JPH07326769A - 平面ディスプレイ用薄膜トランジスタ - Google Patents
平面ディスプレイ用薄膜トランジスタInfo
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- JPH07326769A JPH07326769A JP12858295A JP12858295A JPH07326769A JP H07326769 A JPH07326769 A JP H07326769A JP 12858295 A JP12858295 A JP 12858295A JP 12858295 A JP12858295 A JP 12858295A JP H07326769 A JPH07326769 A JP H07326769A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ガラス基板上にＳｉＨ4 を原料ガスとし、プラ
ズマＣＶＤによって非晶質シリコン膜を１００〜３００
０Åの膜厚に堆積し、ＣＷ Ａｒレーザービームを該非
晶質シリコン膜に走査照射し、固相モードで形成した多
結晶シリコン膜を用いた平面ディスプレイ用薄膜トラン
ジスタであって、該非晶質シリコン膜の堆積から多結晶
化までを略３５０℃以下の基板温度で形成したことを特
徴とする平面ディスプレイ用薄膜トランジスタ。 【効果】均一な特性を有する薄膜トランジスタの形成を
低温で安定して生産することができる。
ズマＣＶＤによって非晶質シリコン膜を１００〜３００
０Åの膜厚に堆積し、ＣＷ Ａｒレーザービームを該非
晶質シリコン膜に走査照射し、固相モードで形成した多
結晶シリコン膜を用いた平面ディスプレイ用薄膜トラン
ジスタであって、該非晶質シリコン膜の堆積から多結晶
化までを略３５０℃以下の基板温度で形成したことを特
徴とする平面ディスプレイ用薄膜トランジスタ。 【効果】均一な特性を有する薄膜トランジスタの形成を
低温で安定して生産することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多結晶半導体薄膜を用い
た平面ディスプレイ用薄膜トランジスタに関する。
た平面ディスプレイ用薄膜トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板等の絶縁性基板上に形成され
た薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、液晶やエレクトロル
ミネッセンス等を用いた平面ディスプレイ装置に望まれ
ているアクティブマトリクスとして有望視されている。
この薄膜トランジスタを形成するための絶縁性基板上の
半導体薄膜として、従来、非晶質シリコン膜を用いる方
法、及び多結晶シリコン膜を用いる方法が提案されてい
る。
た薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、液晶やエレクトロル
ミネッセンス等を用いた平面ディスプレイ装置に望まれ
ているアクティブマトリクスとして有望視されている。
この薄膜トランジスタを形成するための絶縁性基板上の
半導体薄膜として、従来、非晶質シリコン膜を用いる方
法、及び多結晶シリコン膜を用いる方法が提案されてい
る。
【０００３】第１の非晶質シリコン膜を用いる方法で
は、プラズマＣＶＤ法等によって、膜の堆積温度が一般
に３００℃以下で行われ、トランジスタ形成のプロセス
全般の温度も含めて低温プロセスであることによって、
耐熱温度の高くない安価なガラス基板が使え、さらに堆
積装置も大型化しやすいので、アクティブマトリクスと
しての基板の大型化が容易であるとして、有力な方法と
されている。
は、プラズマＣＶＤ法等によって、膜の堆積温度が一般
に３００℃以下で行われ、トランジスタ形成のプロセス
全般の温度も含めて低温プロセスであることによって、
耐熱温度の高くない安価なガラス基板が使え、さらに堆
積装置も大型化しやすいので、アクティブマトリクスと
しての基板の大型化が容易であるとして、有力な方法と
されている。
【０００４】しかし、非晶質シリコン膜では膜の導電率
が小さいのでアクティブマトリクスとして充分なトラン
ジスタのオン電流を得るために、トランジスタ寸法を大
きくする必要があり、信頼性や画素の開口率の低下を招
くという欠点を有するし、またキャリア移動度が低いた
めに、トランジスタの動作速度が遅く、アクティブマト
リクスとして制御画素数に限界があること及びアクティ
ブマトリクスの周辺走査回路を同一基板上に形成できな
いという欠点を有する。さらに、非晶質シリコン膜では
光導電性が大きいために、トランジスタのオフ時に光電
流が発生し、光照射下では電流のオン・オフ比が著しく
低下するという欠点も存在している。
が小さいのでアクティブマトリクスとして充分なトラン
ジスタのオン電流を得るために、トランジスタ寸法を大
きくする必要があり、信頼性や画素の開口率の低下を招
くという欠点を有するし、またキャリア移動度が低いた
めに、トランジスタの動作速度が遅く、アクティブマト
リクスとして制御画素数に限界があること及びアクティ
ブマトリクスの周辺走査回路を同一基板上に形成できな
いという欠点を有する。さらに、非晶質シリコン膜では
光導電性が大きいために、トランジスタのオフ時に光電
流が発生し、光照射下では電流のオン・オフ比が著しく
低下するという欠点も存在している。
【０００５】これらの欠点に対して、第２の多結晶シリ
コン膜を用いる方法が提案されている。多結晶シリコン
膜は通常減圧ＣＶＤ法により形成され、膜物性として、
非晶質シリコン膜と比較して導電率、キャリア移動度は
１桁以上大きく、光導電性が小さいので、より高性能で
高信頼のアクティブマトリクスの形成が可能で、前記の
非晶質シリコン膜を用いた場合の欠点を解決する方法と
して精力的に検討がなされている。
コン膜を用いる方法が提案されている。多結晶シリコン
膜は通常減圧ＣＶＤ法により形成され、膜物性として、
非晶質シリコン膜と比較して導電率、キャリア移動度は
１桁以上大きく、光導電性が小さいので、より高性能で
高信頼のアクティブマトリクスの形成が可能で、前記の
非晶質シリコン膜を用いた場合の欠点を解決する方法と
して精力的に検討がなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、ガラス基板上へ
の多結晶シリコン膜形成法は、減圧ＣＶＤ法やプラズマ
ＣＶＤ法が用いられている。
の多結晶シリコン膜形成法は、減圧ＣＶＤ法やプラズマ
ＣＶＤ法が用いられている。
【０００７】しかし、これらの形成法では形成時の基板
温度が６００℃以上必要であり、それより低温度では非
晶質シリコン膜しか得られない。したがって用いるガラ
ス基板は、通常のソーダライムガラスより耐熱温度の高
い石英ガラス等の高価なガラス基板材料を必要とする。
また、この温度域での減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法
の膜形成装置は、より低温度域での非晶質シリコン膜用
のプラズマＣＶＤ装置等に比較して大型化が難しく基板
サイズの大型化への対応が非常に困難である。
温度が６００℃以上必要であり、それより低温度では非
晶質シリコン膜しか得られない。したがって用いるガラ
ス基板は、通常のソーダライムガラスより耐熱温度の高
い石英ガラス等の高価なガラス基板材料を必要とする。
また、この温度域での減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法
の膜形成装置は、より低温度域での非晶質シリコン膜用
のプラズマＣＶＤ装置等に比較して大型化が難しく基板
サイズの大型化への対応が非常に困難である。
【０００８】また別の多結晶シリコン膜形成法として分
子線蒸着法も提案されているが、５５０℃程度のやや低
い基板温度が可能であるが、基板サイズの大型化への対
応の点では前述の形成法よりもさらに困難となり、また
より高価な装置となる。
子線蒸着法も提案されているが、５５０℃程度のやや低
い基板温度が可能であるが、基板サイズの大型化への対
応の点では前述の形成法よりもさらに困難となり、また
より高価な装置となる。
【０００９】以上のように従来の多結晶シリコン膜形成
法では形成温度と使えるガラス基板の耐熱温度及び基板
サイズの大型化への対応の可能性の面で大きな欠点を有
していた。
法では形成温度と使えるガラス基板の耐熱温度及び基板
サイズの大型化への対応の可能性の面で大きな欠点を有
していた。
【００１０】また、前述の如き欠点を解決する方法とし
て絶縁膜上に形成した非晶質シリコン膜にＣＷ Ａｒレ
ーザービームを照射し、多結晶シリコン膜となす方法が
提案されている(Applied Physics Letters, vol.38 (19
81), No.8, pp 613-615)。
て絶縁膜上に形成した非晶質シリコン膜にＣＷ Ａｒレ
ーザービームを照射し、多結晶シリコン膜となす方法が
提案されている(Applied Physics Letters, vol.38 (19
81), No.8, pp 613-615)。
【００１１】この場合でも前記非晶質シリコン膜の形成
温度を５００℃以上とする必要があり、プロセス温度と
して５００℃以上を必要とするという大きな欠点が有っ
た。
温度を５００℃以上とする必要があり、プロセス温度と
して５００℃以上を必要とするという大きな欠点が有っ
た。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来の絶縁性
基板への多結晶半導体薄膜形成法が持つ前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、絶縁性基板上に非晶質
半導体薄膜を形成し、レーザービームを走査照射するこ
とにより、該非晶質半導体薄膜を多結晶半導体膜となす
半導体薄膜の製造方法において、レーザービームの走査
速度をビームスポット径×５０００／秒以上として完全
な溶融状態に至らしめることなく結晶化させる半導体薄
膜の製造方法に着目し、その製造方法をさらに改良して
薄膜トランジスタを得ようとする。
基板への多結晶半導体薄膜形成法が持つ前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、絶縁性基板上に非晶質
半導体薄膜を形成し、レーザービームを走査照射するこ
とにより、該非晶質半導体薄膜を多結晶半導体膜となす
半導体薄膜の製造方法において、レーザービームの走査
速度をビームスポット径×５０００／秒以上として完全
な溶融状態に至らしめることなく結晶化させる半導体薄
膜の製造方法に着目し、その製造方法をさらに改良して
薄膜トランジスタを得ようとする。
【００１３】すなわち、ガラス基板上にシリコンの水素
化物を原料ガスとしてプラズマＣＶＤにより非晶質シリ
コン膜を形成し、レーザービームの走査速度をビームス
ポット径（μｍ）×５０００（ｍ／秒）以上の或る速度
とし、該非晶質シリコン膜にレーザービームを走査照射
し、該非晶質シリコン膜が結晶化を示し始める第１のレ
ーザーパワー閾値と、該非晶質シリコン膜が溶融状態に
至る第２のレーザーパワー閾値との間にレーザーパワー
を設定し、該非晶質シリコン膜を完全な溶融状態に至ら
しめることなく多結晶シリコン膜に結晶化せしめて形成
した平面ディスプレイ用薄膜トランジスタにおいて、該
非晶質シリコン薄膜を１００〜３０００Åの膜厚に堆積
し、レーザービームを該非晶質シリコン膜に走査照射し
て該非晶質シリコン膜の多結晶化を行い、該非晶質シリ
コン膜の堆積から多結晶化までを略３５０℃以下の基板
温度で形成したことを特徴とする平面ディスプレイ用薄
膜トランジスタを提供する。
化物を原料ガスとしてプラズマＣＶＤにより非晶質シリ
コン膜を形成し、レーザービームの走査速度をビームス
ポット径（μｍ）×５０００（ｍ／秒）以上の或る速度
とし、該非晶質シリコン膜にレーザービームを走査照射
し、該非晶質シリコン膜が結晶化を示し始める第１のレ
ーザーパワー閾値と、該非晶質シリコン膜が溶融状態に
至る第２のレーザーパワー閾値との間にレーザーパワー
を設定し、該非晶質シリコン膜を完全な溶融状態に至ら
しめることなく多結晶シリコン膜に結晶化せしめて形成
した平面ディスプレイ用薄膜トランジスタにおいて、該
非晶質シリコン薄膜を１００〜３０００Åの膜厚に堆積
し、レーザービームを該非晶質シリコン膜に走査照射し
て該非晶質シリコン膜の多結晶化を行い、該非晶質シリ
コン膜の堆積から多結晶化までを略３５０℃以下の基板
温度で形成したことを特徴とする平面ディスプレイ用薄
膜トランジスタを提供する。
【００１４】本発明の構成においては、まず、ガラス基
板、セラミック基板等の絶縁性基板上にプラズマＣＶＤ
法或は光ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法等
の方法によって、非晶質シリコン膜に代表される非晶質
半導体薄膜を堆積する。この時の堆積膜厚は４０００Å
〜１００Åとすることが好ましい。
板、セラミック基板等の絶縁性基板上にプラズマＣＶＤ
法或は光ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法等
の方法によって、非晶質シリコン膜に代表される非晶質
半導体薄膜を堆積する。この時の堆積膜厚は４０００Å
〜１００Åとすることが好ましい。
【００１５】一般に、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等の水素化
物を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法によ
る非晶質半導体薄膜の形成においては基板温度が低い場
合、著しく多量の水素が非晶質半導体薄膜中に取り込ま
れるが、レーザービームの照射によって該非晶質半導体
薄膜が結晶化する際この水素がガス化して噴出し、安定
な結晶化を妨げるので、基板温度は３００℃以上とする
代りに、非晶質シリコン膜を形成後３５０℃程度の温度
で不活性ガス雰囲気中または真空中で保持すること等に
より、脱水素処理を行ってもよい。
物を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法によ
る非晶質半導体薄膜の形成においては基板温度が低い場
合、著しく多量の水素が非晶質半導体薄膜中に取り込ま
れるが、レーザービームの照射によって該非晶質半導体
薄膜が結晶化する際この水素がガス化して噴出し、安定
な結晶化を妨げるので、基板温度は３００℃以上とする
代りに、非晶質シリコン膜を形成後３５０℃程度の温度
で不活性ガス雰囲気中または真空中で保持すること等に
より、脱水素処理を行ってもよい。
【００１６】このとき、非晶質シリコン膜等の非晶質半
導体薄膜の堆積膜厚を４０００Å以下とすることが好ま
しい理由を説明する。４０００Åを超える膜厚では、後
に行うレーザービーム照射の際、膜中に含まれていた水
素のガス状噴出の影響が強く、得られる多結晶半導体薄
膜に、キレツ、ボイド、さらに剥離等が発生しやすいの
で堆積温度を５００℃以上とすることでこれを防ぐ必要
がある。これに対し膜厚４０００Å以下では、堆積温度
を５００℃以上とする必要はなく、かつレーザーのパワ
ーの許容範囲が広くなるからである。なお、この非晶質
半導体薄膜は１００Å未満ではＴＦＴ化が困難であり、
１００Å以上の厚膜とすることが好ましい。
導体薄膜の堆積膜厚を４０００Å以下とすることが好ま
しい理由を説明する。４０００Åを超える膜厚では、後
に行うレーザービーム照射の際、膜中に含まれていた水
素のガス状噴出の影響が強く、得られる多結晶半導体薄
膜に、キレツ、ボイド、さらに剥離等が発生しやすいの
で堆積温度を５００℃以上とすることでこれを防ぐ必要
がある。これに対し膜厚４０００Å以下では、堆積温度
を５００℃以上とする必要はなく、かつレーザーのパワ
ーの許容範囲が広くなるからである。なお、この非晶質
半導体薄膜は１００Å未満ではＴＦＴ化が困難であり、
１００Å以上の厚膜とすることが好ましい。
【００１７】よって、非晶質半導体薄膜の膜厚は４００
０Å以下で適宜定めることが好ましいが、通常２０００
〜３０００Å程度とされればよい。
０Å以下で適宜定めることが好ましいが、通常２０００
〜３０００Å程度とされればよい。
【００１８】また、該非晶質半導体薄膜を形成する際、
前もって絶縁性基板上に酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜等の絶縁膜を堆積しておいてもよい。
前もって絶縁性基板上に酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜等の絶縁膜を堆積しておいてもよい。
【００１９】また、非晶質半導体薄膜は、予め島状にパ
ターニングしてあってもよい。次いで、この非晶質半導
体薄膜にレーザービームを走査照射する。レーザービー
ムのスポット径は、適宜定めればよいが、後に形成する
トランジスタの短辺寸法より充分大きくしておくことが
好ましいが、大きくするにつれ必要なレーザー光源のパ
ワーも増大するため、通常は３０〜２００μｍが選ばれ
る。
ターニングしてあってもよい。次いで、この非晶質半導
体薄膜にレーザービームを走査照射する。レーザービー
ムのスポット径は、適宜定めればよいが、後に形成する
トランジスタの短辺寸法より充分大きくしておくことが
好ましいが、大きくするにつれ必要なレーザー光源のパ
ワーも増大するため、通常は３０〜２００μｍが選ばれ
る。
【００２０】本発明では、レーザービームの走査速度を
ビームスポット径×５０００／秒以上に選ぶ。これによ
り非晶質半導体薄膜は、完全な溶融状態に至ることなく
結晶化し、多結晶半導体薄膜とすることができる。
ビームスポット径×５０００／秒以上に選ぶ。これによ
り非晶質半導体薄膜は、完全な溶融状態に至ることなく
結晶化し、多結晶半導体薄膜とすることができる。
【００２１】本発明で使用されるレーザービームは波長
２００００Å〜１０００Å程度の連続発振レーザーによ
るものがあり、例えばＹＡＧレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザー、アレキサンドライトレーザー、Ａｒレーザー、Ｋ
ｒレーザー及びこれらの高周波レーザー、色素レーザ
ー、エキシマーレーザー等が使用できる。なかでも可視
光域から紫外域のレーザーが好ましい。
２００００Å〜１０００Å程度の連続発振レーザーによ
るものがあり、例えばＹＡＧレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザー、アレキサンドライトレーザー、Ａｒレーザー、Ｋ
ｒレーザー及びこれらの高周波レーザー、色素レーザ
ー、エキシマーレーザー等が使用できる。なかでも可視
光域から紫外域のレーザーが好ましい。
【００２２】このレーザービームの走査速度は前述の如
くビームスポット径×５０００／秒以上とされ、通常最
大でもビームスポット径×５０００００／秒以下とされ
る。なお、具体的には４０ｍ／秒以下とされることが好
ましい。これにより、非晶質半導体薄膜は完全な溶融状
態に至ることなく結晶化し、多結晶半導体薄膜とするこ
とができる。
くビームスポット径×５０００／秒以上とされ、通常最
大でもビームスポット径×５０００００／秒以下とされ
る。なお、具体的には４０ｍ／秒以下とされることが好
ましい。これにより、非晶質半導体薄膜は完全な溶融状
態に至ることなく結晶化し、多結晶半導体薄膜とするこ
とができる。
【００２３】以下、その理由をレーザービームを走査照
射するときの非晶質半導体薄膜の変化とその時のレーザ
ーパワーとの関係から説明する。まず、ある走査速度に
おいて照射レーザーパワーを充分に小さい値から増加さ
せるとき、非晶質半導体薄膜が結晶化を示し始めて多結
晶半導体薄膜となる第１のレーザーパワー閾値が現わ
る。この完全な溶融状態を経ないでの結晶化については
後で詳しく説明する。
射するときの非晶質半導体薄膜の変化とその時のレーザ
ーパワーとの関係から説明する。まず、ある走査速度に
おいて照射レーザーパワーを充分に小さい値から増加さ
せるとき、非晶質半導体薄膜が結晶化を示し始めて多結
晶半導体薄膜となる第１のレーザーパワー閾値が現わ
る。この完全な溶融状態を経ないでの結晶化については
後で詳しく説明する。
【００２４】さらにレーザーパワーを増加させると、つ
いに半導体薄膜が溶融状態に至り、第２のレーザーパワ
ー閾値が見い出される。安定して多結晶半導体薄膜とす
るために、この第１、第２の両レーザーパワー閾値の間
で照射レーザーパワーを選択する必要がある。しかし、
走査速度が遅い場合、この両レーザーパワー閾値の間隔
が小さくなり、さらに遅くした場合ついには両閾値間
に、安定して多結晶半導体薄膜となすのに適したレーザ
ーパワーの設定マージンが存在しなくなる。これに対
し、走査速度が速い場合、遅い場合に比較してレーザー
パワーの閾値は共に増加し同時に間隔は開き、レーザー
パワーの設定マージンが拡がる。
いに半導体薄膜が溶融状態に至り、第２のレーザーパワ
ー閾値が見い出される。安定して多結晶半導体薄膜とす
るために、この第１、第２の両レーザーパワー閾値の間
で照射レーザーパワーを選択する必要がある。しかし、
走査速度が遅い場合、この両レーザーパワー閾値の間隔
が小さくなり、さらに遅くした場合ついには両閾値間
に、安定して多結晶半導体薄膜となすのに適したレーザ
ーパワーの設定マージンが存在しなくなる。これに対
し、走査速度が速い場合、遅い場合に比較してレーザー
パワーの閾値は共に増加し同時に間隔は開き、レーザー
パワーの設定マージンが拡がる。
【００２５】ここで、走査速度の望ましい範囲がビーム
スポット径との関係で存在する理由は、ビームスポット
径より充分に小さい被照射部分について見ると、ある走
査速度の場合照射時間がビームスッポット径に比例し、
照射エネルギーがこの照射時間にほぼ比例するという関
係にあるからである。以上の理由から、走査速度は、ビ
ームスポット径×５０００／秒とされる。
スポット径との関係で存在する理由は、ビームスポット
径より充分に小さい被照射部分について見ると、ある走
査速度の場合照射時間がビームスッポット径に比例し、
照射エネルギーがこの照射時間にほぼ比例するという関
係にあるからである。以上の理由から、走査速度は、ビ
ームスポット径×５０００／秒とされる。
【００２６】これによって、非晶質半導体薄膜は完全な
溶融状態に至ることなく結晶化し、極く短時間のうち
に、多結晶半導体薄膜となることが出来、耐熱温度の低
い安価なガラス基板の使用が可能であり、かつ、基板サ
イズの大型化も容易に対応可能となる。
溶融状態に至ることなく結晶化し、極く短時間のうち
に、多結晶半導体薄膜となることが出来、耐熱温度の低
い安価なガラス基板の使用が可能であり、かつ、基板サ
イズの大型化も容易に対応可能となる。
【００２７】なお、非晶質シリコン膜にレーザービーム
を走査照射する際、非晶質半導体薄膜上に予め酸化シリ
コン膜や窒化シリコン膜等の絶縁膜を形成し、レーザー
ビームの反射防止膜或は表面保護膜として用いてもよ
い。
を走査照射する際、非晶質半導体薄膜上に予め酸化シリ
コン膜や窒化シリコン膜等の絶縁膜を形成し、レーザー
ビームの反射防止膜或は表面保護膜として用いてもよ
い。
【００２８】本発明でいう非晶質半導体薄膜とは狭義の
意味で、完全な非晶質構造を有するものだけではなく、
粒径が５０ｎｍ未満の微細な結晶粒子が含まれるいわゆ
る微結晶半導体薄膜をも含むものである。本発明の非晶
質半導体薄膜としては非晶質シリコン膜が最適なもので
あるが非晶質ゲルマニウム等の他の非晶質半導体薄膜に
も適用できる。また、本発明でいうビームスポット径
は、照射面においてレーザーパワーの約８７％以上が内
包される径をさす。
意味で、完全な非晶質構造を有するものだけではなく、
粒径が５０ｎｍ未満の微細な結晶粒子が含まれるいわゆ
る微結晶半導体薄膜をも含むものである。本発明の非晶
質半導体薄膜としては非晶質シリコン膜が最適なもので
あるが非晶質ゲルマニウム等の他の非晶質半導体薄膜に
も適用できる。また、本発明でいうビームスポット径
は、照射面においてレーザーパワーの約８７％以上が内
包される径をさす。
【００２９】前述の非晶質半導体薄膜が、完全な溶融状
態を経ないで結晶化することについて説明する。一般に
エネルギーを与えて結晶化または結晶粒成長を起させる
場合、溶融させた後再固化させる方法または、融点以下
の高温で非常に長時間保持する方法等が行われている。
前者は、再固化の速度が速くても１０ｃｍ／秒以下と一
般に遅く限られ、かつ、融点以上の高温度を要する。後
者の方法では、保持温度が融点より下がるにつれ、非常
な長時間の処理例えば１００時間以上を要する。
態を経ないで結晶化することについて説明する。一般に
エネルギーを与えて結晶化または結晶粒成長を起させる
場合、溶融させた後再固化させる方法または、融点以下
の高温で非常に長時間保持する方法等が行われている。
前者は、再固化の速度が速くても１０ｃｍ／秒以下と一
般に遅く限られ、かつ、融点以上の高温度を要する。後
者の方法では、保持温度が融点より下がるにつれ、非常
な長時間の処理例えば１００時間以上を要する。
【００３０】これに対し、非晶質半導体薄膜にレーザー
光を照射する場合、非晶質半導体薄膜に特有な光誘起構
造変化及び固相での結晶化及びこの時の結晶化熱の発生
等の現象が存在し、これ等の結果、完全な溶融状態を経
ることなく、高速度での結晶化が可能となるものであ
り、本発明ではこの現象を利用して低温高速の結晶化を
可能としている。
光を照射する場合、非晶質半導体薄膜に特有な光誘起構
造変化及び固相での結晶化及びこの時の結晶化熱の発生
等の現象が存在し、これ等の結果、完全な溶融状態を経
ることなく、高速度での結晶化が可能となるものであ
り、本発明ではこの現象を利用して低温高速の結晶化を
可能としている。
【００３１】
【作用】本発明は、ガラス基板等の絶縁性基板上に形成
した非晶質シリコン膜等の非晶質半導体薄膜へＣＷ Ａ
ｒレーザービーム等のレーザービームを走査照射するこ
とにより、完全な溶融状態を経ることなく多晶質シリコ
ン膜等の多結晶半導体薄膜とすることが可能であり、そ
の時の絶縁性基板温度は平均的にはほとんど上昇せず、
部分的かつ瞬間的にも半導体材料の溶融温度よりはるか
に低く、さらに物性値として定義されている非晶質半導
体薄膜いわゆる結晶化温度よりも充分低い温度に止まる
ため耐熱性の低い絶縁性基板が使用できる。
した非晶質シリコン膜等の非晶質半導体薄膜へＣＷ Ａ
ｒレーザービーム等のレーザービームを走査照射するこ
とにより、完全な溶融状態を経ることなく多晶質シリコ
ン膜等の多結晶半導体薄膜とすることが可能であり、そ
の時の絶縁性基板温度は平均的にはほとんど上昇せず、
部分的かつ瞬間的にも半導体材料の溶融温度よりはるか
に低く、さらに物性値として定義されている非晶質半導
体薄膜いわゆる結晶化温度よりも充分低い温度に止まる
ため耐熱性の低い絶縁性基板が使用できる。
【００３２】さらに前記非晶質半導体薄膜の膜厚を４０
００Å以下としておくことにより、堆積温度が５００℃
未満であっても、レーザービーム照射時の水素のガス状
噴出によるキレツ、ボイド、剥離等の欠陥の発生を容易
に防ぐことができる。
００Å以下としておくことにより、堆積温度が５００℃
未満であっても、レーザービーム照射時の水素のガス状
噴出によるキレツ、ボイド、剥離等の欠陥の発生を容易
に防ぐことができる。
【００３３】また、本発明における非晶質半導体薄膜の
結晶化速度は、一般にレーザーアニール法と呼ばれる方
法に見られる溶融状態から固化再結晶化する場合に比較
して非常に速く、レーザービームを走査照射する走査速
度をビームスポット径×５０００／秒以上にしても結晶
化させることが可能であり、低温でかつ高速で結晶化さ
せることができる。また、この様な走査速度において、
安定に多結晶半導体薄膜とすることができるレーザーパ
ワーの設定マージンが充分広く取れるという利点も有す
る。
結晶化速度は、一般にレーザーアニール法と呼ばれる方
法に見られる溶融状態から固化再結晶化する場合に比較
して非常に速く、レーザービームを走査照射する走査速
度をビームスポット径×５０００／秒以上にしても結晶
化させることが可能であり、低温でかつ高速で結晶化さ
せることができる。また、この様な走査速度において、
安定に多結晶半導体薄膜とすることができるレーザーパ
ワーの設定マージンが充分広く取れるという利点も有す
る。
【００３４】本発明は非晶質半導体薄膜として非晶質シ
リコン膜への適用が最も適しているが、非晶質ゲルマニ
ウム膜等の他の非晶質半導体薄膜に適用してもよいこと
はもちろんである。
リコン膜への適用が最も適しているが、非晶質ゲルマニ
ウム膜等の他の非晶質半導体薄膜に適用してもよいこと
はもちろんである。
【００３５】
（実施例１）ソーダライムガラスからなる基板上に、Ｓ
ｉＨ4 及びＮ2 Ｏの原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法
により、基板温度３５０℃で酸化シリコン膜（ＳｉＯ
2 ）を２０００Å堆積し、これに連続してＳｉＨ4 ガス
を原料として同じく基板温度３５０℃にて非晶質シリコ
ン膜を３０００Å堆積した。次に、この非晶質シリコン
膜に、ＣＷ Ａｒレーザービームを走査照射する。ビー
ムスポット径は１００μｍ走査速度は１．２ｍ／秒（ビ
ームスポット径×１２，０００／秒）、レーザーパワー
９Ｗとした。
ｉＨ4 及びＮ2 Ｏの原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法
により、基板温度３５０℃で酸化シリコン膜（ＳｉＯ
2 ）を２０００Å堆積し、これに連続してＳｉＨ4 ガス
を原料として同じく基板温度３５０℃にて非晶質シリコ
ン膜を３０００Å堆積した。次に、この非晶質シリコン
膜に、ＣＷ Ａｒレーザービームを走査照射する。ビー
ムスポット径は１００μｍ走査速度は１．２ｍ／秒（ビ
ームスポット径×１２，０００／秒）、レーザーパワー
９Ｗとした。
【００３６】得られた多結晶シリコン膜の結晶粒子径は
０．２〜３．０μｍであった。このとき、暗赤色で不透
明に近い非晶質シリコン膜は、レーザービームの走査照
射により、淡黄色で透明に近い状態を呈した。
０．２〜３．０μｍであった。このとき、暗赤色で不透
明に近い非晶質シリコン膜は、レーザービームの走査照
射により、淡黄色で透明に近い状態を呈した。
【００３７】図１はこの走査状態を示す断面図であり、
１はＣＷ Ａｒレーザービーム、２は非晶質シリコン
膜、３は絶縁膜、４はガラス基板を示しており、図の前
後方向に走査することにより、非晶質シリコン膜の部分
が多結晶シリコン膜５に結晶化しているところを示して
いる。
１はＣＷ Ａｒレーザービーム、２は非晶質シリコン
膜、３は絶縁膜、４はガラス基板を示しており、図の前
後方向に走査することにより、非晶質シリコン膜の部分
が多結晶シリコン膜５に結晶化しているところを示して
いる。
【００３８】比較例１〜７ これに対しレーザーパワーを１１Ｗに増加させた場合
（比較例１）、非晶質シリコン膜は照射後透明に近いが
ガラス基板上で凝集状態を示して荒れており、均質な膜
状を呈していなかった。これは、溶融状態に至ったこと
を示す。
（比較例１）、非晶質シリコン膜は照射後透明に近いが
ガラス基板上で凝集状態を示して荒れており、均質な膜
状を呈していなかった。これは、溶融状態に至ったこと
を示す。
【００３９】また、レーザーパワーを７Ｗとした場合
（比較例２）、非晶質シリコン膜は照射後、照射前に比
較してわずかに透光性が減少したのみで多結晶シリコン
膜にはなっていなかった。
（比較例２）、非晶質シリコン膜は照射後、照射前に比
較してわずかに透光性が減少したのみで多結晶シリコン
膜にはなっていなかった。
【００４０】実施例１と同じに形成した非晶質シリコン
膜に、ＣＷ Ａｒレーザービームを実施例１と同じく１
００μｍ、走査速度を比較例として０．２０ｍ／秒（ビ
ームスポット径２０００倍／秒）で走査照射した場合、
レーザーパワーが２．８Ｗのとき（比較例３）、非晶質
シリコン膜は照射前より透光性が少し減少したのみで多
結晶化は認められなかったがレーザーパワーが３．１Ｗ
のとき（比較例４）は、照射表面から凝集状に変形して
荒れて、透明に近く変化し、溶融状態に至ったことを示
し、図２に示すようにさらにガラス基板表面も凹凸状に
変形を呈し、かつ部分的にはマイクロクラック６の発生
も認められた。
膜に、ＣＷ Ａｒレーザービームを実施例１と同じく１
００μｍ、走査速度を比較例として０．２０ｍ／秒（ビ
ームスポット径２０００倍／秒）で走査照射した場合、
レーザーパワーが２．８Ｗのとき（比較例３）、非晶質
シリコン膜は照射前より透光性が少し減少したのみで多
結晶化は認められなかったがレーザーパワーが３．１Ｗ
のとき（比較例４）は、照射表面から凝集状に変形して
荒れて、透明に近く変化し、溶融状態に至ったことを示
し、図２に示すようにさらにガラス基板表面も凹凸状に
変形を呈し、かつ部分的にはマイクロクラック６の発生
も認められた。
【００４１】該非晶質シリコン膜の膜厚を５０００Åと
した場合、ＣＷ Ａｒレーザービームを実施例１と同じ
条件（ビームスポット径１００μｍ、走査速度１．２ｍ
／秒、レーザーパワー９Ｗ）で照射したところ（比較例
５）、図３に示す如く、多結晶シリコン膜に多数のボイ
ド７及びボイドを連接する様なキレツの発生がみられ
た。このとき、レーザーパワーを７Ｗとした場合（比較
例６）は比較例２と同様に透光性の減少の変化を示した
のみで、多結晶シリコン膜が形成されなく、１１Ｗとし
た場合（比較例７）は、比較例１と同様の凝集状態で荒
れていることに加え、部分的には、膜の飛散も認められ
た。
した場合、ＣＷ Ａｒレーザービームを実施例１と同じ
条件（ビームスポット径１００μｍ、走査速度１．２ｍ
／秒、レーザーパワー９Ｗ）で照射したところ（比較例
５）、図３に示す如く、多結晶シリコン膜に多数のボイ
ド７及びボイドを連接する様なキレツの発生がみられ
た。このとき、レーザーパワーを７Ｗとした場合（比較
例６）は比較例２と同様に透光性の減少の変化を示した
のみで、多結晶シリコン膜が形成されなく、１１Ｗとし
た場合（比較例７）は、比較例１と同様の凝集状態で荒
れていることに加え、部分的には、膜の飛散も認められ
た。
【００４２】実施例２ このとき、非晶質シリコン膜を基板温度５００℃と高く
して膜厚を同様に５０００Åとして、ＣＷ Ａｒレーザ
ービームを上記条件と同様のビームスポット径１００μ
ｍ、走査速度１．２ｍ／秒で照射したところ、レーザー
パワー９Ｗのとき、実施例１における９Ｗ照射時と同等
の多結晶シリコン膜が得られたが、８Ｗのとき比較例２
と同様に透光性の減少の変化に止まり、１０Ｗのとき
は、図３に示す如く、多結晶シリコン膜に多数のボイド
及びボイドを連接するキレツの発生がみられ、結果とし
て多結晶シリコン膜を得られたが、実施例１に示した場
合に比較して、レーザーパワーの設定マージンは小さ
く、かつ温度も高くする必要があった。
して膜厚を同様に５０００Åとして、ＣＷ Ａｒレーザ
ービームを上記条件と同様のビームスポット径１００μ
ｍ、走査速度１．２ｍ／秒で照射したところ、レーザー
パワー９Ｗのとき、実施例１における９Ｗ照射時と同等
の多結晶シリコン膜が得られたが、８Ｗのとき比較例２
と同様に透光性の減少の変化に止まり、１０Ｗのとき
は、図３に示す如く、多結晶シリコン膜に多数のボイド
及びボイドを連接するキレツの発生がみられ、結果とし
て多結晶シリコン膜を得られたが、実施例１に示した場
合に比較して、レーザーパワーの設定マージンは小さ
く、かつ温度も高くする必要があった。
【００４３】
【発明の効果】以上の如く本発明は、ガラス基板等の絶
縁性基板上の非晶質シリコン膜等の非晶質半導体薄膜に
ＣＷ Ａｒレーザービーム等のレーザービームを走査照
射する際、走査速度をビームスポット径×５０００／秒
以上とすることにより、非晶質半導体薄膜が完全な溶融
状態に至ることなく結晶化して、安定して多結晶半導体
薄膜となるようにしたこと、さらに、前記非晶質半導体
薄膜の堆積膜厚を４０００Å以下とすることにより、使
用可能な非晶質半導体薄膜の堆積温度として５００℃未
満に低温化できるため、多結晶半導体薄膜を形成する基
板温度として従来法に比して５００℃未満のプロセス温
度として低温化でき、絶縁性基板材料として通常のガラ
ス基板が使え、また、基板サイズの大型化にも充分対応
可能となり、平面ディスプレイ装置用のアクティブマト
リクスの製造方法において、従来の多結晶半導体薄膜形
成法によるものより、非常に優れて有用なものである。
縁性基板上の非晶質シリコン膜等の非晶質半導体薄膜に
ＣＷ Ａｒレーザービーム等のレーザービームを走査照
射する際、走査速度をビームスポット径×５０００／秒
以上とすることにより、非晶質半導体薄膜が完全な溶融
状態に至ることなく結晶化して、安定して多結晶半導体
薄膜となるようにしたこと、さらに、前記非晶質半導体
薄膜の堆積膜厚を４０００Å以下とすることにより、使
用可能な非晶質半導体薄膜の堆積温度として５００℃未
満に低温化できるため、多結晶半導体薄膜を形成する基
板温度として従来法に比して５００℃未満のプロセス温
度として低温化でき、絶縁性基板材料として通常のガラ
ス基板が使え、また、基板サイズの大型化にも充分対応
可能となり、平面ディスプレイ装置用のアクティブマト
リクスの製造方法において、従来の多結晶半導体薄膜形
成法によるものより、非常に優れて有用なものである。
【００４４】また、本発明による方法によれば、絶縁性
基板上の非晶質半導体薄膜の特定の部分のみを選択的に
多結晶半導体薄膜とすることが可能で、同一絶縁性基板
上で非晶質半導体薄膜として用いる部分と多結晶半導体
薄膜として用いる部分とを膜形成工程及びフォトリソグ
ラフィーによるパターニング工程とを別途に付け加える
ことなく、容易に製造可能となる。
基板上の非晶質半導体薄膜の特定の部分のみを選択的に
多結晶半導体薄膜とすることが可能で、同一絶縁性基板
上で非晶質半導体薄膜として用いる部分と多結晶半導体
薄膜として用いる部分とを膜形成工程及びフォトリソグ
ラフィーによるパターニング工程とを別途に付け加える
ことなく、容易に製造可能となる。
【００４５】さらに本発明による方法は、多層構造の半
導体装置の製造にも適用でき、既に素子や回路を形成し
た半導体装置上の絶縁膜上に低温度で形成した非晶質半
導体薄膜に適用し、既に形成してある下層の素子・回路
に熱的なダメージを与えることなく、多結晶半導体薄膜
を形成し、素子化することが可能となる。
導体装置の製造にも適用でき、既に素子や回路を形成し
た半導体装置上の絶縁膜上に低温度で形成した非晶質半
導体薄膜に適用し、既に形成してある下層の素子・回路
に熱的なダメージを与えることなく、多結晶半導体薄膜
を形成し、素子化することが可能となる。
【図１】本発明の実施例において非晶質シリコン膜が安
定して多結晶シリコン膜となることを示す断面図。
定して多結晶シリコン膜となることを示す断面図。
【図２】マイクロクラックが発生した場合の比較例の状
態を示す断面図。
態を示す断面図。
【図３】ボイドが発生した場合の比較例の状態を示す断
面図。
面図。
１：ＣＷ Ａｒレザービーム ２：非晶質シリコン膜 ３：絶縁膜 ４：ガラス基板 ５：多結晶シリコン膜 ６：マイクロクラック ７：ボイド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年６月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】すなわち、ガラス基板上にシリコンの水素
化物を原料ガスとしてプラズマＣＶＤにより非晶質シリ
コン膜を形成し、レーザービームの走査速度をビームス
ポット径（μｍ）×５０００（μｍ／秒）以上の或る速
度とし、該非晶質シリコン膜にレーザービームを走査照
射し、該非晶質シリコン膜が結晶化を示し始める第１の
レーザーパワー閾値と、該非晶質シリコン膜が溶融状態
に至る第２のレーザーパワー閾値との間にレーザーパワ
ーを設定し、該非晶質シリコン膜を完全な溶融状態に至
らしめることなく多結晶シリコン膜に結晶化せしめて形
成した平面ディスプレイ用薄膜トランジスタにおいて、
該非晶質シリコン薄膜を１００〜３０００Åの膜厚に堆
積し、レーザービームを該非晶質シリコン膜に走査照射
して該非晶質シリコン膜の多結晶化を行い、該非晶質シ
リコン膜の堆積から多結晶化までを略３５０℃以下の基
板温度で形成したことを特徴とする平面ディスプレイ用
薄膜トランジスタを提供する。
化物を原料ガスとしてプラズマＣＶＤにより非晶質シリ
コン膜を形成し、レーザービームの走査速度をビームス
ポット径（μｍ）×５０００（μｍ／秒）以上の或る速
度とし、該非晶質シリコン膜にレーザービームを走査照
射し、該非晶質シリコン膜が結晶化を示し始める第１の
レーザーパワー閾値と、該非晶質シリコン膜が溶融状態
に至る第２のレーザーパワー閾値との間にレーザーパワ
ーを設定し、該非晶質シリコン膜を完全な溶融状態に至
らしめることなく多結晶シリコン膜に結晶化せしめて形
成した平面ディスプレイ用薄膜トランジスタにおいて、
該非晶質シリコン薄膜を１００〜３０００Åの膜厚に堆
積し、レーザービームを該非晶質シリコン膜に走査照射
して該非晶質シリコン膜の多結晶化を行い、該非晶質シ
リコン膜の堆積から多結晶化までを略３５０℃以下の基
板温度で形成したことを特徴とする平面ディスプレイ用
薄膜トランジスタを提供する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｒ
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板上にシリコンの水素化物を原料
ガスとしてプラズマＣＶＤにより非晶質シリコン膜を形
成し、レーザービームの走査速度をビームスポット径
（μｍ）×５０００（ｍ／秒）以上の或る速度とし、該
非晶質シリコン膜にレーザービームを走査照射し、該非
晶質シリコン膜が結晶化を示し始める第１のレーザーパ
ワー閾値と、該非晶質シリコン膜が溶融状態に至る第２
のレーザーパワー閾値との間にレーザーパワーを設定
し、該非晶質シリコン膜を完全な溶融状態に至らしめる
ことなく多結晶シリコン膜に結晶化せしめて形成した平
面ディスプレイ用薄膜トランジスタにおいて、該非晶質
シリコン薄膜を１００〜３０００Åの膜厚に堆積し、レ
ーザービームを該非晶質シリコン膜に走査照射して該非
晶質シリコン膜の多結晶化を行い、該非晶質シリコン膜
の堆積から多結晶化までを略３５０℃以下の基板温度で
形成したことを特徴とする平面ディスプレイ用薄膜トラ
ンジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12858295A JPH07326769A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 平面ディスプレイ用薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12858295A JPH07326769A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 平面ディスプレイ用薄膜トランジスタ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60242890A Division JPH0810668B2 (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15787995A Division JPH0851218A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 薄膜トランジスタの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326769A true JPH07326769A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14988323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12858295A Pending JPH07326769A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 平面ディスプレイ用薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326769A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897889B2 (en) | 2001-11-30 | 2005-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser beam irradiating apparatus, laser beam irradiating method, and method of manufacturing a semiconductor device |
| US7037809B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device using a laser irradiation process |
| US7220627B2 (en) | 2003-04-21 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device where the scanning direction changes between regions during crystallization and process |
| US7397592B2 (en) | 2003-04-21 | 2008-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing a thin film transistor |
| US7468312B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device |
| US7476629B2 (en) | 2003-04-21 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing thin film transistor |
| US7758926B2 (en) * | 2001-05-30 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Amorphous silicon deposition for sequential lateral solidification |
| KR101015181B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2011-02-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104117A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12858295A patent/JPH07326769A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104117A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7758926B2 (en) * | 2001-05-30 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Amorphous silicon deposition for sequential lateral solidification |
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| US7892952B2 (en) | 2001-10-30 | 2011-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, production system for semiconductor device using the laser apparatus, and electronic equipment |
| US7468312B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device |
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| US7445974B2 (en) | 2001-11-30 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser beam irradiating apparatus, laser beam irradiating method, and method of manufacturing a semiconductor device |
| US7220627B2 (en) | 2003-04-21 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device where the scanning direction changes between regions during crystallization and process |
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| US7915099B2 (en) | 2003-04-21 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
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