JPH02119122A - 低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法Info
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- JPH02119122A JPH02119122A JP27230088A JP27230088A JPH02119122A JP H02119122 A JPH02119122 A JP H02119122A JP 27230088 A JP27230088 A JP 27230088A JP 27230088 A JP27230088 A JP 27230088A JP H02119122 A JPH02119122 A JP H02119122A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法に関する
。
。
本発明は、低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法において
、非晶質半導体薄膜を低温で固相成長させることにより
多結晶半導体薄膜を形成した後、上記多結晶半導体薄膜
に上記多結晶半導体薄膜が溶融しないエネルギー範囲で
パルスレーザ−ビームを照射することによって、低抵抗
の多結晶半導体薄膜を低温プロセスで製造することがで
きるようにしたものである。
、非晶質半導体薄膜を低温で固相成長させることにより
多結晶半導体薄膜を形成した後、上記多結晶半導体薄膜
に上記多結晶半導体薄膜が溶融しないエネルギー範囲で
パルスレーザ−ビームを照射することによって、低抵抗
の多結晶半導体薄膜を低温プロセスで製造することがで
きるようにしたものである。
低抵抗の多結晶シリコン（Ｓｔ）薄膜を形成する場合に
は、−旦形成された多結晶Ｓｉ薄膜にｎ型またはｐ型の
不純物をイオン注入して非晶質化した後、アニールを行
うことによりこの非晶質Ｓｉ薄膜を固相成長させて結晶
化を行う方法が有効である。
は、−旦形成された多結晶Ｓｉ薄膜にｎ型またはｐ型の
不純物をイオン注入して非晶質化した後、アニールを行
うことによりこの非晶質Ｓｉ薄膜を固相成長させて結晶
化を行う方法が有効である。
この場合、アニールを６００°Ｃ程度の低温で行うと、
結晶化が進んで低抵抗の多結晶Ｓｉ薄膜が得られる０例
えば、膜厚８００人の多結晶Ｓｉ薄膜の場合には、例え
ばリン（Ｐ）をドーズ量１．５Ｘ１０ ｌＳ／ｃｄ、エ
ネルギー４０ｋｅＶの条件でイオン注入し、アニールを
窒素（Ｎ２）雰囲気中において６００ ’Ｃで６０時間
行った場合には、シート抵抗が約２００Ω／口程度の多
結晶ｓｔｙ膜が得られる。
結晶化が進んで低抵抗の多結晶Ｓｉ薄膜が得られる０例
えば、膜厚８００人の多結晶Ｓｉ薄膜の場合には、例え
ばリン（Ｐ）をドーズ量１．５Ｘ１０ ｌＳ／ｃｄ、エ
ネルギー４０ｋｅＶの条件でイオン注入し、アニールを
窒素（Ｎ２）雰囲気中において６００ ’Ｃで６０時間
行った場合には、シート抵抗が約２００Ω／口程度の多
結晶ｓｔｙ膜が得られる。
なお、多結晶Ｓｉから成る抵抗体の形成方法として、多
１ｆｌ Ｊ％ Ｓ ｉ膜に不活性イオンを注入して非晶
質化させた後、熱処理を行ってホッピング伝導を示しか
つ光伝導率が小さくなるようにした方法が知られている
（特開昭６２−６９５４６号公報）。
１ｆｌ Ｊ％ Ｓ ｉ膜に不活性イオンを注入して非晶
質化させた後、熱処理を行ってホッピング伝導を示しか
つ光伝導率が小さくなるようにした方法が知られている
（特開昭６２−６９５４６号公報）。
また、薄膜単結晶の製造方法として、絶縁基板上の薄膜
半導体層にレーザを照射して溶融した後、冷却固化して
なる薄膜単結晶の製造方法において、上記レーザー照射
の前工程で熱処理を施して上記半導体層の結晶粒径を均
一にする方法が知られている（特開昭６１−７８１２０
号公報）。
半導体層にレーザを照射して溶融した後、冷却固化して
なる薄膜単結晶の製造方法において、上記レーザー照射
の前工程で熱処理を施して上記半導体層の結晶粒径を均
一にする方法が知られている（特開昭６１−７８１２０
号公報）。
本発明者の検討によれば、上述の従来の方法では、２０
０Ω／口程度よりも低抵抗の多結晶Ｓｔ薄膜を得ること
は困難である。アニール温度を１０００℃程度に高くす
ることも考えられるが、この場合には結晶化があまり進
まないため、得られる多結晶Ｓｔ薄膜の結晶粒径は小さ
く、また膜表面の平坦性も悪くなる。しかも、このよう
に１０００°Ｃ程度の高温でアニールを行うと、不純物
の再拡散等が起きるので、特に高密度のＬＳＩへ適用す
る場合には問題となる。また、例えば多結晶Ｓｉ薄膜を
用いた薄膜トランジスタへ適用する場合には、基板が高
温処理に耐えられる石英基板等に限定されてしまう、一
方、６００℃程度でアニールを行って固相成長させた後
に１０００°Ｃ程度でアニールすれば、低抵抗の多結晶
Ｓｉ薄膜を得ることは可能であるが、やはり高温プロセ
スを用いるため上述と同様な問題がある。
０Ω／口程度よりも低抵抗の多結晶Ｓｔ薄膜を得ること
は困難である。アニール温度を１０００℃程度に高くす
ることも考えられるが、この場合には結晶化があまり進
まないため、得られる多結晶Ｓｔ薄膜の結晶粒径は小さ
く、また膜表面の平坦性も悪くなる。しかも、このよう
に１０００°Ｃ程度の高温でアニールを行うと、不純物
の再拡散等が起きるので、特に高密度のＬＳＩへ適用す
る場合には問題となる。また、例えば多結晶Ｓｉ薄膜を
用いた薄膜トランジスタへ適用する場合には、基板が高
温処理に耐えられる石英基板等に限定されてしまう、一
方、６００℃程度でアニールを行って固相成長させた後
に１０００°Ｃ程度でアニールすれば、低抵抗の多結晶
Ｓｉ薄膜を得ることは可能であるが、やはり高温プロセ
スを用いるため上述と同様な問題がある。
従って本発明の目的は、低抵抗の多結晶半導体薄膜を低
温プロセスで製造することができる低抵抗多結晶半導体
薄膜の製造方法を提供することにある。
温プロセスで製造することができる低抵抗多結晶半導体
薄膜の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明は、非晶質半導体薄膜
（３）を低温で固相成長させることに−より多結晶半導
体薄膜（４）を形成した後、多結晶半導体薄膜（４）に
多結晶半導体薄膜（４）が溶融しないエネルギー範囲で
パルスレーザ−ビーム（５）を照射するようにしている
。
（３）を低温で固相成長させることに−より多結晶半導
体薄膜（４）を形成した後、多結晶半導体薄膜（４）に
多結晶半導体薄膜（４）が溶融しないエネルギー範囲で
パルスレーザ−ビーム（５）を照射するようにしている
。
多結晶半導体薄膜（４）が溶融しないエネルギー範囲で
パルスレーザ−ビーム（５）を照射するのは、この多結
晶半導体薄膜（４）の表面の平坦性を確保すること、こ
の多結晶半導体薄膜（４）中の結晶粒径を保存すること
等の理由による。
パルスレーザ−ビーム（５）を照射するのは、この多結
晶半導体薄膜（４）の表面の平坦性を確保すること、こ
の多結晶半導体薄膜（４）中の結晶粒径を保存すること
等の理由による。
上記非晶質半導体薄膜（３）は、多結晶半導体薄膜を非
晶質化することにより形成されたものであっても、低圧
ＣＶＤ法等によって直接形成されたものであってもよい
、また、この非晶質半導体薄膜（３）の固相成長は、例
えば５００〜７００℃の範囲内の温度で行うことができ
る。
晶質化することにより形成されたものであっても、低圧
ＣＶＤ法等によって直接形成されたものであってもよい
、また、この非晶質半導体薄膜（３）の固相成長は、例
えば５００〜７００℃の範囲内の温度で行うことができ
る。
上記多結晶半導体薄膜（４）は、パルスレーザ−ビーム
（５）の照射により膜全体が加熱される膜厚、例えば８
００人程皮取下の膜厚とするのがが好ましい。
（５）の照射により膜全体が加熱される膜厚、例えば８
００人程皮取下の膜厚とするのがが好ましい。
上記パルスレーザ−ビーム（５）としては、例えばエキ
シマ−レーザーによる紫外光領域のパルスレーザ−ビー
ムを用いることができる。
シマ−レーザーによる紫外光領域のパルスレーザ−ビー
ムを用いることができる。
上記した手段によれば、低温での固相成長により、結晶
粒径が大きくかなり低抵抗の多結晶半導体薄膜（４）が
まず形成される。次に、パルスレーザ−ビーム（５）の
照射によりこの多結晶半導体薄膜（４）は瞬間的に高温
に加熱され、この加熱によるアニールの効果でこの多結
晶半導体薄膜（４）中の結晶粒界や結晶粒内に残留する
結晶欠陥が低減し、また不純物の電気的活性化も十分に
行われる。その結果、この多結晶半導体薄膜（４）の抵
抗はパルスレーザ−ビーム（５）の照射前に比べてさら
に低下する。しかも、このパルスレーザ−ビーム（５）
の照射によるアニールは、低温プ、ロセスである。これ
によって、低抵抗の多結晶半導体薄膜（４）を低温プロ
セスで製造することができる。
粒径が大きくかなり低抵抗の多結晶半導体薄膜（４）が
まず形成される。次に、パルスレーザ−ビーム（５）の
照射によりこの多結晶半導体薄膜（４）は瞬間的に高温
に加熱され、この加熱によるアニールの効果でこの多結
晶半導体薄膜（４）中の結晶粒界や結晶粒内に残留する
結晶欠陥が低減し、また不純物の電気的活性化も十分に
行われる。その結果、この多結晶半導体薄膜（４）の抵
抗はパルスレーザ−ビーム（５）の照射前に比べてさら
に低下する。しかも、このパルスレーザ−ビーム（５）
の照射によるアニールは、低温プ、ロセスである。これ
によって、低抵抗の多結晶半導体薄膜（４）を低温プロ
セスで製造することができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。この実施例は、低抵抗多結晶Ｓｉ薄膜の製造に
本発明を通用した実施例である。
明する。この実施例は、低抵抗多結晶Ｓｉ薄膜の製造に
本発明を通用した実施例である。
第１図Ａ〜第１図りは本発明の一実施例による低抵抗多
結晶Ｓｉ薄膜の製造方法を工程順に示す。
結晶Ｓｉ薄膜の製造方法を工程順に示す。
本実施例においては、第１図Ａに示すように、基板ｌの
上に例えば低圧ＣＶＤ法により例えば６００°Ｃ程度の
低温で例えば膜厚４００人程皮取多結晶Ｓｉ薄膜２を形
成する。基板１は、例えば表面にＳｉＯ□膜が形成され
たＳｉ基板のような半導体基板であってもよいし、石英
基板やガラス基板であってもよい。なお、低圧ＣＶＤ法
により形成されたこの多結晶Ｓｉ薄膜２中の結晶粒２ａ
の粒径は一般に小さく、例えば５００〜１０００人程度
である。
上に例えば低圧ＣＶＤ法により例えば６００°Ｃ程度の
低温で例えば膜厚４００人程皮取多結晶Ｓｉ薄膜２を形
成する。基板１は、例えば表面にＳｉＯ□膜が形成され
たＳｉ基板のような半導体基板であってもよいし、石英
基板やガラス基板であってもよい。なお、低圧ＣＶＤ法
により形成されたこの多結晶Ｓｉ薄膜２中の結晶粒２ａ
の粒径は一般に小さく、例えば５００〜１０００人程度
である。
皮取、この多結晶Ｓｉ薄膜２に例えばＰのようなｎ型不
純物を例えばドーズ量１，５ｘｌＯ”／ｃｄ、エネルギ
ー２０ｋｅＶの条件でイオン注入することにより、この
多結晶Ｓｔ薄膜２を非晶質化するとともに、不純物ドー
ピングを行う。これによって、第１図Ｂに示すように、
非晶質Ｓｉ薄膜３が形成される。
純物を例えばドーズ量１，５ｘｌＯ”／ｃｄ、エネルギ
ー２０ｋｅＶの条件でイオン注入することにより、この
多結晶Ｓｔ薄膜２を非晶質化するとともに、不純物ドー
ピングを行う。これによって、第１図Ｂに示すように、
非晶質Ｓｉ薄膜３が形成される。
次に、この非晶１ｉ Ｓ ｉ薄膜３．を例えばＮ！雰囲
気中において例えば６００℃程度の低温で例えば３０時
間アニールすることにより固相成長させる。
気中において例えば６００℃程度の低温で例えば３０時
間アニールすることにより固相成長させる。
これによって、第１図Ｃに示すように、多結晶Ｓｉ薄膜
４が形成されるが、この多結晶５ｆｔｌ［Ｍ４中の結晶
粒４ａの粒径は例えば１．５〜２μｍ程度と極めて大き
くすることができる。この時点におけるこの多結晶Ｓｉ
薄膜４のシート抵抗は例えば２００Ω／口程度である。
４が形成されるが、この多結晶５ｆｔｌ［Ｍ４中の結晶
粒４ａの粒径は例えば１．５〜２μｍ程度と極めて大き
くすることができる。この時点におけるこの多結晶Ｓｉ
薄膜４のシート抵抗は例えば２００Ω／口程度である。
次に第１図りに示すように、この多結晶Ｓｉ薄膜４が溶
融しないエネルギー範囲で全面にパルスレーザ−ビーム
５を照射する。具体的には、このパルスレーザ−ビーム
５として例えばＸｅＣｌエキシマ−レーザーによるパル
スレーザ−ビーム（波長３０８ ｎｍ）を用い、エネル
ギー密度は１００〜３００ｍＪ／ｄｌの範囲、より好ま
しくは１９０〜２８０ｍＪ／ｃ−の範囲内の値とする。
融しないエネルギー範囲で全面にパルスレーザ−ビーム
５を照射する。具体的には、このパルスレーザ−ビーム
５として例えばＸｅＣｌエキシマ−レーザーによるパル
スレーザ−ビーム（波長３０８ ｎｍ）を用い、エネル
ギー密度は１００〜３００ｍＪ／ｄｌの範囲、より好ま
しくは１９０〜２８０ｍＪ／ｃ−の範囲内の値とする。
パルス幅は例えば６０ｎｓ程度である。このパルスレー
ザ−ビーム５の照射によって、多結晶Ｓｉ薄膜４は瞬間
的に高温に加熱され、この加熱によるアニールの効果で
この多結晶Ｓｉ薄膜４中の残留結晶欠陥が低減するとと
もに、注入不純物の電気的活性化もほぼ完全に行われる
。これによって、低抵抗のｎ型の多結晶Ｓｉ薄膜４を得
ることができる。
ザ−ビーム５の照射によって、多結晶Ｓｉ薄膜４は瞬間
的に高温に加熱され、この加熱によるアニールの効果で
この多結晶Ｓｉ薄膜４中の残留結晶欠陥が低減するとと
もに、注入不純物の電気的活性化もほぼ完全に行われる
。これによって、低抵抗のｎ型の多結晶Ｓｉ薄膜４を得
ることができる。
抵抗値の具体例を挙げると、出発物質である多結晶Ｓｉ
薄膜２の膜厚が８００人、Ｐのイオン注入条件がドーズ
量１． ５Ｘ１０”／ｃｒ１、エネルギー４０ｋｅＶ、
固相成長のためのアニールの条件がＮ、、６００°Ｃ１
６０時間である場合、パルスレーザ−ビーム５の照射前
の多結晶Ｓｉ薄膜４のシート抵抗は約２００Ω／口であ
ったが、パルスレーザ−ビーム５をエネルギー密度約２
００ｍＪ／ｃＩａで照射した後にはシート抵抗は約１５
０Ω／口にまで低下した。
薄膜２の膜厚が８００人、Ｐのイオン注入条件がドーズ
量１． ５Ｘ１０”／ｃｒ１、エネルギー４０ｋｅＶ、
固相成長のためのアニールの条件がＮ、、６００°Ｃ１
６０時間である場合、パルスレーザ−ビーム５の照射前
の多結晶Ｓｉ薄膜４のシート抵抗は約２００Ω／口であ
ったが、パルスレーザ−ビーム５をエネルギー密度約２
００ｍＪ／ｃＩａで照射した後にはシート抵抗は約１５
０Ω／口にまで低下した。
以上のように、この実施例によれば、非晶質Ｓｔ薄膜３
を６００°Ｃ程度の低温で固相成長させることによりか
なり抵抗の低い多結晶Ｓｉ薄膜４を形成した後、この多
結晶Ｓｉ薄膜４にパルスレーザ−ビーム５を照射するこ
とによりさらに低抵抗化しているので、低温プロセスで
シート抵抗が例えば１５０Ω／口と低い多結晶Ｓｉ薄膜
４を製造することができる。
を６００°Ｃ程度の低温で固相成長させることによりか
なり抵抗の低い多結晶Ｓｉ薄膜４を形成した後、この多
結晶Ｓｉ薄膜４にパルスレーザ−ビーム５を照射するこ
とによりさらに低抵抗化しているので、低温プロセスで
シート抵抗が例えば１５０Ω／口と低い多結晶Ｓｉ薄膜
４を製造することができる。
本実施例による低抵抗多結晶Ｓｔ薄膜の製造方法は、例
えば多結晶Ｓｉ薄膜を用いた薄膜トランジスタの製造に
応用する場合には基板１として低融点のガラス基板等を
用いることができるという利点があり、また基板１とし
てｓ ｓ １５ 板を用いたＬＳＩの製造に応用する場
合には不純物の再拡散等がないため、素子の微細化に支
障を生じないという利点がある。
えば多結晶Ｓｉ薄膜を用いた薄膜トランジスタの製造に
応用する場合には基板１として低融点のガラス基板等を
用いることができるという利点があり、また基板１とし
てｓ ｓ １５ 板を用いたＬＳＩの製造に応用する場
合には不純物の再拡散等がないため、素子の微細化に支
障を生じないという利点がある。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではな（、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではな（、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、多結晶Ｓｉ薄膜２を
非晶質化するためのイオン注入の不純物としてＰのよう
なｎ型不純物を用いているが、ｐ型の多結晶Ｓｉ薄膜を
製造する場合には例えばホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純
物が用いられる。また、これらの不純物のドーズ量及び
注入エネルギーは上述の実施例で用いた数値に限定され
るものではない、さらに、上述の実施例においては、多
結晶５ｉｉｌ膜２にイオン注入を行って非晶質化するこ
とにより非晶質５ｉｌｌ膜３を形成しているが、例えば
低圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法によりｎ型またはｐ型
の不純物がドープされた非晶質Ｓｉ薄膜を直接形成する
ことも可能である。さらにまた、上述の実施例において
は、本発明を多結晶５ｉｆｌ膜の製造に適用した場合に
ついて説明したが、本発明は、多結晶５ｉｉｌ膜以外の
他の多結晶半導体薄膜の製造に適用することも可能であ
る。
非晶質化するためのイオン注入の不純物としてＰのよう
なｎ型不純物を用いているが、ｐ型の多結晶Ｓｉ薄膜を
製造する場合には例えばホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純
物が用いられる。また、これらの不純物のドーズ量及び
注入エネルギーは上述の実施例で用いた数値に限定され
るものではない、さらに、上述の実施例においては、多
結晶５ｉｉｌ膜２にイオン注入を行って非晶質化するこ
とにより非晶質５ｉｌｌ膜３を形成しているが、例えば
低圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法によりｎ型またはｐ型
の不純物がドープされた非晶質Ｓｉ薄膜を直接形成する
ことも可能である。さらにまた、上述の実施例において
は、本発明を多結晶５ｉｆｌ膜の製造に適用した場合に
ついて説明したが、本発明は、多結晶５ｉｉｌ膜以外の
他の多結晶半導体薄膜の製造に適用することも可能であ
る。
なお、上述のパルスレーザ−ビーム５の照射による多結
晶Ｓｉ薄膜４のアニールは、表面に５ｔｏｔ膜のキャッ
プを形成することなく、しかも不活性ガス中よりも真空
中で行うのが好ましい、多結晶Ｓｉ薄膜４の表面の平坦
性を確保するためにこの多結晶Ｓｉｍ膜４の表面に上述
のようにＳｔｏｗ膜のキャップを形成した状態でレーザ
ービーム照射によるアニールを行う方法が知られている
が、このようにすると多結晶Ｓｉ薄膜とＳｉＯオ膜との
間の界面が荒れ、かえって多結晶５ｉＦ１膜４の表面の
平坦性が悪くなることがあるが、上述のようにキャップ
を形成しないでアニールを行えばこのような問題はなく
なる。また、多結晶５ｉｆｆ膜４の表面にＳｉＯ２膜の
キャップを形成した場合には、５ｔｏｔｌｌｌの膜厚の
ばらつきによる光の干渉条件の変化により、結果的に多
結晶Ｓｉ薄膜４のアニール条件が変化してしまうことが
あるが、キャップを形成しなければこのような問題もな
くなる。さらに、例えばＮ２やアルゴン（Ａｒ）のよう
な不活性ガス中で例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザーに
よる高エネルギーのパルスレーザ−ビーム５の照射を行
うと、ＮやＡｒが多結晶Ｓｉ薄膜４中に取り込まれて汚
染が生じるが、パルスレーザ−ビーム５の照射を真空中
で行えばこのような問題もなくなる。
晶Ｓｉ薄膜４のアニールは、表面に５ｔｏｔ膜のキャッ
プを形成することなく、しかも不活性ガス中よりも真空
中で行うのが好ましい、多結晶Ｓｉ薄膜４の表面の平坦
性を確保するためにこの多結晶Ｓｉｍ膜４の表面に上述
のようにＳｔｏｗ膜のキャップを形成した状態でレーザ
ービーム照射によるアニールを行う方法が知られている
が、このようにすると多結晶Ｓｉ薄膜とＳｉＯオ膜との
間の界面が荒れ、かえって多結晶５ｉＦ１膜４の表面の
平坦性が悪くなることがあるが、上述のようにキャップ
を形成しないでアニールを行えばこのような問題はなく
なる。また、多結晶５ｉｆｆ膜４の表面にＳｉＯ２膜の
キャップを形成した場合には、５ｔｏｔｌｌｌの膜厚の
ばらつきによる光の干渉条件の変化により、結果的に多
結晶Ｓｉ薄膜４のアニール条件が変化してしまうことが
あるが、キャップを形成しなければこのような問題もな
くなる。さらに、例えばＮ２やアルゴン（Ａｒ）のよう
な不活性ガス中で例えばＸｅＣ１エキシマ−レーザーに
よる高エネルギーのパルスレーザ−ビーム５の照射を行
うと、ＮやＡｒが多結晶Ｓｉ薄膜４中に取り込まれて汚
染が生じるが、パルスレーザ−ビーム５の照射を真空中
で行えばこのような問題もなくなる。
以上述べたように、本発明によれば、非晶質半導体薄膜
を低温で固相成長させることにより多結晶半導体薄膜を
形成した後、上記多結晶半導体薄膜に上記多結晶半導体
薄膜が溶融しないエネルギー範囲でパルスレーザ−ビー
ムを照射するようにしているので、低抵抗の多結晶半導
体薄膜を低温プロセスで製造することができる。
を低温で固相成長させることにより多結晶半導体薄膜を
形成した後、上記多結晶半導体薄膜に上記多結晶半導体
薄膜が溶融しないエネルギー範囲でパルスレーザ−ビー
ムを照射するようにしているので、低抵抗の多結晶半導
体薄膜を低温プロセスで製造することができる。
第１図Ａ〜第１図りは本発明の一実施例による低抵抗多
結晶Ｓｉ薄膜の製造方法を工程順に示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：基板、 ２．４：多結晶Ｓｉ薄膜、 ３：非晶質ｓ
ｔ薄膜、５ ：パルスレーザービーム。
結晶Ｓｉ薄膜の製造方法を工程順に示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：基板、 ２．４：多結晶Ｓｉ薄膜、 ３：非晶質ｓ
ｔ薄膜、５ ：パルスレーザービーム。
Claims (1)
- 非晶質半導体薄膜を低温で固相成長させることにより多
結晶半導体薄膜を形成した後、上記多結晶半導体薄膜に
上記多結晶半導体薄膜が溶融しないエネルギー範囲でパ
ルスレーザービームを照射するようにしたことを特徴と
する低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27230088A JPH02119122A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27230088A JPH02119122A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119122A true JPH02119122A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17511949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27230088A Pending JPH02119122A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 低抵抗多結晶半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02119122A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923962A (en) * | 1993-10-29 | 1999-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6285042B1 (en) | 1993-10-29 | 2001-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active Matry Display |
| KR100337253B1 (ko) * | 1994-07-28 | 2002-05-17 | 야마자끼 순페이 | 레이저 처리 방법 및 시스템 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104021A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Sony Corp | シリコン半導体層の形成方法 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27230088A patent/JPH02119122A/ja active Pending
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| US6482687B2 (en) | 1994-07-28 | 2002-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing method |
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