JP2007300028A - 結晶性ケイ素薄膜の製造方法 - Google Patents
結晶性ケイ素薄膜の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明は、実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、溶融冷却工程に先立って、アモルファス性薄膜及び/又は酸化ケイ素からなる薄膜の膜厚を、結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程とを有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法を提供する。
【選択図】 なし
Description
まず、基板としてSiウエハ(nタイプ、<100>配向−1°off、25mm×40mm×0.55mmの矩形基板)を準備した。次いで、その基板上に下側のSiO2薄膜を、Cold Wall CVD法により形成した。このCVD法は、原料ガスとしてN2で希釈されたテトラエトキシシラン(TEOS)を用い、原料ガス分圧約1Torr、全圧20Torr、基板温度800℃、原料ガス温度55℃、原料ガス流量0.42sccmの条件で、1時間行われた。
得られた結晶性Si薄膜(A)を、EBSP法によって得られるOIM(Orientation Imaging. Microscopy、TM)像により確認した。グレースケールにしたOIM像を図3に示す。OIM像は、本来カラー像であり、異なる結晶面を異なる色調で表すものである。図3はグレースケールであるため判別困難であるが、Si薄膜(A)は、(a)に示すND方向において(001)、(b)に示すTD方向において(101)が強く配向しており、良好な結晶配向性を有することが確認できた。
まず、基板としてSiウエハ(nタイプ、<100>配向−1°off、25mm×40mm×0.55mmの矩形基板)を準備した。次いで、その基板上に下側のSiO2薄膜を、Cold Wall CVD法により形成した。このCVD法は、原料ガスとしてN2で希釈されたテトラエトキシシラン(TEOS)を用い、原料ガス分圧約1Torr、全圧20Torr、基板温度800℃、原料ガス温度55℃、原料ガス流量0.42sccmの条件で、1時間行われた。
得られた結晶性Si薄膜(B)を、EBSP法によって得られるOIM(Orientation Imaging. Microscopy、TM)像により確認した。結晶性Si薄膜(B)は、ND方向及びTD方向とも、結晶性Si薄膜(A)よりも低い結晶配向性を有することが確認できた。
まず、基板としてSiウエハ(nタイプ、<100>配向−1°off、25mm×40mm×0.55mmの矩形基板)を準備した。次いで、その基板上に下側のSiO2薄膜を、Cold Wall CVD法により形成した。このCVD法は、原料ガスとしてN2で希釈されたテトラエトキシシラン(TEOS)を用い、原料ガス分圧約1Torr、全圧20Torr、基板温度900℃、原料ガス温度55℃、原料ガス流量0.42sccmの条件で、1時間行われた。
得られた結晶性Si薄膜(C)を、EBSP法によって得られるOIM(Orientation Imaging. Microscopy、TM)像により確認した。グレースケールにしたOIM像を図4に示す。結晶性Si薄膜(C)は、(a)に示すND方向並びに(b)に示すTD方向とも、様々な結晶面が混在しており、結晶性Si薄膜(A)よりも低い結晶配向性を有することが確認できた。
Claims (3)
- 実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、前記アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、
前記溶融冷却工程に先立って、前記アモルファス性薄膜の膜厚を、前記結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程と、を有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法。 - 実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、前記アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、
前記溶融冷却工程に先立って、前記酸化ケイ素からなる薄膜の膜厚を、前記結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整する酸化ケイ素膜厚調整工程と、を有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法。 - 前記溶融冷却工程に先立って、前記アモルファス性薄膜の膜厚を、前記結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程を更に有する、請求項2記載の結晶性ケイ素薄膜の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011510515A (ja) * | 2008-01-25 | 2011-03-31 | ナノグラム・コーポレイション | 無機膜のゾーンメルト再結晶 |
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2006
- 2006-05-02 JP JP2006128620A patent/JP2007300028A/ja active Pending
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