JPH1168133A - 薄膜素子モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造および製造プロセスを簡略化して、低コ
スト化および製造に必要なエネルギーの低減化を図るこ
とのできる薄膜素子モジュールおよびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 太陽電池モジュール３００は、柔軟なプ
ラスチックフィルム支持基板３２０上に、個々に分割さ
れた複数の太陽電池素子３１０を例えば直列に配列する
と共に隣接する素子間を接続部材３３０により電気的に
接続して構成される。個々の太陽電池素子３１０は、プ
ラスチックフィルム基板２１０に転写された複数の太陽
電池素子間をペーパーカッタ等の切断手段によって切断
することにより得られる。分割された個々の太陽電池素
子３１０はプラスチックフィルム支持基板３２０上に接
着されたのち、隣接する太陽電池素子間が導電性フィル
ムからなる接続部材３３０により電気的に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の薄膜素子を
集積化した集積型の薄膜素子モジュールおよびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、太陽電池が一部実用化されてい
る。この太陽電池が本格的に使用されるためには、特に
省資源，低コスト化を図ることが重要であり、更に、エ
ネルギー変換（光−電気変換）効率、エネルギー回収年
数の短縮化などを考えた場合、厚膜の太陽電池よりも薄
膜の太陽電池が望ましい。また、薄膜で太陽電池を形成
すると、ある程度折り曲げることが可能であり、そのた
め例えば自動車のボディの曲面部やポータブル電気製品
の外部の曲面部に搭載して発電を行うことができるの
で、利用範囲が広がることとなる。

【０００３】このような太陽電池を普及させるには、太
陽電池の更なる低コスト化およびその製造にかかるエネ
ルギーの更なる低減化が必要である。そのためには、太
陽電池の製造を単純なプロセスで行う必要がある。

【０００４】そこで、このような薄膜の太陽電池を製造
する好適な方法として、本出願人と同一出願人は、先
に、「基体から素子形成層を分離する方法」（特開平７
−３７６５５号明細書）および「薄膜半導体及び太陽電
池の製造方法」（特開平８−６１５５２号明細書）を提
案した。

【０００５】特開平７−３７６５５号明細書に開示した
方法は、単結晶シリコン基板上に多孔質層を形成し、こ
の多孔質層上に太陽電池となる半導体層を成長させ、そ
の半導体層上にプラスチック板を接着剤によって接着
し、続いて引っ張り応力をかけて結晶基板からプラスチ
ック板と共に半導体層を剥離するものである。この方法
では結晶基板を再利用することができ、省資源および低
コスト化を図ることが可能である。また、特開平８−６
１５５２号明細書に開示した方法は、先の方法を更に改
良したもので、基板から半導体層をより容易に剥離でき
るように、剥離層の元になる多孔質層内の多孔率を深さ
方向で変化させて剥離層の引っ張り強度を弱め、かつ多
孔質層上の半導体層の品質の向上を図ったものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
太陽電池を利用する場合、通常、複数の太陽電池素子を
直列に電気的接続もしくは並列に電気的接続して、これ
を太陽電池モジュールとして利用することが多い。しか
し、従来の製造プロセスでは、太陽電池素子のパターニ
ングが高価なレーザ発生装置やプラズマ発生装置等を用
いる集積化技術によって行われていた。そのため太陽電
池モジュールの製造プロセスの更なる低コスト化は難し
く、またその製造にかかるエネルギーの低減化も困難で
あった。

【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、構造および製造プロセスを簡略化し
て低コスト化および製造に必要なエネルギーの低減化を
図ることのできる薄膜素子モジュールおよびその製造方
法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜素子モ
ジュールの製造方法は、第１の基板上に形成された複数
の薄膜素子を第１の基板から剥離して第２の基板に転写
する工程と、複数の薄膜素子の間を第２の基板と共に切
断手段によって切断して個々に分割する工程と、分割さ
れた複数の薄膜素子を柔軟性を有する支持基板上に所望
のパターンで搭載して集積化する工程とを含むものであ
る。

【０００９】本発明に係る薄膜素子モジュールは、柔軟
性を有する支持基板と、この支持基板に搭載された複数
の薄膜素子と、これら複数の薄膜素子間を互いに電気的
に接続するための導電性部材とを備えたものである。

【００１０】本発明による薄膜素子モジュールの製造方
法では、第１の基板から剥離され、第２の基板に転写さ
れた複数の薄膜素子が切断手段によって個々に分割され
たのち、柔軟性を有する支持基板上に所望のパターンで
集積化される。

【００１１】本発明による薄膜素子モジュールでは、複
数の薄膜素子が柔軟な支持基板上に支持されているた
め、フレキシブルであり、任意の箇所に容易に設置され
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１３】図７は本実施の形態に係る太陽電池モジュ
ール３００の平面構成を表すものである。この太陽電池
モジュール３００は、柔軟なプラスチックフィルム支持
基板３２０上に、後述の方法により個々に分割された複
数の太陽電池素子３１０を例えば直列に配列すると共に
隣接する素子間を接続部材３３０により電気的に接続し
て構成したものである。

【００１４】この太陽電池モジュール３００では、複数
の太陽電池素子３１０が柔軟なプラスチックフィルム支
持基板３２０上に集積化されているため、フレキシブル
であって例えば自動車の車体等種々の箇所に容易に設置
可能であり、便利性および応用性に優れている。以下、
この太陽電池モジュール３００の具体的な製造方法につ
いて説明する。

【００１５】図１ないし図３はそれぞれ太陽電池モジュ
ール３００の製造工程毎の断面図を表すものである。こ
こでは、太陽電池モジュール３００として薄膜単結晶シ
リコン太陽電池を集積化したものについて説明する。

【００１６】まず、図１（ａ）に示したような第１の基
板としての単結晶のシリコン基板（ｐ型，0.01〜0.02Ω
・cm）１００を用意し、このシリコン基板１００の表面
に、例えば陽極化成法により、図１（ｂ）に示したよう
な多孔質シリコン層１１０を形成する。陽極化成法は、
シリコン基板１００を陽極としてフッ化水素酸水溶液中
で通電を行う方法であり、例えば伊藤等による「表面技
術Vol.46.No.5.P8〜13,1995[多孔質シリコンの陽極化
成] 」に示された二重セル法により行うことができる。
この方法では、２つの電解溶液槽の間に多孔質層を形成
すべきシリコン基板を配置し、両方の電解溶液槽には直
流電源と接続された白金電極を設置する。そして、両電
解溶液槽に電解溶液を入れ、白金電極に直流電圧を印加
し、シリコン基板を陽極、白金電極を陰極とする。これ
によりシリコン基板の一方の面が浸食されて多孔質化す
る。

【００１７】本実施の形態では、この陽極化成法を用い
て単結晶シリコン基板に引っ張り強度の弱い分離層を有
する多孔質シリコン層を形成し、この多孔質シリコン層
上に複数の太陽電池素子を形成したのち、これら太陽電
池を多孔質シリコン層内の分離層を介して単結晶シリコ
ン基板から剥離して他の基板へ転写し、更に太陽電池素
子個々に分割したのち、所定の柔軟な基板上に所望のパ
ターンで集積化させるものである。

【００１８】具体的には、まず、陽極化成溶液として例
えばＨＦ（フッ化水素） :Ｃ₂ Ｈ₅ＯＨ（エタノール）
＝１：１の電解溶液を用い、０．５〜３．０mA/cm²程度
の電流密度で８分間、第１段階の陽極化成を行うことに
より多孔率が小さな第１の多孔質シリコン層を形成す
る。続いて、３〜２０mA/cm²の電流密度で８分間、第２
段階の陽極化成を行うことにより多孔率が中程度の第２
の多孔質シリコン層を形成する。更に、４０〜３００ m
A/cm² の電流密度で数秒間、第３段階の陽極化成を行う
ことにより多孔率が大きな第３の多孔質シリコン層を形
成する。第３の多孔質シリコン層（多孔質シリコン層１
１０）を形成しているときには、この多孔質シリコン層
１１０内に後述の分離層１１１（図１（ｃ））の元とな
る多孔率の非常に大きい層も形成される。なお、シリコ
ン基板１００としては、陽極化成法によりその上に多孔
質シリコン層１１０を形成する観点からは、ｐ型の単結
晶であることが望ましいが、条件設定によってはｎ型の
単結晶や多結晶シリコンなどを用いてもよい。

【００１９】続いて、多孔質シリコン層１１０上に複数
の太陽電池素子を形成する。すなわち、まず、例えば１
１００°Ｃの温度で３０分間水素アニールを行い多孔質
シリコン層１１０の表面に存在する穴を塞いだ後、多孔
質シリコン層１１０上にＳｉＨ₄ （シラン）等のガスを
用いて１０７０°Ｃの温度条件で膜厚例えば１〜５０μ
ｍ程度のエピタキシャル層１２０を形成する。このエピ
タキシャル層１２０は、例えば下から高濃度ｐ型層１２
１、低濃度ｐ型層１２２および高濃度ｎ型層１２３を順
次成長させることにより形成し、エピタキシャル層１２
０内にｐｎ接合を形成する。高濃度ｐ型層１２１の濃度
は例えば１０¹⁹atoms/cm³ 、低濃度ｐ型層１２２の濃度
は例えば１０¹⁵〜１０¹⁸atoms/cm³ 、高濃度ｎ型層１２
３の濃度は例えば１０¹⁹〜１０²⁰atoms/cm³ とする。な
お、このような構成により、光により低濃度ｐ型層１２
２において発生した電子は高濃度ｐ型層１２１で反射さ
れるため高濃度ｐ型層１２１での再結合が減少し、高効
率の太陽電池となる。

【００２０】このように水素アニールとエピタキシャル
成長を行っている間において、多孔質シリコン層１１０
中のシリコン原子が移動し再配列される結果、多孔質シ
リコン層１１０中の多孔率が大きかった部分が更に大き
く変化し、引っ張り強度が最も弱い層すなわち分離層１
１１になる。但し、この分離層１１１は、エピタキシャ
ル層１２０内に太陽電池（ｐｎ接合）を形成している間
において、エピタキシャル層１２０が部分的にあるいは
全面的に亘ってシリコン基板１００から剥がれない程度
の引っ張り強度は十分有する。

【００２１】エピタキシャル層１２０を形成した後、太
陽電池の表面再結合速度を低減させるために、図１
（ｃ）に示したようにエピタキシャル層１２０上に例え
ば約８００℃のウェット酸化により膜厚１０ｎｍ程度の
シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂ ）膜１３０を形成する。

【００２２】次に、図２（ａ）に示したようにシリコン
酸化膜１３０上にメタルマスク１６０を介して例えば数
１０ｎｍの厚さのチタン（Ｔｉ）膜１７０を選択的に形
成し、更に、このチタン膜１７０を酸化処理することに
より同図（ｂ）に示したように反射防止膜となる酸化チ
タン（ＴｉＯ₂ ）膜１８０を形成する。なお、この酸化
チタン膜１８０は酸素雰囲気中においてチタンを蒸着さ
せることにより形成してもよい。その後、１０％程度の
フッ化水素（ＨＦ）溶液中にシリコン基板１００を浸し
てエッチングすることによりシリコン酸化膜１３０に個
々の太陽電池に対応して電極窓１３０ａを形成する。こ
のときシリコン酸化膜１３０は酸化チタン膜１８０に比
べてフッ化水素によるエッチング選択性が十分高いの
で、フォトレジスト等のマスクを使わずにシリコン酸化
膜１３０の一部を選択的に除去することができる。これ
により太陽電池の電極窓明けを容易に行うことができ
る。続いて、メタルマスク１９０を介して電極窓１３０
ａ内のエピタキシャル層１２０上に例えばチタン（Ｔ
ｉ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ）を連続的に成長
させて電極２００を形成する。

【００２３】次に、図２（ｃ）に示したように引っ張り
力に対して強い接着剤（例えば紫外線硬化接着剤）２１
１によりシリコン基板１００の表面に、第２の基板とし
ての例えばポリカーボネイト（ＰＣ）やポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）製のプラスチックフィルム基板
２１０を接着させる。

【００２４】その後、図３（ａ）に示したようにエピタ
キシャル層１２０に形成された複数の太陽電池素子をプ
ラスチックフィルム基板２１０と共にシリコン基板１０
０から剥離する。剥離する方法としては、超音波を照射
して分離層１１１の強度を更に弱めて剥離する方法、低
温に冷却してプラスチックフィルム基板２１０とシリコ
ン基板１００の膨張率の差による応力を発生させ、この
応力を用いて剥離する方法、遠心力により引っ張り応力
を加えて剥離する方法等がある。このように太陽電池素
子がシリコン基板１００から剥離されることにより、太
陽電池素子がプラスチックフィルム基板２１０側に転写
される。なお、太陽電池素子等が剥離された後のシリコ
ン基板１００については、表面に残存している多孔質シ
リコン層１１０Ａをエッチングにより除去すれば、再利
用することが可能になる。

【００２５】続いて、エピタキシャル層１２０の裏面に
残存している多孔質シリコン層を全てあるいは一部エッ
チング等で除去した後、例えば蒸着法によりアルミニウ
ム（Ａｌ）からなる裏面電極２２０を形成する。この裏
面電極２２０を形成する際には、太陽電池素子（エピタ
キシャル層１２０）内で何回も光の反射を繰り返させて
エピタキシャル層１２０内での光吸収を増大させること
がより望ましい。そのためには太陽電池素子の表面から
入射した光が裏面電極２２０で反射して太陽電池素子膜
内に拡散しやすい構造とすればよい。このため、本実施
の形態では、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching :反応性イ
オンエッチング) あるいは逆スパッタリング等によりエ
ピタキシャル層１２０の裏面に凹凸部を形成した後で、
アルミニウムを蒸着して裏面電極２２０を形成する方法
をとってもよい。

【００２６】次に、図３（ｂ）に示したように裏面電極
２２０に対して電極取り出し用のリードとしての例えば
銅箔からなる導電性フィルム２３０を接着させる。この
とき導電性フィルム２３０を太陽電池素子の外側に一部
はみ出させて接着するようにする。この導電性フィルム
２３０としては例えば図４に示したような銅箔に接着剤
２３１が付いたものが用いられる。続いて、プラスチッ
クフィルム基板２１０に、電極２００から電極取り出し
用のリードを取り出すための開口部（スルーホール）２
１０ａを選択的に形成する。この開口部２１０ａは、プ
ラスチックフィルム基板２１０をポリカーボネイトによ
り形成した場合はシート等をマスクとしてジクロロメタ
ンによって膨潤処理することにより、あるいはメタルマ
スクを用いたアッシング処理により形成することができ
る。

【００２７】次に、プラスチックフィルム基板２１０に
転写された複数の太陽電池素子を図５に示したように個
々の太陽電池素子３１０に分割する。図５は分割前の複
数の太陽電池素子３１０の平面構成を表したもので、太
陽電池素子間を２点鎖線で示した切断線３１０Ａに沿っ
てプラスチックフィルム基板２１０と共に切断する。切
断手段としては、切断対象が薄いプラスチックフィルム
基板２１０上に薄膜の太陽電池素子が形成されたもので
あるため、断裁機、ペーパーカッタ、ロータリーカッ
タ、ＮＴカッタもしくは鋏などの種々のものを使用する
ことができ、いずれでも容易に切断することができる。
図６は切断された後の太陽電池素子３１０の平面構成を
表している。ここで、もし、切断の際、エピタキシャル
層１２０のｐｎ接合面が損傷した場合には、損傷した部
分をアルカリ等のエッチング液に浸してエッチングする
ことにより損傷した部分を除去することが望ましい。

【００２８】次に、図７に示したような、支持基板とし
ての柔軟なプラスチックフィルム支持基板３２０を用意
し、このプラスチックフィルム支持基板３２０上に分割
された複数の太陽電池素子３１０を所定のパターン、例
えば直列パターンとなるように接着させる。なお、この
プラスチックフィルム支持基板３２０は例えば膜厚０．
２〜１．０ｍｍ程度により形成されるもので、透明でも
不透明のものでもよい。

【００２９】複数の太陽電池素子３１０をプラスチック
フィルム支持基板３２０に搭載したのち、これら太陽電
池素子３１０の隣接する太陽電池素子同士を、例えば図
４に示したと同様の導電性フィルムからなる接続部材３
３０により電気的に接続させる。すなわち、接続部材３
３０の一方の端部３３０ａを一方の太陽電池素子３１０
からはみ出した導電性フィルム２３０に接着させると共
に、接続部材３３０の他方の端部３３０ｂをプラスチッ
クフィルム基板２１０に形成された開口部２１０ａを介
して電極２００に接着させるもので、これにより複数の
太陽電池素子３１０が集積化された、薄膜のフレキシブ
ルな太陽電池モジュール３００が完成する。

【００３０】このように本実施の形態の太陽電池モジュ
ールの製造方法によれば、プラスチックフィルム基板２
１０に転写された複数の太陽電池素子をカッタ等の切断
手段によって個々の太陽電池素子に分割し、これら個々
の太陽電池素子を柔軟なプラスチックフィルム支持基板
３２０上に所望のパターンで集積化するようにしたの
で、レーザ装置やプラズマ装置を用いることなくパター
ニングでき、太陽電池モジュールの製造コストが安くな
る。また、カッタ等で容易に分割できるので、スループ
ットも向上する。よって、太陽電池モジュールの製造プ
ロセスを簡略化できると共に、低コスト化および太陽電
池製造エネルギーの低減化が可能になる。また、上記実
施の形態では、マスク合わせ工程が２回でよいため、こ
のことからも低コスト化を図ることができる。更に、こ
のマスク合わせ工程においては、メタルマスクを用いる
ことができるので、フォトレジストの塗布，ベーキン
グ，現像，ポストベーキング，レジスト除去等の工程も
省略できる。すなわち、フォトレジストを使用しないこ
とによる材料費の低減、製造時間の短縮化を図ることが
でき、このことからも太陽電池モジュールの低コスト化
を図ることができる。

【００３１】ところで、上記実施の形態では、断裁機等
の切断手段による分割ラインは任意の切断線３１０Ａ
（図５参照）としたが、エピタキシャル層１２０のｐｎ
接合を直接切断すると、ｐｎ接合が損傷し特性が劣化す
ることが考えられる。このようなｐｎ接合の損傷が生じ
た場合には上述のように損傷部分をエッチングにより取
り除けばよいが、損傷の発生を防止するために、予めエ
ピタキシャル層１２０に対して切断線３１０Ａに沿った
分割層を形成するようにすることが望ましい。すなわ
ち、エピタキシャル層１２０の切断線３１０Ａに沿った
位置に図８に示したようなｐｎ接合１２０ａよりも深
く、かつその周辺部分よりも脆い分割層１４０を選択的
に形成し、ｐｎ接合１２０ａが切断線３１０Ａと交差し
ないようにするものである。

【００３２】具体的には、上述の実施の形態において、
高濃度ｐ型層１２１、低濃度ｐ型層１２２および高濃度
ｎ型層１２３からなるエピタキシャル層１２０を形成し
た後、陽極化成法により、多孔質シリコン層（分割層１
４０）を低濃度ｐ型層１２２および高濃度ｎ型層１２３
からなるｐｎ接合１２０ａよりも深く形成する。次い
で、太陽電池素子の表面再結合速度を減少させるために
例えば８００℃の温度でウェット酸化処理すると、この
多孔質シリコン層は酸化され酸化層もしくは高抵抗層と
なり、これが分割層１４０となる。

【００３３】上述の陽極化成は例えば図９に示したよう
な陽極化成装置１５０を用いて行うことができる。この
陽極化成装置１５０は、化成溶液槽１５１内に白金電極
（正極）１５２および白金電極（負極）１５３が対向配
置されると共に、白金電極１５２と白金電極１５３との
間にシリコン基板１００を収容するための保持ケース１
５４が配置されている。保持ケース１５４にはシリコン
基板１００上のエピタキシャル層１２０の分割層形成予
定領域に対応して開口１５４ａが設けられている。すな
わち、この陽極化成装置１５０では、化成溶液槽１５１
内に化成溶液１５５を入れると共に、白金電極１５２，
１５３間に直流電圧を印加することにより陽極化成を行
うと、シリコン基板１００の一方の面の保持ケース１５
４の開口１５４ａに対向する領域が浸食されて多孔質化
する。化成溶液１５５としては、例えばＨＦ（フッ化水
素） :Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ（エタノール）＝１：１の溶液が用
いられ、電流密度は例えば１〜３０mA/cm²程度とし、時
間は１〜１０分間とする。。これによりフォトレジスト
等のマスクを使用することなくエピタキシャル層１２０
内の所定の位置に多孔質シリコン層を形成することがで
きる。

【００３４】このようにエピタキシャル層１２０の切断
線３１０Ａに沿った位置に分割層１４０を形成すること
により、上述の切断手段による切断が容易になると共
に、切断面とｐｎ接合１２０ａとが交差することがない
ので、ｐｎ接合面が損傷することなくなる。

【００３５】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく
種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、太
陽電池素子に接着された第２の基板としてのプラスチッ
クフィルム基板２１０に対して、転写後、アッシング等
により開口２１０ａを設けるようにしたが、転写後、ジ
クロロメタンよる膨潤処理によってプラスチックフィル
ム基板２１０を剥がし、別途予め開口が形成されたプラ
スチックフィルム基板等を再度接着させるようにしても
よく、あるいは予め各太陽電池素子に対向して開口が形
成されたプラスチックフィルム基板を太陽電池に接着し
たのち転写させる構成としてもよい。また、上記実施の
形態では、太陽電池モジュールとして太陽電池素子を直
列に配列する構成としたが、並列あるいはマトリクス等
の形状に配列するようにしてもよく、そのパターンは任
意である。更に、上記実施の形態においては、第２の基
板としてプラスチックフィルム基板を用いて説明した
が、その他、用途に応じてガラス板やＳＵＳ（ステンレ
ス鋼）等の金属板あるいはシリコン等の半導体基板を用
いるようにしてもよい。

【００３６】更に、上記実施の形態においては薄膜素子
として太陽電池を用いたモジュールを製造する場合の例
について説明したが、本発明はその他の受光素子あるい
は発光素子、液晶表示素子、集積回路素子などの薄膜素
子モジュールの製造にも適用することもできる。また、
これらの素子についても単結晶に限らず、多結晶やアモ
ルファス層のいずれか、あるいはそれらの複合膜を形成
するようにしてもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１１
のいずれか記載の薄膜素子モジュールの製造方法によれ
ば、第１の基板上に形成された複数の薄膜素子を第１の
基板から剥離して第２の基板に転写したのち、複数の薄
膜素子の間を第２の基板と共に切断手段によって切断し
て個々に分割し、分割された複数の薄膜素子を柔軟性を
有する支持基板上に搭載して集積化するようにしたの
で、構造および製造プロセスを簡略化して、低コスト化
および製造に必要なエネルギーの低減化を図ることが可
能になる。

【００３８】特に、請求項１０または１１記載の薄膜素
子モジュールの製造方法によれば、太陽電池素子間の切
断領域に沿ってｐｎ接合面と交差しない分割層を選択的
に形成するようにしたので、切断作業が容易になり、高
品質の太陽電池モジュールの製造が容易になるという効
果がある。

【００３９】また、請求項１１または１２記載の薄膜素
子モジュールによれば、柔軟性を有する支持基板と、こ
の支持基板に搭載された複数の薄膜素子と、これら複数
の薄膜素子間を互いに電気的に接続するための導電性部
材とを備える構成としたので、フレキシブルであって、
便利性および応用性に優れたモジュールを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の係る太陽電池素子モジ
ュールの製造工程を説明するための断面図である。

【図２】図１に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図３】図２に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図４】導電性フィルムの構成を説明するための断面図
である。

【図５】分割前の太陽電池素子の構成を表す平面図であ
る。

【図６】分割された１の太陽電池素子を拡大して表す平
面図である。

【図７】図６の太陽電池素子を集積化して形成された太
陽電池モジュールの構成を表す平面図である。

【図８】図１の太陽電池素子に選択的に形成される分割
層を説明するための断面図である。

【図９】図８の分割層の形成に用いる陽極化成装置の構
成を説明するための平面図である。

【符号の説明】

１００…シリコン基板（第１の基板）、１２０…エピタ
キシャル層、２００…電極、２１０…プラスチックフィ
ルム基板（第２の基板）、２３０…導電性フィルム、２
１０ａ…開口部（スルーホール）、３００…太陽電池モ
ジュール、３１０…太陽電池素子、３２０…プラスチッ
クフィルム支持基板

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板上に形成された複数の薄膜素
   子を第１の基板から剥離して第２の基板に転写する工程
   と、 前記複数の薄膜素子の間を前記第２の基板と共に切断手
   段によって切断して個々に分割する工程と、 前記分割された複数の薄膜素子を柔軟性を有する支持基
   板上に所望のパターンで搭載して集積化する工程とを含
   むことを特徴とする薄膜素子モジュールの製造方法。
2. 【請求項２】 前記支持基板上に搭載された複数の薄膜
   素子の隣接する薄膜素子間をそれぞれ導電性部材を用い
   て電気的に接続させることを特徴とする請求項１記載の
   薄膜素子モジュールの製造方法。
3. 【請求項３】 前記第２の基板および支持基板をそれぞ
   れ柔軟性を有するフィルム材料で形成することを特徴と
   する請求項１記載の薄膜素子モジュールの製造方法。
4. 【請求項４】 前記薄膜素子を第１の基板から剥離して
   第２の基板に転写したのち、第２の基板に対して各太陽
   電池素子の電極取り出し用の開口部を形成することを特
   徴とする請求項１記載の薄膜素子モジュールの製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記薄膜素子を第１の基板から剥離して
   第２の基板に転写したのち、前記薄膜素子を第２の基板
   から剥離し、そののち前記薄膜素子に対して、予め各太
   陽電池素子に対応して電極取り出し用の開口部が形成さ
   れた他の基板を接着させることを特徴とする請求項１記
   載の薄膜素子モジュールの製造方法。
6. 【請求項６】 前記第２の基板として、予め各太陽電池
   素子に対応して電極取り出し用の開口部が形成された基
   板を用いることを特徴とする請求項１記載の薄膜素子モ
   ジュールの製造方法。
7. 【請求項７】 前記切断手段として、断裁機、ペーパー
   カッタ、ロータリーカッタ、ＮＴカッタもしくは鋏を用
   いることを特徴とする請求項１記載の薄膜素子モジュー
   ルの製造方法。
8. 【請求項８】 前記薄膜素子がｐｎ接合を含む太陽電池
   素子であることを特徴とする請求項１記載の薄膜素子モ
   ジュールの製造方法。
9. 【請求項９】 前記太陽電池素子間を切断手段によって
   切断した際にｐｎ接合面が損傷を受けた場合、切断面を
   エッチング処理することにより損傷部分を除去すること
   を特徴とする請求項８記載の薄膜素子モジュールの製造
   方法。
10. 【請求項１０】 前記太陽電池素子間の切断領域に沿っ
    てｐｎ接合面と交差しない分割層を選択的に形成するこ
    とを特徴とする請求項８記載の薄膜素子モジュールの製
    造方法。
11. 【請求項１１】 前記太陽電池素子をシリコンにより形
    成すると共に前記分割層を陽極化成によって多孔質シリ
    コンで形成することを特徴とする請求項１０記載の薄膜
    素子モジュールの製造方法。
12. 【請求項１２】 柔軟性を有する支持基板と、 この支持基板に搭載された複数の薄膜素子と、 これら複数の薄膜素子間を互いに電気的に接続するため
    の導電性部材とを備えたことを特徴とする薄膜素子モジ
    ュール。
13. 【請求項１３】 前記薄膜素子がｐｎ接合を含む太陽電
    池素子であることを特徴とする請求項１２記載の薄膜素
    子モジュールの製造方法。