JP2704403B2 - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法Info
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- JP2704403B2 JP2704403B2 JP61278207A JP27820786A JP2704403B2 JP 2704403 B2 JP2704403 B2 JP 2704403B2 JP 61278207 A JP61278207 A JP 61278207A JP 27820786 A JP27820786 A JP 27820786A JP 2704403 B2 JP2704403 B2 JP 2704403B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- annealing
- semiconductor thin
- film manufacturing
- hydrogen
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁基板上の半導体膜をビームアニールに
より再結晶化するSOI技術に関する。 〔発明の概要〕 本発明は、絶縁基板上にSi薄膜を堆積してビームアニ
ールにより再結晶化する工程において、Si薄膜を堆積す
るための原料ガスとして、Siの水素化物とSiのハロゲン
化物とを使用することで、Si薄膜中の水素量を減少させ
て、容易にビームアニールできるようにするものであ
る。 〔従来の技術〕 従来技術の例を第２図（ａ），（ｂ）で説明する。第
２図（ａ）は、絶縁基板１上にSi薄膜21を堆積する工程
である。原料ガスはSiの水素化物であるSiH4などを使用
していたため、Si薄膜21中に多量の水素が含まれてい
る。第２図（ｂ）は、Si薄膜21をエネルギービーム４で
走査方向５の方向にアニールして、再結晶化する工程で
ある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 Si薄膜21は膜中に多量の水素を含むため、ビームアニ
ール後の再結晶Si薄膜31は、ボイドが発生して、表面に
大きな凹凸ができてしまう。この例は昭和61年春季応用
物理学会予稿集3P−Ｅ−３に示されている。 〔問題点を解決するための手段〕 Si薄膜２を堆積する際にSiの水素化物とSiのハロゲン
化物とを混合することにより、膜中の水素を減少させる
ことできる。 〔作用〕 Si薄膜２の堆積時に、水素とハロゲンとは結合して、
膜中に残留することなく外部へ排出される。 〔実施例〕 以下図面によって本発明を説明する。第１図（ａ），
（ｂ）は、本発明の実施例の工程を説明するための断面
図である。第１図（ａ）は絶縁基板１上にSi薄膜２を堆
積する工程である。絶縁基板１の例としては、石英や無
アルカリガラスやアルカリなどの不純物を含んだガラス
の表面に絶縁物をコートしてガラスからの不純物の拡散
を防止したものなどがある。 Si薄膜２は、原料として数多くの物質があり、堆積方
法も各種のCVD法があるが、ここでは、SiH4，SiF4，H2
をおもな原料としたプラズマCVD法によりａ−Siを堆積
する方法について説明する。堆積温度は室温から400℃
の間に設定し、各原料ガスを混合して堆積することによ
り、SiH4ガス中の水素とSiF4ガス中のフッ素とが結合し
て排出されるため、水素などのガスの含まれないａ−Si
が堆積される。また膜厚は0.1μｍから0.5μｍの間に設
定する。 第１図（ｂ）は、Si薄膜２をエネルギービーム４でア
ニールして再結晶Si薄膜３を製作する工程である。アニ
ール方法にはレーザや電子ビームまたはランプやヒータ
などを用いた多数の方法があるが、ここではArレーザを
使用して行う。 一般にSiH4のみで堆積したａ−Siには多量の水素が含
まれているため、再結晶化のアニールの前に水素ガスを
除去するプレアニールが必要である。しかしここで、Si
薄膜２はほとんど膜中にガスが含まれないため、１回の
再結晶アニールで平坦で結晶性の良い再結晶Si薄膜３が
できる。 〔発明の効果〕 この発明は、前述の実施例で説明したように、ビーム
アニールを行うSi薄膜中に水素などのガスが含まれない
ため、プレアニールの工程なしに平坦な再結晶化が可能
となる。
より再結晶化するSOI技術に関する。 〔発明の概要〕 本発明は、絶縁基板上にSi薄膜を堆積してビームアニ
ールにより再結晶化する工程において、Si薄膜を堆積す
るための原料ガスとして、Siの水素化物とSiのハロゲン
化物とを使用することで、Si薄膜中の水素量を減少させ
て、容易にビームアニールできるようにするものであ
る。 〔従来の技術〕 従来技術の例を第２図（ａ），（ｂ）で説明する。第
２図（ａ）は、絶縁基板１上にSi薄膜21を堆積する工程
である。原料ガスはSiの水素化物であるSiH4などを使用
していたため、Si薄膜21中に多量の水素が含まれてい
る。第２図（ｂ）は、Si薄膜21をエネルギービーム４で
走査方向５の方向にアニールして、再結晶化する工程で
ある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 Si薄膜21は膜中に多量の水素を含むため、ビームアニ
ール後の再結晶Si薄膜31は、ボイドが発生して、表面に
大きな凹凸ができてしまう。この例は昭和61年春季応用
物理学会予稿集3P−Ｅ−３に示されている。 〔問題点を解決するための手段〕 Si薄膜２を堆積する際にSiの水素化物とSiのハロゲン
化物とを混合することにより、膜中の水素を減少させる
ことできる。 〔作用〕 Si薄膜２の堆積時に、水素とハロゲンとは結合して、
膜中に残留することなく外部へ排出される。 〔実施例〕 以下図面によって本発明を説明する。第１図（ａ），
（ｂ）は、本発明の実施例の工程を説明するための断面
図である。第１図（ａ）は絶縁基板１上にSi薄膜２を堆
積する工程である。絶縁基板１の例としては、石英や無
アルカリガラスやアルカリなどの不純物を含んだガラス
の表面に絶縁物をコートしてガラスからの不純物の拡散
を防止したものなどがある。 Si薄膜２は、原料として数多くの物質があり、堆積方
法も各種のCVD法があるが、ここでは、SiH4，SiF4，H2
をおもな原料としたプラズマCVD法によりａ−Siを堆積
する方法について説明する。堆積温度は室温から400℃
の間に設定し、各原料ガスを混合して堆積することによ
り、SiH4ガス中の水素とSiF4ガス中のフッ素とが結合し
て排出されるため、水素などのガスの含まれないａ−Si
が堆積される。また膜厚は0.1μｍから0.5μｍの間に設
定する。 第１図（ｂ）は、Si薄膜２をエネルギービーム４でア
ニールして再結晶Si薄膜３を製作する工程である。アニ
ール方法にはレーザや電子ビームまたはランプやヒータ
などを用いた多数の方法があるが、ここではArレーザを
使用して行う。 一般にSiH4のみで堆積したａ−Siには多量の水素が含
まれているため、再結晶化のアニールの前に水素ガスを
除去するプレアニールが必要である。しかしここで、Si
薄膜２はほとんど膜中にガスが含まれないため、１回の
再結晶アニールで平坦で結晶性の良い再結晶Si薄膜３が
できる。 〔発明の効果〕 この発明は、前述の実施例で説明したように、ビーム
アニールを行うSi薄膜中に水素などのガスが含まれない
ため、プレアニールの工程なしに平坦な再結晶化が可能
となる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の実施例の工程を説明す
るための断面図である。第２図（ａ），（ｂ）は従来の
実施例の工程を説明するための断面図である。 １……絶縁基板 2,21……Si薄膜 3,31……再結晶Si薄膜 ４……エネルギービーム ５……走査方向
るための断面図である。第２図（ａ），（ｂ）は従来の
実施例の工程を説明するための断面図である。 １……絶縁基板 2,21……Si薄膜 3,31……再結晶Si薄膜 ４……エネルギービーム ５……走査方向
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．絶縁基板または絶縁膜上に、Siの水素化物とSiのハ
ロゲン化物とをおもな原料としたガスでSi薄膜を堆積す
る工程と前記Si薄膜をビームアニールして再結晶Si薄膜
とする工程とからなる半導体薄膜の製造方法。 ２．前記Siの水素化物がSiH4、Si2H6、Si3H8から選ばれ
る少なくとも１つの水素化物であり、前記Siのハロゲン
化物がSicl4、SiHcl3、SiH2cl2、SiBr4、SiI4から選ば
れる少なくとも１つのハロゲン化物である特許請求の範
囲第１項記載の半導体薄膜の製造方法。 ３．前記Si薄膜が非晶質Si（ａ−Si）または多結晶Siで
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278207A JP2704403B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278207A JP2704403B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 半導体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132420A JPS63132420A (ja) | 1988-06-04 |
| JP2704403B2 true JP2704403B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=17594087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61278207A Expired - Lifetime JP2704403B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704403B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228313A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多結晶シリコン膜の形成方法 |
| US6706321B2 (en) * | 2000-06-13 | 2004-03-16 | Tokyo Electron Limited | Developing treatment method and developing treatment unit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3763532A (en) * | 1972-06-05 | 1973-10-09 | Dayco Corp | Drafting roller construction |
| JPS57138129A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of amorphous thin-film |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP61278207A patent/JP2704403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63132420A (ja) | 1988-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |