JPS58190020A - エピタキシヤル成長法 - Google Patents

エピタキシヤル成長法

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JPS58190020A
JPS58190020A JP57074016A JP7401682A JPS58190020A JP S58190020 A JPS58190020 A JP S58190020A JP 57074016 A JP57074016 A JP 57074016A JP 7401682 A JP7401682 A JP 7401682A JP S58190020 A JPS58190020 A JP S58190020A
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JP
Japan
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film
single crystal
polycrystalline
epitaxial growth
lamp
Prior art date
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Pending
Application number
JP57074016A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Publication of JPS58190020A publication Critical patent/JPS58190020A/ja
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    • H10P14/382—Scanning of a beam

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  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエピタキシャル成長法に関する。
従来、エピタキシャル成長は、半導体材料にエピタキシ
ャル成長に代表される如く、単結晶基板上に、成長させ
んとする材料の化合物雰囲気中で、前記化合物を還元す
ると共に、加熱単結晶基板表面に単結晶膜を育成するの
が通例であった。
しかし、上記従来技術では、 （１）単結晶育成速度が遅く、スルー・プツトが悪い。
（２）薄い単結晶膜厚をバラツキなく育成することが困
難。
（８）下地単結晶材料または不純物が育成された単結晶
膜中へ深く侵入する（オート・ドーピング現象）等の欠
点があった。
゛本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、高いスルー
ブツトで、薄膜迄高精度にかつオート・ドーピングのな
いエピタキシャル成長膜の形成法を提供することを目的
とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、エ
ピタキシャル成長法において、単結晶基板上には少なく
とも多結晶またはアモルファス膜力形成され、該多結晶
またはアモルファス膜ノ表面からランプ光を照射して、
単結晶膜となす事を特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるエピタキシャル成長法の工程図を
示す。まず（ａ）Ｓ１単結晶基板１上に、（ｈ）多結晶
Ｓｉ層２を８００℃で、１０−３ｆｉＨｒ程度の真空度
の炉中に８１単結晶基板１を入れて、ｓｔｕ、ｏｔｚ（
ジクロロシラン）ガスを炉中に導入することにより、成
長させる。次いで、（８）ＳｉＨ４＋２０．”９””　
Ｓ　：Ｌ　Ｏ，＋２　Ｈ，Ｏの反応により化学蒸着法で
Ｓｉｎ！膜３を形成し、（４）ハロゲンランプ５を一方
向６あるいは全面から光７を照射することにより、多結
晶Ｓ１膜２を単結晶Ｓ１膜４となす。この場合、表面温
度は１２００℃〜１４００℃にランプ５により加熱され
る。更に５ｉｎｔ膜３はなくても良く、多結晶Ｓ１膜に
はＯＶＤ成長時に不純物を入れるかイオン打込みにより
不純物をあらかじめ入れておいても良い。
上記の如く、単結晶基板上の多結晶膜をランプ加熱によ
り単結晶膜にする方法の効果は、（１）　　多結晶また
はアモルファス膜の成長を減圧ＯＶＤ法により多数枚に
一度に処理できる。
（２）　　多結晶またはアモルファス膜の膜厚が薄くて
も、減圧ＯＶＤ法や蒸着法により再現・１、”１−良く
均一な膜厚が得られる。
（８）　　ランプ加熱による単結晶化時間は５“φ　基
板で５秒程度で良く、スループットが高い。
（４）　ランプ加熱時間が短いため、基板からのオート
・ドーピングがない。
等であり、低コストで、薄いエピタキシャル処理が可能
であることである。
この方法により作成される薄くて、オート・ドーピング
のないエビメキシャル膜は高速電子素子や高い集積度の
集積回路に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるエピタキシャル成長法の一実施例
の工程を示す断面図である。 １・・・・・・単結晶基板 ２・・・・・・多結晶またはアモルファス膜３・・・・
・・絶縁膜 ４・・・・・・単結晶膜 ５・・・・・・ランプ ６・・・・・・走査方向 ７・・・・・・光

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 単結晶基板上には少なくとも多結晶またはアモルファス
    膜が形成され、該多結晶またはアモルファス膜の表面か
    らランプ光を照射して、単結晶膜となす事を特徴とする
    エピタキシャル成長法。
JP57074016A 1982-04-30 1982-04-30 エピタキシヤル成長法 Pending JPS58190020A (ja)

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JP57074016A JPS58190020A (ja) 1982-04-30 1982-04-30 エピタキシヤル成長法

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JP57074016A JPS58190020A (ja) 1982-04-30 1982-04-30 エピタキシヤル成長法

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5279973A (en) * 1990-10-16 1994-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Rapid thermal annealing for semiconductor substrate by using incoherent light
US5843225A (en) * 1993-02-03 1998-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device
US5915174A (en) * 1994-09-30 1999-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same
US5956579A (en) * 1993-02-15 1999-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US6168980B1 (en) 1992-08-27 2001-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US6610142B1 (en) 1993-02-03 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device
US6997985B1 (en) 1993-02-15 2006-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5279973A (en) * 1990-10-16 1994-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Rapid thermal annealing for semiconductor substrate by using incoherent light
US6168980B1 (en) 1992-08-27 2001-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5843225A (en) * 1993-02-03 1998-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device
US6610142B1 (en) 1993-02-03 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device
US5956579A (en) * 1993-02-15 1999-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US6084247A (en) * 1993-02-15 2000-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a catalyst enhanced crystallized layer
US6997985B1 (en) 1993-02-15 2006-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US5915174A (en) * 1994-09-30 1999-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same
US6316789B1 (en) 1994-09-30 2001-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device and method for producing the same

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