め複数個の太陽電池を形成するので、個々
の太陽電池を直列に並べる工程が不要となり、工程上の
煩雑さを防止できるなど太陽電池の製作上において利点
が大きい。
て、工程の簡略化と高精度化が可能になると共に、絶縁
性基板上に予め複数個の太陽電池を形成するので、個々
の太陽電池を直列に並べる工程が不要となり、工程上の
煩雑さを防止できるなど太陽電池の製作上において利点
が大きい。
第１図は本発明における太陽電池を示しとは平面図、ｂ
はａのＡ −Ａ’線に沿った断面図、Ｃは側面図であり
、第２図はレーザーにより切削した太陽電池を示し、ａ
は平面図、ｂはａのＡ −Ａ’線に沿った断面図、Ｃは
側面図であり、第３図は従来例を示す図でａ、ｂはそれ
ぞれ平面図、断面図である。 １１．２１・・・・・・絶縁性基板、１２．２２・・・
・・・第１電極、１３．２３・・・・・・非晶質Ｓｔ半
導体、１４゜２４・・・・・・第２電極、２６・・・・
・レーザーによる切削線幅。 代理人の氏名 弁理士 中 電歇 男 ほか１名１ｆ−
一一肥橡堀基板 第３図 （０Ｌ）
はａのＡ −Ａ’線に沿った断面図、Ｃは側面図であり
、第２図はレーザーにより切削した太陽電池を示し、ａ
は平面図、ｂはａのＡ −Ａ’線に沿った断面図、Ｃは
側面図であり、第３図は従来例を示す図でａ、ｂはそれ
ぞれ平面図、断面図である。 １１．２１・・・・・・絶縁性基板、１２．２２・・・
・・・第１電極、１３．２３・・・・・・非晶質Ｓｔ半
導体、１４゜２４・・・・・・第２電極、２６・・・・
・レーザーによる切削線幅。 代理人の氏名 弁理士 中 電歇 男 ほか１名１ｆ−
一一肥橡堀基板 第３図 （０Ｌ）
Claims (1)
- 絶縁性基板上に複数個の発電区域を有する太陽電池を電
気的に直列関係となるように形成する際に、第１電極層
上に非晶質半導体層を設け、更にその上に第２電極層を
形成し、切削手段により複数個の独立した発電区域を形
成した後に、それぞれの電極間を電気的に直列接続する
ことを特徴とした太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165113A JPS6225466A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165113A JPS6225466A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225466A true JPS6225466A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15806153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165113A Pending JPS6225466A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225466A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087214A (en) * | 1991-05-21 | 1992-02-11 | United Technologies Automotive, Inc. | Battery terminal connector |
| JP2002124246A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Ryosei Electro-Circuit Systems Ltd | バッテリ用接続端子及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60165113A patent/JPS6225466A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087214A (en) * | 1991-05-21 | 1992-02-11 | United Technologies Automotive, Inc. | Battery terminal connector |
| JP2002124246A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Ryosei Electro-Circuit Systems Ltd | バッテリ用接続端子及びその製造方法 |
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