JPS63254720A - 半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
半導体薄膜の形成方法Info
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- JPS63254720A JPS63254720A JP9012887A JP9012887A JPS63254720A JP S63254720 A JPS63254720 A JP S63254720A JP 9012887 A JP9012887 A JP 9012887A JP 9012887 A JP9012887 A JP 9012887A JP S63254720 A JPS63254720 A JP S63254720A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜トランジスタの形成等に用いられる半導
体薄膜の形成方法に関するものである。
体薄膜の形成方法に関するものである。
本発明は、上記の様な半導体薄膜の形成方法において、
非単結晶の半導体薄膜の固相成長の温度よりも低い温度
でその半導体の酸化膜を半導体膜上に形成してからこの
半導体薄膜で固相成長を行わせることによって、（１０
０）面の方位が良好に制御されており且つ品質の高い半
導体薄膜を形成することができる様にしたものである。
非単結晶の半導体薄膜の固相成長の温度よりも低い温度
でその半導体の酸化膜を半導体膜上に形成してからこの
半導体薄膜で固相成長を行わせることによって、（１０
０）面の方位が良好に制御されており且つ品質の高い半
導体薄膜を形成することができる様にしたものである。
絶縁性基体上の半導体薄膜で薄膜トランジスタ等を形成
するためには、半導体薄膜中で単結晶の粒子を成長させ
る必要がある。このための方法は、例えば、特開昭５７
−９１５１７公報や特開昭５８−１５２２７号公報に開
示されている。
するためには、半導体薄膜中で単結晶の粒子を成長させ
る必要がある。このための方法は、例えば、特開昭５７
−９１５１７公報や特開昭５８−１５２２７号公報に開
示されている。
特開昭５７−９１５１７号公報には、熱、電子線、レー
ザ光等を用いて酸化性雰囲気中で非単結晶のＳｉｉ膜を
アニールする方法が開示されている。
ザ光等を用いて酸化性雰囲気中で非単結晶のＳｉｉ膜を
アニールする方法が開示されている。
また特開昭５８−１５２２７号公報には、不活性ガス中
に酸素が２％以上含まれている雰囲気中で非単結晶のＳ
ｔ薄膜を溶融再結晶化させることによって、表面が（１
００）面となる結晶化を行わせる方法が開示されている
。
に酸素が２％以上含まれている雰囲気中で非単結晶のＳ
ｔ薄膜を溶融再結晶化させることによって、表面が（１
００）面となる結晶化を行わせる方法が開示されている
。
ところが、特開昭５７−９１５１７号公報の方法では、
結晶の面方位が制御され得るのか否かが不明である。も
し結晶の面方位を制御することができなければ、電子の
易動度等において高い性能を有する薄膜トランジスタ等
を形成することができない。
結晶の面方位が制御され得るのか否かが不明である。も
し結晶の面方位を制御することができなければ、電子の
易動度等において高い性能を有する薄膜トランジスタ等
を形成することができない。
また特開昭５８−１５２２７号公報の方法では、Ｓｉ薄
膜中へ酸素が混入するのみならずこの混入した酸素に起
因する結晶欠陥も発生して、やはり高い性能を有する薄
膜トランジスタ等を形成することができない。
膜中へ酸素が混入するのみならずこの混入した酸素に起
因する結晶欠陥も発生して、やはり高い性能を有する薄
膜トランジスタ等を形成することができない。
本発明による半導体薄膜の形成方法は、絶縁性基体１１
上の非単結晶の半導体薄膜１２上にこの半導体薄膜１２
の固相成長の温度よりも低い温度で前記半導体の酸化膜
１４を形成する工程と、前記形成の後に前記半導体薄膜
１２で前記固相成長を行わせる工程とを夫々具備してい
る。
上の非単結晶の半導体薄膜１２上にこの半導体薄膜１２
の固相成長の温度よりも低い温度で前記半導体の酸化膜
１４を形成する工程と、前記形成の後に前記半導体薄膜
１２で前記固相成長を行わせる工程とを夫々具備してい
る。
本発明による半導体薄膜の形成方法では、非単結晶の半
導体薄膜１２上にその酸化膜１４を形成してから固相成
長を行わせており、半導体薄膜１２とその酸化膜１４と
の界面における表面準位は（１００）面が最小であるの
で、半導体薄膜１２の表面が（１００）面となる結晶化
が行われる。
導体薄膜１２上にその酸化膜１４を形成してから固相成
長を行わせており、半導体薄膜１２とその酸化膜１４と
の界面における表面準位は（１００）面が最小であるの
で、半導体薄膜１２の表面が（１００）面となる結晶化
が行われる。
しかも、半導体薄膜１２の固相成長の温度よりも低い温
度で酸化膜１４を形成しているので、表面が（１００）
面となる結晶化の前に結晶核が発生することはなく、ま
た酸素の混入による結晶欠陥等の発生も極めて少ない。
度で酸化膜１４を形成しているので、表面が（１００）
面となる結晶化の前に結晶核が発生することはなく、ま
た酸素の混入による結晶欠陥等の発生も極めて少ない。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
本実施例では、第１Ａ図に示す様に、Ｓｉの表面にＳｉ
ｎ、を形成したものや石英等から成る絶縁性基体１１に
、厚さが８００人程度のＳｉ薄膜１２をまず堆積させる
。
ｎ、を形成したものや石英等から成る絶縁性基体１１に
、厚さが８００人程度のＳｉ薄膜１２をまず堆積させる
。
次に、２Ｘ１０”個／ｃｄの密度のＳｉ＋イオン１３を
４０ｋｅＶのエネルギでＳｉｌ膜１２の全面に注入して
、このＳｉ薄膜１２の全体を一旦は非単結晶化する。
４０ｋｅＶのエネルギでＳｉｌ膜１２の全面に注入して
、このＳｉ薄膜１２の全体を一旦は非単結晶化する。
次に、第１Ｂ図に示す様に、６００℃よりも低い温度で
Ｓｉ薄膜１２上にＳｉＯ□膜１４膜形４する。
Ｓｉ薄膜１２上にＳｉＯ□膜１４膜形４する。
このＳｉｎ、膜１４の形成は、オゾン中での５ｉＦｉｌ
膜１２の酸化や液相酸化法によるＳｉ薄膜１２の酸化や
ブラズ７ＣＶＤによるＳｉｎｇの堆積等によって行う。
膜１２の酸化や液相酸化法によるＳｉ薄膜１２の酸化や
ブラズ７ＣＶＤによるＳｉｎｇの堆積等によって行う。
６００℃という温度はＳｉ薄膜１２の固相成長の温度で
あるので、６００℃よりも低い温度でＳｉｎｇ膜１４膜
形４しても、Ｓｉｍ膜１膜中２中未だ結晶核が発生して
おらず、Ｓｉ薄膜１２中への酸素の混入等も極めて少な
い。
あるので、６００℃よりも低い温度でＳｉｎｇ膜１４膜
形４しても、Ｓｉｍ膜１膜中２中未だ結晶核が発生して
おらず、Ｓｉ薄膜１２中への酸素の混入等も極めて少な
い。
次に、窒素雰囲気中において６００℃の温度で５ｉｆｔ
膜１２を熱処理する。すると、周知の様にＳｉ薄膜１２
とＳｉｎｇ膜１４膜形４面における表面準位は（１００
）面が最小であるので、Ｓｉ薄膜１２の表面が（１００
）面となる様な結晶核が発生し、更にこの様な結晶方位
でＳｉ薄膜１２の全体で固相成長が進行する。
膜１２を熱処理する。すると、周知の様にＳｉ薄膜１２
とＳｉｎｇ膜１４膜形４面における表面準位は（１００
）面が最小であるので、Ｓｉ薄膜１２の表面が（１００
）面となる様な結晶核が発生し、更にこの様な結晶方位
でＳｉ薄膜１２の全体で固相成長が進行する。
なお、Ｓｉｎｇ膜１４膜形４を６００℃以上の温度で行
えば、ランダムな結晶方位の結晶核がその時点で発生し
てしまい、結晶方位が制御された固相成長を行うことが
できない。
えば、ランダムな結晶方位の結晶核がその時点で発生し
てしまい、結晶方位が制御された固相成長を行うことが
できない。
その後、Ｓｉｎｇ膜１４膜形４するか、またはこのＳｉ
ｎｇ膜１４膜形４層として用いて、Ｓｉ薄膜１２に薄膜
トランジスタを形成する。
ｎｇ膜１４膜形４層として用いて、Ｓｉ薄膜１２に薄膜
トランジスタを形成する。
本発明による半導体薄膜の形成方法では、表面が（１０
０）面となる結晶化が行われ、しかもこの結晶化の前に
結晶核が発生することはないので、（ｌ ＯＯ）面の方
位が良好に制御された半導体薄膜を形成することができ
る。
０）面となる結晶化が行われ、しかもこの結晶化の前に
結晶核が発生することはないので、（ｌ ＯＯ）面の方
位が良好に制御された半導体薄膜を形成することができ
る。
また、酸素の混入による結晶欠陥等の発生も極めて少な
いので、品質の高い半導体薄膜を形成することができる
。
いので、品質の高い半導体薄膜を形成することができる
。
第１図は本発明の一実施例の工程を順次に示す側断面図
である。 なお図面に用いられた符号において、 １１ −・−・−・−・−−−一−−−・絶縁性基体１
２ −・−・・・−・−・・・−５ｉ薄膜１４ −・−
・−・−−−−−５ｉ Ｏｚ膜である。
である。 なお図面に用いられた符号において、 １１ −・−・−・−・−−−一−−−・絶縁性基体１
２ −・−・・・−・−・・・−５ｉ薄膜１４ −・−
・−・−−−−−５ｉ Ｏｚ膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性基体上の非単結晶の半導体薄膜上にこの半導体
薄膜の固相成長の温度よりも低い温度で前記半導体の酸
化膜を形成する工程と、 前記形成の後に前記半導体薄膜で前記固相成長を行わせ
る工程とを夫々具備する半導体薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012887A JPS63254720A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012887A JPS63254720A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254720A true JPS63254720A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13989869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9012887A Pending JPS63254720A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5457058A (en) * | 1989-10-09 | 1995-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Crystal growth method |
| JPH08162408A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP9012887A patent/JPS63254720A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5457058A (en) * | 1989-10-09 | 1995-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Crystal growth method |
| JPH08162408A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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