JPH0555612A - 集積型アモルフアス太陽電池の製造方法 - Google Patents
集積型アモルフアス太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPH0555612A JPH0555612A JP3242597A JP24259791A JPH0555612A JP H0555612 A JPH0555612 A JP H0555612A JP 3242597 A JP3242597 A JP 3242597A JP 24259791 A JP24259791 A JP 24259791A JP H0555612 A JPH0555612 A JP H0555612A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- amorphous silicon
- back electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、低コストで、信頼性が高く、高
出力の集積型アモルファスシリコン太陽電池を得られる
集積型アモルファス太陽電池の製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 透光性基板１上に、短冊状にパターニングさ
れた透明導電膜２、アモルファスシリコン膜３および裏
面電極４が順次形成されたアモルファス太陽電池におい
て、透明導電膜２のパターニングラインにそって裏面電
極４側からレーザ光を照射することにより、裏面電極４
と透明導電膜２をコンタクトさせる第１の工程と、その
コンタクトラインに沿って、透光性基板１側からレーザ
ー光を照射することにより、アモルファスシリコン膜３
および裏面電極４を除去する第２の工程と、裏面電極４
と透明導電膜２のコンタクトラインを裏面電極４上から
導電性ペースト５でスクリーン印刷を行う第３工程を備
えている。
出力の集積型アモルファスシリコン太陽電池を得られる
集積型アモルファス太陽電池の製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 透光性基板１上に、短冊状にパターニングさ
れた透明導電膜２、アモルファスシリコン膜３および裏
面電極４が順次形成されたアモルファス太陽電池におい
て、透明導電膜２のパターニングラインにそって裏面電
極４側からレーザ光を照射することにより、裏面電極４
と透明導電膜２をコンタクトさせる第１の工程と、その
コンタクトラインに沿って、透光性基板１側からレーザ
ー光を照射することにより、アモルファスシリコン膜３
および裏面電極４を除去する第２の工程と、裏面電極４
と透明導電膜２のコンタクトラインを裏面電極４上から
導電性ペースト５でスクリーン印刷を行う第３工程を備
えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】集積型アモルファス太陽電池の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、太陽電池は、クリーンなエネルギ
ー源として多くの関心が寄せられており、特にアモルフ
ァスシリコン太陽電池は、低コスト化に有利なことから
電力用の最有力候補として、現在、変換効率の向上や低
コスト化の研究が盛んに行われている。
ー源として多くの関心が寄せられており、特にアモルフ
ァスシリコン太陽電池は、低コスト化に有利なことから
電力用の最有力候補として、現在、変換効率の向上や低
コスト化の研究が盛んに行われている。
【０００３】こうした状況の中で、集積型アモルファス
シリコン太陽電池のパターニングプロセスとして、透明
導電膜上に絶縁ペースト及び導電ペーストをスクリーン
印刷し、レーザを上記ペースト上にパルス光で照射する
ことにより、絶縁ペースト上で分離を、導電ペースト上
で接続を行う方法や、接続を導電ペーストとレーザ光照
射で、分離を科学的エッチング（米国特許第４７２４０
１１号）やレーザ光照射によるオールレーザ法（米国特
許第４５９４４７１号）で行う方法が開発されている。
シリコン太陽電池のパターニングプロセスとして、透明
導電膜上に絶縁ペースト及び導電ペーストをスクリーン
印刷し、レーザを上記ペースト上にパルス光で照射する
ことにより、絶縁ペースト上で分離を、導電ペースト上
で接続を行う方法や、接続を導電ペーストとレーザ光照
射で、分離を科学的エッチング（米国特許第４７２４０
１１号）やレーザ光照射によるオールレーザ法（米国特
許第４５９４４７１号）で行う方法が開発されている。
【０００４】図３は、オールレーザ法による集積型アモ
ルファスシリコン太陽電池のパターニングプロセスを示
している。
ルファスシリコン太陽電池のパターニングプロセスを示
している。
【０００５】まず、透光性基板１上に透明導電膜２を形
成し、レーザ光で透明導電膜２を任意の段数に短冊状に
分割する（図３（ａ））。その後、この分割された透明
導電膜２上にアモルファスシリコン膜３を形成する（図
３（ｂ））。次に、この分割された透明導電膜２の分割
ラインに沿って、透光性基板１側からレーザ光を照射
し、アモルファスシリコン膜３を除去する（図３
（ｃ））。次に、アモルファスシリコン膜３上に裏面電
極４を形成して、透明導電膜２と裏面電極４とを接続す
る（図３（ｄ））。この後、透明導電膜２と裏面電極４
とをより確実に接続するために、透明導電膜２の分割ラ
インに沿って、透光性基板１側からレーザ光を照射し、
アモルファスシリコン膜３、裏面電極４を除去する（図
３（ｅ））。
成し、レーザ光で透明導電膜２を任意の段数に短冊状に
分割する（図３（ａ））。その後、この分割された透明
導電膜２上にアモルファスシリコン膜３を形成する（図
３（ｂ））。次に、この分割された透明導電膜２の分割
ラインに沿って、透光性基板１側からレーザ光を照射
し、アモルファスシリコン膜３を除去する（図３
（ｃ））。次に、アモルファスシリコン膜３上に裏面電
極４を形成して、透明導電膜２と裏面電極４とを接続す
る（図３（ｄ））。この後、透明導電膜２と裏面電極４
とをより確実に接続するために、透明導電膜２の分割ラ
インに沿って、透光性基板１側からレーザ光を照射し、
アモルファスシリコン膜３、裏面電極４を除去する（図
３（ｅ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】接続をレーザで分離を
エッチングで行う方法は、レーザ光でのパターン法と科
学的エッチングとの両方のプロセスが必要であり、工程
が複雑で低コスト化に不利であるという欠点がある。ま
た、オールレーザ法では、上述したように、アモルファ
スシリコン膜をレーザ光で除去した後、裏面電極を形成
して接続を行うようにしているが、アモルファスシリコ
ン膜の除去がうまくいかず、透明導電膜と裏面電極の接
続抵抗が高くなり、特性が低下したり、信頼性に問題が
生じるという欠点がある。
エッチングで行う方法は、レーザ光でのパターン法と科
学的エッチングとの両方のプロセスが必要であり、工程
が複雑で低コスト化に不利であるという欠点がある。ま
た、オールレーザ法では、上述したように、アモルファ
スシリコン膜をレーザ光で除去した後、裏面電極を形成
して接続を行うようにしているが、アモルファスシリコ
ン膜の除去がうまくいかず、透明導電膜と裏面電極の接
続抵抗が高くなり、特性が低下したり、信頼性に問題が
生じるという欠点がある。
【０００７】この発明は、低コストで、信頼性が高く、
高出力の集積型アモルファスシリコン太陽電池が得られ
る集積型アモルファス太陽電池の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
高出力の集積型アモルファスシリコン太陽電池が得られ
る集積型アモルファス太陽電池の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明による集積型ア
モルファス太陽電池の製造方法は、透光性基板上に、短
冊状にパターニングされた透明導電膜、アモルファスシ
リコン膜および裏面電極が順次形成されたアモルファス
太陽電池において、透明導電膜のパターニングラインに
そって裏面電極側からレーザ光を照射することにより、
裏面電極と透明導電膜をコンタクトさせる第１の工程
と、そのコンタクトラインに沿って、透光性基板側から
レーザー光を照射することにより、アモルファスシリコ
ン膜および裏面電極を除去する第２の工程と、裏面電極
と透明導電膜のコンタクトラインを裏面電極上から導電
性ペーストでスクリーン印刷を行う第３工程を備えてい
ることを特徴とする。
モルファス太陽電池の製造方法は、透光性基板上に、短
冊状にパターニングされた透明導電膜、アモルファスシ
リコン膜および裏面電極が順次形成されたアモルファス
太陽電池において、透明導電膜のパターニングラインに
そって裏面電極側からレーザ光を照射することにより、
裏面電極と透明導電膜をコンタクトさせる第１の工程
と、そのコンタクトラインに沿って、透光性基板側から
レーザー光を照射することにより、アモルファスシリコ
ン膜および裏面電極を除去する第２の工程と、裏面電極
と透明導電膜のコンタクトラインを裏面電極上から導電
性ペーストでスクリーン印刷を行う第３工程を備えてい
ることを特徴とする。
【０００９】
【作用】裏面電極側からレーザ光照射により透明導電膜
とコンタクトをとった後、導電性ペーストをスクリーン
印刷をすることにより、裏面電極と透明導電膜とが導電
性ペーストを介して接続される。このため、裏面電極と
透明導電膜との間の電気的抵抗値が下がり、高出力が得
られるようになる。
とコンタクトをとった後、導電性ペーストをスクリーン
印刷をすることにより、裏面電極と透明導電膜とが導電
性ペーストを介して接続される。このため、裏面電極と
透明導電膜との間の電気的抵抗値が下がり、高出力が得
られるようになる。
【００１０】
【実施例】図１は、アモルファスシリコン太陽電池の構
造を示している。
造を示している。
【００１１】図１において、１は透光性基板、２は透明
導電膜、３はアモルファスシリコン膜、４は裏面電極、
５は導電性ペーストである。
導電膜、３はアモルファスシリコン膜、４は裏面電極、
５は導電性ペーストである。
【００１２】図２は、アモルファスシリコン太陽電池の
パターニング工程を示している。透光性基板１上にＩＴ
Ｏ／ＳｎＯ2 またはＳｎＯ2 Ｆなどの透明導電膜２をス
パッタ法または、熱ＣＶＤ法などで２０００Å〜８００
０Å形成し、レーザ光で透明導電膜２を任意の段数に短
冊状に分割する（図２（ａ））。
パターニング工程を示している。透光性基板１上にＩＴ
Ｏ／ＳｎＯ2 またはＳｎＯ2 Ｆなどの透明導電膜２をス
パッタ法または、熱ＣＶＤ法などで２０００Å〜８００
０Å形成し、レーザ光で透明導電膜２を任意の段数に短
冊状に分割する（図２（ａ））。
【００１３】その後、この分割された透明導電膜２上に
アモルファスシリコン膜３、Ａｌ、Ａｇなどの金属膜か
らなる裏面電極４をそれぞれ、プラズマＣＶＤ法、スパ
ッタ法及び蒸着法で形成する（図２（ｂ））。
アモルファスシリコン膜３、Ａｌ、Ａｇなどの金属膜か
らなる裏面電極４をそれぞれ、プラズマＣＶＤ法、スパ
ッタ法及び蒸着法で形成する（図２（ｂ））。
【００１４】この結果、アモルファスシリコン膜形成プ
ロセスと裏面電極形成プロセスとの間にレーザ光照射プ
ロセスが介在しないので、アモルファスシリコン膜と裏
面電極とを、真空を破らずに連続して形成できる。
ロセスと裏面電極形成プロセスとの間にレーザ光照射プ
ロセスが介在しないので、アモルファスシリコン膜と裏
面電極とを、真空を破らずに連続して形成できる。
【００１５】次に、この分割された透明導電膜２の分割
ラインに沿って、裏面電極４側からレーザ光をスポット
状に照射することによりコンタクトホールを形成し、裏
面電極４と透明導電膜２とのコンタクトをとる（図２
（ｃ））。
ラインに沿って、裏面電極４側からレーザ光をスポット
状に照射することによりコンタクトホールを形成し、裏
面電極４と透明導電膜２とのコンタクトをとる（図２
（ｃ））。
【００１６】さらに、このコンタクトラインに沿って、
透明導電膜２の分割ラインとは反対側を透光性基板１側
からレーザ光を照射し、アモルファスシリコン膜３、裏
面電極４を除去する（図２（ｄ））。
透明導電膜２の分割ラインとは反対側を透光性基板１側
からレーザ光を照射し、アモルファスシリコン膜３、裏
面電極４を除去する（図２（ｄ））。
【００１７】そして、コンタクトライン上に、Ａｇペー
スト等の導電性ペースト５をスクリーン印刷して、コン
タクトホール内に導電性ペースト５を入れ、透明導電膜
２と裏面電極４を導電性ペースト５を介して接続する
（図２（ｅ））。
スト等の導電性ペースト５をスクリーン印刷して、コン
タクトホール内に導電性ペースト５を入れ、透明導電膜
２と裏面電極４を導電性ペースト５を介して接続する
（図２（ｅ））。
【００１８】表１は、上記のようにして得られた集積型
アモルファスシリコン太陽電池とオールレーザ法により
得られた従来品との出力特性の比較結果を示している。
アモルファスシリコン太陽電池とオールレーザ法により
得られた従来品との出力特性の比較結果を示している。
【００１９】
【表１】
【００２０】実施例製品では従来品に比べ、有効面積の
減少によりＩSCはやや低下ぎみだが、ＦＦはシリーズ抵
抗の減少によりよくなっており、出力Ｐmax も良くなっ
ている。
減少によりＩSCはやや低下ぎみだが、ＦＦはシリーズ抵
抗の減少によりよくなっており、出力Ｐmax も良くなっ
ている。
【００２１】
【発明の効果】この発明による集積型アモルファスシリ
コン太陽電池の製造方法は、従来のオールレーザ法とは
異なり、レーザ光照射後スクリーン印刷によって形成し
た導電ペーストを介して透明導電膜と裏面電極とが接続
されるので、透明導電膜と裏面電極との接続抵抗が小さ
くなり、シリーズ抵抗を減少させることができる。した
がって、出力の向上が図れる。
コン太陽電池の製造方法は、従来のオールレーザ法とは
異なり、レーザ光照射後スクリーン印刷によって形成し
た導電ペーストを介して透明導電膜と裏面電極とが接続
されるので、透明導電膜と裏面電極との接続抵抗が小さ
くなり、シリーズ抵抗を減少させることができる。した
がって、出力の向上が図れる。
【００２２】また、アモルファスシリコン膜形成プロセ
スと裏面電極形成プロセスとの間にレーザ光照射プロセ
スが介在しないので、アモルファスシリコン膜と裏面電
極とを、真空を破らずに連続して形成できる利点があ
る。
スと裏面電極形成プロセスとの間にレーザ光照射プロセ
スが介在しないので、アモルファスシリコン膜と裏面電
極とを、真空を破らずに連続して形成できる利点があ
る。
【図１】この発明方法により得られた集積型アモルファ
スシリコン太陽電池の構造をしめす断面図である。
スシリコン太陽電池の構造をしめす断面図である。
【図２】図１の集積型アモルファスシリコン太陽電池の
パターニング工程を示す工程図である。
パターニング工程を示す工程図である。
【図３】オールレーザ法による従来のアモルファスシリ
コン太陽電池のパターニング工程を示す工程図である。
コン太陽電池のパターニング工程を示す工程図である。
１ 透光性基板 ２ 透明導電膜 ３ アモルファスシリコン膜 ４ 裏面電極 ５ 導電性ペースト
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性基板上に、短冊状にパターニング
された透明導電膜、アモルファスシリコン膜および裏面
電極が順次形成されたアモルファス太陽電池において、
透明導電膜のパターニングラインにそって裏面電極側か
らレーザ光を照射することにより、裏面電極と透明導電
膜をコンタクトさせる第１の工程と、そのコンタクトラ
インに沿って、透光性基板側からレーザー光を照射する
ことにより、アモルファスシリコン膜および裏面電極を
除去する第２の工程と、裏面電極と透明導電膜のコンタ
クトラインを裏面電極上から導電性ペーストでスクリー
ン印刷を行う第３工程を備えていることを特徴とする集
積型アモルファス太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3242597A JPH0555612A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 集積型アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3242597A JPH0555612A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 集積型アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555612A true JPH0555612A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=17091415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3242597A Pending JPH0555612A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 集積型アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555612A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6456168B1 (en) | 2000-12-29 | 2002-09-24 | Cts Corporation | Temperature compensated crystal oscillator assembled on crystal base |
| US6759913B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-07-06 | Cts Corporation | Crystal resonator based oscillator formed by attaching two separate housings |
| WO2013108623A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 富士フイルム株式会社 | 集積化太陽電池の製造方法 |
| US8722453B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-05-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Photovoltaic device and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-08-28 JP JP3242597A patent/JPH0555612A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6456168B1 (en) | 2000-12-29 | 2002-09-24 | Cts Corporation | Temperature compensated crystal oscillator assembled on crystal base |
| US6759913B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-07-06 | Cts Corporation | Crystal resonator based oscillator formed by attaching two separate housings |
| US8722453B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-05-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Photovoltaic device and method for manufacturing the same |
| WO2013108623A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 富士フイルム株式会社 | 集積化太陽電池の製造方法 |
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