JP2011510515A - 無機膜のゾーンメルト再結晶 - Google Patents
無機膜のゾーンメルト再結晶 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011510515A JP2011510515A JP2010544313A JP2010544313A JP2011510515A JP 2011510515 A JP2011510515 A JP 2011510515A JP 2010544313 A JP2010544313 A JP 2010544313A JP 2010544313 A JP2010544313 A JP 2010544313A JP 2011510515 A JP2011510515 A JP 2011510515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- substrate
- film
- cooling
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/14—Crucibles or vessels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/08—Germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
本発明は、シリコン(またはケイ素)膜のような無機膜(または無機フィルム)の再結晶に関する。本発明は、さらに、無機膜の再結晶に有用な装置、およびそれに対応する方法に関する。
無機コーティング物質の工業的な堆積(または析出)に関して、種々の取り組みが用いられ、および/または提案されてきた。これらの取り組みには、例えば、火炎加水分解堆積、化学気相堆積(または化学蒸着)、物理的気相堆積(または物理的蒸着)、ゾル−ゲル化学堆積、光反応性堆積およびイオン注入(またはイオン・インプランテーション)が含まれる。一般的に、コーティング物質の特性を正確に制御するためには、非常に遅い、高価な技術が必要とされる。多くの用途に関して、より厚い膜を実用的な速度で製造する技術は、コーティングまたは膜が形成された後に、膜の特性を所望の特性によりきっちりと合わせるために改変する更なる処理が有効であり得る膜を生成し得る。
再結晶化される無機膜は、一般に、無機構造物と結合しており、当該構造物において膜は層を形成している。全体の構造物は、膜にダメージを与えることなく、好都合に取り扱うことができるアセンブリを提供する。膜は、構造物内の恒久的な層として、あるいは基板上に取り外し可能なように支持された箔として、構造物内に組み込まれてよい。いくつかの形態において、膜は、機械的に弱い剥離層と直接的に又は間接的に結合して、ゾーンメルト再結晶の後に箔として膜を分離することができるようになっている。反応性堆積アプローチは、膜、および必要に応じて構造物内の他の層のいくつかを形成するために好都合に使用され得る。シリコンのゾーンメルト再結晶のいくつかの応用法において、シリコンは、2つのセラミック層の間に挟まれる。セラミック材料は、シリコンよりも高い融点を有し、それにより、シリコン層はセラミック層の間で溶融し、続いてセラミック層の境界内で凝固する。上部のセラミック層は、表面張力または他の効果の結果として、溶融したシリコンが、玉(またはビード)を形成することを抑制し、あるいは、平坦な層から歪むことを有意に抑制する。
ZMR装置は、適当な基板取り扱いシステムおよび再結晶に付される膜に送られる熱的なフローを制御する部品(または要素)とともに構成されたチャンバーを含む。適当な測定デバイスは、熱的な制御システムにフィードバックを提供し得る。特に、いくつかの形態において、ホットウォール・チャンバーは、溶融のために膜に加えられるのに必要とされる熱を減少させる、より高いバックグラウンドチャンバー温度を提供する。加えて又は別の形態において、冷却要素が、溶融した膜の冷却を制御することができ、それにより結晶化プロセスがより制御された条件で行われ得る。いくつかの形態において、膜は、基板からの断熱を与える多孔性剥離層を有する構造物内において、再結晶化される。断熱性の剥離層を用いると、基板は、膜の融点に関連する温度の熱さにまで加熱される必要が無くなる。熱インプットを横方向で変化させて、より均一な温度を膜表面にわたって提供するヒーターを使用することができる。これらの個々の改良された特徴は、熱的な制御が改良された有効な再結晶のために、個々に提供され得、あるいはそれらは、選択した組み合わせ、例えば、改良された特徴のすべてを含む組み合わせにおいて結合される。
上記で説明した装置は、有効なゾーンメルト再結晶処理に適合させ得る。特に、シリコン膜の形態について、最終的な目的は、より大きな結晶寸法および/または欠陥のより少ない改良された結晶性と一般に関連する、望ましい電気特性を備えたシリコン膜を形成することである。類似の目的は、他の無機膜についても関連している。いくつかの形態において、粒状物から成る多孔性剥離層の上に堆積させられた無機被覆層が、ゾーンメルト再結晶プロセスに付され得る。下側に位置する基板から膜を隔てる多孔性剥離層は、膜と基板との間で、有意な熱的なバリアーを形成する。所望の結晶化度特性を達成することは、より厚い膜にとっては、特に困難であり得る。さらにまた、エネルギー消費を低く維持すること、および処理速度を比較的高く維持することが、望ましい。有意のエネルギー節減は、ZMRチャンバーの熱的な隔離(それは、チャンバーを冷却することを避ける)によって達成され得る。
上記で注記したように、種々の反応性フロープロセスが、続いて再結晶化される無機膜の形成に適している。さらにまた、再結晶された膜は、それから、最終製品にさらに加工され得る。1または複数の追加の処理ステップを、合わせて製造ラインに組み込むことができる。この組み込みは、他の潜在的な処理効率と同様に、ある組み合わせに関しては追加のエネルギー節減をもたらし得る。しかしながら、いくつかの形態において、処理の一部は、離れた場所にて実施され得る。
Claims (25)
- 無機膜のゾーン溶融再結晶を実施する装置であって、基板支持体、基板支持体上の基板の筋を加熱するように配置されたストリップヒーター、ストリップヒーターによる加熱の後に基板の筋を冷却するように配置された冷却要素、および基板支持体をストリップヒーターおよび冷却要素に対して移動させて、基板を横切る加熱された筋を走査させた後、冷却要素による冷却がなされるように構成された輸送システムを含む、装置。
- ストリップヒーターが、ハロゲンランプ、キセノンランプ、誘導加熱器、またはカーボンストリップヒーターを含む、請求項1に記載の装置。
- ストリップヒーターがダイオード・アレイを含む、請求項1に記載の装置。
- 冷却要素が冷却ガスノズルを含む、請求項1に記載の装置。
- 冷却要素がヒートシンク放射吸収体を含む、請求項1に記載の装置。
- ストリップヒーターおよび冷却要素を囲むチャンバーをさらに含む、請求項1に記載の装置。
- チャンバーの壁が断熱されているか、加熱されるか、または断熱されていて且つ加熱される、請求項6に記載の装置。
- チャンバーの壁が選択した温度範囲で保持される、請求項7に記載の装置。
- 無機膜が、元素シリコン/ゲルマニウムを含み、平均厚さが約3ミクロンないし約90ミクロンである、請求項1に記載の装置。
- 輸送システムが、約0.5mm/秒〜約10mm/秒の速度にて、基板を移動させる、請求項1に記載の装置。
- ストリップヒーターと冷却要素との間で、膜の温度を光学的に測定するように構成された光学的検出器をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 無機膜のゾーンメルト再結晶を実施する装置であって、チャンバー、チャンバー内の基板ホルダー、基板ホルダーに取り付けられた基板の筋に沿って熱を与えるように配置されたストリップヒーター、およびストリップヒーターに対して基板支持体を移動させて、基板を横切る加熱された筋を走査させるように構成された輸送システムを含み、チャンバー壁が少なくとも約500℃に保持されている、装置。
- 選択される温度範囲が、無機膜の融点よりも約2℃ないし約900℃低い、請求項12に記載の装置。
- 無機膜が、元素シリコン/ゲルマニウムを含み、平均厚さが約3ミクロンないし約90ミクロンである、請求項13に記載の装置。
- 輸送システムが、約0.5mm/秒〜約10mm/秒の速度にて、基板を移動させる、請求項12に記載の装置。
- チャンバーの壁が耐火性物質を含む、請求項12に記載の装置。
- 無機膜のゾーンメルト再結晶を実施する方法であって、
ストリップヒーターに対して移動させられている基板に配置された無機膜の筋を、ストリップヒーターを用いて溶融すること、および
溶融した膜を、基板の移動の後で加熱ゾーンから離れた下流側にて、無機膜の融点未満の選択した温度に冷却すること
を含む方法。 - 基板を、ストリップヒーターを約0.5mm/秒〜約10mm/秒の速度にて通過するように移動させる、請求項17に記載の方法。
- 無機膜が、元素シリコン/ゲルマニウムを含み、平均厚さが約3ミクロンないし約90ミクロンである、請求項17に記載の方法。
- 元素シリコン/ゲルマニウム膜が、粒状物から成る多孔性剥離層の上にあり、当該剥離層が支持基板上で支持されている、請求項19に記載の方法。
- 厚さ約100nm〜約10ミクロンの厚さを有するセラミック下層が、剥離層とシリコン/ゲルマニウム膜との間に配置されており、セラミック下層がシリコン/ゲルマニウム酸化物、シリコン/ゲルマニウム窒化物、シリコン/ゲルマニウム酸窒化物、それらのシリコン/ゲルマニウム濃度の高い種類のもの、またはそれらの組み合わせを含む、請求項20に記載の方法。
- セラミックキャップ層が、元素シリコン/ゲルマニウム膜の上に配置されており、キャップ層は約20nm〜約5ミクロンの厚さを有し、キャップ層が、酸化アルミニウム、シリコン/ゲルマニウム酸化物、シリコン/ゲルマニウム窒化物、シリコン/ゲルマニウム酸窒化物、それらのシリコン/ゲルマニウム濃度の高い種類のもの、またはそれらの組み合わせを含む、請求項20に記載の方法。
- 膜がシリコンを含み、チャンバー温度が、元素シリコン膜の融点よりも約2℃乃至約900℃低い、請求項20に記載の方法。
- 冷却の度合いが、選択される時間内に、無機膜の凝固のための潜熱を除去するように選択される、請求項20に記載の方法。
- 無機膜の移動速度、冷却工程の位置および冷却の度合いが、結晶欠陥密度が所望の上限までである製品多結晶膜を与えるように選択される、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US6242008P | 2008-01-25 | 2008-01-25 | |
US12/152,907 US20090191348A1 (en) | 2008-01-25 | 2008-05-16 | Zone melt recrystallization for inorganic films |
PCT/US2009/000301 WO2009094124A2 (en) | 2008-01-25 | 2009-01-16 | Zone melt recrystallization for inorganic films |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011510515A true JP2011510515A (ja) | 2011-03-31 |
Family
ID=40899518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010544313A Pending JP2011510515A (ja) | 2008-01-25 | 2009-01-16 | 無機膜のゾーンメルト再結晶 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090191348A1 (ja) |
EP (1) | EP2243153A4 (ja) |
JP (1) | JP2011510515A (ja) |
KR (1) | KR20100105786A (ja) |
CN (1) | CN101981656A (ja) |
WO (1) | WO2009094124A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8494817B1 (en) * | 2006-11-30 | 2013-07-23 | Pdf Solutions, Inc. | Methods for yield variability benchmarking, assessment, quantification, and localization |
CN101675531B (zh) * | 2007-02-16 | 2013-03-06 | 纳克公司 | 太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺 |
US20090017292A1 (en) * | 2007-06-15 | 2009-01-15 | Henry Hieslmair | Reactive flow deposition and synthesis of inorganic foils |
US20100294349A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes |
US20120273792A1 (en) * | 2010-01-20 | 2012-11-01 | Integrated Photovoltaic, Inc. | Zone Melt Recrystallization of Thin Films |
US8912083B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-12-16 | Nanogram Corporation | Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes |
KR101860919B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2018-06-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6144786A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-04 | Sony Corp | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
JPH0311727A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法 |
JPH03190121A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-20 | Sharp Corp | レーザ再結晶化装置 |
JPH0434961A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0528953A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Nissin High Voltage Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH0766148A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JPH11312811A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの剥離方法、薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
JP2000091231A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Toshiba Corp | 多結晶の成長方法及び製造装置 |
JP2001110723A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
JP2002270533A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びランプ出力制御方法 |
JP2004512669A (ja) * | 2000-03-27 | 2004-04-22 | ウルトラテク, ステッパー, インコーポレイテッド | 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置 |
KR20040110068A (ko) * | 2003-12-30 | 2004-12-29 | 주식회사 애니이큅 | 비정질 실리콘 박막의 열처리 장치 및 열처리 방법 |
JP2006121059A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2007300028A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Tokyo Institute Of Technology | 結晶性ケイ素薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52143755A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Laser, zone melting device |
US5217564A (en) * | 1980-04-10 | 1993-06-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom |
US5173271A (en) * | 1985-12-04 | 1992-12-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus |
US4749438A (en) * | 1986-01-06 | 1988-06-07 | Bleil Carl E | Method and apparatus for zone recrystallization |
US5540183A (en) * | 1993-03-16 | 1996-07-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Zone-melting recrystallization of semiconductor materials |
JP3453436B2 (ja) * | 1994-09-08 | 2003-10-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体層を溶融再結晶化するための装置 |
JP3841866B2 (ja) * | 1996-03-04 | 2006-11-08 | 三菱電機株式会社 | 再結晶化材料の製法、その製造装置および加熱方法 |
JPH118205A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置 |
GB0225202D0 (en) * | 2002-10-30 | 2002-12-11 | Hewlett Packard Co | Electronic components |
JP2005243224A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Kitano Engineering Co Ltd | 加熱冷却装置 |
US7745762B2 (en) * | 2005-06-01 | 2010-06-29 | Mattson Technology, Inc. | Optimizing the thermal budget during a pulsed heating process |
US20070212510A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-13 | Henry Hieslmair | Thin silicon or germanium sheets and photovoltaics formed from thin sheets |
CN101675531B (zh) * | 2007-02-16 | 2013-03-06 | 纳克公司 | 太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺 |
US20090017292A1 (en) * | 2007-06-15 | 2009-01-15 | Henry Hieslmair | Reactive flow deposition and synthesis of inorganic foils |
-
2008
- 2008-05-16 US US12/152,907 patent/US20090191348A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-01-16 KR KR1020107018916A patent/KR20100105786A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-01-16 JP JP2010544313A patent/JP2011510515A/ja active Pending
- 2009-01-16 WO PCT/US2009/000301 patent/WO2009094124A2/en active Application Filing
- 2009-01-16 EP EP09703951A patent/EP2243153A4/en not_active Withdrawn
- 2009-01-16 CN CN2009801089908A patent/CN101981656A/zh active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6144786A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-04 | Sony Corp | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
JPH0311727A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法 |
JPH03190121A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-20 | Sharp Corp | レーザ再結晶化装置 |
JPH0434961A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0528953A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Nissin High Voltage Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH0766148A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JPH11312811A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの剥離方法、薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
JP2000091231A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Toshiba Corp | 多結晶の成長方法及び製造装置 |
JP2001110723A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
JP2004512669A (ja) * | 2000-03-27 | 2004-04-22 | ウルトラテク, ステッパー, インコーポレイテッド | 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置 |
JP2002270533A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びランプ出力制御方法 |
KR20040110068A (ko) * | 2003-12-30 | 2004-12-29 | 주식회사 애니이큅 | 비정질 실리콘 박막의 열처리 장치 및 열처리 방법 |
JP2006121059A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2007300028A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Tokyo Institute Of Technology | 結晶性ケイ素薄膜の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SHUHEI YOKOYAMA 他: "Fabrication of SOI Films with High Crystal Uniformityby High-Speed Zone-Melting Crystallization", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, vol. 150(5), JPN7013003249, May 2003 (2003-05-01), pages 594 - 600, ISSN: 0002622229 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009094124A3 (en) | 2009-10-15 |
KR20100105786A (ko) | 2010-09-29 |
WO2009094124A2 (en) | 2009-07-30 |
CN101981656A (zh) | 2011-02-23 |
EP2243153A4 (en) | 2011-08-03 |
US20090191348A1 (en) | 2009-07-30 |
EP2243153A2 (en) | 2010-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011510515A (ja) | 無機膜のゾーンメルト再結晶 | |
JP6122900B2 (ja) | フローティングシートの製造装置及び方法 | |
KR101527139B1 (ko) | 박막 캡슐 내의 반도체 웨이퍼들의 재결정화 및 관련 공정 | |
US9133063B2 (en) | Composite crucible, method of manufacturing the same, and method of manufacturing silicon crystal | |
WO2007148987A1 (en) | Method and crucible for direct solidification of semiconductor grade multi-crystalline silicon ingots | |
US20110133202A1 (en) | High throughput recrystallization of semiconducting materials | |
JP2007284343A (ja) | 単結晶または多結晶材料、特に多結晶シリコンの製造装置及び製造方法本特許出願は、2006年4月12日付けで出願されたドイツ特許出願No.102006017621.9−43、発明の名称「単結晶または多結晶材料、特に多結晶シリコンの製造方法」を基礎として優先権主張されている出願である。この優先権主張の基礎となる出願はその開示内容の参照書類として本願書類中に含まれている。 | |
KR101589891B1 (ko) | 무-전위 결정질 시트를 제조하기 위한 방법 및 장치 | |
JP4607096B2 (ja) | 結晶質塊生成装置用るつぼおよびその生成方法 | |
KR20100024675A (ko) | 잉곳 제조 장치 및 제조 방법 | |
JP4688090B2 (ja) | 結晶成長のための装置および方法 | |
WO2012108618A2 (ko) | 마이크로 웨이브를 이용한 단결정 성장장치 및 그 성장방법 | |
CN106191992B (zh) | 多晶硅锭的制造方法 | |
WO2013145558A1 (ja) | 多結晶シリコンおよびその鋳造方法 | |
RU2460167C1 (ru) | Способ получения самоподдерживающейся кристаллизованной кремниевой тонкой пленки | |
US20120273792A1 (en) | Zone Melt Recrystallization of Thin Films | |
Serra et al. | Silicon on Dust Substrate: The Effect of Powder Size on Ribbon Production | |
JP2004123433A (ja) | 板状シリコン、板状シリコンの製造方法、板状シリコンの製造用基板および太陽電池 | |
JP2004010461A (ja) | 結晶製造装置および結晶製造方法 | |
KR101547329B1 (ko) | 사파이어 단결정 성장장치 및 성장방법 | |
JP2005035814A (ja) | 薄板の製造方法および太陽電池 | |
CN115151684A (zh) | 在熔体表面上形成的结晶片材的主动边缘控制 | |
JP2007022860A (ja) | シリコンインゴット製造装置 | |
TW202136596A (zh) | 利用表面冷卻和熔體加熱之組合來控制在熔體表面形成之結晶片材的厚度和寬度 | |
WO2014141473A1 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの製造装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110608 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110608 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110622 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140304 |