JP2001119043A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
- Publication number
- JP2001119043A JP2001119043A JP29303699A JP29303699A JP2001119043A JP 2001119043 A JP2001119043 A JP 2001119043A JP 29303699 A JP29303699 A JP 29303699A JP 29303699 A JP29303699 A JP 29303699A JP 2001119043 A JP2001119043 A JP 2001119043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type layer
- layer
- mask member
- film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 7
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 23
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract 3
- 101100493711 Caenorhabditis elegans bath-41 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 43
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 35
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 11
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 11
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- -1 Continuously Chemical compound 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
- H01L31/1896—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 作業効率を大幅に向上させることのできる半
導体素子を製造する装置、とくに、バックコンタクト型
集積シリコン太陽電池の製造装置を提供する。 【解決手段】 直流電源４４と、直流電源に接続された
陽極４２および陰極４３と、電解溶液４０と、電解溶液
を収容した電解溶液槽４１と、開口部４８を有するマス
ク部材４７と、半導体基板４６を保持可能な支持部材４
５を備え、マスク部材を介して、半導体基板に通電し
て、開口部に対応する半導体基板を多孔質化することを
特徴とする半導体素子の製造装置。
導体素子を製造する装置、とくに、バックコンタクト型
集積シリコン太陽電池の製造装置を提供する。 【解決手段】 直流電源４４と、直流電源に接続された
陽極４２および陰極４３と、電解溶液４０と、電解溶液
を収容した電解溶液槽４１と、開口部４８を有するマス
ク部材４７と、半導体基板４６を保持可能な支持部材４
５を備え、マスク部材を介して、半導体基板に通電し
て、開口部に対応する半導体基板を多孔質化することを
特徴とする半導体素子の製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
装置に関するものであり、さらに詳細には、作業効率を
大幅に向上させることのできる半導体素子を製造する装
置に関し、とくに、作業効率を大幅に向上させることの
できるバックコンタクト型集積シリコン太陽電池の製造
装置に関するものである。
装置に関するものであり、さらに詳細には、作業効率を
大幅に向上させることのできる半導体素子を製造する装
置に関し、とくに、作業効率を大幅に向上させることの
できるバックコンタクト型集積シリコン太陽電池の製造
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】単結晶シリコン基板の表面に形成した多
孔質シリコン層上に、薄膜単結晶シリコン太陽電池素子
を形成し、形成した薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を
単結晶シリコン基板から剥離して、基板上に転写し、薄
膜単結晶シリコン太陽電池を製造する方法が知られてい
る（たとえば、特開平８−２１３６４５号公報など）。
孔質シリコン層上に、薄膜単結晶シリコン太陽電池素子
を形成し、形成した薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を
単結晶シリコン基板から剥離して、基板上に転写し、薄
膜単結晶シリコン太陽電池を製造する方法が知られてい
る（たとえば、特開平８−２１３６４５号公報など）。
【０００３】また、光の入射側面に、電極が形成された
従来の太陽電池にあっては、電極の陰に起因する無効電
極面積の低減に限界があり、電流損失の低減にも限界が
あるため、電極が形成された面とは反対側の面から、光
を入射させるように構成されたいわゆるバックコンタク
ト型の太陽電池が提案されている（たとえば、特開平１
１−２１４７２０号公報。）。
従来の太陽電池にあっては、電極の陰に起因する無効電
極面積の低減に限界があり、電流損失の低減にも限界が
あるため、電極が形成された面とは反対側の面から、光
を入射させるように構成されたいわゆるバックコンタク
ト型の太陽電池が提案されている（たとえば、特開平１
１−２１４７２０号公報。）。
【０００４】このように、単結晶シリコン基板の表面に
形成した多孔質シリコン層上に、薄膜単結晶シリコン太
陽電池素子を形成し、形成した薄膜単結晶シリコン太陽
電池素子を単結晶シリコン基板から剥離して、透明基板
上に転写し、電極が形成された面とは反対側の面から、
光を入射させるように構成されたバックコンタクト型薄
膜単結晶シリコン太陽電池において、発電容量を増大さ
せるために、太陽電池を複数のセルに分割して、太陽電
池モジュールとして使用する試みがなされている。
形成した多孔質シリコン層上に、薄膜単結晶シリコン太
陽電池素子を形成し、形成した薄膜単結晶シリコン太陽
電池素子を単結晶シリコン基板から剥離して、透明基板
上に転写し、電極が形成された面とは反対側の面から、
光を入射させるように構成されたバックコンタクト型薄
膜単結晶シリコン太陽電池において、発電容量を増大さ
せるために、太陽電池を複数のセルに分割して、太陽電
池モジュールとして使用する試みがなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この場合、従来は、レ
ーザを用いて、複数のセルをパターンニングする方法が
用いられているが、レーザによるパターンニングは、半
導体層および単結晶シリコン基板の表面に形成された多
孔質シリコン層を切断することによって、隣接するセル
を電気的に絶縁分離するものであるため、バックコンタ
クト型集積薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造過程で、
半導体層および多孔質シリコン層が、単結晶シリコン基
板の表面から剥離しやすく、作業性が著しく悪いという
問題があった。
ーザを用いて、複数のセルをパターンニングする方法が
用いられているが、レーザによるパターンニングは、半
導体層および単結晶シリコン基板の表面に形成された多
孔質シリコン層を切断することによって、隣接するセル
を電気的に絶縁分離するものであるため、バックコンタ
クト型集積薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造過程で、
半導体層および多孔質シリコン層が、単結晶シリコン基
板の表面から剥離しやすく、作業性が著しく悪いという
問題があった。
【０００６】かかる問題は、太陽電池に限らず、ＭＯＳ
などの他の種類の半導体素子においても、問題とされ、
解決が望まれていた。
などの他の種類の半導体素子においても、問題とされ、
解決が望まれていた。
【０００７】したがって、本発明は、作業効率を大幅に
向上させることのできる半導体素子を製造する装置を提
供することを目的とするものである。
向上させることのできる半導体素子を製造する装置を提
供することを目的とするものである。
【０００８】本発明の別の目的は、作業効率を大幅に向
上させることのできるバックコンタクト型集積シリコン
太陽電池の製造装置を提供することにある。
上させることのできるバックコンタクト型集積シリコン
太陽電池の製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
直流電源と、前記直流電源に接続された陽極および陰極
と、電解溶液と、前記電解溶液を収容した電解溶液槽
と、開口部を有するマスク部材と、半導体基板を保持可
能な支持部材を備え、前記マスク部材を介して、前記半
導体基板に通電して、前記開口部に対応する前記半導体
基板を多孔質化することを特徴とする半導体素子の製造
装置によって達成される。
直流電源と、前記直流電源に接続された陽極および陰極
と、電解溶液と、前記電解溶液を収容した電解溶液槽
と、開口部を有するマスク部材と、半導体基板を保持可
能な支持部材を備え、前記マスク部材を介して、前記半
導体基板に通電して、前記開口部に対応する前記半導体
基板を多孔質化することを特徴とする半導体素子の製造
装置によって達成される。
【００１０】本発明によれば、直流電源から供給される
電流と電流の供給時間を制御することによって、所望の
ように、半導体基板に、多孔質膜を形成することが可能
になる。
電流と電流の供給時間を制御することによって、所望の
ように、半導体基板に、多孔質膜を形成することが可能
になる。
【００１１】本発明の好ましい実施態様においては、前
記開口部がスリット状開口部によって形成されている。
記開口部がスリット状開口部によって形成されている。
【００１２】本発明の好ましい実施態様によれば、幅の
狭い多孔質膜を、半導体基板に形成することが可能にな
る。
狭い多孔質膜を、半導体基板に形成することが可能にな
る。
【００１３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記マスク部材が複数の前記開口部を有している。
は、前記マスク部材が複数の前記開口部を有している。
【００１４】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、マスク部材に形成する複数のスリット状開口部の形
状および位置を適宜選択し、半導体基板とマスクの相対
的位置関係を適宜選択することによって、任意の形状の
多孔質膜を、半導体基板の任意の位置に容易に形成する
ことが可能となる。
ば、マスク部材に形成する複数のスリット状開口部の形
状および位置を適宜選択し、半導体基板とマスクの相対
的位置関係を適宜選択することによって、任意の形状の
多孔質膜を、半導体基板の任意の位置に容易に形成する
ことが可能となる。
【００１５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記マスク部材および前記支持部材が絶縁材料によ
り構成されている。
は、前記マスク部材および前記支持部材が絶縁材料によ
り構成されている。
【００１６】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、直流電源から供給される電流は、マスク部材および
支持部材が絶縁材料により構成されているため、マスク
部材に形成された開口部のみを通って流れるから、直流
電源から供給される電流と電流の供給時間を制御するこ
とによって、所望のように、多孔質膜を、半導体基板に
形成することが可能となり、半導体基板の半導体層を貫
通するように、多孔質膜を形成して、隣接する半導体層
の絶縁分離を図り、半導体素子を集積化させることがで
き、隣接する半導体層は、多孔質膜によって、電気的に
は分離されているが、物理的には、多孔質膜を介して、
連結されているため、作業性よく、集積化した半導体素
子を製造することが可能となる。
ば、直流電源から供給される電流は、マスク部材および
支持部材が絶縁材料により構成されているため、マスク
部材に形成された開口部のみを通って流れるから、直流
電源から供給される電流と電流の供給時間を制御するこ
とによって、所望のように、多孔質膜を、半導体基板に
形成することが可能となり、半導体基板の半導体層を貫
通するように、多孔質膜を形成して、隣接する半導体層
の絶縁分離を図り、半導体素子を集積化させることがで
き、隣接する半導体層は、多孔質膜によって、電気的に
は分離されているが、物理的には、多孔質膜を介して、
連結されているため、作業性よく、集積化した半導体素
子を製造することが可能となる。
【００１７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記支持部材が、前記マスク部材を、前記半導体基
板に対向し、かつ、前記半導体基板に対して、前記陰極
側に位置するように保持可能に構成されている。
は、前記支持部材が、前記マスク部材を、前記半導体基
板に対向し、かつ、前記半導体基板に対して、前記陰極
側に位置するように保持可能に構成されている。
【００１８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記マスク部材の前記開口部が、レーザ加工によっ
て形成されている。
は、前記マスク部材の前記開口部が、レーザ加工によっ
て形成されている。
【００１９】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、精度よく、所望の形状を有する開口部を、マスク部
材の所望の位置に形成することが可能となる。
ば、精度よく、所望の形状を有する開口部を、マスク部
材の所望の位置に形成することが可能となる。
【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記マスク部材の前記開口部が、レーザ加工によっ
て、前記マスク部材を、横断面が略楔状をなすように、
加工して、形成されている。
は、前記マスク部材の前記開口部が、レーザ加工によっ
て、前記マスク部材を、横断面が略楔状をなすように、
加工して、形成されている。
【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記陽極および前記陰極が、白金、カーボンおよび
炭化珪素よりなる群から選ばれた材料によって形成され
ている。
は、前記陽極および前記陰極が、白金、カーボンおよび
炭化珪素よりなる群から選ばれた材料によって形成され
ている。
【００２２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記マスク部材が、塩化ビニル樹脂およびフッ素樹
脂よりなる群から選ばれた材料によって形成されてい
る。
は、前記マスク部材が、塩化ビニル樹脂およびフッ素樹
脂よりなる群から選ばれた材料によって形成されてい
る。
【００２３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記電解溶液が、容積比が３：１ないし１：１の弗
化水素酸とエチルアルコールの混合溶液にによって構成
されている。
は、前記電解溶液が、容積比が３：１ないし１：１の弗
化水素酸とエチルアルコールの混合溶液にによって構成
されている。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００２５】図１ないし図９は、バックコンタクト型集
積薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工
程図である。
積薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工
程図である。
【００２６】バックコンタクト型集積薄膜単結晶シリコ
ン太陽電池の製造にあたっては、図１に示されるよう
に、まず、ホウ素などのｐ型不純物を添加した０．０１
ないし０．０２Ω・ｃｍの比抵抗を有するｐ型単結晶シ
リコン基板１の表面に、たとえば、陽極化成法によって
多孔質シリコン層２が形成される。すなわち、多孔質シ
リコン層２上に、結晶性に優れたエピタキシャル層が形
成されるように、たとえば、０．５ないし３ｍＡ／平方
センチメートルの電流密度で、２ないし１０分間、たと
えば、８分間にわたって、第一の陽極化成処理が施され
て、多孔率の小さい第一の多孔質シリコン層（図示せ
ず）が形成され、次いで、たとえば、３ないし２０ｍＡ
／平方センチメートルの電流密度で、２ないし１０分
間、たとえば、８分間にわたって、第二の陽極化成処理
が施されて、多孔率が中程度の第二の多孔質シリコン層
（図示せず）が形成された後、たとえば、４０ないし３
００ｍＡ／平方センチメートルの電流密度で、数秒間に
わたり、第三の陽極化成処理が施されて、多孔率が大き
い第三の多孔質シリコン層（図示せず）が形成される。
多孔質シリコン層２の厚みは、２ないし１０μｍ、好ま
しくは、約８μｍである。ここに、陽極化成法は、シリ
コン基板１を陽極として、弗化水素酸溶液中で、通電を
おこなう方法であり、陽極化成法としては、たとえば、
伊東等による「表面技術Vol.４６、No.５、ｐ８〜１
３、１９９５『多孔質シリコンの陽極化成』」に記載さ
れた二重セル法が知られている。
ン太陽電池の製造にあたっては、図１に示されるよう
に、まず、ホウ素などのｐ型不純物を添加した０．０１
ないし０．０２Ω・ｃｍの比抵抗を有するｐ型単結晶シ
リコン基板１の表面に、たとえば、陽極化成法によって
多孔質シリコン層２が形成される。すなわち、多孔質シ
リコン層２上に、結晶性に優れたエピタキシャル層が形
成されるように、たとえば、０．５ないし３ｍＡ／平方
センチメートルの電流密度で、２ないし１０分間、たと
えば、８分間にわたって、第一の陽極化成処理が施され
て、多孔率の小さい第一の多孔質シリコン層（図示せ
ず）が形成され、次いで、たとえば、３ないし２０ｍＡ
／平方センチメートルの電流密度で、２ないし１０分
間、たとえば、８分間にわたって、第二の陽極化成処理
が施されて、多孔率が中程度の第二の多孔質シリコン層
（図示せず）が形成された後、たとえば、４０ないし３
００ｍＡ／平方センチメートルの電流密度で、数秒間に
わたり、第三の陽極化成処理が施されて、多孔率が大き
い第三の多孔質シリコン層（図示せず）が形成される。
多孔質シリコン層２の厚みは、２ないし１０μｍ、好ま
しくは、約８μｍである。ここに、陽極化成法は、シリ
コン基板１を陽極として、弗化水素酸溶液中で、通電を
おこなう方法であり、陽極化成法としては、たとえば、
伊東等による「表面技術Vol.４６、No.５、ｐ８〜１
３、１９９５『多孔質シリコンの陽極化成』」に記載さ
れた二重セル法が知られている。
【００２７】この方法は、２つの電解溶液槽の間に、多
孔質シリコン層２を形成すべきシリコン基板１を配置
し、２つの電解溶液槽に、直流電源と接続された白金電
極を設け、２つの電解溶液槽に、電解溶液を入れて、シ
リコン基板１を陽極、白金電極を陰極として、直流電圧
を印加し、シリコン基板１の一方の面を浸食させて、多
孔質化するものである。電解溶液としては、たとえば、
弗化水素酸とエチルアルコールの容積比が３：１ないし
１：１の電解溶液が好ましく使用される。
孔質シリコン層２を形成すべきシリコン基板１を配置
し、２つの電解溶液槽に、直流電源と接続された白金電
極を設け、２つの電解溶液槽に、電解溶液を入れて、シ
リコン基板１を陽極、白金電極を陰極として、直流電圧
を印加し、シリコン基板１の一方の面を浸食させて、多
孔質化するものである。電解溶液としては、たとえば、
弗化水素酸とエチルアルコールの容積比が３：１ないし
１：１の電解溶液が好ましく使用される。
【００２８】次いで、図２に示されるように、多孔質シ
リコン層２の表面に、１０５０ないし１２００℃、たと
えば、１１００℃で、５ないし３０分間にわたって、水
素アニール処理が施されて、多孔質シリコン層２の表面
に形成された多数の孔が塞がれた後、ＳｉＨ４、ＳｉＣ
ｌ４、ＳｉＣｌ３、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２など
のガスを用いて、１０００ないし１１５０℃、たとえ
ば、１０７０℃で、多孔質シリコン層２の表面上に、ｐ
＋型層３が、０．１ないし１μｍの厚さに、エピタキシ
ャル成長され、次いで、ｐ型層４が、不純物濃度が１０
１４ないし１０１ ８／立方センチメートルとなるよう
に、１ないし５０μｍの厚さに、連続エピタキシャル成
長される。その後、陰極となるｎ＋型層５が、拡散また
はエピタキシャル成長により、０．１ないし１μｍの厚
さに形成される。
リコン層２の表面に、１０５０ないし１２００℃、たと
えば、１１００℃で、５ないし３０分間にわたって、水
素アニール処理が施されて、多孔質シリコン層２の表面
に形成された多数の孔が塞がれた後、ＳｉＨ４、ＳｉＣ
ｌ４、ＳｉＣｌ３、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２など
のガスを用いて、１０００ないし１１５０℃、たとえ
ば、１０７０℃で、多孔質シリコン層２の表面上に、ｐ
＋型層３が、０．１ないし１μｍの厚さに、エピタキシ
ャル成長され、次いで、ｐ型層４が、不純物濃度が１０
１４ないし１０１ ８／立方センチメートルとなるよう
に、１ないし５０μｍの厚さに、連続エピタキシャル成
長される。その後、陰極となるｎ＋型層５が、拡散また
はエピタキシャル成長により、０．１ないし１μｍの厚
さに形成される。
【００２９】ここに、水素アニール処理、エピタキシャ
ル成長および拡散過程において、多孔質シリコン層２中
のシリコン原子が移動して、再配列される結果、第三の
多孔質シリコン層は、引張強度が著しく弱くなって、分
離層６に転化する。分離層６は、ｐ＋型層３およびｐ型
層４が、部分的にあるいは全体的に、シリコン基板１か
ら剥離することがない程度の引張強度を有している。
ル成長および拡散過程において、多孔質シリコン層２中
のシリコン原子が移動して、再配列される結果、第三の
多孔質シリコン層は、引張強度が著しく弱くなって、分
離層６に転化する。分離層６は、ｐ＋型層３およびｐ型
層４が、部分的にあるいは全体的に、シリコン基板１か
ら剥離することがない程度の引張強度を有している。
【００３０】さらに、図３に示されるように、エキシマ
レーザなどを用いて、所定のパターンで、ｎ＋型層５
が、レーザ・アブレーションによって除去され、陽極で
あるｐ型層４が露出される。本実施態様においては、陰
極であるｎ＋型層５を、微細なパターンニングが可能な
レーザ・アブレーションによって除去し、陽極であるｐ
型層４を露出させているので、フォトレジストなどのマ
スクを用いることなく、低コストで、所望の電極パター
ンを形成することが可能になる。
レーザなどを用いて、所定のパターンで、ｎ＋型層５
が、レーザ・アブレーションによって除去され、陽極で
あるｐ型層４が露出される。本実施態様においては、陰
極であるｎ＋型層５を、微細なパターンニングが可能な
レーザ・アブレーションによって除去し、陽極であるｐ
型層４を露出させているので、フォトレジストなどのマ
スクを用いることなく、低コストで、所望の電極パター
ンを形成することが可能になる。
【００３１】次いで、図４に示されるように、ｎ＋型層
５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通し、多孔質シリコ
ン層２に達する多孔率の大きい多孔質シリコン膜３０
が、陽極化成によって形成される。多孔質シリコン膜３
０の多孔率としては、たとえば、多孔率が、４０ないし
８０容積％のものが選ばれる。
５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通し、多孔質シリコ
ン層２に達する多孔率の大きい多孔質シリコン膜３０
が、陽極化成によって形成される。多孔質シリコン膜３
０の多孔率としては、たとえば、多孔率が、４０ないし
８０容積％のものが選ばれる。
【００３２】図１０は、多孔質シリコン膜３０を形成す
る本発明の好ましい実施態様にかかる陽極化成装置の略
断面図である。
る本発明の好ましい実施態様にかかる陽極化成装置の略
断面図である。
【００３３】図１０に示されるように、たとえば、弗化
水素酸とエチルアルコールの容積比が３：１ないし１：
１の電解溶液４０が収容された電解溶液槽４１内には、
一対の白金電極４２、４３が設けられ、一対の白金電極
４２、４３は直流電源４４に接続されている。また、絶
縁材料により形成された支持部材４５によって、図２に
示されるシリコン基板１、多孔質シリコン層２、ｐ＋型
層３、ｐ型層４およびｎ＋型層５よりなる積層体４６が
支持され、積層体４６の負の白金電極４２側には、塩化
ビニル樹脂によって形成されたマスク４７が支持部材４
５によって支持されている。その結果、支持部材４５、
積層体４６およびマスク４７によって、電解溶液槽４１
は二分されることになる。
水素酸とエチルアルコールの容積比が３：１ないし１：
１の電解溶液４０が収容された電解溶液槽４１内には、
一対の白金電極４２、４３が設けられ、一対の白金電極
４２、４３は直流電源４４に接続されている。また、絶
縁材料により形成された支持部材４５によって、図２に
示されるシリコン基板１、多孔質シリコン層２、ｐ＋型
層３、ｐ型層４およびｎ＋型層５よりなる積層体４６が
支持され、積層体４６の負の白金電極４２側には、塩化
ビニル樹脂によって形成されたマスク４７が支持部材４
５によって支持されている。その結果、支持部材４５、
積層体４６およびマスク４７によって、電解溶液槽４１
は二分されることになる。
【００３４】図１１は、マスク４７の略平面図である。
【００３５】図１１に示されるように、マスク４７に
は、複数の矩形状開口部４８が、たとえば、レーザ加工
によって形成されている。各矩形状開口部４８は、たと
えば、２０μｍの幅のスリット状に形成されている。
は、複数の矩形状開口部４８が、たとえば、レーザ加工
によって形成されている。各矩形状開口部４８は、たと
えば、２０μｍの幅のスリット状に形成されている。
【００３６】図１０に示されるように、各矩形状開口部
４８は、レーザによって、その横断面が略楔状をなすよ
うに加工されたマスク４７の部分に連通するように、形
成されている。
４８は、レーザによって、その横断面が略楔状をなすよ
うに加工されたマスク４７の部分に連通するように、形
成されている。
【００３７】このようにして構成された陽極化成装置に
よって、以下のようにして、多孔質シリコン膜３０が形
成される。
よって、以下のようにして、多孔質シリコン膜３０が形
成される。
【００３８】初めに、シリコン基板１、多孔質シリコン
層２、ｐ＋型層３、ｐ型層４およびｎ＋型層５よりなる
積層体４６と、マスク４７が、マスク４７の複数の矩形
状開口部４８が、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層
３に多孔質シリコン膜３０を形成すべき位置に対応した
位置に位置するように、電解溶液４０中に位置決めされ
る。
層２、ｐ＋型層３、ｐ型層４およびｎ＋型層５よりなる
積層体４６と、マスク４７が、マスク４７の複数の矩形
状開口部４８が、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層
３に多孔質シリコン膜３０を形成すべき位置に対応した
位置に位置するように、電解溶液４０中に位置決めされ
る。
【００３９】次いで、直流電源４４を用いて、正の白金
電極４２と負の白金電極４３との間に、電流を流すと、
支持部材４５は絶縁材料によって形成されているため、
電流は電解溶液４０中のみを流れる。
電極４２と負の白金電極４３との間に、電流を流すと、
支持部材４５は絶縁材料によって形成されているため、
電流は電解溶液４０中のみを流れる。
【００４０】積層体４６の負の白金電極４２側には、塩
化ビニル樹脂によって形成されたマスク４７が、複数の
矩形状開口部４８が、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋
型層３に多孔質シリコン膜３０を形成すべき位置に対応
した位置に位置するように、電解溶液４０中に配置され
ているため、電流は、マスク４７に形成された複数の矩
形状開口部４８に対応する積層体４６の部分を横切って
流れる。
化ビニル樹脂によって形成されたマスク４７が、複数の
矩形状開口部４８が、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋
型層３に多孔質シリコン膜３０を形成すべき位置に対応
した位置に位置するように、電解溶液４０中に配置され
ているため、電流は、マスク４７に形成された複数の矩
形状開口部４８に対応する積層体４６の部分を横切って
流れる。
【００４１】その結果、マスク４７に形成された複数の
矩形状開口部４８に対応する積層体４６の部分に多孔質
シリコン膜３０が形成される。
矩形状開口部４８に対応する積層体４６の部分に多孔質
シリコン膜３０が形成される。
【００４２】電流値および陽極化成処理時間は、多孔質
シリコン膜３０が、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型
層３のすべてを貫通するが、シリコン基板１内には形成
されないように、選択される。これによって、シリコン
基板１を再利用することが可能になる。たとえば、１か
ら１００ｍＡ／平方センチメートル、たとえば、１４ｍ
Ａ／平方センチメートルで、６分間にわたって、陽極化
成処理して、多孔質シリコン膜３０を形成することがで
きる。
シリコン膜３０が、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型
層３のすべてを貫通するが、シリコン基板１内には形成
されないように、選択される。これによって、シリコン
基板１を再利用することが可能になる。たとえば、１か
ら１００ｍＡ／平方センチメートル、たとえば、１４ｍ
Ａ／平方センチメートルで、６分間にわたって、陽極化
成処理して、多孔質シリコン膜３０を形成することがで
きる。
【００４３】こうして、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ
＋型層３を貫通し、多孔質シリコン層２に達する多孔質
シリコン膜３０を陽極化成法によって形成した後、多孔
質シリコン膜３０は、８００ないし１０００℃の温度
で、熱酸化されて、セル間を分離する絶縁分離膜３０に
転化される。図５に示されるように、この熱酸化によっ
て、ｎ＋型層５の表面に、シリコン酸化膜５０が同時に
形成される。
＋型層３を貫通し、多孔質シリコン層２に達する多孔質
シリコン膜３０を陽極化成法によって形成した後、多孔
質シリコン膜３０は、８００ないし１０００℃の温度
で、熱酸化されて、セル間を分離する絶縁分離膜３０に
転化される。図５に示されるように、この熱酸化によっ
て、ｎ＋型層５の表面に、シリコン酸化膜５０が同時に
形成される。
【００４４】本実施態様によれば、隣接するセル間は、
ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通し、多孔
質シリコン層２に達する多孔質シリコン膜３０が転化さ
れた絶縁分離膜３０によって、電気的には、絶縁分離さ
れているが、物理的には、絶縁分離膜３０を介して、結
合されているため、レーザー・アブレーションによっ
て、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を切断し
て、隣接するセル間を絶縁分離する場合のように、太陽
電池素子を形成して、シリコン基板１から剥離する前
に、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３がシリコン
基板１から剥離することを効果的に防止することが可能
となり、作業性を大幅に向上させることができる。
ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通し、多孔
質シリコン層２に達する多孔質シリコン膜３０が転化さ
れた絶縁分離膜３０によって、電気的には、絶縁分離さ
れているが、物理的には、絶縁分離膜３０を介して、結
合されているため、レーザー・アブレーションによっ
て、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を切断し
て、隣接するセル間を絶縁分離する場合のように、太陽
電池素子を形成して、シリコン基板１から剥離する前
に、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３がシリコン
基板１から剥離することを効果的に防止することが可能
となり、作業性を大幅に向上させることができる。
【００４５】次いで、図６に示されるように、エキシマ
レーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによっ
て、所望のパターンで、陰極となるｎ＋型層５が除去さ
れ、陽極となるｐ型層４が露出される。本実施態様にお
いては、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレ
ーションにより、所望のパターンで、陰極となるｎ＋型
層５を除去し、陽極となるｐ型層４を露出させているの
で、フォトレジストなどのマスクを用いることなく、所
望の微細な電極パターンを形成することが可能になる。
レーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによっ
て、所望のパターンで、陰極となるｎ＋型層５が除去さ
れ、陽極となるｐ型層４が露出される。本実施態様にお
いては、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレ
ーションにより、所望のパターンで、陰極となるｎ＋型
層５を除去し、陽極となるｐ型層４を露出させているの
で、フォトレジストなどのマスクを用いることなく、所
望の微細な電極パターンを形成することが可能になる。
【００４６】次いで、露出されたｐ−ｎ＋結合を保護す
るために、８００ないし１０００℃の温度で、シリコン
酸化膜５０が熱酸化されて、シリコン酸化膜５０の厚み
が増大する。
るために、８００ないし１０００℃の温度で、シリコン
酸化膜５０が熱酸化されて、シリコン酸化膜５０の厚み
が増大する。
【００４７】その後、図７に示されるように、エキシマ
レーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによって
電極窓明けがされ、シリコン酸化膜５０に形成された開
口部に、たとえば、金属ペーストがスクリーン印刷され
て、複数の電極９、陽極９ａおよび陰極９ｂが形成され
る。電極９は、絶縁分離膜３０を跨いで、隣接するセル
のｎ＋型層５およびｐ型層４に接続され、ｐ型層４に接
続した陽極９ａおよびｎ＋型層５に接続した陰極９ｂ
は、両端部にのみ形成される。ここに、電極９、陽極９
ａおよび陰極９ｂは、太陽電池の裏面から入射し、太陽
電池を透過した光をできるだけ多く、反射させるように
するため、面積が大きい方が望ましい。
レーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによって
電極窓明けがされ、シリコン酸化膜５０に形成された開
口部に、たとえば、金属ペーストがスクリーン印刷され
て、複数の電極９、陽極９ａおよび陰極９ｂが形成され
る。電極９は、絶縁分離膜３０を跨いで、隣接するセル
のｎ＋型層５およびｐ型層４に接続され、ｐ型層４に接
続した陽極９ａおよびｎ＋型層５に接続した陰極９ｂ
は、両端部にのみ形成される。ここに、電極９、陽極９
ａおよび陰極９ｂは、太陽電池の裏面から入射し、太陽
電池を透過した光をできるだけ多く、反射させるように
するため、面積が大きい方が望ましい。
【００４８】次いで、接着剤５１を用いて、不透明なプ
ラスチックフイルム５２が接着された後、シリコン基板
１が、水またはエチルアルコールなどの溶液中に浸さ
れ、たとえば、２５ｋＨｚ、６００Ｗの超音波がシリコ
ン基板１に照射される。その結果、超音波のエネルギー
によって、分離層６の剥離強度が弱められて、分離層６
が破壊され、図８に示されるように、シリコン基板１が
太陽電池素子５３から剥離される。
ラスチックフイルム５２が接着された後、シリコン基板
１が、水またはエチルアルコールなどの溶液中に浸さ
れ、たとえば、２５ｋＨｚ、６００Ｗの超音波がシリコ
ン基板１に照射される。その結果、超音波のエネルギー
によって、分離層６の剥離強度が弱められて、分離層６
が破壊され、図８に示されるように、シリコン基板１が
太陽電池素子５３から剥離される。
【００４９】シリコン基板１が剥離された太陽電池素子
５３の裏面には、多孔質シリコン層２が残っているの
で、弗化水素酸と硝酸の混合液などを用いて、回転シリ
コンエッチング法などによって、太陽電池素子５３の裏
面の多孔質シリコン層２を除去し、ｐ＋型層３が露出さ
れる。さらに、露出されたｐ＋型層３の表面の再結合速
度を低減させるため、シリカを有機溶媒に溶解した溶液
がｐ＋型層３の表面に塗布されて、シリカ含有層（図示
せず）が形成され、ＵＶ照射により発生したオゾンによ
って、シリカ含有層が酸化されて、ｐ＋型層３の表面
に、厚さ１０ｎｍ以下の保護膜５４が形成される。
５３の裏面には、多孔質シリコン層２が残っているの
で、弗化水素酸と硝酸の混合液などを用いて、回転シリ
コンエッチング法などによって、太陽電池素子５３の裏
面の多孔質シリコン層２を除去し、ｐ＋型層３が露出さ
れる。さらに、露出されたｐ＋型層３の表面の再結合速
度を低減させるため、シリカを有機溶媒に溶解した溶液
がｐ＋型層３の表面に塗布されて、シリカ含有層（図示
せず）が形成され、ＵＶ照射により発生したオゾンによ
って、シリカ含有層が酸化されて、ｐ＋型層３の表面
に、厚さ１０ｎｍ以下の保護膜５４が形成される。
【００５０】すなわち、シリカを、アルコールを主成分
とし、エステル、ケトンを含む有機溶媒に溶解したシリ
カ溶液を、ｐ＋型層３の表面に塗布して、シリカ含有層
を形成した後、紫外線が照射される。その結果、オゾン
が発生して、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させ、さ
らに、シリカ含有層中のシリカが酸化されて、酸化シリ
コンの保護膜５４が形成される。たとえば、エキシマ紫
外線ランプを用いて、波長１７２ｎｍの紫外線を、１な
いし１００ｍＷ／平方センチメートルで、１秒ないし３
０分間、好ましくは、５ないし１００ｍＷ／平方センチ
メートルで、１秒ないし２分間にわたって、照射して、
オゾンを発生させ、酸化シリコンの保護膜５４を形成す
ることができる。
とし、エステル、ケトンを含む有機溶媒に溶解したシリ
カ溶液を、ｐ＋型層３の表面に塗布して、シリカ含有層
を形成した後、紫外線が照射される。その結果、オゾン
が発生して、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させ、さ
らに、シリカ含有層中のシリカが酸化されて、酸化シリ
コンの保護膜５４が形成される。たとえば、エキシマ紫
外線ランプを用いて、波長１７２ｎｍの紫外線を、１な
いし１００ｍＷ／平方センチメートルで、１秒ないし３
０分間、好ましくは、５ないし１００ｍＷ／平方センチ
メートルで、１秒ないし２分間にわたって、照射して、
オゾンを発生させ、酸化シリコンの保護膜５４を形成す
ることができる。
【００５１】本実施態様においては、シリカ溶液を塗布
して、シリカ含有層を形成したｐ＋型層３の表面に、紫
外線を照射して、オゾンを発生させ、発生したオゾンに
よって、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させるととも
に、シリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜
５４を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラス
チックフイルム５２を損傷させることも、不透明なプラ
スチックフイルム５２を接着するために用いた接着剤５
１を損傷させることもない。また、スパッタリングや低
温ＣＶＤによって、保護層５４を形成する場合に比し
て、真空設備を設ける必要もなく、装置自体も安価であ
り、低コストで、保護膜５４を形成することができる。
して、シリカ含有層を形成したｐ＋型層３の表面に、紫
外線を照射して、オゾンを発生させ、発生したオゾンに
よって、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させるととも
に、シリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜
５４を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラス
チックフイルム５２を損傷させることも、不透明なプラ
スチックフイルム５２を接着するために用いた接着剤５
１を損傷させることもない。また、スパッタリングや低
温ＣＶＤによって、保護層５４を形成する場合に比し
て、真空設備を設ける必要もなく、装置自体も安価であ
り、低コストで、保護膜５４を形成することができる。
【００５２】こうして、高濃度のｐ＋型層３によって、
太陽電池素子５３の内部から、電子がｐ＋型層３の表面
に拡散することが防止され、ｐ＋型層３の表面と保護膜
５４との表面再結合速度を低減することが可能となる。
太陽電池素子５３の内部から、電子がｐ＋型層３の表面
に拡散することが防止され、ｐ＋型層３の表面と保護膜
５４との表面再結合速度を低減することが可能となる。
【００５３】その後、保護膜５４の表面に、チタン酸化
物（ＴｉＯｘ）を含んだ溶液が塗布され、紫外線が照射
されることによって、塗膜が乾燥されるとともに、チタ
ン酸化物が酸化あるいは還元され、厚さ１０ないし１０
０ｎｍの主として二酸化チタンよりなる酸化チタン反射
防止膜５５が、保護膜５４の表面に形成される。さら
に、酸化チタン反射防止膜５５の表面に、接着剤５６を
用いて、プラスチックフイルム５７が接着され、図９に
示されるように、バックコンタクト型の集積型薄膜単結
晶シリコン太陽電池５８が生成される。
物（ＴｉＯｘ）を含んだ溶液が塗布され、紫外線が照射
されることによって、塗膜が乾燥されるとともに、チタ
ン酸化物が酸化あるいは還元され、厚さ１０ないし１０
０ｎｍの主として二酸化チタンよりなる酸化チタン反射
防止膜５５が、保護膜５４の表面に形成される。さら
に、酸化チタン反射防止膜５５の表面に、接着剤５６を
用いて、プラスチックフイルム５７が接着され、図９に
示されるように、バックコンタクト型の集積型薄膜単結
晶シリコン太陽電池５８が生成される。
【００５４】本実施態様によれば、隣接するセル間は、
ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通し、多孔
質シリコン層２に達する多孔質シリコン膜３０が転化さ
れた絶縁分離膜３０によって、電気的には、絶縁分離さ
れているが、物理的には、絶縁分離膜３０を介して、結
合されているため、レーザー・アブレーションによっ
て、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を切断し
て、隣接するセル間を絶縁分離する場合のように、太陽
電池素子５３を形成して、シリコン基板１から剥離する
前に、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３がシリコ
ン基板１から剥離することを効果的に防止することが可
能となり、作業性を大幅に向上させることができる。
ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通し、多孔
質シリコン層２に達する多孔質シリコン膜３０が転化さ
れた絶縁分離膜３０によって、電気的には、絶縁分離さ
れているが、物理的には、絶縁分離膜３０を介して、結
合されているため、レーザー・アブレーションによっ
て、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３を切断し
て、隣接するセル間を絶縁分離する場合のように、太陽
電池素子５３を形成して、シリコン基板１から剥離する
前に、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型層３がシリコ
ン基板１から剥離することを効果的に防止することが可
能となり、作業性を大幅に向上させることができる。
【００５５】また、本実施態様によれば、シリカ溶液を
塗布したｐ＋型層３の表面に、紫外線を照射して、オゾ
ンを発生させ、発生したオゾンによって、シリカ含有層
中の有機溶媒を蒸発させるとともに、シリカ含有層中の
シリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜５４
を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラスチッ
クフイルム５２を損傷させることも、不透明なプラスチ
ックフイルム５２を接着するために用いた接着剤５１を
損傷させることも効果的に防止することができる。ま
た、スパッタリングや低温ＣＶＤによって、保護層５４
を形成する場合に比して、真空設備を設ける必要もな
く、装置自体も安価であり、低コストで、保護膜５４を
形成して、表面再結合を低減させることが可能となる。
塗布したｐ＋型層３の表面に、紫外線を照射して、オゾ
ンを発生させ、発生したオゾンによって、シリカ含有層
中の有機溶媒を蒸発させるとともに、シリカ含有層中の
シリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜５４
を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラスチッ
クフイルム５２を損傷させることも、不透明なプラスチ
ックフイルム５２を接着するために用いた接着剤５１を
損傷させることも効果的に防止することができる。ま
た、スパッタリングや低温ＣＶＤによって、保護層５４
を形成する場合に比して、真空設備を設ける必要もな
く、装置自体も安価であり、低コストで、保護膜５４を
形成して、表面再結合を低減させることが可能となる。
【００５６】さらに、本実施態様によって製造されたバ
ックコンタクト型の集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池
５８にあっては、光はプラスチックフイルム５８に入射
するように構成され、入射面には電極がないため、無効
電極面積を減少させ、変換効率を大幅に向上させること
が可能になる。
ックコンタクト型の集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池
５８にあっては、光はプラスチックフイルム５８に入射
するように構成され、入射面には電極がないため、無効
電極面積を減少させ、変換効率を大幅に向上させること
が可能になる。
【００５７】また、本実施態様によれば、微細なパター
ンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所
望のパターンで、陰極となるｎ＋型層５を除去し、陽極
となるｐ型層４を露出させているので、フォトレジスト
などのマスクを用いることなく、所望の微細な電極パタ
ーンを形成することが可能になる。
ンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所
望のパターンで、陰極となるｎ＋型層５を除去し、陽極
となるｐ型層４を露出させているので、フォトレジスト
などのマスクを用いることなく、所望の微細な電極パタ
ーンを形成することが可能になる。
【００５８】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
【００５９】たとえば、前記実施態様においては、太陽
電池につき、説明を加えたが、本発明は、太陽電池を製
造する場合に限定されるものではなく、ＭＯＳなどの他
の種類の半導体素子を製造する場合にも、適用可能であ
ることはいうまでもない。
電池につき、説明を加えたが、本発明は、太陽電池を製
造する場合に限定されるものではなく、ＭＯＳなどの他
の種類の半導体素子を製造する場合にも、適用可能であ
ることはいうまでもない。
【００６０】さらに、前記実施態様においては、陽極９
ａと陰極９ｂは、金属ペーストをスクリーン印刷するこ
とによって形成されているが、スパッタリングなどによ
り、陽極９ａと陰極９ｂを形成することもできる。
ａと陰極９ｂは、金属ペーストをスクリーン印刷するこ
とによって形成されているが、スパッタリングなどによ
り、陽極９ａと陰極９ｂを形成することもできる。
【００６１】また、前記実施態様においては、接着剤５
１を用いて、不透明なプラスチックフイルム５２が接着
されているが、プラスチックフイルムが透明であるか否
かは問われるものではなく、さらに、プラスチックフイ
ルム５２に代えて、ペーパーシートあるいはＳＵＳなど
の薄膜金属を接着するようにしてもよい。
１を用いて、不透明なプラスチックフイルム５２が接着
されているが、プラスチックフイルムが透明であるか否
かは問われるものではなく、さらに、プラスチックフイ
ルム５２に代えて、ペーパーシートあるいはＳＵＳなど
の薄膜金属を接着するようにしてもよい。
【００６２】さらに、前記実施態様においては、アルコ
ールを主成分とし、エステル、ケトンを含む有機溶媒
に、シリカを溶解したシリカ溶液を、ｐ＋型層３の表面
に塗布して、シリカ含有層を形成した後、紫外線を照射
して、生成したオゾンにより、シリカ含有層中の有機溶
媒を蒸発させるとともに、シリカ含有層中のシリカを酸
化して、酸化シリコンよりなる保護膜５４を形成してい
るが、シリカ溶液をｐ＋型層３の表面に塗布して、シリ
カ含有層を形成した後、２５ないし１５０℃の温度下
で、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させ、その後に、
紫外線を照射し、生成したオゾンによって、シリカ含有
層中のシリカを酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜
５４を形成してもよい。この方法によれば、紫外線の照
射に先立って、あらかじめ、シリカ含有層中の有機溶媒
を蒸発させているので、紫外線の照射によって生成され
たオゾンを用いて、より短時間に、保護膜５４を形成す
ることが可能になる。さらに、ｐ＋型層３の表面に、シ
リカ溶液とチタン酸化物（ＴｉＯｘ）溶液とを連続し
て、ｐ＋型層３の表面に塗布し、紫外線を照射して、シ
リカ溶液の溶媒およびチタン酸化物溶液中の溶媒を蒸発
させるとともに、発生したオゾンによって、シリカを酸
化して、酸化シリコンよりなる保護膜５４を形成し、連
続して、チタン酸化物を酸化あるいは還元して、主とし
て二酸化チタンからなる酸化チタン反射防止膜５５を形
成することもできる。この際、ｐ＋型層３の表面に、シ
リカ溶液を塗布して、シリカ含有層を形成し、シリカ含
有層の乾燥後に、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）溶液を塗布
し、紫外線を照射して、チタン酸化物溶液中の溶媒を蒸
発させるとともに、発生したオゾンによって、シリカを
酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜５４を形成し、
連続して、チタン酸化物を酸化あるいは還元して、主と
して二酸化チタンからなる酸化チタン反射防止膜５５を
形成するようにしてもよい。さらに、紫外線の照射によ
って生成されたオゾンを用いて、酸化シリコンよりなる
保護膜５４を形成する代わりに、スパッタリング法ある
いは１５０℃以下の低温ＣＶＤ法によって、酸化シリコ
ンよりなる保護膜５４を形成することもできる。
ールを主成分とし、エステル、ケトンを含む有機溶媒
に、シリカを溶解したシリカ溶液を、ｐ＋型層３の表面
に塗布して、シリカ含有層を形成した後、紫外線を照射
して、生成したオゾンにより、シリカ含有層中の有機溶
媒を蒸発させるとともに、シリカ含有層中のシリカを酸
化して、酸化シリコンよりなる保護膜５４を形成してい
るが、シリカ溶液をｐ＋型層３の表面に塗布して、シリ
カ含有層を形成した後、２５ないし１５０℃の温度下
で、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させ、その後に、
紫外線を照射し、生成したオゾンによって、シリカ含有
層中のシリカを酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜
５４を形成してもよい。この方法によれば、紫外線の照
射に先立って、あらかじめ、シリカ含有層中の有機溶媒
を蒸発させているので、紫外線の照射によって生成され
たオゾンを用いて、より短時間に、保護膜５４を形成す
ることが可能になる。さらに、ｐ＋型層３の表面に、シ
リカ溶液とチタン酸化物（ＴｉＯｘ）溶液とを連続し
て、ｐ＋型層３の表面に塗布し、紫外線を照射して、シ
リカ溶液の溶媒およびチタン酸化物溶液中の溶媒を蒸発
させるとともに、発生したオゾンによって、シリカを酸
化して、酸化シリコンよりなる保護膜５４を形成し、連
続して、チタン酸化物を酸化あるいは還元して、主とし
て二酸化チタンからなる酸化チタン反射防止膜５５を形
成することもできる。この際、ｐ＋型層３の表面に、シ
リカ溶液を塗布して、シリカ含有層を形成し、シリカ含
有層の乾燥後に、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）溶液を塗布
し、紫外線を照射して、チタン酸化物溶液中の溶媒を蒸
発させるとともに、発生したオゾンによって、シリカを
酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜５４を形成し、
連続して、チタン酸化物を酸化あるいは還元して、主と
して二酸化チタンからなる酸化チタン反射防止膜５５を
形成するようにしてもよい。さらに、紫外線の照射によ
って生成されたオゾンを用いて、酸化シリコンよりなる
保護膜５４を形成する代わりに、スパッタリング法ある
いは１５０℃以下の低温ＣＶＤ法によって、酸化シリコ
ンよりなる保護膜５４を形成することもできる。
【００６３】また、前記実施態様においては、ｐ＋型層
３が形成されているが、ｐ型層４と保護膜１３、５４と
の界面再結合が小さくできる場合には、ｐ＋型層３を形
成せずに、ｐ＋型層３によるオージェ再結合に起因する
変換効率の低下を防止することができる。
３が形成されているが、ｐ型層４と保護膜１３、５４と
の界面再結合が小さくできる場合には、ｐ＋型層３を形
成せずに、ｐ＋型層３によるオージェ再結合に起因する
変換効率の低下を防止することができる。
【００６４】さらに、前記実施態様において、ｎ＋型層
５にグレーティングを形成して、光閉じ込めによる変換
効率の向上を図ることもできる。
５にグレーティングを形成して、光閉じ込めによる変換
効率の向上を図ることもできる。
【００６５】また、前記実施態様においては、ｐ型シリ
コン基板１を用い、ｐ型シリコン基板１上に、ｐ＋型層
３、ｐ型層４およびｎ＋型層５の順に、半導体層を形成
しているが、ｎ型シリコン基板を用いてもよく、ｐ＋型
層またはｐ型層を陰極として、ｎ＋型層またはｎ型層を
陽極として用いるようにしてもよい。
コン基板１を用い、ｐ型シリコン基板１上に、ｐ＋型層
３、ｐ型層４およびｎ＋型層５の順に、半導体層を形成
しているが、ｎ型シリコン基板を用いてもよく、ｐ＋型
層またはｐ型層を陰極として、ｎ＋型層またはｎ型層を
陽極として用いるようにしてもよい。
【００６６】さらに、前記実施態様においては、多孔質
シリコン膜３０は、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型
層３を貫通し、多孔質シリコン層２に達するように形成
されているが、多孔質シリコン膜３０は、ｎ＋型層５、
ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通していれば足り、多孔
質シリコン層２に達するように形成されていることは必
ずしも必要がなく、多孔質シリコン層２に接するように
形成されてもよい。
シリコン膜３０は、ｎ＋型層５、ｐ型層４およびｐ＋型
層３を貫通し、多孔質シリコン層２に達するように形成
されているが、多孔質シリコン膜３０は、ｎ＋型層５、
ｐ型層４およびｐ＋型層３を貫通していれば足り、多孔
質シリコン層２に達するように形成されていることは必
ずしも必要がなく、多孔質シリコン層２に接するように
形成されてもよい。
【００６７】さらに、図１０に示された陽極化成装置に
おいては、白金電極４２、４３が用いられているが、電
極の材料としては、白金に限定されるものではなく、カ
ーボンや炭化珪素など、弗化水素酸に侵されない任意の
電極材料によって、電極を形成することができる。
おいては、白金電極４２、４３が用いられているが、電
極の材料としては、白金に限定されるものではなく、カ
ーボンや炭化珪素など、弗化水素酸に侵されない任意の
電極材料によって、電極を形成することができる。
【００６８】また、図１０に示された陽極化成装置にお
いては、塩化ビニル樹脂によって形成されたマスク４７
が用いられているが、マスク４７を塩化ビニル樹脂によ
って形成することは必ずしも必要がなく、フッ素樹脂な
ど、弗化水素酸に侵されない任意の絶縁材料によって、
マスク４７を形成することができる。
いては、塩化ビニル樹脂によって形成されたマスク４７
が用いられているが、マスク４７を塩化ビニル樹脂によ
って形成することは必ずしも必要がなく、フッ素樹脂な
ど、弗化水素酸に侵されない任意の絶縁材料によって、
マスク４７を形成することができる。
【００６９】
【発明の効果】本発明によれば、作業効率を大幅に向上
させることのできる半導体素子を製造する装置を提供す
ることが可能になる。
させることのできる半導体素子を製造する装置を提供す
ることが可能になる。
【００７０】また、本発明によれば、作業効率を大幅に
向上させることのできるバックコンタクト型集積シリコ
ン太陽電池の製造装置を提供することが可能になる。
向上させることのできるバックコンタクト型集積シリコ
ン太陽電池の製造装置を提供することが可能になる。
【図１】図１は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図２】図２は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図３】図３は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図４】図４は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図５】図５は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図６】図６は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図７】図７は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図８】図８は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図９】図９は、バックコンタクト型集積薄膜単結晶シ
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
リコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図１０】図１０は、本発明の好ましい実施態様にかか
る陽極化成装置の略断面図である。
る陽極化成装置の略断面図である。
【図１１】図１１は、マスクの略平面図である。
１ ｐ型単結晶シリコン基板 ２ 多孔質シリコン層 ３ ｐ＋型層 ４ ｐ型層 ５ ｎ＋型層 ６ 分離層 ９ 電極 ９ａ 陽極 ９ｂ 陰極 ３０ 多孔質シリコン膜（絶縁分離膜） ４０ 電解溶液 ４１ 電解溶液槽 ４２、４３ 白金電極 ４４ 直流電源 ４５ 支持部材 ４６ 積層体 ４７ マスク ４８ 矩形状開口部 ５０ シリコン酸化膜 ５１ 接着剤 ５２ プラスチックフイルム ５３ 太陽電池素子 ５４ 保護膜 ５５ 酸化チタン反射防止膜 ５６ 接着剤 ５７ プラスチックフイルム ５８ バックコンタクト型の集積型薄膜単結晶シリコン
太陽電池
太陽電池
Claims (10)
- 【請求項１】 直流電源と、前記直流電源に接続された
陽極および陰極と、電解溶液と、前記電解溶液を収容し
た電解溶液槽と、開口部を有するマスク部材と、半導体
基板を保持可能な支持部材を備え、前記マスク部材を介
して、前記半導体基板に通電して、前記開口部に対応す
る前記半導体基板を多孔質化することを特徴とする半導
体素子の製造装置。 - 【請求項２】 前記開口部がスリット状開口部であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造装
置。 - 【請求項３】 前記マスク部材が複数の前記開口部を有
することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体
素子の製造装置。 - 【請求項４】 前記マスク部材および前記支持部材が絶
縁材料により構成されたことを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか１項に記載の半導体素子の製造装置。 - 【請求項５】 前記支持部材が、前記マスク部材を、前
記半導体基板に対向し、かつ、前記半導体基板に対し
て、前記陰極側に位置するように保持可能であることを
特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半
導体素子の製造装置。 - 【請求項６】 前記マスク部材の前記開口部が、レーザ
加工によって形成されたことを特徴とする請求項１ない
し５のいずれか１項に記載の半導体素子の製造装置。 - 【請求項７】 前記マスク部材の前記開口部が、レーザ
加工によって、前記マスク部材を、横断面が略楔状をな
すように、加工して、形成されたことを特徴とする請求
項６に記載の半導体素子の製造装置。 - 【請求項８】 前記陽極および前記陰極が、白金、カー
ボンおよび炭化珪素よりなる群から選ばれた材料によっ
て形成されたことを特徴とする請求項１ないし７のいず
れか１項に記載の半導体素子の製造装置。 - 【請求項９】 前記マスク部材が、塩化ビニル樹脂およ
びフッ素樹脂よりなる群から選ばれた材料によって形成
されたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１
項に記載の半導体素子の製造装置。 - 【請求項１０】 前記電解溶液が、容積比が３：１ない
し１：１の弗化水素酸とエチルアルコールの混合溶液よ
りなることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１
項に記載の半導体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29303699A JP2001119043A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29303699A JP2001119043A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001119043A true JP2001119043A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17789671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29303699A Pending JP2001119043A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001119043A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011151313A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法（２） |
| JP2011151312A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法（１） |
| JP2011151315A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびインプリント型母材の製造方法（２） |
| JP2011151314A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびインプリント型母材の製造方法（１） |
| EP2511961A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-10-17 | LG Innotek Co., Ltd. | Device for generating photovoltaic power and method for manufacturing same |
| EP2523222A2 (en) * | 2010-01-06 | 2012-11-14 | LG Innotek Co., Ltd. | Solar photovoltaic device and a production method for the same |
| EP2161760A3 (en) * | 2008-09-05 | 2015-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric Conversion Device |
| CN109256442A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-22 | 安徽省华腾农业科技有限公司 | 薄膜电池的制备方法及薄膜电池 |
-
1999
- 1999-10-14 JP JP29303699A patent/JP2001119043A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2161760A3 (en) * | 2008-09-05 | 2015-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric Conversion Device |
| EP2523222A2 (en) * | 2010-01-06 | 2012-11-14 | LG Innotek Co., Ltd. | Solar photovoltaic device and a production method for the same |
| EP2523222A4 (en) * | 2010-01-06 | 2013-11-13 | Lg Innotek Co Ltd | SOLAR PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JP2011151313A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法（２） |
| JP2011151312A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法（１） |
| JP2011151315A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびインプリント型母材の製造方法（２） |
| JP2011151314A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nissha Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびインプリント型母材の製造方法（１） |
| EP2511961A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-10-17 | LG Innotek Co., Ltd. | Device for generating photovoltaic power and method for manufacturing same |
| CN103201854A (zh) * | 2010-07-30 | 2013-07-10 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池设备及其制造方法 |
| EP2511961A4 (en) * | 2010-07-30 | 2013-12-11 | Lg Innotek Co Ltd | DEVICE FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC ENERGY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| US9391215B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-07-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Device for generating photovoltaic power and method for manufacturing same |
| CN109256442A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-22 | 安徽省华腾农业科技有限公司 | 薄膜电池的制备方法及薄膜电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4329183B2 (ja) | 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
| US6566235B2 (en) | Process for producing semiconductor member, and process for producing solar cell | |
| JPH09172196A (ja) | アルミニウム合金接合自己整合裏面電極型シリコン太陽電池の構造および製造 | |
| JP2008533730A (ja) | 厚いシリコン酸化物とシリコン窒化物の保護層を有する光起電電池とその作製 | |
| JP3893645B2 (ja) | 薄膜半導体装置およびｉｃカードの製造方法 | |
| TW201108430A (en) | Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes | |
| JP2001094136A (ja) | 半導体素子モジュールの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP2000124341A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11214720A (ja) | 薄膜結晶太陽電池の製造方法 | |
| JP4441938B2 (ja) | 集積型薄膜素子およびその製造方法 | |
| CN115188837B (zh) | 一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件 | |
| JP2001119043A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JPH09255487A (ja) | 薄膜半導体の製造方法 | |
| JP2015528196A (ja) | 高効率の裏面コンタクトソーラーセルの連続及び不連続ベース領域の構造及びその形成方法 | |
| JPH1079524A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2000036609A (ja) | 太陽電池の製造方法と薄膜半導体の製造方法、薄膜半導体の分離方法及び半導体形成方法 | |
| JPH114008A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2001118758A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP4420475B2 (ja) | 薄膜半導体の製造方法 | |
| JP2001119053A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| CN110896116B (zh) | 晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法、电池、组件 | |
| JP4770706B2 (ja) | 薄膜半導体の製造方法 | |
| JP5288149B2 (ja) | 集積型薄膜素子の製造方法 | |
| JPH1168133A (ja) | 薄膜素子モジュールおよびその製造方法 | |
| JP4161380B2 (ja) | 薄膜半導体および半導体装置の製造方法 |