JP2002343995A - 集積型薄膜素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造歩留りおよびスループットの向上を図る
ことのできる集積型薄膜素子およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 シリコン基板上に成膜された半導体層１
１に太陽電池素子１０を形成し、２０℃〜８０℃の範囲
内の温度では粘着性を有するが加熱により特定の温度で
実質的に接着力が零になる粘着シートを用いて、太陽電
池素子１０をシリコン基板から剥離する。剥離された太
陽電池素子１０の裏面側に、反射板２３付き裏面保護フ
ィルム２１を約１３０℃で接着すると同時に粘着シート
を剥離させる。半導体層１１のみをレーザエッチングし
てエッチング溝を形成し、このエッチング溝をトリガー
として半導体層１１を劈開することにより素子分離溝１
７を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池素子など
の薄膜素子を支持基板に集積化してなる集積型薄膜素子
およびその製造方法に関し、特に、集積型薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造に好適な集積型薄膜素子およびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、プラスチックフィルムのよう
な可撓性を有する支持基板上に薄膜単結晶シリコン太陽
電池素子を製造するための好適な方法として、以下のよ
うな方法が知られている（例えば特開平８−２１３６４
５号公報，特開平１０−１３５５００号公報）。まず、
単結晶シリコン基板上に分離層として多孔質シリコン層
を形成する。そして、この多孔質シリコン層上に太陽電
池素子となる薄膜単結晶シリコンよりなる半導体層を成
長させ、その後、この半導体層上に接着剤を用いて薄い
プラスチックフィルムを接着させる。次いで、例えばプ
ラスチックフィルムとシリコン基板との間に引張り応力
をかけることにより、多孔質シリコン層を分離層として
太陽電池素子をシリコン基板から剥離する。こうして、
柔軟なプラスチックフィルムに転写された太陽電池素子
を得ることができる。

【０００３】太陽電池は通常、数個あるいは数十個の太
陽電池素子を直列に接続した集積型太陽電池の形で使用
される。上記のようなプラスチックフィルムに転写され
た太陽電池素子を備えた集積型太陽電池は、例えば、以
下のような方法で製造することができる。まず、多孔質
シリコン層上に形成された半導体層内にｐｎ接合を形成
する。その後、レーザエッチング、例えばレーザアブレ
ージョン（laser ablazion）により半導体層をエッチン
グして分割し、各太陽電池素子（セル）を分離する。分
離された各太陽電池素子は、電極を介して互いに電気的
に接続される。その後、上述のようにプラスチックフィ
ルムを接着し、太陽電池素子をシリコン基板から剥離し
てプラスチックフィルムに転写する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法においては、レーザアブレージョンにより半導体層を
エッチングする際に、エッチングが多孔質シリコン層ま
で進むと太陽電池素子がシリコン基板から剥離してしま
う虞がある。

【０００５】そこで、太陽電池素子をプラスチックフィ
ルムに転写した後にレーザアブレーションを行うことが
考えられる。この場合、レーザアブレージョンは、太陽
電池素子のプラスチックフィルムに覆われた表面側から
行ってもよいし、プラスチックフィルムに覆われていな
い裏面側から行ってもよいが、前者の場合にはプラスチ
ックフィルムと薄膜太陽電池とをレーザアブレージョン
する必要があり、太陽電池素子の分離に長い時間を要す
るという問題がある。一方、後者の場合には、分離すべ
き位置が裏面からは不鮮明なので、正確な分離が困難で
あり、セル分離に要する面積が増加するという問題があ
った。

【０００６】また、集積型太陽電池においては、その一
部が陰になった場合、その部分に大きな逆バイアスが印
加されて集積型太陽電池が損傷する虞がある。さらに、
素子の分離が確実に行われていない場合には変換効率が
低く、室内光などの低エネルギーの光入射では使用でき
ないという問題も有していた。

【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、製造工程における歩留りおよ
びスループットを向上させることができる集積型薄膜素
子およびその製造方法を提供することにある。

【０００８】本発明の第２の目的は、集積型太陽電池に
適用した場合において、セルの分離を完全にし、変換効
率を高めることができる集積型薄膜素子およびその製造
方法を提供することにある。

【０００９】本発明の第３の目的は、集積型太陽電池に
適用した場合において、太陽電池の一部が陰になっても
逆バイアスの印加による太陽電池の損傷を防止すること
ができる集積型薄膜素子およびその製造方法を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による集積型薄膜
素子は、半導体層に形成されるとともに少なくとも一方
向に配列された複数の薄膜素子と、複数の薄膜素子を電
気的に分離するために、半導体層の劈開性を利用して形
成された素子分離溝とを有するものである。

【００１１】本発明による集積型薄膜素子の製造方法
は、半導体層に形成されるとともに少なくとも一方向に
配列された複数の薄膜素子を有する集積型薄膜素子を製
造するためのものであって、複数の薄膜素子を電気的に
分離するための素子分離溝を、半導体層の劈開性を利用
して形成するものである。

【００１２】本発明による集積型薄膜素子の製造方法
は、具体的には、半導体基板の一面を多孔質化すること
により多孔質半導体層を形成する工程と、この多孔質半
導体層上に半導体層を形成し、半導体層に複数の薄膜素
子を形成する工程と、複数の薄膜素子を、多孔質層を利
用して半導体基板から剥離する工程と、剥離された複数
の薄膜素子の裏面側に接着層を介して裏面保護フィルム
を接着させる工程と、半導体層のレーザエッチングによ
り、複数の薄膜素子の間にエッチング溝を形成する工程
と、エッチング溝を利用した半導体層の劈開により、複
数の薄膜素子を電気的に分離するための素子分離溝を形
成する工程とを含むものである。

【００１３】本発明による他の集積型薄膜素子の製造方
法は、半導体基板の一面を多孔質化することにより多孔
質半導体層を形成する工程と、この多孔質半導体層上に
半導体層を形成し、半導体層に複数の薄膜素子を形成す
る工程と、半導体層のレーザエッチングにより、複数の
薄膜素子の間にエッチング溝を形成する工程と、エッチ
ング溝を利用した半導体層の劈開により、複数の薄膜素
子を電気的に分離するための素子分離溝を形成する工程
と、複数の薄膜素子を、多孔質層を利用して半導体基板
から剥離する工程と、剥離された複数の薄膜素子の裏面
側に接着層を介して裏面保護フィルムを接着させる工程
とを含むものである。

【００１４】本発明による集積型薄膜素子では、隣接す
る薄膜素子を電気的に分離するために、半導体層の劈開
性を利用して形成された素子分離溝を設けるようにした
ので、素子分離溝を容易に精度良く形成することができ
る。したがって、集積型太陽電池などの集積型薄膜素子
の製造工程における歩留りおよびスループットを向上さ
せることができる。

【００１５】本発明による集積型薄膜素子の製造方法で
は、レーザエッチングによるエッチング溝を利用した半
導体層の劈開により複数の薄膜素子を電気的に分離する
ための素子分離溝が形成される。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１７】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る集積型薄膜素子の構成の一例を表
すものである。図１に示した集積型薄膜素子は、具体的
には、薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を多数集積して
なる集積型太陽電池である。

【００１８】この集積型太陽電池は、半導体層１１に形
成された複数の太陽電池素子１０が少なくとも一方向に
配列されることにより構成されている。各太陽電池素子
１０は、素子分離溝１７によって隣接する太陽電池素子
１０と電気的に分離されている。素子分離溝１７は、後
述するように、半導体層１１の劈開性を利用して形成さ
れたものであり、具体的にはレーザエッチング、好まし
くはレーザアブレーションと、シリコン劈開とにより形
成されるものである。隣接する太陽電池素子１０同士は
コンタクト電極１８により電気的に接続されている。

【００１９】これらの太陽電池素子１０の表面側は、例
えば透明で柔軟性を有する薄いプラスチックフィルムか
らなる連続した共通の表面保護フィルム３１で覆われて
いる。この表面保護フィルム３１は、柔軟性を有する透
明のプラスチック材料、例えばポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ），フッ素樹脂あるいはポリカーボネート
により形成されている。

【００２０】太陽電池素子１０の裏面側には、例えば柔
軟性を有する薄いプラスチックフィルムからなる連続し
た共通の裏面保護フィルム２１が配設されている。この
裏面保護フィルム２１の一面には、連続した共通の反射
板２３が形成されている。反射板２３は、スパッタリン
グまたは蒸着法などにより形成され、例えばアルミニウ
ム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）から構成されている。反射
板２３は、各太陽電池素子１０を透過してきた光、特に
透過しやすい長波長の光を反射し、太陽電池素子１０へ
の入射光量を増加させるようになっている。

【００２１】裏面保護フィルム２１と太陽電池素子１０
とは接着層２２により接着されている。また、表面保護
フィルム３１と太陽電池素子１０とは接着層３２により
接着されている。これら接着層２２，３２は、エチレン
ビニルアセテート（ＥＶＡ）、紫外線硬化樹脂あるいは
フロロプラスチック（ＴＨＶ）などによりそれぞれ構成
されている。

【００２２】太陽電池素子１０は、例えば厚さ１〜５０
μｍ程度の半導体層１１に形成されている。半導体層１
１は、例えば、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物を１×１
０¹⁵〜１×１０¹⁸atoms ／ｃｍ³ 含む厚さ１〜４９μｍ
のｐ型単結晶シリコン層である。半導体層１１の表面保
護フィルム３１の側には、例えば、厚さが０．０５〜１
μｍ程度であり、リン（Ｐ）などのｎ型不純物を高濃度
（１×１０¹⁹atoms ／ｃｍ³ 程度）に含むｎ型層１２が
設けられており、これによりｐｎ接合が形成されてい
る。

【００２３】半導体層１１の表面側には反射防止膜１３
が設けられている。反射防止膜１３は、例えば、厚さ６
０ｎｍ程度の酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）により構成されて
おり、半導体層１１の表面（特にｎ型層１２の表面）に
おいて光が反射されることを防止するようになってい
る。反射防止膜１３には、ｎ型層１２に対応して開口が
形成されている。ｎ型層１２にはこの開口を介して例え
ば銀（Ａｇ）よりなる陰極１４が電気的に接続されてい
る。また、反射防止膜１３には、半導体層１１に対応し
て開口が形成されている。半導体層１１にはこの開口を
介して例えばアルミニウムからなる陽極１５が電気的に
接続されている。

【００２４】各太陽電池素子１０の陰極１４と隣接する
太陽電池素子１０の陽極１５とは、コンタクト電極１８
により電気的に接続されている。コンタクト電極１８
は、例えば低温銀ペーストまたは半田により形成されて
いる。また、両端に配置された太陽電池素子１０のコン
タクト電極１８には、それぞれ引き出し電極３３が接続
され、これら引き出し電極３３によって複数の太陽電池
素子１０から生じた起電力が取り出されるようになって
いる。引き出し電極３３は、例えば銅（Ｃｕ）線により
形成されている。

【００２５】この集積型太陽電池では、光が照射される
と、一部の光が表面保護フィルム３１を透過して太陽電
池素子１０に入り、吸収される。また、太陽電池素子１
０を透過した光の一部は、反射板２３において反射し、
再び太陽電池素子１０に入り、吸収される。光が吸収さ
れたｎ型層１２およびｐ型半導体層１１では、電子−正
孔対が発生する。半導体層１１において発生した電子は
電界に引かれてｎ型層１２に入り、ｎ型層１２において
発生した正孔は電界に引かれて半導体層１１に入る。こ
れにより、入射光量に比例する電流が発生し、引き出し
電極３３から取り出される。

【００２６】次に、図２ないし図１２および先の図１を
参照して、この集積型太陽電池の製造方法について説明
する。

【００２７】まず、図２に示したように、複数の太陽電
池素子１０を形成するための半導体基板として、例えば
シリコン基板４１を用意する。シリコン基板４１として
は、例えば、ホウ素などのｐ型不純物を添加した０．０
１〜０．０２Ω・ｃｍ程度の比抵抗を有する単結晶シリ
コンを用いる。次いで、図３に示したように、シリコン
基板４１の一表面に、例えば陽極化成法により、多孔質
半導体層として、例えば多孔質シリコン層４２を形成す
る。

【００２８】なお、この陽極化成法は、シリコン基板４
１を陽極としてフッ化水素酸溶液中で通電を行う方法で
あり、例えば伊東等による「表面技術Vol.46.No.5.p8〜
13,1995 [多孔質シリコンの陽極化成] 」に示された２
重セル法により行うことができる。この方法では、２つ
の電解溶液槽の間に多孔質シリコン層４２を形成すべき
シリコン基板４１を配置し、両方の電解溶液槽には直流
電源と接続された白金電極を設置する。そして、両電解
溶液槽に電解溶液を入れ、シリコン基板４１を陽極、白
金電極を陰極として直流電圧を印加する。これによりシ
リコン基板４１の一方の面が浸食されて多孔質化する。

【００２９】ここでは、例えば、電解溶液（陽極化成溶
液）として例えばＨＦ（フッ化水素） :Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ
（エタノール）＝１：１の電解溶液を用い、例えば０．
５〜３ｍＡ／ｃｍ² 程度の電流密度で８分間、第１段階
の陽極化成を行うことにより多孔率が小さな第１の多孔
質層を形成する。続いて、例えば３〜２０ｍＡ／ｃｍ²
の電流密度で８分間、第２段階の陽極化成を行うことに
より多孔率が中程度の第２の多孔質層を形成する。更
に、例えば４０〜３００ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で数秒
間、第３段階の陽極化成を行うことにより多孔率が大き
な第３の多孔質層を形成する。ちなみに、この第３の多
孔質層は、後述する分離層４２Ａ（図４）の元となるも
のである。これにより、合わせて約８μｍの厚さを有す
る多孔質シリコン層４２が形成される。

【００３０】なお、シリコン基板４１としては、陽極化
成法により多孔質シリコン層４２を形成する観点から
は、ｐ型の単結晶シリコン基板を用いることが望ましい
が、条件設定によってはｎ型の単結晶シリコン基板を用
いるようにしてもよい。

【００３１】続いて、多孔質シリコン層４２の上に太陽
電池素子１０を形成する。すなわち、まず、例えば１１
００℃の温度で３０分間水素アニールを行い、多孔質シ
リコン層４２の表面に存在する穴を塞ぐ。そののち、図
４に示したように、例えば、多孔質シリコン層４２上
に、ＳｉＨ₄ またはＳｉＣｌ₄ 等のガスを用いてｐ型単
結晶シリコンからなる半導体層１１を数μｍ〜数十μｍ
の厚みにエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成
長させる際の成長温度は、ＳｉＨ₄ を用いた場合には例
えば１０７０℃とし、ＳｉＣｌ₄ を用いた場合には例え
ば１１４０℃とする。

【００３２】このように水素アニールとエピタキシャル
成長とを行っている間に、多孔質シリコン層４２中のシ
リコン原子が移動し再配列される結果、多孔質シリコン
層４２中の多孔率が大きかった部分が更に大きく変化
し、引っ張り強度が最も弱い層すなわち分離層４２Ａが
形成される。但し、この分離層４２Ａは、多孔質シリコ
ン層４２の上に太陽電池素子１０を形成している間にお
いて、半導体層１１が部分的にあるいは全面的にシリコ
ン基板４１から剥がれない程度の引っ張り強度は十分有
している。

【００３３】次いで、図５に示したように、例えばイオ
ン注入により半導体層１１にリンなどのｎ型不純物を高
濃度に導入し、厚さ０．０２〜１μｍ程度のｎ型層１２
を形成し、これによりｐｎ接合を形成する。

【００３４】続いて、図６に示したように、半導体層１
１上に例えばスパッタリングにより酸化チタンよりなる
反射防止膜１３を形成し、この反射防止膜１３を選択的
に除去して開口を形成する。そののち、反射防止膜１３
に形成された開口に、例えばスクリーン印刷により、銀
（Ａｇ）ペーストよりなる陰極１４およびアルミニウム
（Ａｌ）ペーストよりなる陽極１５をそれぞれ形成す
る。なお、アルミニウムペーストには半田が付かないの
で、陽極１５上には、図示しないが、半田付け用の銀ペ
ーストを印刷することが好ましい。

【００３５】このようにして太陽電池素子１０を形成し
たのち、図７に示したように、太陽電池素子１０の表面
側に、粘着シート５１を接着させる。この粘着シート５
１は、基材と、この基材の表面に形成された粘着層とに
よって構成されており、室温からある温度（第１の温
度）では粘着性を有するが、温度が高くなり特定の温度
（第２の温度）になると粘着性がなくなるものである。
基材は、例えば、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalat
e；ポリエチレンテレフタレート）のようなプラスチッ
クからなるフィルム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）のような
金属薄膜、または繊維からなる不織布である。粘着層に
は、粘着剤と、加熱により発泡する発泡剤とが含まれて
いる。

【００３６】粘着シート５１としては、室温からある温
度まで、具体的には約２０℃〜約８０℃の範囲内の温度
では十分な粘着力を有すると共に、加熱により特定の温
度、例えば約９０℃，１２０℃，１５０℃あるいは１７
０℃に達すると、粘着層中の発泡剤が発泡してその表面
に凹凸が生じ、これにより接着面積が低下して接着力が
実質的に零になることで、引張応力を加えなくとも太陽
電池素子１０から剥離できるものが好適である。このよ
うな粘着シートとして、例えば、日東電工株式会社製の
「リバアルファ」または「リバクリーン」を用いること
ができる。

【００３７】粘着シート５１の接着の後に、図８
（Ａ），（Ｂ）に示したように、太陽電池素子１０を、
分離層４２Ａにおいてシリコン基板４１から剥離する。
この剥離の際には、例えば、シリコン基板４１と粘着シ
ート５１との間に引張応力を生じさせる。その後、太陽
電池素子１０の裏面側に残っている多孔質シリコン層４
２Ｂをエッチングなどにより除去する。

【００３８】なお、図８（Ｂ）に示した太陽電池素子１
０を剥離した後のシリコン基板４１については、表面側
に残存している多孔質シリコン層４２Ｃを通常の研磨方
法、電解研磨あるいはシリコンエッチングにより除去す
れば、次回の太陽電池素子の作製工程において再利用す
ることが可能になる。

【００３９】次いで、図９（Ｂ）に示したように、反射
板２３付き裏面保護フィルム２１を用意する。裏面保護
フィルム２１は例えばプラスチックフィルムから構成さ
れており、その一方の表面には、アルミニウムのスパッ
タリングにより反射板２３が形成されている。この裏面
保護フィルム２１を、太陽電池素子１０の裏面側にエチ
レンビニルアセテート（ＥＶＡ）などの接着層２２を介
して約１３０℃で接着させる。このとき、粘着シート５
１として約９０℃あるいは約１２０℃で接着力が実質的
に零になるものを用いれば、図９（Ａ）に示すように、
約１３０℃で裏面保護フィルム２１を接着させると同時
に、粘着シート５１を引張り応力なしで太陽電池素子１
０の表面側から剥離させることができ、工程数を減少さ
せることができる。

【００４０】その後、各太陽電池素子（セル）１０を分
離するため、図１０に示すように、レーザエッチングに
より、半導体層１１を数μｍ〜数十μｍエッチングし、
素子（セル）分離用のエッチング溝１６を形成する。こ
のレーザエッチングは、レーザアブレーションにより行
うことが好ましい。さらに、レーザアブレーションはエ
キシマレーザにより行うことが好ましい。

【００４１】エッチング溝１６は、少なくとも半導体層
１１内に形成されていることが好ましい。すなわち、エ
ッチング溝１６は、図１０のように半導体層１１内のみ
に形成されていてもよいし、あるいは、半導体層１１を
貫通して接着層２２内にも形成されていてもよい。しか
しながら、反射板２３付き裏面保護フィルム２１をレー
ザエッチングしてしまうと、プラスチックフィルムから
なる裏面保護フィルム２１が飛び散る場合がある。した
がって、エッチング溝１６は、反射板２３付き裏面保護
フィルム２１がエッチングされないように、半導体層１
１内、または半導体層１１および接着層２２内に形成さ
れることが好ましい。

【００４２】続いて、図１１に示すように、図示しない
劈開装置のローラに太陽電池素子１０を巻きつけて、太
陽電池素子１０の表面側が凸になるように曲げる。これ
により、エッチング溝１６がトリガーとなって単結晶シ
リコンからなる半導体層１１が劈開して素子分離溝１７
が形成される。素子分離溝１７は、その平面形状におい
て、太陽電池素子１０の配列方向に直交する方向に延び
ている。このとき、半導体層１１の劈開を高歩留りで行
うためには、図１０に示す工程におけるレーザエッチン
グを＜１００＞方向または＜１１０＞方向で行い、素子
分離溝１７を＜１００＞方向または＜１１０＞方向で形
成することが好ましい。

【００４３】このようにして太陽電池素子１０の分離を
完了した後、図１２に示すように、素子分離溝１７に架
橋するように、例えば低温銀ペーストまたは半田を用い
てコンタクト電極１８を形成し、これにより各太陽電池
素子１０の陽極１５と隣接する太陽電池素子１０の陰極
１４とを電気的に接続する。

【００４４】最後に、引き出し電極３３を作製したの
ち、透明プラスチックフィルムからなる表面保護フィル
ム３１を、太陽電池素子１０の表面側にエチレンビニル
アセテート（ＥＶＡ）などの接着層３２を介して接着さ
せる。これにより図１に示した集積型太陽電池が完成す
る。

【００４５】本実施の形態においては、半導体層１１に
形成された複数の太陽電池素子１０を電気的に分離する
ための素子分離溝１７を、半導体層１１の劈開性を利用
して形成するようにしたので、素子分離溝１７を容易に
精度良く形成することができる。これにより、集積型太
陽電池の製造工程における歩留りおよびスループットを
著しく向上させることができる。

【００４６】また、本実施の形態においては、太陽電池
素子１０の表面側が凸になるように曲げ、エッチング溝
１６に沿って半導体層１１を劈開することにより素子分
離溝１７を形成するようにしたので、簡単な工程で正確
に素子分離溝１７を形成することができる。このよう
に、シリコンの劈開を利用することにより、レーザエッ
チングによる半導体層１１に対するダメージを最小限に
抑えることができると共に、エッチングによるダメージ
部分の除去工程が不要となる。

【００４７】特に、レーザエッチングを＜１００＞方向
または＜１１０＞方向で行うことにより、半導体層１１
の劈開を効率良く行うことができ、集積型太陽電池の歩
留りおよびスループットの更なる向上が可能となる。

【００４８】また、本実施の形態においては、従来のよ
うに太陽電池素子をシリコン基板から剥離する際に、プ
ラスチックフィルムを接着させるのではなく、約２０℃
〜約８０℃の範囲内の温度で粘着力を有するが加熱によ
り特定の温度で接着力が実質的に零になる粘着シート５
１を用いるようにしたので、剥離した後、裏面保護フィ
ルムを太陽電池素子１０の裏面側に接着させる際に粘着
シート５１を簡単に剥離することができる。したがっ
て、工程数の削減は勿論、以下のような優れた効果が得
られる。

【００４９】まず、レーザエッチングによるエッチング
溝１６の形成の際に、太陽電池素子１０の表面側は、従
来と異なりプラスチックフィルムに覆われていないの
で、半導体層１１のみをレーザエッチングすればよい。
したがって、エッチング溝１６を短時間で精度良く形成
することができる。更にまた、太陽電池素子１０の裏面
側には反射板２３付き裏面保護フィルム２１が接着され
ているので、エッチング溝１６を形成しても太陽電池素
子１０は脱落することなく裏面保護フィルム２１上に整
列配置した状態を保つことができる。

【００５０】加えて、裏面保護フィルム２１や表面保護
フィルム３１を剥離に用いる必要がないので、剥離の際
の引張り応力を考慮せずに、柔軟性を有するフィルムや
薄いフィルムを使用することが可能となる。したがっ
て、集積型太陽電池の軽量化、柔軟性向上を実現でき、
例えば、携帯電話などのモバイル製品に適用でき、集積
型太陽電池の用途が拡大される。

【００５１】また、粘着シート５１を採用したことによ
り、本実施の形態に係る集積型太陽電池は、複数の太陽
電池素子１０が、柔軟性を有する薄いプラスチックフィ
ルムからなる裏面保護フィルム２１と表面保護フィルム
３１との間に挟まれた単純な構成となり、別途支持基板
を設ける必要がなくなる。したがって、薄型かつ軽量で
柔軟性に富む集積型太陽電池を作製することが可能とな
るとともに、コスト低減も期待できる。

【００５２】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態に係る集積型薄膜素子について説明する。
本実施の形態に係る集積型薄膜素子もまた、具体的に
は、薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を多数集積してな
る集積型太陽電池である。この集積型太陽電池は、図１
に示した第１の実施の形態に係る集積型太陽電池と製造
方法のみにおいて異なり、その他は、第１の実施の形態
と同一の構成、作用および効果を有している。よって、
同一の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳
細な説明を省略する。

【００５３】本実施の形態に係る集積型太陽電池の製造
方法は、以下の点で第１の実施の形態に係る集積型太陽
電池の場合と異なっている。すなわち、第１の実施の形
態においては、太陽電池素子１０を作製し、この太陽電
池素子１０をシリコン基板４１から剥離し、その後レー
ザエッチングおよびシリコン劈開により素子分離溝１７
を形成する。これに対して、本実施の形態においては、
第１の実施の形態と同様にして太陽電池素子１０を作製
し、次に素子分離溝１７を形成し、その後太陽電池素子
１０をシリコン基板から剥離する。したがって、太陽電
池素子１０の作製工程については、第１の実施の形態の
図２ないし図６に示した工程と同一であるので、その詳
細な説明を省略する。

【００５４】図１３ないし図１７は、本実施の形態に係
る集積型太陽電池の製造方法において、太陽電池素子の
作製（図２〜図６参照）に続く各工程を説明するための
断面図である。

【００５５】まず、図２ないし図６に示したようにして
太陽電池素子１０を作製する。次に、図１３に示すよう
に、各太陽電池素子（セル）１０を分離するため、第１
の実施の形態と同様のレーザエッチングにより、半導体
層１１を数μｍ〜数十μｍエッチングし、素子（セル）
分離用のエッチング溝１６を形成する。

【００５６】エッチング溝１６は、少なくとも半導体層
１１内に形成されていることが好ましい。すなわち、エ
ッチング溝１６は、図１３のように半導体層１１内のみ
に形成されていてもよいし、あるいは、半導体層１１を
貫通して多孔質シリコン層４２内にも形成されていても
よい。

【００５７】続いて、図１４に示すように、図示しない
劈開装置のローラに太陽電池素子１０を巻きつけて、太
陽電池素子１０の表面側が凸になるように曲げる。これ
により、エッチング溝１６がトリガーとなって単結晶シ
リコンからなる半導体層１１が劈開して素子分離溝１７
が形成される。このとき、半導体層１１の劈開を高歩留
りで行うためには、図１３に示す工程におけるレーザエ
ッチングを＜１００＞方向または＜１１０＞方向で行う
ことが好ましい。

【００５８】素子分離溝１７を形成した後、図１５に示
したように、太陽電池素子１０の表面側に、第１の実施
の形態と同様の粘着シート５１を２０℃〜８０℃の範囲
内の温度で接着させる。

【００５９】粘着シート５１の接着の後に、図１６
（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１の実施の形態と同
様にして、太陽電池素子１０を、分離層４２Ａにおいて
シリコン基板４１から剥離する。この剥離の後、第１の
実施の形態と同様に、多孔質シリコン層４２Ｂ，４２Ｃ
をエッチングなどにより除去し、シリコン基板４１を次
回の太陽電池素子の作製工程において再利用する。

【００６０】本実施の形態では、太陽電池素子１０をシ
リコン基板４１から剥離する段階で、既に各太陽電池素
子１０は素子分離溝１７によって分離されている。しか
しながら、一方で、太陽電池素子１０は粘着シート５１
に接着されているので、太陽電池素子１０をシリコン基
板４１から剥離しても太陽電池素子１０は脱落せずに整
列配置された状態を保つことができる。

【００６１】なお、図１３に示したエッチング溝１６が
半導体層１１を貫通して多孔質シリコン層４２内にも達
していたとしても、太陽電池素子１０は粘着シート５１
に接着されているので、太陽電池素子１０をシリコン基
板４１から剥離しても太陽電池素子１０は脱落せずに整
列配置された状態を保つことができる。

【００６２】次いで、図１７（Ａ），（Ｂ）に示したよ
うに、第１の実施の形態と同様にして、反射板２３付き
裏面保護フィルム２１を、太陽電池素子１０の裏面側に
エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）などの接着層２２
を介して約１３０℃で接着させる一方、これと同時に粘
着シート５１を太陽電池素子１０の表面側から剥離させ
る。

【００６３】続いて、第１の実施の形態において図１２
に示した工程と同様にして、コンタクト電極１８を形成
し、各太陽電池素子１０の陽極１５と隣接する太陽電池
素子１０の陰極１４とを電気的に接続する。最後に、引
き出し電極３３を作製したのち、透明プラスチックフィ
ルムからなる表面保護フィルム３１を、太陽電池素子１
０の表面側にエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）など
の接着層３２を介して接着させる。これにより本実施の
形態に係る集積型太陽電池が完成する。

【００６４】本実施の形態に係る集積型太陽電池の製造
方法によれば、第１の実施の形態による上述の優れた効
果をすべて得ることができる。加えて、本実施の形態に
おいては、太陽電池素子１０がシリコン基板４１から剥
離される前にレーザエッチングを行うようにしたので、
エッチング溝１６が半導体層１１を貫通してしまった場
合においても、第１の実施の形態のようにレーザエッチ
ングにより裏面保護フィルム２１が飛散したり、裏面保
護フィルム２１や反射板２３を損傷したりする虞がな
く、歩留り向上が期待できる。

【００６５】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態に係る集積型薄膜素子について図１８を参
照して説明する。本実施の形態に係る集積型薄膜素子も
また、具体的には、薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を
多数集積してなる集積型太陽電池である。図１８に示し
た集積型太陽電池は、素子分離溝１７に耐熱性絶縁体を
充填することにより形成された絶縁層６１を備えてい
る。その他は、第１の実施の形態と同一の構成、作用お
よび効果を有している。よって、同一の構成要素には同
一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。

【００６６】この絶縁層６１を構成する耐熱性絶縁体と
しては、例えばテトラフルオロエチレンまたはポリイミ
ド樹脂等を用いることができる。

【００６７】第３の実施の形態に係る集積型太陽電池の
製造方法の一例としては、上述の第１の実施の形態によ
る製造方法において、図１１に示した劈開工程により素
子分離溝１７を形成した後、図１２に示したコンタクト
電極１８の作製工程の前に、更に、素子分離溝１７に耐
熱性絶縁体を充填することにより絶縁層６１を形成する
工程を行う。また、別の例として、第２の実施の形態に
よる製造方法において、図１７に示したように素子分離
溝１７により既に分離された太陽電池素子１０の裏面側
に反射板２３付き裏面保護フィルム２１を接着した後、
更に、素子分離溝１７に耐熱性絶縁体を充填することに
より絶縁層６１を形成する工程を行ってもよい。その他
は、上述の第１または第２の実施の形態に係る製造方法
と同一であるので、その詳細な説明は省略する。

【００６８】本実施の形態に係る集積型太陽電池によれ
ば、第１または第２の実施の形態による上述の優れた効
果に加えて、以下の効果が実現できる。すなわち、本実
施の形態の集積型太陽電池は、素子分離溝１７に耐熱性
絶縁体を充填することにより形成された絶縁層６１を有
するので、太陽電池素子１０の分離が確実になる。した
がって、変換効率が向上し、室内光等の低エネルギーの
光入射でも使用できるようになる。

【００６９】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態に係る集積型薄膜素子について図１９を参
照して説明する。本実施の形態に係る集積型薄膜素子も
また、具体的には、薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を
多数集積してなる集積型太陽電池である。図１９に示し
た集積型太陽電池は、素子分離溝１７に太陽電池素子１
０の分離を妨げない程度の導電性を有する物質を充填す
ることにより形成されたバイパス抵抗層７１を備えてい
る。その他は、第１の実施の形態と同一の構成、作用お
よび効果を有している。よって、同一の構成要素には同
一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。

【００７０】このバイパス抵抗層７１は、例えば、上記
耐熱性絶縁体に例えば銀，銅，ニッケル（Ｎｉ），アル
ミニウム等の微粒子を混入させることにより形成するこ
とができる。バイパス抵抗層７１の抵抗値は、集積型太
陽電池の変換効率に影響を及ぼさない範囲で小さくする
ことが好ましい。このバイパス抵抗層７１は、上記実施
の形態と同様に素子分離層として機能するとともに、太
陽電池の一部（太陽電池素子１０）が陰になった場合に
おいて、バイパス抵抗として機能するものである。一般
に集積型太陽電池においては、このような場合に太陽電
池の損傷を防ぐために、別途バイパスダイオードやバイ
パス抵抗が各太陽電池素子１０に並列に接続されてい
る。本実施の形態においては、素子分離溝１７に太陽電
池素子１０の分離を妨げない程度の導電性を有する物質
を充填することによりバイパス抵抗層７１を設け、この
バイパス抵抗層７１を、太陽電池素子１０が陰になった
場合のバイパス抵抗として機能させるようにしたので、
別途バイパスダイオードやバイパス抵抗を設ける必要が
なくなる。

【００７１】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態で
は、エキシマレーザを用いたレーザアブレーションによ
りエッチング溝１６を形成する場合について説明した
が、ＣＯ₂ ガスレーザ，ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Gar
net ）レーザなどの他のレーザビームを用いることも可
能であり、また、レーザアブレーション以外にも例えば
スパッタエッチング技術やイオンビームエッチング技術
等も採用することができることは勿論である。あるい
は、カッター等で切断することによりエッチング溝１６
に相当する溝を形成することも可能である。また、半導
体層１１をプラズマＣＶＭ（Chemical Vaporization Ma
chining ）法により選択的に除去してエッチング溝１６
を形成するようにしてもよい。なお、このプラズマＣＶ
Ｍ法は、ハロゲン等の化学的活性度の大きな原子を高圧
力雰囲気中（１atm ）で空間的に局在した高周波（例え
ば150MHz) プラズマ内で励起し、高密度の中性ラジカル
を生成することにより、被加工物（ここでは太陽電池素
子）と反応させ、揮発性物質に変えることによって除去
を行う加工法であり、加工雰囲気を高圧力とすることに
より、高速加工を実現することができる。この方法にお
いても、太陽電池素子形成時に半導体層１１がシリコン
基板４１から剥離するおそれがない。

【００７２】また、上記各実施の形態では、図２ないし
図４の工程において、単結晶シリコン基板上に半導体層
１１を成長させるようにしたが、非晶質シリコンや多結
晶シリコンよりなる基板上に半導体層を成長させてもよ
い。

【００７３】更に、上記各実施の形態では、太陽電池素
子１０の裏面側に、反射板２３付き裏面保護フィルム２
１を備えた集積型太陽電池について説明したが、反射板
２３のないプラスチックフィルムを用いるようにしても
よい。この場合には、透明プラスチックフィルムを用い
ると、太陽電池素子１０の裏面側からの光入射による発
電も期待できるので好ましい。また、太陽電池素子１０
の裏面側にアルミニウムや銀などの金属薄膜を接着させ
る構成とするようにしてもよい。但し、金属薄膜を接着
させる際に、各太陽電池素子１０間を短絡させないよう
に、絶縁性材料よりなる接着剤を使用する必要がある。

【００７４】また、上記実施の形態では、裏面保護フィ
ルム２１の表面が平坦である場合について説明したが、
裏面保護フィルム２１の表面（すなわち反射板２３の表
面）は、例えば波形形状の凹凸面を有するようにしても
よい。さらに、凹凸が不揃いなランダムな形状とするこ
とにより、透過光を太陽電池素子に向けて乱反射させる
ようにしてもよい。

【００７５】更に、上記実施の形態では、薄膜素子とし
て太陽電池素子１０を例にして説明したが、本発明は、
その他の受光素子あるいは発光素子、液晶表示素子、集
積回路素子など他の薄膜素子を備える場合についても広
く適用される。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項８のいずれか１項に記載の集積型薄膜素子、または、
請求項９ないし請求項２９のいずれか１項に記載の集積
型薄膜素子の製造方法によれば、半導体層に設けられた
複数の薄膜素子を電気的に分離するために、半導体層の
劈開性を利用して素子分離溝を設けるようにしたので、
素子分離溝を容易に精度良く形成することができる。し
たがって、集積型薄膜素子の製造における歩留りおよび
スループットを著しく向上させることが可能となる。

【００７７】特に、請求項７記載の集積型薄膜素子によ
れば、素子分離溝に耐熱性絶縁体を充填することにより
絶縁層を設けるようにしたので、素子間の分離が完全に
行われる。したがって、集積型太陽電池に適用した場
合、変換効率が向上し、室内光のような低エネルギーの
光入射でも使用可能となる。

【００７８】また、特に、請求項８記載の集積型薄膜素
子によれば、素子分離溝に、太陽電池素子の分離を妨げ
ない程度の導電性を有する物質を充填することによりバ
イパス抵抗層を設けるようにしたので、集積型太陽電池
の損傷を防ぐためのバイパス抵抗を簡単な工程で形成す
ることができる。

【００７９】加えて、特に、請求項１５または２５記載
の集積型薄膜素子の製造方法によれば、複数の薄膜素子
を半導体基板から剥離する際に、第１の温度範囲内の温
度で粘着性を有するが加熱により第２の温度で接着力が
実質的に零となる粘着シートを用いるようにしたので、
裏面保護フィルムを第２の温度で太陽電池素子の裏面側
に接着させると同時に粘着シートを剥離し、その後、半
導体層のみをレーザエッチングすることができる。した
がって、エッチング溝を短時間で精度よく形成すること
ができ、これにより製造の歩留りが向上する。また、裏
面保護フィルムや表面保護フィルムとして柔軟性を有す
るフィルムや薄いフィルムを用いることができ、集積型
太陽電池の軽量化、柔軟性向上が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る集積型太陽電
池の構成の一例を説明するための断面図である。

【図２】図１に示した集積型太陽電池の製造方法の一例
を説明するための断面図である。

【図３】図２に続く製造工程を表す断面図である。

【図４】図３に続く製造工程を表す断面図である。

【図５】図４に続く製造工程を表す断面図である。

【図６】図５に続く製造工程を表す断面図である。

【図７】図６に続く製造工程を表す断面図である。

【図８】図７に続く製造工程を表す断面図である。

【図９】図８に続く製造工程を表す断面図である。

【図１０】図９に続く製造工程を表す断面図である。

【図１１】図１０に続く製造工程を表す断面図である。

【図１２】図１１に続く製造工程を表す断面図である。

【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る集積型太陽
電池の製造方法の一例を説明するための断面図である。

【図１４】図１３に続く製造工程を表す断面図である。

【図１５】図１４に続く製造工程を表す断面図である。

【図１６】図１５に続く製造工程を表す断面図である。

【図１７】図１６に続く製造工程を表す断面図である。

【図１８】本発明の第３の実施の形態に係る集積型太陽
電池の構成の一例を説明するための断面図である。

【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る集積型太陽
電池の構成の一例を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１０…太陽電池素子、１１…半導体層、１２…ｎ型層、
１３…反射防止膜、１４…陰極、１５…陽極、１６…エ
ッチング溝、１７…素子分離溝、１８…コンタクト電
極、２１…裏面保護フィルム、２２，３２…接着層、２
３…反射板、３１…表面保護フィルム、３３…引き出し
電極、４１…シリコン基板、４２…多孔質シリコン層、
４２Ａ…分離層、５１…粘着シート、６１…絶縁層、７
１…バイパス抵抗層

フロントページの続き (72)発明者 山内 一志 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 佐藤 公 神奈川県厚木市妻田北３−15−33 株式会 社ケミカルアートテクノロジー内 Ｆターム(参考） 5F051 AA01 CB11 CB19 CB21 CB28 CB30 DA03 EA04 EA10 EA16 EA20 GA03 GA05 GA11 HA03 HA20

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体層に形成されるとともに少なくと
   も一方向に配列された複数の薄膜素子と、 前記複数の薄膜素子を電気的に分離するために、前記半
   導体層の劈開性を利用して形成された素子分離溝とを有
   することを特徴とする集積型薄膜素子。
2. 【請求項２】 前記素子分離溝は少なくとも前記半導体
   層内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の
   集積型薄膜素子。
3. 【請求項３】 前記素子分離溝は、＜１００＞方向また
   は＜１１０＞方向に形成されていることを特徴とする請
   求項１記載の集積型薄膜素子。
4. 【請求項４】 更に、 前記複数の薄膜素子の裏面側に接着層を介して設けられ
   た裏面保護フィルムを有することを特徴とする請求項１
   記載の集積型薄膜素子。
5. 【請求項５】 前記複数の薄膜素子の各々は、前記半導
   体層の表面に一対の陽極と陰極とを有する太陽電池素子
   であることを特徴とする請求項１記載の集積型薄膜素
   子。
6. 【請求項６】 更に、 前記太陽電池素子の陽極と隣接する太陽電池素子の陰極
   とを電気的に接続するために、前記素子分離溝に架橋す
   るように形成された、低温銀ペーストまたは半田からな
   るコンタクト電極と、 前記太陽電池素子の表面側に接着層を介して設けられた
   表面保護フィルムとを有することを特徴とする請求項５
   記載の集積型薄膜素子。
7. 【請求項７】 更に、 前記素子分離溝に耐熱性絶縁体を充填することにより形
   成された絶縁層を有することを特徴とする請求項５記載
   の集積型薄膜素子。
8. 【請求項８】 更に、 前記素子分離溝に前記太陽電池素子の電気的分離を妨げ
   ない程度の導電性を有する物質を充填することにより形
   成されたバイパス抵抗層を有することを特徴とする請求
   項５記載の集積型薄膜素子。
9. 【請求項９】 半導体層に形成されるとともに少なくと
   も一方向に配列された複数の薄膜素子を有する集積型薄
   膜素子の製造方法であって、 前記複数の薄膜素子を電気的に分離するための素子分離
   溝を、前記半導体層の劈開性を利用して形成することを
   特徴とする集積型薄膜素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 半導体基板の一表面を多孔質化するこ
    とにより多孔質半導体層を形成する工程と、 この多孔質半導体層上に半導体層を形成し、前記半導体
    層に複数の薄膜素子を形成する工程と、 前記複数の薄膜素子を、前記多孔質半導体層を利用して
    前記半導体基板から剥離する工程と、 剥離された前記複数の薄膜素子の裏面側に接着層を介し
    て裏面保護フィルムを接着させる工程と前記半導体層の
    レーザエッチングにより、前記複数の薄膜素子の間にエ
    ッチング溝を形成する工程と、 前記エッチング溝を利用した前記半導体層の劈開によ
    り、前記複数の薄膜素子を電気的に分離するための素子
    分離溝を形成する工程とを含むことを特徴とする集積型
    薄膜素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記エッチング溝を少なくとも前記半
    導体層内に形成することを特徴とする請求項１０記載の
    集積型薄膜素子の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記半導体層のレーザエッチングを＜
    １００＞方向または＜１１０＞方向で行うことを特徴と
    する請求項１０記載の集積型薄膜素子の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記半導体層のレーザエッチングをレ
    ーザアブレーションにより行うことを特徴とする請求項
    １０記載の集積型薄膜素子の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記レーザアブレーションをエキシマ
    レーザにより行うことを特徴とする請求項１３記載の集
    積型薄膜素子の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記複数の薄膜素子を前記半導体基板
    から剥離する工程において、第１の温度範囲内の温度で
    粘着性を有するが加熱により第１の温度より高温の第２
    の温度で接着力が実質的に零になる粘着シートを前記複
    数の薄膜素子の表面側に接着し、この粘着シートと前記
    半導体基板との間に引張り応力を生じさせることにより
    前記複数の薄膜素子を前記半導体基板から剥離し、 前記裏面保護フィルムを接着させる工程において、前記
    第２の温度に加熱し前記粘着シートの接着力を実質的に
    零とすることにより前記複数の薄膜素子の表面側から前
    記粘着シートを剥離することを特徴とする請求項１０記
    載の集積型薄膜素子の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記薄膜素子として、前記半導体層の
    表面に一対の陽極と陰極とを有する太陽電池素子を形成
    することを特徴とする請求項１０記載の集積型薄膜素子
    の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記素子分離溝を形成する工程の後
    に、更に、 前記太陽電池素子の陽極と隣接する太陽電池素子の陰極
    とを電気的に接続するために、前記素子分離溝に架橋す
    るように、低温銀ペーストまたは半田からなるコンタク
    ト電極を形成する工程と、 前記太陽電池素子の表面側に接着層を介して表面保護フ
    ィルムを設ける工程とを含むことを特徴とする請求項１
    ６記載の集積型薄膜素子の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記素子分離溝を形成する工程と前記
    コンタクト電極を形成する工程との間に、更に、 前記素子分離溝に耐熱性絶縁体を充填することにより絶
    縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１７
    記載の集積型薄膜素子の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記素子分離溝を形成する工程と前記
    コンタクト電極を形成する工程との間に、更に、 前記素子分離溝に前記複数の薄膜素子の電気的分離を妨
    げない程度の導電性を有する物質を充填することにより
    バイパス抵抗層を形成する工程を含むことを特徴とする
    請求項１７記載の集積型薄膜素子の製造方法。
20. 【請求項２０】 半導体基板の一表面を多孔質化するこ
    とにより多孔質半導体層を形成する工程と、 この多孔質半導体層上に半導体層を形成し、前記半導体
    層に複数の薄膜素子を形成する工程と、 前記半導体層のレーザエッチングにより、前記複数の薄
    膜素子の間にエッチング溝を形成する工程と、 前記エッチング溝を利用した前記半導体層の劈開によ
    り、前記複数の薄膜素子を電気的に分離するための素子
    分離溝を形成する工程と前記複数の薄膜素子を、前記多
    孔質半導体層を利用して前記半導体基板から剥離する工
    程と、 剥離された前記複数の薄膜素子の裏面側に接着層を介し
    て裏面保護フィルムを接着させる工程とを含むことを特
    徴とする集積型薄膜素子の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記エッチング溝を少なくとも前記半
    導体層内に形成することを特徴とする請求項２０記載の
    集積型薄膜素子の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記半導体層のレーザエッチングを＜
    １００＞方向または＜１１０＞方向で行うことを特徴と
    する請求項２０記載の集積型薄膜素子の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記半導体層のレーザエッチングをレ
    ーザアブレーションにより行うことを特徴とする請求項
    ２０記載の集積型薄膜素子の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記レーザアブレーションをエキシマ
    レーザにより行うことを特徴とする請求項２３記載の集
    積型薄膜素子の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記複数の薄膜素子を前記半導体基板
    から剥離する工程において、第１の温度範囲内の温度で
    粘着性を有するが加熱により第１の温度より高温の第２
    の温度で接着力が実質的に零になる粘着シートを前記複
    数の薄膜素子の表面側に接着し、この粘着シートと前記
    半導体基板との間に引張り応力を生じさせることにより
    前記複数の薄膜素子を前記半導体基板から剥離し、 前記裏面保護フィルムを接着させる工程において、第２
    の温度に加熱し前記粘着シートの接着力を実質的に零と
    することにより前記複数の薄膜素子の表面側から前記粘
    着シートを剥離することを特徴とする請求項２０記載の
    集積型薄膜素子の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記薄膜素子として、前記半導体層の
    表面に一対の陽極と陰極とを有する太陽電池素子を形成
    することを特徴とする請求項２０記載の集積型薄膜素子
    の製造方法。
27. 【請求項２７】 前記裏面保護フィルムを接着させる工
    程の後に、更に、 前記太陽電池素子の陽極と隣接する太陽電池素子の陰極
    とを電気的に接続するために、前記素子分離溝に架橋す
    るように、低温銀ペーストまたは半田からなるコンタク
    ト電極を形成する工程と、 前記太陽電池素子の表面側に接着層を介して表面保護フ
    ィルムを設ける工程とを含むことを特徴とする請求項２
    ６記載の集積型薄膜素子の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記裏面保護フィルムを接着させる工
    程と前記コンタクト電極を形成する工程との間に、更
    に、 前記素子分離溝に耐熱性絶縁体を充填することにより絶
    縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２７
    記載の集積型薄膜素子の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記裏面保護フィルムを接着させる工
    程と前記コンタクト電極を形成する工程との間に、更
    に、 前記素子分離溝に前記複数の薄膜素子の電気的分離を妨
    げない程度の導電性を有する物質を充填することにより
    バイパス抵抗層を形成する工程を含むことを特徴とする
    請求項２７記載の集積型薄膜素子の製造方法。