JPH06163959A - 透光性導電酸化物膜の分離形成方法 - Google Patents
透光性導電酸化物膜の分離形成方法Info
- Publication number
- JPH06163959A JPH06163959A JP4318396A JP31839692A JPH06163959A JP H06163959 A JPH06163959 A JP H06163959A JP 4318396 A JP4318396 A JP 4318396A JP 31839692 A JP31839692 A JP 31839692A JP H06163959 A JPH06163959 A JP H06163959A
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- JP
- Japan
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- conductive oxide
- transparent conductive
- film
- oxide film
- films
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、透光性導電酸化物膜の側壁に膜の
バリが発生したり、透光性導電酸化物膜の下方に位置す
る膜へ損傷を与えることなく、電気的に分離された複数
の透光性導電酸化物膜を形成することを目的とする。 【構成】 本発明は、電気的に分離された複数の透光性
導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃを形成する方法であっ
て、透光性導電酸化物膜２を形成する工程と、この透光
性導電酸化物膜２の分離部２ａｂ、２ｂｃを水素プラズ
マに晒し、膜を高抵抗化する工程とを備えたものであ
る。
バリが発生したり、透光性導電酸化物膜の下方に位置す
る膜へ損傷を与えることなく、電気的に分離された複数
の透光性導電酸化物膜を形成することを目的とする。 【構成】 本発明は、電気的に分離された複数の透光性
導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃを形成する方法であっ
て、透光性導電酸化物膜２を形成する工程と、この透光
性導電酸化物膜２の分離部２ａｂ、２ｂｃを水素プラズ
マに晒し、膜を高抵抗化する工程とを備えたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的に分離された複
数の透光性導電酸化物膜を形成する方法に関し、光起電
力装置に使用されて好適な透光性導電酸化物膜の分離形
成に有用である。
数の透光性導電酸化物膜を形成する方法に関し、光起電
力装置に使用されて好適な透光性導電酸化物膜の分離形
成に有用である。
【０００２】
【従来の技術】透光性導電酸化物膜からなる第１電極、
半導体膜及び第２電極の積層体からなる光電変換素子の
複数を、ガラスや表面絶縁処理したステンレス等の基板
の表面に形成し、それら光電変換素子を互いに電気的に
直列接続した光起電力装置は、例えば米国特許第４，２
８１，２０８号に開示されている。
半導体膜及び第２電極の積層体からなる光電変換素子の
複数を、ガラスや表面絶縁処理したステンレス等の基板
の表面に形成し、それら光電変換素子を互いに電気的に
直列接続した光起電力装置は、例えば米国特許第４，２
８１，２０８号に開示されている。
【０００３】このような光起電力装置の製造における各
光電変換素子毎のパターニングは、ウエットプロセスを
含むフォトリソグラフィ手法から、ドライプロセスによ
るフォトリソグラフィ手法へ移行し、更には、特開昭５
７−１２５６８号公報に開示されているように、レーザ
ビームを用いた手法へと変わりつつある。
光電変換素子毎のパターニングは、ウエットプロセスを
含むフォトリソグラフィ手法から、ドライプロセスによ
るフォトリソグラフィ手法へ移行し、更には、特開昭５
７−１２５６８号公報に開示されているように、レーザ
ビームを用いた手法へと変わりつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然るに、レーザビーム
を用いたパターニング手法を用いて透光性導電酸化物膜
をパターニングする場合には、次のような問題点が発生
する。即ち、基板の絶縁表面に形成された透光性導電酸
化物膜にレーザビームを照射すると、ビーム照射部の側
壁に膜のバリが発生する。そのため、斯るパターニング
後に形成される半導体膜や第２電極に悪影響を与え、更
には、透光性導電酸化物膜からなる第１電極と第２電極
との短絡が生じる恐れもある。
を用いたパターニング手法を用いて透光性導電酸化物膜
をパターニングする場合には、次のような問題点が発生
する。即ち、基板の絶縁表面に形成された透光性導電酸
化物膜にレーザビームを照射すると、ビーム照射部の側
壁に膜のバリが発生する。そのため、斯るパターニング
後に形成される半導体膜や第２電極に悪影響を与え、更
には、透光性導電酸化物膜からなる第１電極と第２電極
との短絡が生じる恐れもある。
【０００５】一方、半導体膜上に形成された透光性導電
酸化物膜にレーザビームを照射してこの膜をパターニン
グする場合、下方に位置する半導体膜に損傷を与えない
ように、レーザ出力やパルス周波数を適宜に選択しなけ
ればならないが、斯る選択は極めて困難である。これ
は、透光性導電酸化物膜が、透明であるが故にレーザビ
ームの吸収率が低いことに大きく起因しており、よっ
て、半導体膜に損傷を与えることなく透光性導電酸化物
膜をパターニングすることは、非常に難しい。
酸化物膜にレーザビームを照射してこの膜をパターニン
グする場合、下方に位置する半導体膜に損傷を与えない
ように、レーザ出力やパルス周波数を適宜に選択しなけ
ればならないが、斯る選択は極めて困難である。これ
は、透光性導電酸化物膜が、透明であるが故にレーザビ
ームの吸収率が低いことに大きく起因しており、よっ
て、半導体膜に損傷を与えることなく透光性導電酸化物
膜をパターニングすることは、非常に難しい。
【０００６】そこで、本発明は、前述の課題を解決し、
透光性導電酸化物膜の新たな分離形成方法を提供するも
のである。
透光性導電酸化物膜の新たな分離形成方法を提供するも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気的に分離
された複数の透光性導電酸化物膜を形成する方法であっ
て、前記透光性導電酸化物膜を形成する工程と、この透
光性導電酸化物膜の分離部を水素プラズマに晒し、膜を
高抵抗化する工程とを備えたことを特徴としている。
された複数の透光性導電酸化物膜を形成する方法であっ
て、前記透光性導電酸化物膜を形成する工程と、この透
光性導電酸化物膜の分離部を水素プラズマに晒し、膜を
高抵抗化する工程とを備えたことを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明では、透光性導電酸化物膜の分離部を水
素プラズマに晒すことにより、斯る分離部の透光性導電
酸化物膜を高抵抗化し、電気的に分離された透光性導電
酸化物膜を形成する。
素プラズマに晒すことにより、斯る分離部の透光性導電
酸化物膜を高抵抗化し、電気的に分離された透光性導電
酸化物膜を形成する。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の分離形成方法を用いて光起電
力装置を製造する場合の工程の一実施例を示す断面図で
あって、図１（Ａ）において、透明なガラス等の絶縁表
面を有する支持基板１上全面に、厚さ約２０００〜５０
００Åの酸化錫、酸化インジウム錫に代表される透光性
導電酸化物膜２が、第１電極として形成される。
力装置を製造する場合の工程の一実施例を示す断面図で
あって、図１（Ａ）において、透明なガラス等の絶縁表
面を有する支持基板１上全面に、厚さ約２０００〜５０
００Åの酸化錫、酸化インジウム錫に代表される透光性
導電酸化物膜２が、第１電極として形成される。
【００１０】図１（Ｂ）において、透光性導電酸化物膜
２の一部が水素プラズマに晒されて、分離部２ａｂ、２
ｂｃ・・・が形成され、電気的に分離された複数の透光
性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・・が分離形成され
る。
２の一部が水素プラズマに晒されて、分離部２ａｂ、２
ｂｃ・・・が形成され、電気的に分離された複数の透光
性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・・が分離形成され
る。
【００１１】分離部２ａｂ、２ｂｃ・・・は、例えば、
水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、高周波電力２００Ｗの条
件で生成した水素プラズマ中に、６０分間晒すことによ
り、透光性導電酸化物膜２のシート抵抗を約７０Ωから
数ＭΩ以上に高抵抗化することにより形成される。
水素ガス流量１００ｓｃｃｍ、高周波電力２００Ｗの条
件で生成した水素プラズマ中に、６０分間晒すことによ
り、透光性導電酸化物膜２のシート抵抗を約７０Ωから
数ＭΩ以上に高抵抗化することにより形成される。
【００１２】このように水素プラズマにて分離部２ａ
ｂ、２ｂｃ・・・を形成するには、通常のイオンビーム
エッチング等に使用されているイオンビーム源（例え
ば、アイオニクス株式会社発行の「イオン源工学」参
照）を用いることができる。また、分離部２ａｂ、２ｂ
ｃ・・・は、これらを除く透光性導電酸化物膜２の表面
をマスクで覆い、水素プラズマ中に晒すことでも形成可
能である。
ｂ、２ｂｃ・・・を形成するには、通常のイオンビーム
エッチング等に使用されているイオンビーム源（例え
ば、アイオニクス株式会社発行の「イオン源工学」参
照）を用いることができる。また、分離部２ａｂ、２ｂ
ｃ・・・は、これらを除く透光性導電酸化物膜２の表面
をマスクで覆い、水素プラズマ中に晒すことでも形成可
能である。
【００１３】図１（Ｃ）において、透光性導電酸化物膜
２ａ、２ｂ、２ｃ・・・上に、半導体膜３ａ、３ｂ、３
ｃ・・・及び第２電極膜４ａ、４ｂ、４ｃ・・・が積層
形成される。具体的には、まず、透光性導電酸化物膜２
ａ、２ｂ、２ｃ・・・を含む支持基板１の全面に、非晶
質シリコン、非晶質シリコンカーバイド等の非晶質半導
体からなる半導体膜を形成した後、透光性導電酸化物膜
２ａ、２ｂ、２ｃ・・・の一側部表面（図中、左側部表
面）を露出するように、半導体膜の一部を除去して分離
することにより、複数の半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃ・・
・が形成される。続いて、半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃの
表面及び透光性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・・の
露出部の表面に、アルミニウム、チタン、銀等の低抵抗
金属からなる第２電極膜を形成した後、半導体膜３ａ、
３ｂ、３ｃの一側部表面（図中、左側部表面）を露出す
るように分離し、複数の第２電極膜４ａ、４ｂ、４ｃが
形成される。これにより、透光性導電酸化物膜２ａ、２
ｂ、２ｃ・・・の各々と、これらの左隣に位置する第２
電極膜４ａ、４ｂ、４ｃ・・・の各々とが電気的に接続
され、複数の光電変換素子５ａ、５ｂ、５ｃ・・・が電
気的に直列接続された光起電力装置が完成する。
２ａ、２ｂ、２ｃ・・・上に、半導体膜３ａ、３ｂ、３
ｃ・・・及び第２電極膜４ａ、４ｂ、４ｃ・・・が積層
形成される。具体的には、まず、透光性導電酸化物膜２
ａ、２ｂ、２ｃ・・・を含む支持基板１の全面に、非晶
質シリコン、非晶質シリコンカーバイド等の非晶質半導
体からなる半導体膜を形成した後、透光性導電酸化物膜
２ａ、２ｂ、２ｃ・・・の一側部表面（図中、左側部表
面）を露出するように、半導体膜の一部を除去して分離
することにより、複数の半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃ・・
・が形成される。続いて、半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃの
表面及び透光性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・・の
露出部の表面に、アルミニウム、チタン、銀等の低抵抗
金属からなる第２電極膜を形成した後、半導体膜３ａ、
３ｂ、３ｃの一側部表面（図中、左側部表面）を露出す
るように分離し、複数の第２電極膜４ａ、４ｂ、４ｃが
形成される。これにより、透光性導電酸化物膜２ａ、２
ｂ、２ｃ・・・の各々と、これらの左隣に位置する第２
電極膜４ａ、４ｂ、４ｃ・・・の各々とが電気的に接続
され、複数の光電変換素子５ａ、５ｂ、５ｃ・・・が電
気的に直列接続された光起電力装置が完成する。
【００１４】なお、前述の光起電力装置は、支持基板１
として透明なものを用いたものであり、従って、支持基
板１上に、透光性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・
・、半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃ・・・及び第２電極膜４
ａ、４ｂ、４ｃ・・・の順に積層しているが、支持基板
１として不透明なものを用いた場合には、第２電極膜４
ａ、４ｂ、４ｃ・・・、半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃ・・
・及び透光性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・・の順
に積層される。
として透明なものを用いたものであり、従って、支持基
板１上に、透光性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・
・、半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃ・・・及び第２電極膜４
ａ、４ｂ、４ｃ・・・の順に積層しているが、支持基板
１として不透明なものを用いた場合には、第２電極膜４
ａ、４ｂ、４ｃ・・・、半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃ・・
・及び透光性導電酸化物膜２ａ、２ｂ、２ｃ・・・の順
に積層される。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、電気的に分離された複
数の透光性導電酸化物膜を形成する方法であって、透光
性導電酸化物膜の分離部を水素プラズマに晒し、膜を高
抵抗化することにより、透光性導電酸化物膜を電気的に
分離するので、透光性導電酸化物膜の分離部側壁に膜の
バリが発生したり、透光性導電酸化物膜の下方に位置す
る膜へ損傷を与えることなく、適切に電気的に分離され
た複数の透光性導電酸化物膜を分離形成することができ
る。
数の透光性導電酸化物膜を形成する方法であって、透光
性導電酸化物膜の分離部を水素プラズマに晒し、膜を高
抵抗化することにより、透光性導電酸化物膜を電気的に
分離するので、透光性導電酸化物膜の分離部側壁に膜の
バリが発生したり、透光性導電酸化物膜の下方に位置す
る膜へ損傷を与えることなく、適切に電気的に分離され
た複数の透光性導電酸化物膜を分離形成することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
２、２ａ、２ｂ、２ｃ 透光性導電酸化物膜 ２ａｂ、２ｂｃ 分離部
Claims (1)
- 【請求項１】 電気的に分離された複数の透光性導電酸
化物膜を形成する方法であって、前記透光性導電酸化物
膜を形成する工程と、この透光性導電酸化物膜の分離部
を水素プラズマに晒し、膜を高抵抗化する工程とを備え
たことを特徴とする透光性導電酸化物膜の分離形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318396A JPH06163959A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 透光性導電酸化物膜の分離形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318396A JPH06163959A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 透光性導電酸化物膜の分離形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163959A true JPH06163959A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18098690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4318396A Pending JPH06163959A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 透光性導電酸化物膜の分離形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163959A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1333296C (zh) * | 1994-12-27 | 2007-08-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| JP2008181796A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 透明導電性材料の導電率制御法、デバイス作製法及びデバイス |
| US20130337603A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-19 | Tel Solar Ag | Method for hydrogen plasma treatment of a transparent conductive oxide (tco) layer |
| JP2017017219A (ja) * | 2015-07-02 | 2017-01-19 | 株式会社アルバック | 太陽電池 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP4318396A patent/JPH06163959A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1333296C (zh) * | 1994-12-27 | 2007-08-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| JP2008181796A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 透明導電性材料の導電率制御法、デバイス作製法及びデバイス |
| JP4547501B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2010-09-22 | 防衛省技術研究本部長 | 透明導電性材料の導電率制御法、デバイス作製法及びデバイス |
| US20130337603A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-19 | Tel Solar Ag | Method for hydrogen plasma treatment of a transparent conductive oxide (tco) layer |
| JP2017017219A (ja) * | 2015-07-02 | 2017-01-19 | 株式会社アルバック | 太陽電池 |
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