JPS60105216A - 薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体装置の製造方法Info
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- JPS60105216A JPS60105216A JP58211856A JP21185683A JPS60105216A JP S60105216 A JPS60105216 A JP S60105216A JP 58211856 A JP58211856 A JP 58211856A JP 21185683 A JP21185683 A JP 21185683A JP S60105216 A JPS60105216 A JP S60105216A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁材料からなる基板上に堆積した半導体薄
膜をビームアニールして、再結晶させた時に、結晶性を
より良くする薄膜半導体装置の製造方法に関する。
膜をビームアニールして、再結晶させた時に、結晶性を
より良くする薄膜半導体装置の製造方法に関する。
従来この種の装置に、絶縁基板上に堆積した半導体薄膜
、例えば水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）
をビームアニールする場合に、一度のアニールで再結晶
化していた。そのためａ−Ｅｌｉ：Ｈから水素ガスが抜
けるのと、再結晶化が同時におこり、再結晶した半導体
薄膜の結晶性が十分良くならず、緻苦な膜にならないと
いう欠点があった。
、例えば水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）
をビームアニールする場合に、一度のアニールで再結晶
化していた。そのためａ−Ｅｌｉ：Ｈから水素ガスが抜
けるのと、再結晶化が同時におこり、再結晶した半導体
薄膜の結晶性が十分良くならず、緻苦な膜にならないと
いう欠点があった。
本発明は、上記のような欠点をなくすためになされたも
のであり、絶縁基板上の半導体薄膜、例えばａ、−８ｉ
：Ｈ全融点より低い温度でアニールし水素ガスを除去し
た後、ビームアニールによ！１ｌａ−８ｉｉｆｉ融、再
結晶させて結晶性を向上させる製造方法を提供すること
を目的としたものである。
のであり、絶縁基板上の半導体薄膜、例えばａ、−８ｉ
：Ｈ全融点より低い温度でアニールし水素ガスを除去し
た後、ビームアニールによ！１ｌａ−８ｉｉｆｉ融、再
結晶させて結晶性を向上させる製造方法を提供すること
を目的としたものである。
以下図面によって本発明の薄膜半導体装ｌｉｔの製造方
法の一例を詳述する。
法の一例を詳述する。
第１図は、絶縁基板１の上に半導体薄膜２を堆積する工
程を示す図である。絶縁基板１の例は、石英基板やガラ
ス基板などがあり、約１順から３覇の厚さで使用する。
程を示す図である。絶縁基板１の例は、石英基板やガラ
ス基板などがあり、約１順から３覇の厚さで使用する。
また半導体Ｒ膜２には、水ｉ化アモルファスシリコンま
たは、フッ素化アモルファヌシリコンが考えられる。こ
こでは、現在量も広く使われているａ−８ｉ：Ｉ（の堆
積方法について説明する、プラズマ（！ＶＤ法を用いて
均一に作成し、成長温度は室温から約４００℃の間で行
う。原料ガスはおもにシラン（ｓｉＨ，）または、ジシ
ラン（ｓｉ、２ｕａ）を使用する。
たは、フッ素化アモルファヌシリコンが考えられる。こ
こでは、現在量も広く使われているａ−８ｉ：Ｉ（の堆
積方法について説明する、プラズマ（！ＶＤ法を用いて
均一に作成し、成長温度は室温から約４００℃の間で行
う。原料ガスはおもにシラン（ｓｉＨ，）または、ジシ
ラン（ｓｉ、２ｕａ）を使用する。
第２図は、Ｔ刊１図の水素またはフッ素などのガスを含
む半導体薄膜２を融点以下の温度でアニールして、ガス
を含まない半導体薄膜５を形成する工程を示す（図であ
る。アニールの方法は、レーザ。
む半導体薄膜２を融点以下の温度でアニールして、ガス
を含まない半導体薄膜５を形成する工程を示す（図であ
る。アニールの方法は、レーザ。
ランプ、電子ビームを使ったビームアニールや、加熱炉
、ヒータを利用したものがある。例えばａ−８ｉ：Ｈの
水素ガスは、約５００℃から６００℃で除去できること
が知られており、この温度まで上昇できるアニール方法
であればどの方法を使用してもよい、、また雰囲気は、
真空または不活性ガス中であることが望ましい。
、ヒータを利用したものがある。例えばａ−８ｉ：Ｈの
水素ガスは、約５００℃から６００℃で除去できること
が知られており、この温度まで上昇できるアニール方法
であればどの方法を使用してもよい、、また雰囲気は、
真空または不活性ガス中であることが望ましい。
第３図は、第２図のガスを含まない半導体薄膜３′Ｊｆ
ｃアニールにより１溶融そして再結晶させ、結晶化した
半導体薄膜４を形成する工程を示す図である。アニール
方法は、第２図の工程同様の方法が考えら几るが、絶縁
基板１を加熱することなく、融点以上まで半導体薄膜４
をアニールするには、レーザや電子ビームなどｔ利用し
たビームアニールが有効である。
ｃアニールにより１溶融そして再結晶させ、結晶化した
半導体薄膜４を形成する工程を示す図である。アニール
方法は、第２図の工程同様の方法が考えら几るが、絶縁
基板１を加熱することなく、融点以上まで半導体薄膜４
をアニールするには、レーザや電子ビームなどｔ利用し
たビームアニールが有効である。
第４図は、アニール後結晶化した半導体薄膜４（例えば
シリコン）孕フォトリングラフィ技術によりパターニン
グし、作成したＴＰＴ’（ｊ示す図である。ＴＩＩ’Ｔ
の作成例は、結晶化した半導体薄膜４の両端にドレイン
電極７とソース電極８全スノ９ツタ法全用いて、アルミ
ニウムとシリコンの合金（ｐ、ｔ−５１）ｆ堆積する工
程ケ行う。その後、結晶化した半導体膜４の中央部に絶
縁膜５（例えばＥｌｉＯ，）’ＱプラズマＯＶＤ法を用
いて形成する。
シリコン）孕フォトリングラフィ技術によりパターニン
グし、作成したＴＰＴ’（ｊ示す図である。ＴＩＩ’Ｔ
の作成例は、結晶化した半導体薄膜４の両端にドレイン
電極７とソース電極８全スノ９ツタ法全用いて、アルミ
ニウムとシリコンの合金（ｐ、ｔ−５１）ｆ堆積する工
程ケ行う。その後、結晶化した半導体膜４の中央部に絶
縁膜５（例えばＥｌｉＯ，）’ＱプラズマＯＶＤ法を用
いて形成する。
この場合、絶縁膜５の原料ガスとしては、シラン（８ｉ
Ｈ４）と亜酸化窒素（Ｎ２０）を使用する。さらに絶縁
膜５の上にゲート電極６を、ドレイン電極７とソース電
極８と同様にして形成する工程全行う。
Ｈ４）と亜酸化窒素（Ｎ２０）を使用する。さらに絶縁
膜５の上にゲート電極６を、ドレイン電極７とソース電
極８と同様にして形成する工程全行う。
以上仁こでは単一の７１ｔ’Ｔについて説明したが、Ｔ
ＰＴは基板上に複数あっても良い。
ＰＴは基板上に複数あっても良い。
本発明は、上記のように水素ガスまたはフッ素ガスを含
むアモルファスシリコンのガスを除去するアニールを行
なった後、再結晶化アニールを行うため、 ＋１＋ 結晶化した半導体薄膜の結晶性をより良くでき
る。
むアモルファスシリコンのガスを除去するアニールを行
なった後、再結晶化アニールを行うため、 ＋１＋ 結晶化した半導体薄膜の結晶性をより良くでき
る。
（２）結晶化した半導体薄膜の膜質が緻密になり、ＴＰ
Ｔの電気的特性が向上する。
Ｔの電気的特性が向上する。
等の効果がある。
８１図から第３図は、本発明の製造方法の工程順を説明
するための図である。、第４図は、本発明の製造方法に
よって得られるＴＰＴの断面図を示す。− １・・・絶縁基板 ２・・・水素′！ｉたけフッ素を含む半導体薄膜６・・
・水素まｆｃはフッ素を含まない半導体薄膜４・・・再
結晶化した半導体薄膜 ５・・・絶縁膜 ６・・・ゲート電極 ７・・・ドレイン電極 ８・・・ソｒス電極 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社
するための図である。、第４図は、本発明の製造方法に
よって得られるＴＰＴの断面図を示す。− １・・・絶縁基板 ２・・・水素′！ｉたけフッ素を含む半導体薄膜６・・
・水素まｆｃはフッ素を含まない半導体薄膜４・・・再
結晶化した半導体薄膜 ５・・・絶縁膜 ６・・・ゲート電極 ７・・・ドレイン電極 ８・・・ソｒス電極 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１絶縁材料からなる基板上に半導体薄膜を堆積する
工程と、前記半導体薄膜を融点より低い温度でアニール
する工程と、前記半導体薄膜をアニールにより溶融そし
て再結晶させる工程とよりなる薄膜半導体装置の製造方
法。 （２）前記半導体薄膜が水素化アモルファスシリコン捷
りはフッ素化アモルファスシリコンよすすることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211856A JPS60105216A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211856A JPS60105216A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60105216A true JPS60105216A (ja) | 1985-06-10 |
Family
ID=16612726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58211856A Pending JPS60105216A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60105216A (ja) |
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-
1983
- 1983-11-11 JP JP58211856A patent/JPS60105216A/ja active Pending
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