JPH0449272B2 - - Google Patents
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- JPH0449272B2 JPH0449272B2 JP58046387A JP4638783A JPH0449272B2 JP H0449272 B2 JPH0449272 B2 JP H0449272B2 JP 58046387 A JP58046387 A JP 58046387A JP 4638783 A JP4638783 A JP 4638783A JP H0449272 B2 JPH0449272 B2 JP H0449272B2
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
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- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は光エネルギを直接電気エネルギに変換
する光起電力装置の製造方法に関する。
する光起電力装置の製造方法に関する。
(ロ) 従来技術
この種光起電力装置に於いて、その光感応層に
非晶質シリコンの如き非晶質半導体を半導体膜と
して用いたものは既に知られている。
非晶質シリコンの如き非晶質半導体を半導体膜と
して用いたものは既に知られている。
第１図は、上記非晶質半導体膜を用いた従来の
光起電力装置を示し、１はガラス・耐熱プラスチ
ツク等の絶縁性且つ透光性を有する基板、２ａ，
２ｂ，２ｃ…は基板１上に一定間隔で被着された
透明導電膜、３ａ，３ｂ，３ｃ…は各透明導電膜
上に重畳被着された非晶質半導体膜、４ａ，４
ｂ，４ｃ…は各非晶質半導体膜上に重畳被着さ
れ、かつ各右隣りの透明導電膜２ｂ，２ｃ…に部
分的に重畳せる裏面電極膜である。
光起電力装置を示し、１はガラス・耐熱プラスチ
ツク等の絶縁性且つ透光性を有する基板、２ａ，
２ｂ，２ｃ…は基板１上に一定間隔で被着された
透明導電膜、３ａ，３ｂ，３ｃ…は各透明導電膜
上に重畳被着された非晶質半導体膜、４ａ，４
ｂ，４ｃ…は各非晶質半導体膜上に重畳被着さ
れ、かつ各右隣りの透明導電膜２ｂ，２ｃ…に部
分的に重畳せる裏面電極膜である。
各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…は、その
内部に例えば膜面に平行なPIN接合を含み、従つ
て透明基板１及び透明導電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…
を順次介して光入射があると、光起電力を発生す
る。各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…内で発
生した光起電力は裏面電極膜４ａ，４ｂ，４ｃで
の接続により直列的に相加される。
内部に例えば膜面に平行なPIN接合を含み、従つ
て透明基板１及び透明導電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…
を順次介して光入射があると、光起電力を発生す
る。各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…内で発
生した光起電力は裏面電極膜４ａ，４ｂ，４ｃで
の接続により直列的に相加される。
この様な装置において、光利用効率を左右する
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する非晶質半導
体膜３ａ，３ｂ，３ｃの総面積の占める割合いで
ある。然るに、各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃ…の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体の
ない領域（図中符号NONで示す領域）は上記面
積割合いを低下させる。
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する非晶質半導
体膜３ａ，３ｂ，３ｃの総面積の占める割合いで
ある。然るに、各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃ…の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体の
ない領域（図中符号NONで示す領域）は上記面
積割合いを低下させる。
従つて光利用効率を向上するには、まず透明導
電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔を小さくし、
そして非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…の隣接
間隔を小さくせねばならない。
電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔を小さくし、
そして非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…の隣接
間隔を小さくせねばならない。
この様な間隔縮少は各膜の加工精度で決まり、
従つて、従来は細密加工性に優れている写真蝕刻
技術が用いられている。この技術による場合、基
板１上全面への透明導電膜の被着工程と、フオト
レジスト及びエツチングによる各個別の透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の分離、即ち、各透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔部分の除去工程
と、これら各透明導電膜上を含む基板１上全面へ
の非晶質半導体膜の被着工程と、フオトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ，３ｃ…の分離、即ち、各非晶質半導体
膜３ａ，３ｂ，３ｃの隣接間隔部分の除去工程と
を順次経ることになる。
従つて、従来は細密加工性に優れている写真蝕刻
技術が用いられている。この技術による場合、基
板１上全面への透明導電膜の被着工程と、フオト
レジスト及びエツチングによる各個別の透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の分離、即ち、各透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔部分の除去工程
と、これら各透明導電膜上を含む基板１上全面へ
の非晶質半導体膜の被着工程と、フオトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ，３ｃ…の分離、即ち、各非晶質半導体
膜３ａ，３ｂ，３ｃの隣接間隔部分の除去工程と
を順次経ることになる。
しかし乍ら、写真蝕刻技術は細密加工の上で優
れてはいるが、蝕刻パターンを規定するフオトレ
ジストのビンホールや周縁での剥れにより非晶質
半導体膜に欠陥を生じさせやすい。
れてはいるが、蝕刻パターンを規定するフオトレ
ジストのビンホールや周縁での剥れにより非晶質
半導体膜に欠陥を生じさせやすい。
特開昭57−12568号公報に開示された先行技術
は、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上
記隣接間隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で
必要なフオトレジストを一切使わず細密加工性に
富むその技法は上記の課題を解決する上で極めて
有効である。
は、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上
記隣接間隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で
必要なフオトレジストを一切使わず細密加工性に
富むその技法は上記の課題を解決する上で極めて
有効である。
レーザ使用の際に留意すべきことは、焼き切ら
んとする膜部分の下に他の膜が存在しておれば、
それに損傷を与えないことである。さもなけれ
ば、目的の膜部分を焼き切つた上、必要としない
下の膜まで焼き切つてしまう。上記先行技術は、
この要求を満すために、レーザ出力やパルス周波
数を各膜に対して選択することを提案している。
んとする膜部分の下に他の膜が存在しておれば、
それに損傷を与えないことである。さもなけれ
ば、目的の膜部分を焼き切つた上、必要としない
下の膜まで焼き切つてしまう。上記先行技術は、
この要求を満すために、レーザ出力やパルス周波
数を各膜に対して選択することを提案している。
しかし乍ら、レーザ出力やパルス周波数の安定
化を図ることは困難であり、従つてこの種の装置
に於ける各膜の厚みが通常1μm以下であり、また
非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…が半導体接合
を２重、３重に積層せしめた所謂タンデム構造を
なしても数μm止まりと非常に薄いことを考慮す
ると、レーザ出力あるいはパルス周波数の選択に
より他の膜の損傷を防止する方法は最善のもので
はない。
化を図ることは困難であり、従つてこの種の装置
に於ける各膜の厚みが通常1μm以下であり、また
非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…が半導体接合
を２重、３重に積層せしめた所謂タンデム構造を
なしても数μm止まりと非常に薄いことを考慮す
ると、レーザ出力あるいはパルス周波数の選択に
より他の膜の損傷を防止する方法は最善のもので
はない。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯る点に鑑みて為されたものであつ
て、その目的は、焼き切らんとする膜部分の下に
存在する他の膜への損傷問題を解決し、光利用効
率を向上せしめる上で有益なレーザビームの如き
エネルギビームの使用を可能ならしせることにあ
る。
て、その目的は、焼き切らんとする膜部分の下に
存在する他の膜への損傷問題を解決し、光利用効
率を向上せしめる上で有益なレーザビームの如き
エネルギビームの使用を可能ならしせることにあ
る。
(ニ) 発明の構成
本発明光起電力装置の製造方法は、絶縁表面に
離間配置された複数の第１電極膜全面に跨がる１
枚の半導体膜及び第２電極膜を積層被着した後、
上記第２電極膜をエネルギビームの照射により除
去し複数の光電変換領域毎に分割すると共に、上
記第２電極膜の分割により露出した半導体膜を該
第２電極膜をマスクとしてプラズマエツチングし
て上記半導体膜によつて覆われていた第１電極膜
の一部を露出せしめ、更に、該露出した第１電極
膜を含めて複数の第２電極膜に跨る接続電極膜を
被着した後、該接続電極膜をエネルギービームの
照射により複数の光電変換領域毎に分割して、上
記露出した第１電極膜と隣接せる光電変換領域の
第２電極膜とを電気的に接続する、構成にある。
離間配置された複数の第１電極膜全面に跨がる１
枚の半導体膜及び第２電極膜を積層被着した後、
上記第２電極膜をエネルギビームの照射により除
去し複数の光電変換領域毎に分割すると共に、上
記第２電極膜の分割により露出した半導体膜を該
第２電極膜をマスクとしてプラズマエツチングし
て上記半導体膜によつて覆われていた第１電極膜
の一部を露出せしめ、更に、該露出した第１電極
膜を含めて複数の第２電極膜に跨る接続電極膜を
被着した後、該接続電極膜をエネルギービームの
照射により複数の光電変換領域毎に分割して、上
記露出した第１電極膜と隣接せる光電変換領域の
第２電極膜とを電気的に接続する、構成にある。
(ホ) 実施例
第２図乃至第８図は本発明実施例方法を工程順
に示している。第２図の工程では、厚さ１mm〜３
mmの透明なガラス基板１０上全面に、厚さ2000Å
〜5000Åの酸化錫からなる第１電極膜としての透
明導電膜１１が被着される。
に示している。第２図の工程では、厚さ１mm〜３
mmの透明なガラス基板１０上全面に、厚さ2000Å
〜5000Åの酸化錫からなる第１電極膜としての透
明導電膜１１が被着される。
第３図の工程では、隣接間隔部１１′がレーザ
ビームの照射により除去されて、個別の各透明導
電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…が分離形成され
る。使用されるレーザは波長約1.06μmのYAGレ
ーザが適当であり、隣接間隔部１１′の幅（L1）
は約100μmに設定される。
ビームの照射により除去されて、個別の各透明導
電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…が分離形成され
る。使用されるレーザは波長約1.06μmのYAGレ
ーザが適当であり、隣接間隔部１１′の幅（L1）
は約100μmに設定される。
第４図の工程では、各透明導電膜１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ…の表面を含んで基板１０上全面に連
続的に連なつた１枚の厚さ5000Å〜7000Åの非晶
質シリコン膜１２が周知のシラン雰囲気中でのグ
ロー放電により被着される。斯るシリコン膜１２
はその内部に膜面と平行なPIN接合を含み、従つ
てより具体的には、先ずＰ型の非晶質シリコン膜
が被着され、次いでＩ型（ノンドープ）及びＮ型
の非晶質シリコン膜が順次積層被着される。更に
非晶質シリコン膜１２を分割することなく厚さ
2000Å〜1μmの連続した１枚のアルミニウムから
なる第２電極膜としての裏面電極膜１３を上記シ
リコン膜１２上に積層する。
ｂ，１１ｃ…の表面を含んで基板１０上全面に連
続的に連なつた１枚の厚さ5000Å〜7000Åの非晶
質シリコン膜１２が周知のシラン雰囲気中でのグ
ロー放電により被着される。斯るシリコン膜１２
はその内部に膜面と平行なPIN接合を含み、従つ
てより具体的には、先ずＰ型の非晶質シリコン膜
が被着され、次いでＩ型（ノンドープ）及びＮ型
の非晶質シリコン膜が順次積層被着される。更に
非晶質シリコン膜１２を分割することなく厚さ
2000Å〜1μmの連続した１枚のアルミニウムから
なる第２電極膜としての裏面電極膜１３を上記シ
リコン膜１２上に積層する。
第５図の工程では、隣接間隔部１３′がレーザ
ビームの照射により除去されて、個別の各裏面電
極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…が形成される。使
用されるレーザは波長約1.06μmのYAGレーザが
適当であり、隣接間隔部１３′の幅（L2）は約
100μmに設定される。
ビームの照射により除去されて、個別の各裏面電
極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…が形成される。使
用されるレーザは波長約1.06μmのYAGレーザが
適当であり、隣接間隔部１３′の幅（L2）は約
100μmに設定される。
第６図の工程では、レーザビームの照射により
個別に分割された各裏面電極膜１３ａ，１３ｂ，
１３ｃ…をマスクとして、露出せる非晶質シリコ
ン膜１２がプラズマエツチングにより除去され、
上記マスクとして作用した各裏面電極膜１３ａ，
１３ｂ，１３ｃ…と同一形状に分割される。上記
非晶質シリコン膜１２のプラズマエツチングは誘
導結合型装置を用いて常温、高周波電源13.56M
Hz、弗化炭素（CF4）96％、酸素（O2）４％のエ
ツチング条件により施される。
個別に分割された各裏面電極膜１３ａ，１３ｂ，
１３ｃ…をマスクとして、露出せる非晶質シリコ
ン膜１２がプラズマエツチングにより除去され、
上記マスクとして作用した各裏面電極膜１３ａ，
１３ｂ，１３ｃ…と同一形状に分割される。上記
非晶質シリコン膜１２のプラズマエツチングは誘
導結合型装置を用いて常温、高周波電源13.56M
Hz、弗化炭素（CF4）96％、酸素（O2）４％のエ
ツチング条件により施される。
ここで、非晶質シリコン膜１２のエツチングが
レーザビームの照射により個別に分割された各裏
面電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…をマスクとし
て施されていることを注目すべきである。即ち、
裏面電極膜１３を細密加工性に富むレーザビーム
の照射により除去せしめる際、第５図に示す如く
一時的に非晶質シリコン膜部分１２′をレーザビ
ームが直撃するに至つたとしても、当該非晶質シ
リコン膜部分１２′は次工程のプラズマエツチン
グにより除去される部分であり、レーザビームの
直撃により除去されても何ら問題となり得ない。
レーザビームの照射により個別に分割された各裏
面電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…をマスクとし
て施されていることを注目すべきである。即ち、
裏面電極膜１３を細密加工性に富むレーザビーム
の照射により除去せしめる際、第５図に示す如く
一時的に非晶質シリコン膜部分１２′をレーザビ
ームが直撃するに至つたとしても、当該非晶質シ
リコン膜部分１２′は次工程のプラズマエツチン
グにより除去される部分であり、レーザビームの
直撃により除去されても何ら問題となり得ない。
第７図及び第８図の工程では、レーザビームの
照射及びプラズマエツチングにより個別に分割さ
れた透明導電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…、非晶
質シリコン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…及び裏面
電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…の積層体から構
成される光電変換領域１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…
を電気的に直列接続すべく、隣接間隔部１２″に
於いて露出せる透明導電膜１１ｂ，１１ｃを含め
て裏面電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…全面に跨
つて厚み1000Å〜5000Å程度のチタンからなる接
続電極膜１６を被着し、次いで該接続電極膜１６
をレーザビームの照射により上記隣接間隔部１
２″にまで被着された接続電極膜１６の幅方向の
一部をその長手方向に亘つて除去する。使用され
るレーザビームは裏面電極膜１３のそれと同一で
あり、隣接間隔部１６′の幅方向に於いて除去さ
れた部分の幅（L3）は約20μmに設定される。即
ち、右隣りの透明導電膜１１ｂ，１１ｃ…と、左
隣りから延出して来た接続電極膜１６ａ，１６ｂ
…との接続幅（L4）は約80μmに設定される。
照射及びプラズマエツチングにより個別に分割さ
れた透明導電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…、非晶
質シリコン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…及び裏面
電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…の積層体から構
成される光電変換領域１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…
を電気的に直列接続すべく、隣接間隔部１２″に
於いて露出せる透明導電膜１１ｂ，１１ｃを含め
て裏面電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…全面に跨
つて厚み1000Å〜5000Å程度のチタンからなる接
続電極膜１６を被着し、次いで該接続電極膜１６
をレーザビームの照射により上記隣接間隔部１
２″にまで被着された接続電極膜１６の幅方向の
一部をその長手方向に亘つて除去する。使用され
るレーザビームは裏面電極膜１３のそれと同一で
あり、隣接間隔部１６′の幅方向に於いて除去さ
れた部分の幅（L3）は約20μmに設定される。即
ち、右隣りの透明導電膜１１ｂ，１１ｃ…と、左
隣りから延出して来た接続電極膜１６ａ，１６ｂ
…との接続幅（L4）は約80μmに設定される。
斯る接続電極膜１６のレーザビーム除去時、隣
接間隔部１２″に露出した透明導電膜部分１１″は
一時的に上記レーザビームが照射されその部分の
表面の除去も含め損傷を与えるものの、既に透明
導電膜１１ｂ，１１ｃ…と接続電極膜１６ａ，６
ｂ…との結合は終了しているために、上記結合面
は損傷を受けておらず、しかも上記損傷はその部
分の厚み方向全てに与えられるものでない以上実
質的に問題とならない。
接間隔部１２″に露出した透明導電膜部分１１″は
一時的に上記レーザビームが照射されその部分の
表面の除去も含め損傷を与えるものの、既に透明
導電膜１１ｂ，１１ｃ…と接続電極膜１６ａ，６
ｂ…との結合は終了しているために、上記結合面
は損傷を受けておらず、しかも上記損傷はその部
分の厚み方向全てに与えられるものでない以上実
質的に問題とならない。
尚、上記接続電極膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…
は好ましくは実施例の如く、チタンから構成する
と共に、アルミニウムからなる裏面電極膜１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ…の全面を覆わしめることに
より、上記アルミニウムの湿気による腐蝕を防止
せしめることができるが、上記接続電極膜１６
ａ，１６ｂ，１６ｃ…本来の目的からすれば裏面
電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…全面を覆わしめ
る必要はない。
は好ましくは実施例の如く、チタンから構成する
と共に、アルミニウムからなる裏面電極膜１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ…の全面を覆わしめることに
より、上記アルミニウムの湿気による腐蝕を防止
せしめることができるが、上記接続電極膜１６
ａ，１６ｂ，１６ｃ…本来の目的からすれば裏面
電極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…全面を覆わしめ
る必要はない。
(ヘ) 発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、エネル
ギビームの照射により複数の光電変換領域毎に分
割された第２電極膜をマスクとして露出した半導
体膜をプラズマエツチングし第１電極膜の一部を
露出せしめ、更に、該露出した第１電極膜を含め
て複数の第２電極膜に跨る接続電極膜を被着した
後、該接続電極膜をエネルギービームの照射によ
り複数の光電変換領域毎に分割して、上記露出し
た第１電極膜と第２電極膜とを電気的に接続する
ので、半導体膜をフオトレジストを使用すること
なくパターニングすることができ、しかも他の膜
への損傷問題を解決して製造工程にエネルギービ
ームの使用が可能となり光利用効率を向上せしめ
ることもできる。
ギビームの照射により複数の光電変換領域毎に分
割された第２電極膜をマスクとして露出した半導
体膜をプラズマエツチングし第１電極膜の一部を
露出せしめ、更に、該露出した第１電極膜を含め
て複数の第２電極膜に跨る接続電極膜を被着した
後、該接続電極膜をエネルギービームの照射によ
り複数の光電変換領域毎に分割して、上記露出し
た第１電極膜と第２電極膜とを電気的に接続する
ので、半導体膜をフオトレジストを使用すること
なくパターニングすることができ、しかも他の膜
への損傷問題を解決して製造工程にエネルギービ
ームの使用が可能となり光利用効率を向上せしめ
ることもできる。
第１図は従来の光起電力装置を示す断面図、第
２図乃至第８図は本発明実施例方法を工程別に示
す断面図、である。 １０…基板、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…
透明導電膜、１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…非
晶質シリコン膜、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
…裏面電極膜、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…光電変
換領域、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…接続電
極膜。
２図乃至第８図は本発明実施例方法を工程別に示
す断面図、である。 １０…基板、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…
透明導電膜、１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…非
晶質シリコン膜、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
…裏面電極膜、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…光電変
換領域、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…接続電
極膜。
Claims (1)
- １ 絶縁表面を有する基板の該表面に、上記基板
側から積層された第１電極膜、半導体膜及び第２
電極膜を少くとも含む複数の光電変換領域を離間
配置せしめた光起電力装置の製造方法であつて、
上記絶縁表面に離間配置された複数の第１電極膜
全面に跨がる半導体膜及び第２電極膜を積層被着
した後、上記第２電極膜をエネルギービームの照
射により除去し複数の光電変換領域毎に分割する
と共に、上記第２電極膜の分割により露出した半
導体膜を該第２電極膜をマスクとしてプラズマエ
ツチングして上記半導体膜によつて覆われていた
第１電極膜の一部を露出せしめ、更に、該露出し
た第１電極膜を含めて複数の第２電極膜に跨る接
続電極膜を被着した後、該接続電極膜をエネルギ
ービームの照射により複数の光電変換領域毎に分
割して、上記露出した第１電極膜と隣接する光電
変換領域の第２電極膜とを電気的に接続すること
を特徴とした光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046387A JPS59172274A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 光起電力装置の製造方法 |
| US06/589,886 US4542578A (en) | 1983-03-18 | 1984-03-15 | Method of manufacturing photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046387A JPS59172274A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172274A JPS59172274A (ja) | 1984-09-28 |
| JPH0449272B2 true JPH0449272B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=12745726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58046387A Granted JPS59172274A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4542578A (ja) |
| JP (1) | JPS59172274A (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950614A (en) * | 1984-05-15 | 1990-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making a tandem type semiconductor photoelectric conversion device |
| US4663494A (en) * | 1984-07-19 | 1987-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| US4746962A (en) * | 1984-08-29 | 1988-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
| US4694317A (en) * | 1984-10-22 | 1987-09-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state imaging device and process for fabricating the same |
| DE3650362T2 (de) * | 1986-01-06 | 1996-01-25 | Semiconductor Energy Lab | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung mit hoher Ansprechgeschwindigkeit und Herstellungsverfahren. |
| DE3650363T2 (de) * | 1986-01-06 | 1996-01-25 | Semiconductor Energy Lab | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und ihr Herstellungsverfahren. |
| US4769086A (en) * | 1987-01-13 | 1988-09-06 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell with nickel back |
| DE3714920C1 (de) * | 1987-05-05 | 1988-07-14 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Verfahren zur Herstellung einer Duennschicht-Solarzellenanordnung |
| FR2640809B1 (fr) * | 1988-12-19 | 1993-10-22 | Chouan Yannick | Procede de gravure d'une couche d'oxyde metallique et depot simultane d'un film de polymere, application de ce procede a la fabrication d'un transistor |
| US5103268A (en) * | 1989-03-30 | 1992-04-07 | Siemens Solar Industries, L.P. | Semiconductor device with interfacial electrode layer |
| US5510644A (en) * | 1992-03-23 | 1996-04-23 | Martin Marietta Corporation | CDTE x-ray detector for use at room temperature |
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| JP3653800B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2005-06-02 | 株式会社カネカ | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
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| KR100856326B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 레이저 리프트 오프를 이용한 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 제조방법, 및 이로부터 제조된 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 |
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| EP2107614A3 (en) * | 2008-04-01 | 2010-11-03 | Kisco | Thin-film photovoltaic cell, thin-film photovoltaic module and method of manufacturing thin-film photovoltaic cell |
| EP2278632A4 (en) * | 2008-04-30 | 2013-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| CN102484156A (zh) * | 2009-06-30 | 2012-05-30 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池设备及其制造方法 |
| DE202010013161U1 (de) | 2010-07-08 | 2011-03-31 | Oerlikon Solar Ag, Trübbach | Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf |
| WO2012024557A2 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device front contact |
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| US9000288B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-04-07 | Space Systems/Loral, Llc | Current collector bar and grid pattern for a photovoltaic solar cell |
| TW201414561A (zh) | 2012-06-20 | 2014-04-16 | Tel Solar Ag | 雷射劃線系統 |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55120180A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Fabricating method of photovoltaic device |
| JPS57176778A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-30 | Rca Corp | Solar battery array |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4281208A (en) * | 1979-02-09 | 1981-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
| US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58046387A patent/JPS59172274A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-15 US US06/589,886 patent/US4542578A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55120180A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Fabricating method of photovoltaic device |
| JPS57176778A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-30 | Rca Corp | Solar battery array |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59172274A (ja) | 1984-09-28 |
| US4542578A (en) | 1985-09-24 |
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