JP2011146678A - 太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011146678A JP2011146678A JP2010190803A JP2010190803A JP2011146678A JP 2011146678 A JP2011146678 A JP 2011146678A JP 2010190803 A JP2010190803 A JP 2010190803A JP 2010190803 A JP2010190803 A JP 2010190803A JP 2011146678 A JP2011146678 A JP 2011146678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- semiconductor substrate
- cell element
- manufacturing
- antireflection film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
太陽電池素子の分割工程における歩留まりの悪化を低減することのできる太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体基板1の一主面上に反射防止膜3を形成する工程と、反射防止膜3が形成された半導体基板1の一主面にレーザを照射して溝8を形成する工程と、溝8に沿って半導体基板1を分割する工程と、を備えている。
【選択図】 図3
Description
また、従来の分割方法では、太陽電池素子の受光面に形成されている反射防止膜にバリが生じやすく、分割後の小型の太陽電池素子において反射防止膜の欠けが生じ、歩留まりが悪化する場合があった。
反射防止膜3は、例えばSiN膜(Si3N4膜)、TiO2膜、SiO2膜、MgO膜、ITO膜、SnO2膜、ZnO膜などからなる。その厚みは、材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できるようにする。例えば半導体基板1がシリコンからなる場合、屈折率は1.8〜2.3程度、厚み500〜1200Å程度が好ましい。
次に上述の構造を有する太陽電池素子10の本実施形態に係る製造方法について説明する。
く、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜や、微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板1と逆導電型層2との間にi型シリコン領域を形成してもよい。
子基板10Bに対して他の構成を追加するような工程を施してもよい。
ン材料を配置しやすい。なお、本実施形態では、上述した塗布に限られることなく、例えば、レーザの噴射口と反射防止膜3との間に上記した液体の液滴を介在させながらレーザを照射してもよい。
図4は、太陽電池モジュールXの模式的な断面図である。図4に示すように、太陽電池モジュール20は、ガラスなどからなる透光性部材12、透光性のエチレンビニルアセテート共重合体(EVA)などからなる第1充填材13、金属箔等のインナーリード11によって直列または並列に接続された複数の太陽電池素子の子基板10B、透光性または白色のEVAなどからなる第2充填材14、ポリエチレンテレフタレート(PET)や金属箔をポリフッ化ビニル樹脂(PVF)で挟みこんだ保護材15を有する。上記形成方法に作製された太陽電池素子の子基板10Bのうち、最初の太陽電池素子と最後の太陽電池素子の電極の一端とは、出力取出部である端子ボックス17に、アウターリード16によって接続されている。
形成された第1集電部24aと、第1集電部24aと電気的に接続する貫通孔T内に設けられた導通部24bと、第2面21bの上に形成され、導通部24bと接続される第1出力取出部24cと、を有している。第1集電部24aは、第1面21a側で生成したキャリアを集電する機能を有し、例えば、直線状に複数本形成されている。導通部24bは第1集電部24aで集電したキャリアを第2面21b側に設けた第1出力取出部24cに導く機能を有する。第1出力取出部24cは、隣接する太陽電池素子同士を電気的に接続する配線材と接続される配線接続部としての機能を有する。また、第1出力取出部24cは、導通部24bが形成されている部位に応じて設けられる。
バックコンタクト型の太陽電池素子20では、太陽電池素子10に比べて第2面21b側の電極構造が複雑であるため、第1面21b側に形成した分割溝28で分割するほうが好適である。
逆導電型を形成するためのN型化ドーピング元素としてはP(リン)を用い、シート抵抗が60〜300Ω/□程度のN+型とする。これによって上述のP型バルク領域との間にPN接合部が形成される。
第2集電部25aとして利用することもできる。
2、22:逆導電型層(拡散層)
3、23:反射防止膜
4、24:第1電極
4a、24c:第1出力取出部
4b、24a:第1集電部
24b:導通部
5、25:第2電極
5a、25b:第2出力取出部
5b、25a:第2集電部
25c:接続部
6:BSF領域
8、28:分割溝
10、20 :太陽電池素子
10A:太陽電池素子の親基板
10B:太陽電池素子の子基板
29;絶縁膜
X:太陽電池モジュール
Claims (8)
- 半導体基板の一主面上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜が形成された前記半導体基板の一主面にレーザを照射して溝を形成する工程と、
前記溝に沿って前記半導体基板を分割する工程と
を備える太陽電池素子の製造方法。 - 前記反射防止膜を形成する工程の前に、前記半導体基板の前記一主面上に凹凸部を形成する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記凹凸部を形成する工程を、反応性イオンエッチング法で行なうことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記半導体基板は、前記一主面上に複数の線状の集電部を有しており、前記溝を形成する工程において、前記溝を、隣り合う前記集電部の間に形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記溝を形成する工程を、不活性ガスの雰囲気下で行なうことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記溝を形成する工程において、前記反射防止膜上に配置されたパッシベーション材料を介して前記レーザを照射することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記パッシベーション材料として、酸素元素および窒素元素のうち少なくとも一方を含むものを用いることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記パッシベーション材料を、前記反射防止膜上に前記パッシベーション材料を含む液体を塗布することにより配置することを特徴とする請求項6または請求項7に記載の太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010190803A JP2011146678A (ja) | 2009-12-16 | 2010-08-27 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009285252 | 2009-12-16 | ||
JP2009285252 | 2009-12-16 | ||
JP2010190803A JP2011146678A (ja) | 2009-12-16 | 2010-08-27 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011146678A true JP2011146678A (ja) | 2011-07-28 |
Family
ID=44461225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010190803A Pending JP2011146678A (ja) | 2009-12-16 | 2010-08-27 | 太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011146678A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013030650A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Bridgestone Corp | 太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2015198142A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン太陽電池およびその製法、ならびに太陽電池モジュール |
WO2020218757A1 (ko) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조 방법 |
JPWO2019111491A1 (ja) * | 2017-12-04 | 2020-12-10 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106619A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
JPH0890271A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-09 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レーザ加工装置 |
JPH08330617A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力モジュールの製造方法 |
JP2000068544A (ja) * | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 集光型太陽光発電装置および集光型太陽光発電モジュール |
JP2000323735A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 |
JP2001298204A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nisshin Steel Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池基板用絶縁性金属箔帯およびその製造方法 |
JP2002343995A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Sony Corp | 集積型薄膜素子およびその製造方法 |
JP2004006565A (ja) * | 2002-04-16 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 太陽電池とその製造方法 |
JP2005050925A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法 |
JP2005108965A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Matsumiya Handotai Kenkyusho:Kk | 太陽電池セルの製造方法及びその太陽電池セル |
JP2006253726A (ja) * | 2006-06-13 | 2006-09-21 | Kyocera Corp | 半導体基板の粗面化法 |
JP2007042739A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法および光電変換素子 |
JP2007300028A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Tokyo Institute Of Technology | 結晶性ケイ素薄膜の製造方法 |
JP2008060205A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池セル及びその製造方法 |
JPWO2006120735A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2008-12-18 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2009195968A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザスクライブ装置 |
JP2009231791A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-10-08 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-08-27 JP JP2010190803A patent/JP2011146678A/ja active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106619A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
JPH0890271A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-09 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レーザ加工装置 |
JPH08330617A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力モジュールの製造方法 |
JP2000068544A (ja) * | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 集光型太陽光発電装置および集光型太陽光発電モジュール |
JP2000323735A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 |
JP2001298204A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nisshin Steel Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池基板用絶縁性金属箔帯およびその製造方法 |
JP2002343995A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Sony Corp | 集積型薄膜素子およびその製造方法 |
JP2004006565A (ja) * | 2002-04-16 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 太陽電池とその製造方法 |
JP2005050925A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の製造方法 |
JP2005108965A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Matsumiya Handotai Kenkyusho:Kk | 太陽電池セルの製造方法及びその太陽電池セル |
JPWO2006120735A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2008-12-18 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2007042739A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法および光電変換素子 |
JP2007300028A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Tokyo Institute Of Technology | 結晶性ケイ素薄膜の製造方法 |
JP2006253726A (ja) * | 2006-06-13 | 2006-09-21 | Kyocera Corp | 半導体基板の粗面化法 |
JP2008060205A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池セル及びその製造方法 |
JP2009231791A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-10-08 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009195968A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザスクライブ装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013030650A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Bridgestone Corp | 太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2015198142A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン太陽電池およびその製法、ならびに太陽電池モジュール |
JPWO2019111491A1 (ja) * | 2017-12-04 | 2020-12-10 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器 |
JP7146805B2 (ja) | 2017-12-04 | 2022-10-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器 |
WO2020218757A1 (ko) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조 방법 |
JP2022529639A (ja) * | 2019-04-25 | 2022-06-23 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の製造方法 |
JP7349509B2 (ja) | 2019-04-25 | 2023-09-22 | シャンラオ ジンコ ソーラー テクノロジー デベロップメント シーオー.,エルティーディー | 太陽電池の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5025184B2 (ja) | 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法 | |
JP5328363B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 | |
EP2485278B1 (en) | Solar cell element and solar cell module | |
JP4999937B2 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 | |
US8178778B2 (en) | Photovoltaic conversion element and manufacturing method therefor, and photovoltaic conversion module using same | |
CN107710419B (zh) | 太阳能电池和太阳能电池模块 | |
EP2065941A2 (en) | Solar cell and a manufacturing method of the solar cell | |
JP6648986B2 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
EP2937910A1 (en) | Solar cell and method for producing same | |
JP2008270743A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP6525583B2 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
WO2011132707A1 (ja) | 太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュール | |
US9997647B2 (en) | Solar cells and manufacturing method thereof | |
JP5495777B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
TWI492392B (zh) | 半導體元件模組封裝結構及其串接方式 | |
KR101699301B1 (ko) | 양면 수광형 태양전지 모듈 | |
JP2011146678A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JP6115806B2 (ja) | 光起電力装置 | |
US20190081186A1 (en) | Solar cell element and solar cell module | |
JP2010080885A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2015106585A (ja) | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池モジュール | |
JP5501549B2 (ja) | 光電変換素子、およびそれから構成される光電変換モジュール | |
JP6125042B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
TW201822362A (zh) | 高光電變換效率太陽電池胞及高光電變換效率太陽電池胞之製造方法 | |
KR102674778B1 (ko) | 고광전변환효율 태양전지, 그 제조 방법, 태양전지 모듈 및 태양광 발전 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140127 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140715 |