JP4329183B2 - 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
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- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 162
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 76
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 64
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 38
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 34
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 34
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 34
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 24
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 20
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 279
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 39
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 13
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 7
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の製造方法に関するものであり、さらに詳細には、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、所望の電極パターンを形成することのできる半導体素子の製造方法に関し、とくに、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、発電に寄与しない無効電極面積を低減することができ、変換効率を向上させることのできる太陽電池の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子においては、シリコン基板の表面に、第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に、第2の半導体層を形成した後、電極パターンを形成するのが一般である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このような場合、従来は、フォトレジストなどのマスクを用いて、電極パターンを形成するのが通常であり、かかる方法によれば、所望のパターンで、電極パターンを形成することが可能ではあるが、フォトレジストなどのマスクを使用するときには、エッチングやマスク除去などの化学的処理が必要であり、プロセスが複雑化し、時間がかかって、コストアップを招くという問題があった。
【0004】
とくに、たとえば、特開平8−213645号公報などに開示されているように、単結晶シリコン基板の表面に形成した多孔質シリコン層上に、薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を形成し、形成した薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を単結晶シリコン基板から剥離し、プラスチック基板上に転写して、製造される薄膜単結晶シリコン太陽電池にあっては、プラスチック基板は耐熱性が低いため、単結晶シリコン基板から薄膜単結晶シリコン太陽電池素子を剥離する前に、電極を形成しておく必要があり、そのため、光が入射する太陽電池の表面に、必然的に、陽極および陰極を形成しなければならず、発電に寄与しない無効電極面積が大きくなるという問題があり、かかる場合にも、従来は、フォトレジストなどのマスクを用いて処理することによって、この無効電極面積の低減を図っていたが、エッチングやマスク除去などの化学的処理が必要であり、プロセスが複雑化し、時間がかかって、コストアップを招いていた。
【0005】
したがって、本発明は、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、所望の電極パターンを形成することのできる半導体素子の製造方法を提供するものである。
【0006】
本発明の別の目的は、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、発電に寄与しない無効電極面積を低減することができ、変換効率を向上させることのできる太陽電池の製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のかかる目的は、基板上に、第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に、第2の半導体層を形成した後、レーザ・アブレーションを用いて、所定のパターンで、前記第2の半導体層を除去し、前記第1の半導体層を露出させて、電極パターンを形成することを特徴とする半導体素子の製造方法によって達成される。
【0008】
本発明によれば、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所定のパターンで、第2の半導体層を除去し、第1の半導体層を露出させているので、フォトレジストなどのマスクを使用することなく、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、所望の電極パターンが形成された半導体素子を製造することが可能になる。
【0009】
本発明の好ましい実施態様においては、前記基板がシリコン基板によって構成されている。
【0010】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記シリコン基板が単結晶シリコン基板によって構成されている。
【0011】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記単結晶シリコン基板が薄膜単結晶シリコン基板によって構成されている。
【0012】
本発明の別の好ましい実施態様においては、前記第1の半導体層を、多孔質層を介して、前記基板上に形成することによって、半導体素子が製造される。
【0013】
本発明の別の好ましい実施態様によれば、多孔質層の部分で、基板を剥離し、第1の半導体層および第2の半導体層を別の支持基板により支持させることによって、基板を再利用することが可能になる。
【0014】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記多孔質層が多孔質シリコン層によって構成されている。
【0015】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第1の半導体層がp型半導体層によって形成され、前記第2の半導体層がn型半導体層によって形成されている。
【0016】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第1の半導体層および前記第2の半導体層をエピタキシャル成長によって形成することによって、半導体素子が製造される。
【0017】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、さらに、形成された電極パターンにしたがって、前記第1の半導体層の一部を除去して、電極を形成することによって、半導体素子が製造される。
【0018】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、さらに、前記電極の形成後、透明基板に接着し、前記多孔質層の部分で、前記基板を剥離し、前記第1の半導体層の裏面に支持基板を接着することによって、半導体素子が製造される。
【0019】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記透明基板がプラスチックフイルムによって形成されている。
【0020】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、半導体素子を軽量化、フレキシブル化することができるとともに、低コストで、半導体素子を製造することが可能となる。
【0021】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記支持基板がプラスチックフイルムによって形成されている。
【0022】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、半導体素子を軽量化、フレキシブル化することができるとともに、低コストで、半導体素子を製造することが可能となる。
【0023】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、超音波エネルギーを用いて、前記多孔質層の強度を低下させて、前記多孔質層の部分で、前記基板を剥離することによって、半導体素子が製造される。
【0024】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第1の半導体層の裏面に前記支持基板を接着するに先立って、前記第1の半導体層の表面に残存する前記多孔質層を除去することによって、半導体素子が製造される。
【0025】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、さらに、前記電極の形成後、支持基板に接着し、前記多孔質層の部分で、前記基板を剥離し、前記第1の半導体層の裏面に、低温で、酸化シリコンの保護層を形成し、透明基板を接着することによって、半導体素子が製造される。
【0026】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、さらに、前記第1の半導体層および前記第2の半導体層を形成した後、前記電極パターンを形成する前に、前記第1の半導体層および前記第2の半導体層を貫通する少なくとも1つの多孔質膜を形成し、前記少なくとも1つの多孔質膜を熱酸化して、少なくとも1つの絶縁分離膜を形成し、隣接する第1の半導体層および第2の半導体層を備えた隣接する素子間を絶縁分離することによって、半導体素子が製造される。
【0027】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、2以上の前記多孔質膜が形成される。
【0028】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記多孔質膜が多孔質シリコンによって形成されている。
【0029】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層が光発電素子を形成している。
【0030】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、発電に寄与しない無効電極面積を低減され、変換効率が向上した太陽電池を製造することができる。すなわち、電極の形成後、透明基板に接着し、多孔質層の部分で、基板を剥離し、第1の半導体層の裏面に支持基板を接着して、太陽電池を製造する場合には、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所定のパターンで、第1の半導体層を除去し、第2の半導体層を露出させているので、無効電極面積を低減させることができ、また、所望の電極パターンを有する単一セル型太陽電池を製造することが可能になる。さらに、電極の形成後、支持基板に接着し、多孔質層の部分で、基板を剥離し、第1の半導体層の裏面に、低温で、酸化シリコンの保護層を形成し、透明基板を接着するする場合には、裏面から光が入射されるバックコンタクト型の太陽電池を製造することができ、無効電極面積を大幅に低減し、変換効率を大幅に向上させることが可能となる。また、第1の半導体層および第2の半導体層を形成した後、電極パターンを形成する前に、第1の半導体層および第2の半導体層を貫通する少なくとも1つの多孔質膜を形成し、少なくとも1つの多孔質膜を熱酸化して、少なくとも1つの絶縁分離膜を形成し、隣接する第1の半導体層および第2の半導体層を備えた隣接する素子間を絶縁分離して、太陽電池を製造する場合には、第1の半導体層および第2の半導体層を貫通するように形成した少なくとも1つの多孔質膜を熱酸化して、絶縁分離膜を形成することによって、隣接する素子間が絶縁分離されるから、製造中に、第1の半導体層および第2の半導体層が基板から剥離することがなく、作業効率よく、発電容量の大きいバックコンタクト型の集積された太陽電池を製造することが可能となる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【0032】
図1ないし図7は、単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【0033】
単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造にあたっては、図1に示されるように、まず、ホウ素などのp型不純物を添加した0.01ないし0.02Ω・cmの比抵抗を有するp型単結晶シリコン基板1の表面に、たとえば、陽極化成法によって多孔質シリコン層2が形成される。すなわち、多孔質シリコン層2上に、結晶性に優れたエピタキシャル層が形成されるように、たとえば、0.5ないし3mA/平方センチメートルの電流密度で、2ないし10分間、たとえば、8分間にわたって、第一の陽極化成処理が施されて、多孔率の小さい第一の多孔質シリコン層(図示せず)が形成され、次いで、たとえば、3ないし20mA/平方センチメートルの電流密度で、2ないし10分間、たとえば、8分間にわたって、第二の陽極化成処理が施されて、多孔率が中程度の第二の多孔質シリコン層(図示せず)が形成された後、たとえば、40ないし300mA/平方センチメートルの電流密度で、数秒間にわたり、第三の陽極化成処理が施されて、多孔率が大きい第三の多孔質シリコン層(図示せず)が形成される。多孔質シリコン層2の厚みは、2ないし10μm、好ましくは、約8μmである。ここに、陽極化成法は、シリコン基板1を陽極として、弗化水素酸溶液中で、通電をおこなう方法であり、陽極化成法としては、たとえば、伊東等による「表面技術Vol.46、No.5、p8〜13、1995『多孔質シリコンの陽極化成』」に記載された二重セル法が知られている。
【0034】
この方法は、2つの電解溶液槽の間に、多孔質シリコン層2を形成すべきシリコン基板1を配置し、2つの電解溶液槽に、直流電源と接続された白金電極を設け、2つの電解溶液槽に、電解溶液を入れて、シリコン基板1を陽極、白金電極を陰極として、直流電圧を印加し、シリコン基板1の一方の面を浸食させて、多孔質化するものである。電解溶液としては、たとえば、弗化水素酸とエチルアルコールの容積比が3:1ないし1:1の電解溶液が好ましく使用される。
【0035】
次いで、図2に示されるように、多孔質シリコン層2の表面に、1050ないし1200℃、たとえば、1100℃で、5ないし30分間にわたって、水素アニール処理が施されて、多孔質シリコン層2の表面に形成された多数の孔が塞がれた後、SiH4、SiCl4、SiCl3、SiHCl3、SiH2Cl2などのガスを用いて、1000ないし1150℃、たとえば、1070℃で、多孔質シリコン層2の表面上に、p+型層3が、0.1ないし1μmの厚さに、エピタキシャル成長され、次いで、p型層4が、不純物濃度が1014ないし1018/立方センチメートルとなるように、1ないし50μmの厚さに、連続エピタキシャル成長される。その後、陰極となるn+型層5が、拡散またはエピタキシャル成長により、0.1ないし1μmの厚さに形成される。
【0036】
ここに、水素アニール処理、エピタキシャル成長および拡散過程において、多孔質シリコン層2中のシリコン原子が移動して、再配列される結果、第三の多孔質シリコン層は、引張強度が著しく弱くなって、分離層6に転化する。分離層6は、p+型層3およびp型層4が、部分的にあるいは全体的に、シリコン基板1から剥離することがない程度の引張強度を有している。
【0037】
さらに、図3に示されるように、エキシマレーザなどを用いて、所定のパターンで、n+型層5が、レーザ・アブレーションによって除去され、陽極であるp型層4が露出される。本実施態様においては、陰極であるn+型層5を、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって除去し、陽極であるp型層4を露出させているので、フォトレジストなどのマスクを用いることなく、低コストで、無効電極面積を低減させて、所望の電極パターンを形成することが可能になる。
【0038】
次いで、図4に示されるように、露出されたp−n+結合を保護するために、800ないし1000℃で、熱酸化されて、シリコン酸化膜7が形成され、さらに、酸化チタン反射防止膜8が形成される。
【0039】
その後、図5に示されるように、エキシマレーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによって電極窓明けがされ、酸化チタン反射防止膜8に形成された開口部に、たとえば、金属ペーストがスクリーン印刷されて、陽極9aと陰極9bが形成される。
【0040】
次いで、接着剤10を用いて、透明なプラスチックフイルム11が接着され、その後、シリコン基板1が、水またはエチルアルコールなどの溶液中に浸され、たとえば、25kHz、600Wの超音波がシリコン基板1に照射される。その結果、超音波のエネルギーによって、分離層6の剥離強度が弱められて、分離層6が破壊され、図6に示されるように、シリコン基板1が太陽電池素子12から剥離される。
【0041】
シリコン基板1が剥離された太陽電池素子12の裏面には、多孔質シリコン層2が残っているので、弗化水素酸と硝酸の混合液などを用いて、回転シリコンエッチング法などによって、太陽電池素子12の裏面の多孔質シリコン層2を除去し、裏面に反射層13が形成されたプラスチックフイルム14を、接着剤15を用いて接着し、図7に示されるように、単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池16が生成される。
【0042】
単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池12から剥離されたシリコン基板1の表面に残存している多孔質シリコン層2は、電解研磨、回転シリコンエッチング法などによって除去され、シリコン基板1は再利用される。
【0043】
本実施態様によれば、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所望のパターンで、陰極となるn+型層5を除去し、陽極となるp型層4を露出させているので、フォトレジストなどのマスクを使用することなく、無効電極面積を低減させることができ、低コストで、変換効率が大幅に向上した単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池を製造することが可能になる。
【0044】
また、本実施態様によれば、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所望のパターンで、陰極となるn+型層5を除去し、陽極となるp型層4を露出させているので、所望の電極パターンを有する単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池を製造することが可能になる。
【0045】
図8ないし図11は、本発明の別の好ましい実施態様にかかるバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【0046】
図1ないし図7に示されたプロセスによって製造される単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池12は、その表面に、陽極9aと陰極9bとが形成されているため、必然的に、無効電極面積が大きくなり、変換効率を十分に向上させることには限界がある。そこで、本実施態様においては、太陽電池素子12の裏面に、陽極9aと陰極9bが形成されるいわゆるバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池を製造するように構成されている。
【0047】
前記実施態様における図1ないし図3と全く同様にして、p型単結晶シリコン基板1上に、多孔質シリコン層2が形成され、多孔質シリコン層2上に、p+型層3、p型層4およびn+型層5が形成されて、分離層6が形成された後、エキシマレーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによって所望のパターンで、陰極となるn+型層5が除去され、陽極となるp型層4が露出されて、電極パターンが形成される。本実施態様においては、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所望のパターンで、陰極となるn+型層5を除去し、陽極となるp型層4を露出させているので、フォトレジストなどのマスクを用いることなく、低コストで、所望の微細な電極パターンを形成することが可能になる。
【0048】
次いで、図8に示されるように、露出されたp−n+結合を保護するために、800ないし1000℃で、熱酸化されて、シリコン酸化膜7が形成される。
【0049】
その後、図9に示されるように、エキシマレーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによって電極窓明けがされ、シリコン酸化膜7に形成された開口部に、たとえば、金属ペーストがスクリーン印刷されて、陽極9aと陰極9bが形成される。ここに、陽極9aと陰極9bは、太陽電池の裏面から入射し、太陽電池を透過した光をできるだけ多く、反射させるようにするため、面積が大きい方が望ましい。
【0050】
次いで、接着剤20を用いて、不透明なプラスチックフイルム21が接着された後、シリコン基板1が、水またはエチルアルコールなどの溶液中に浸され、たとえば、25kHz、600Wの超音波がシリコン基板1に照射される。その結果、超音波のエネルギーによって、分離層6の剥離強度が弱められて、分離層6が破壊され、図10に示されるように、シリコン基板1が太陽電池素子22から剥離される。
【0051】
シリコン基板1が剥離された太陽電池素子22の裏面には、多孔質シリコン層2が残っているので、弗化水素酸と硝酸の混合液などを用いて、回転シリコンエッチング法などによって、太陽電池素子22の裏面の多孔質シリコン層2を除去し、p+型層3が露出される。さらに、露出されたp+型層3の表面の再結合速度を低減させるため、シリカを有機溶媒に溶解した溶液がp+型層3の表面に塗布されて、シリカ含有層(図示せず)が形成され、UV照射により発生したオゾンによって、シリカ含有層が酸化されて、p+型層3の表面に、厚さ10nm以下の保護膜23が形成される。
【0052】
すなわち、シリカを、アルコールを主成分とし、エステル、ケトンを含む有機溶媒に溶解したシリカ溶液を、p+型層3の表面に塗布して、シリカ含有層を形成した後、紫外線が照射される。その結果、オゾンが発生して、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させ、さらに、シリカ含有層中のシリカが酸化されて、酸化シリコンの保護膜23が形成される。たとえば、エキシマ紫外線ランプを用いて、波長172nmの紫外線を、1ないし100mW/平方センチメートルで、1秒ないし30分間、好ましくは、5ないし100mW/平方センチメートルで、1秒ないし2分間にわたって、照射して、オゾンを発生させ、酸化シリコンの保護膜23を形成することができる。
【0053】
本実施態様においては、シリカ溶液を塗布して、シリカ含有層を形成したp+型層3の表面に、紫外線を照射して、オゾンを発生させ、発生したオゾンによって、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させるとともに、シリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜23を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラスチックフイルム21を損傷させることも、不透明なプラスチックフイルム21を接着するために用いた接着剤20を損傷させることもない。また、スパッタリングや低温CVDによって、保護層23を形成する場合に比して、真空設備を設ける必要もなく、装置自体も安価であり、低コストで、保護膜23を形成することができる。
【0054】
こうして、高濃度のp+型層3によって、太陽電池素子22の内部から、電子がp+型層3の表面に拡散することが防止され、p+型層3の表面と保護膜23との表面再結合速度を低減することが可能となる。
【0055】
その後、保護膜23の表面に、チタン酸化物(TiOx)を含んだ溶液が塗布され、紫外線が照射されることによって、塗膜が乾燥されるとともに、チタン酸化物が酸化あるいは還元され、厚さ10ないし100nmの主として二酸化チタンからなる酸化チタン反射防止膜24が、保護膜23の表面に形成される。さらに、酸化チタン反射防止膜24の表面に、接着剤25を用いて、プラスチックフイルム26が接着され、図11に示されるように、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池27が生成される。
【0056】
本実施態様によれば、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所望のパターンで、陰極となるn+型層5を除去し、陽極となるp型層4を露出させているので、フォトレジストなどのマスクを用いることなく、低コストで、所望の微細な電極パターンを形成することが可能になる。
【0057】
また、本実施態様によって製造されたバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池27にあっては、光はプラスチックフイルム26に入射するように構成され、入射面には電極がないため、無効電極面積を減少させ、変換効率を大幅に向上させることが可能になる。
【0058】
さらに、本実施態様によれば、シリカ溶液を塗布したp+型層3の表面に、紫外線を照射して、オゾンを発生させ、発生したオゾンによって、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させるとともに、シリカ含有層中のシリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜23を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラスチックフイルム21を損傷させることも、不透明なプラスチックフイルム21を接着するために用いた接着剤20を損傷させることも効果的に防止することができる。また、スパッタリングや低温CVDによって、保護層23を形成する場合に比して、真空設備を設ける必要もなく、装置自体も安価であり、低コストで、保護膜23を形成して、表面再結合を低減させることが可能となる。
【0059】
図12ないし図17は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【0060】
前記実施態様における図1ないし図3と全く同様にして、p型単結晶シリコン基板1上に、多孔質シリコン層2が形成され、多孔質シリコン層2上に、p+型層3、p型層4およびn+型層5が形成されて、分離層6が形成される。
【0061】
次いで、図12に示されるように、n+型層5、p型層4およびp+型層3を貫通し、多孔質シリコン層2に達する多孔率の大きい多孔質シリコン層30が、陽極化成によって形成される。多孔質シリコン層30の多孔率としては、たとえば、多孔率が、40ないし80容積%のものが選ばれる。
【0062】
図18は、多孔質シリコン層30を形成する陽極化成装置の略断面図である。
【0063】
図18に示されるように、たとえば、弗化水素酸とエチルアルコールの容積比が3:1ないし1:1の電解溶液40が収容された電解溶液槽41内には、一対の白金電極42、43が設けられ、一対の白金電極42、43は直流電源44に接続されている。また、絶縁材料により形成された支持部材45によって、図2に示されるシリコン基板1、多孔質シリコン層2、p+型層3、p型層4およびn+型層5よりなる積層体46が支持され、積層体46の負の白金電極42側には、塩化ビニル樹脂によって形成されたマスク47が支持部材45によって支持されている。その結果、支持部材45、積層体46およびマスク47によって、電解溶液槽41は二分されることになる。
【0064】
図19は、マスク47の略平面図である。
【0065】
図19に示されるように、マスク47には、複数の矩形状開口部48が、たとえば、レーザ加工によって形成されている。各矩形状開口部48は、たとえば、20μmの幅に形成されている。
【0066】
図18に示されるように、各矩形状開口部48は、レーザによって、その横断面が略楔状をなすように加工されたマスク47の部分に連通するように、形成されている。
【0067】
このようにして構成された陽極化成装置によって、以下のようにして、多孔質シリコン層30が形成される。
【0068】
初めに、シリコン基板1、多孔質シリコン層2、p+型層3、p型層4およびn+型層5よりなる積層体46と、マスク47が、マスク47の複数の矩形状開口部48が、n+型層5、p型層4およびp+型層3に多孔質シリコン層30を形成すべき位置に対応した位置に位置するように、電解溶液40中に位置決めされる。
【0069】
次いで、直流電源44を用いて、正の白金電極42と負の白金電極43との間に、電流を流すと、支持部材45は絶縁材料によって形成されているため、電流は電解溶液40中のみを流れる。
【0070】
積層体46の負の白金電極42側には、塩化ビニル樹脂によって形成されたマスク47が、複数の矩形状開口部48が、n+型層5、p型層4およびp+型層3に多孔質シリコン層30を形成すべき位置に対応した位置に位置するように、電解溶液40中に配置されているため、電流は、マスク47に形成された複数の矩形状開口部48に対応する積層体46の部分を横切って流れる。
【0071】
その結果、マスク47に形成された複数の矩形状開口部48に対応する積層体46の部分に多孔質シリコン層30が形成される。
【0072】
電流値および陽極化成処理時間は、多孔質シリコン層30が、n+型層5、p型層4およびp+型層3のすべてを貫通するが、シリコン基板1内には形成されないように、選択される。これによって、シリコン基板1を再利用することが可能になる。たとえば、1から100mA/平方センチメートル、たとえば、14mA/平方センチメートルで、6分間にわたって、陽極化成処理して、多孔質シリコン層30を形成することができる。
【0073】
こうして、n+型層5、p型層4およびp+型層3を貫通し、多孔質シリコン層2に達する多孔質シリコン層30を陽極化成法によって形成した後、多孔質シリコン層30は、800ないし1000℃の温度で、熱酸化されて、セル間を分離する絶縁分離層30に転化される。図13に示されるように、この熱酸化によって、n+型層5の表面に、シリコン酸化膜50が同時に形成される。
【0074】
本実施態様によれば、隣接するセル間は、n+型層5、p型層4およびp+型層3を貫通し、多孔質シリコン層2に達する多孔質シリコン層30が転化された絶縁分離層30によって絶縁分離されているため、レーザー・アブレーションによって、n+型層5、p型層4およびp+型層3を切断して、隣接するセル間を絶縁分離する場合のように、太陽電池素子を形成して、シリコン基板1から剥離する前に、n+型層5、p型層4およびp+型層3がシリコン基板1から剥離することを効果的に防止することが可能となり、作業性を大幅に向上させることができる。
【0075】
次いで、図14に示されるように、エキシマレーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによって、所望のパターンで、陰極となるn+型層5が除去され、陽極となるp型層4が露出される。本実施態様においては、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションにより、所望のパターンで、陰極となるn+型層5を除去し、陽極となるp型層4を露出させているので、フォトレジストなどのマスクを用いることなく、所望の微細な電極パターンを形成することが可能になる。
【0076】
次いで、露出されたp−n+結合を保護するために、800ないし1000℃の温度で、シリコン酸化膜50が熱酸化されて、シリコン酸化膜50の厚みが増大する。
【0077】
その後、図15に示されるように、エキシマレーザなどを用いて、レーザ・アブレーションによって電極窓明けがされ、シリコン酸化膜50に形成された開口部に、たとえば、金属ペーストがスクリーン印刷されて、複数の電極9、陽極9aおよび陰極9bが形成される。電極9は、絶縁分離層30を跨いで、隣接するセルのn+型層5およびp型層4に接続され、p型層4に接続した陽極9aおよびn+型層5に接続した陰極9bは、両端部にのみ形成される。ここに、図8ないし図11に示された実施態様と同様に、電極9、陽極9aおよび陰極9bは、太陽電池の裏面から入射し、太陽電池を透過した光をできるだけ多く、反射させるようにするため、面積が大きい方が望ましい。
【0078】
次いで、接着剤51を用いて、不透明なプラスチックフイルム52が接着された後、シリコン基板1が、水またはエチルアルコールなどの溶液中に浸され、たとえば、25kHz、600Wの超音波がシリコン基板1に照射される。その結果、超音波のエネルギーによって、分離層6の剥離強度が弱められて、分離層6が破壊され、図16に示されるように、シリコン基板1が太陽電池素子53から剥離される。
【0079】
シリコン基板1が剥離された太陽電池素子53の裏面には、多孔質シリコン層2が残っているので、弗化水素酸と硝酸の混合液などを用いて、回転シリコンエッチング法などによって、太陽電池素子53の裏面の多孔質シリコン層2を除去し、p+型層3が露出される。さらに、露出されたp+型層3の表面の再結合速度を低減させるため、シリカを有機溶媒に溶解した溶液がp+型層3の表面に塗布されて、シリカ含有層(図示せず)が形成され、UV照射により発生したオゾンによって、シリカ含有層が酸化されて、p+型層3の表面に、厚さ10nm以下の保護膜54が形成される。
【0080】
すなわち、シリカを、アルコールを主成分とし、エステル、ケトンを含む有機溶媒に溶解したシリカ溶液を、p+型層3の表面に塗布して、シリカ含有層を形成した後、紫外線が照射される。その結果、オゾンが発生して、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させ、さらに、シリカ含有層中のシリカが酸化されて、酸化シリコンの保護膜54が形成される。たとえば、エキシマ紫外線ランプを用いて、波長172nmの紫外線を、1ないし100mW/平方センチメートルで、1秒ないし30分間、好ましくは、5ないし100mW/平方センチメートルで、1秒ないし2分間にわたって、照射して、オゾンを発生させ、酸化シリコンの保護膜54を形成することができる。
【0081】
本実施態様においては、シリカ溶液を塗布して、シリカ含有層を形成したp+型層3の表面に、紫外線を照射して、オゾンを発生させ、発生したオゾンによって、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させるとともに、シリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜54を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラスチックフイルム52を損傷させることも、不透明なプラスチックフイルム52を接着するために用いた接着剤51を損傷させることもない。また、スパッタリングや低温CVDによって、保護層54を形成する場合に比して、真空設備を設ける必要もなく、装置自体も安価であり、低コストで、保護膜54を形成することができる。
【0082】
こうして、高濃度のp+型層3によって、太陽電池素子53の内部から、電子がp+型層3の表面に拡散することが防止され、p+型層3の表面と保護膜54との表面再結合速度を低減することが可能となる。
【0083】
その後、保護膜54の表面に、チタン酸化物(TiOx)を含んだ溶液が塗布され、紫外線が照射されることによって、塗膜が乾燥されるとともに、チタン酸化物が酸化あるいは還元され、厚さ10ないし100nmの主として二酸化チタンよりなる酸化チタン反射防止膜55が、保護膜54の表面に形成される。さらに、酸化チタン反射防止膜55の表面に、接着剤56を用いて、プラスチックフイルム57が接着され、図17に示されるように、バックコンタクト型の集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池58が生成される。
【0084】
本実施態様によれば、微細なパターンニングが可能なレーザ・アブレーションによって、所望のパターンで、陰極となるn+型層5を除去し、陽極となるp型層4を露出させているので、フォトレジストなどのマスクを用いることなく、所望の微細な電極パターンを形成することが可能になる。
【0085】
また、本実施態様によって製造されたバックコンタクト型の集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池58にあっては、光はプラスチックフイルム58に入射するように構成され、入射面には電極がないため、無効電極面積を減少させ、変換効率を大幅に向上させることが可能になる。
【0086】
さらに、本実施態様によれば、シリカ溶液を塗布したp+型層3の表面に、紫外線を照射して、オゾンを発生させ、発生したオゾンによって、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させるとともに、シリカ含有層中のシリカを酸化して、低温で、酸化シリコンの保護膜54を形成しているので、耐熱性の低い不透明なプラスチックフイルム52を損傷させることも、不透明なプラスチックフイルム52を接着するために用いた接着剤51を損傷させることも効果的に防止することができる。また、スパッタリングや低温CVDによって、保護層54を形成する場合に比して、真空設備を設ける必要もなく、装置自体も安価であり、低コストで、保護膜54を形成して、表面再結合を低減させることが可能となる。
【0087】
また、本実施態様によれば、隣接するセル間は、n+型層5、p型層4およびp+型層3を貫通し、多孔質シリコン層2に達する多孔質シリコン層30が転化された絶縁分離層30によって、絶縁分離されているため、レーザー・アブレーションによって、n+型層5、p型層4およびp+型層3を切断して、隣接するセル間を絶縁分離する場合のように、太陽電池素子53を形成して、シリコン基板1から剥離する前に、n+型層5、p型層4およびp+型層3がシリコン基板1から剥離することを効果的に防止することが可能となり、作業性を大幅に向上させることができる。
【0088】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【0089】
たとえば、前記実施態様においては、太陽電池につき、説明を加えたが、本発明は、太陽電池を製造する場合に限定されるものではなく、MOSなどの他の種類の半導体素子を製造する場合にも、適用可能であることはいうまでもない。
【0090】
さらに、前記実施態様においては、陽極9aと陰極9bは、金属ペーストをスクリーン印刷することによって形成されているが、スパッタリングなどにより、陽極9aと陰極9bを形成することもできる。
【0091】
また、図1ないし図7に示された実施態様においては、接着剤10を用いて、透明なプラスチックフイルム11が接着されているが、透明なプラスチックフイルム11に代えて、透明なペーパーシートを接着するようにしてもよい。
【0092】
さらに、図1ないし図7に示された実施態様においては、多孔質シリコン層2を除去した太陽電池素子12の裏面に、反射層13が形成されたプラスチックフイルム14が、接着剤15を用いて、接着されているが、プラスチックフイルム14に代えて、ペーパーシートあるいはSUSなどの薄膜金属を接着するようにしてもよい。
【0093】
また、図8ないし図11に示された実施態様においては、接着剤20により、不透明なプラスチックフイルム21が接着され、図12ないし図19に示された実施態様においては、接着剤51を用いて、不透明なプラスチックフイルム52が接着されているが、それぞれ、プラスチックフイルムが透明であるか否かは問われるものではなく、さらに、プラスチックフイルム21、52に代えて、ペーパーシートあるいはSUSなどの薄膜金属を接着するようにしてもよい。
【0094】
さらに、図8ないし図11に示された実施態様および図12ないし図19に示された実施態様においては、アルコールを主成分とし、エステル、ケトンを含む有機溶媒に、シリカを溶解したシリカ溶液を、p+型層3の表面に塗布して、シリカ含有層を形成した後、紫外線を照射して、生成したオゾンにより、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させるとともに、シリカ含有層中のシリカを酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜23、54を形成しているが、シリカ溶液をp+型層3の表面に塗布して、シリカ含有層を形成した後、25ないし150℃の温度下で、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させ、その後に、紫外線を照射して、生成したオゾンによって、シリカ含有層中のシリカを酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜23、54を形成してもよく、この方法によれば、あらかじめ、紫外線の照射に先立って、シリカ含有層中の有機溶媒を蒸発させているので、より短時間に、紫外線の照射によって生成されたオゾンを用いて、短時間に、保護膜23、54を形成することが可能になる。さらに、p+型層3の表面に、シリカ溶液とチタン酸化物(TiOx)溶液とを連続して、p+型層3の表面に塗布し、紫外線を照射して、シリカ溶液の溶媒およびチタン酸化物溶液中の溶媒を蒸発させるとともに、発生したオゾンによって、シリカを酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜23、54を形成し、連続して、チタン酸化物を酸化あるいは還元して、主として二酸化チタンからなる酸化チタン反射防止膜24、55を形成することもできる。この際、p+型層3の表面に、シリカ溶液を塗布して、シリカ含有層を形成し、シリカ含有層の乾燥後に、チタン酸化物(TiOx)溶液を塗布し、紫外線を照射して、チタン酸化物溶液中の溶媒を蒸発させるとともに、発生したオゾンによって、シリカを酸化して、酸化シリコンよりなる保護膜23、54を形成し、連続して、チタン酸化物を酸化あるいは還元して、主として二酸化チタンからなる酸化チタン反射防止膜24、55を形成するようにしてもよい。また、紫外線の照射によって生成されたオゾンを用いて、酸化シリコンよりなる保護膜23、54を形成する代わりに、スパッタリング法あるいは150℃以下の低温CVD法によって、酸化シリコンよりなる保護膜23、54を形成することもできる。
【0095】
さらに、図8ないし図11に示された実施態様および図12ないし図19に示された実施態様においては、p+型層3が形成されているが、p型層4と保護膜23、54との界面再結合が小さくできる場合には、p+型層3を形成せずに、p+型層3によるオージェ再結合に起因する変換効率の低下を防止することができる。
【0096】
また、図8ないし図11に示された実施態様および図12ないし図19に示された実施態様において、n+型層5にグレーティングを形成して、光閉じ込めによる変換効率の向上を図ることもできる。
【0097】
さらに、前記実施態様においては、p型シリコン基板1を用い、p型シリコン基板1上に、p+型層3、p型層4およびn+型層5の順に、半導体層を形成しているが、n型シリコン基板を用いてもよく、p+型層またはp型層を陰極として、n+型層またはn型層を陽極として用いるようにしてもよい。
【0098】
また、図12ないし図19に示された実施態様においては、多孔質シリコン層30は、n+型層5、p型層4およびp+型層3を貫通し、多孔質シリコン層2に達するように形成されているが、多孔質シリコン層30は、n+型層5、p型層4およびp+型層3を貫通していれば足り、多孔質シリコン層2に達するように形成されていることは必ずしも必要がなく、多孔質シリコン層2に接するように形成されてもよい。
【0099】
さらに、図18に示された陽極化成装置においては、白金電極42、43が用いられているが、電極の材料としては、白金に限定されるものではなく、カーボンや炭化珪素など、弗化水素酸に侵されない任意の電極材料によって、電極を形成することができる。
【0100】
また、図18に示された陽極化成装置においては、塩化ビニル樹脂によって形成されたマスク47が用いられているが、マスク47を塩化ビニル樹脂によって形成することは必ずしも必要がなく、フッ素樹脂など、弗化水素酸に侵されない任意の絶縁材料によって、マスク47を形成することができる。
【0101】
【発明の効果】
本発明によれば、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、所望の電極パターンを形成することのできる半導体素子の製造方法を提供することが可能になる。
【0102】
また、本発明によれば、簡易なプロセスで、かつ、低コストで、発電に寄与しない無効電極面積を低減することができ、変換効率を向上させることのできる太陽電池を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の好ましい実施態様にかかる単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図2】図2は、本発明の好ましい実施態様にかかる単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図3】図3は、本発明の好ましい実施態様にかかる単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図4】図4は、本発明の好ましい実施態様にかかる単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図5】図5は、本発明の好ましい実施態様にかかる単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図6】図6は、本発明の好ましい実施態様にかかる単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図7】図7は、本発明の好ましい実施態様にかかる単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図8】図8は、本発明の別の好ましい実施態様にかかるバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図9】図9は、本発明の別の好ましい実施態様にかかるバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図10】図10は、本発明の別の好ましい実施態様にかかるバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図11】図11は、本発明の別の好ましい実施態様にかかるバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図12】図12は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図13】図13は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図14】図14は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図15】図15は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図16】図16は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図17】図17は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造プロセスを示す工程図である。
【図18】図18は、陽極化成装置の略断面図である。
【図19】図19は、マスクの略平面図である。
【符号の説明】
1 p型単結晶シリコン基板
2 多孔質シリコン層
3 p+型層
4 p型層
5 n+型層
6 分離層
7 シリコン酸化膜
8 酸化チタン反射防止膜
9 電極
9a 陽極
9b 陰極
10 接着剤
11 プラスチックフイルム
12 太陽電池素子
13 反射層
14 プラスチックフイルム
15 接着剤
16 薄膜単結晶シリコン太陽電池
20 接着剤
21 プラスチックフイルム
22 太陽電池素子
23 保護膜
24 酸化チタン反射防止膜
25 接着剤
26 プラスチックフイルム
27 バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池
30 多孔質シリコン層(絶縁分離層)
40 電解溶液
41 電解溶液槽
42、43 白金電極
44 直流電源
45 支持部材
46 積層体
47 マスク
48 矩形状開口部
50 シリコン酸化膜
51 接着剤
52 プラスチックフイルム
53 太陽電池素子
54 保護膜
55 酸化チタン反射防止膜
56 接着剤
57 プラスチックフイルム
58 バックコンタクト型の集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池
Claims (8)
- p型単結晶シリコン基板の表面に多孔質シリコン層を形成する工程と、
前記多孔質シリコン層の表面上にp + 型層およびp型層を順次エピタキシャル成長する工程と、
前記p型層上にn型層を拡散またはエピタキシャル成長により形成する工程と、
エキシマレーザを用いてレーザ・アブレーションによって所定のパターンで前記n型層を除去し、前記p型層を露出させる工程と、
前記n型層および前記露出した前記p型層の表面を熱酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上に酸化チタン反射防止膜を形成する工程と、
エキシマレーザを用いてレーザ・アブレーションによって前記酸化チタン反射防止膜および前記シリコン酸化膜に電極窓明けを行った後、前記p型層上に陽極を形成し、前記n型層上に陰極を形成する工程と、
前記p型単結晶シリコン基板の前記陽極および前記陰極側の表面に接着剤を用いて透明なプラスチックフィルムを接着する工程と、
前記多孔質シリコン層を破壊することにより前記p型単結晶シリコン基板を剥離する工程とを有する単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 前記p型単結晶シリコン基板を剥離した後、前記p + 型層の裏面の前記多孔質シリコン層を除去し、裏面に反射層が形成されたプラスチックフィルムを接着剤を用いて接着する工程をさらに有する請求項1に記載の単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- p型単結晶シリコン基板の表面に多孔質シリコン層を形成する工程と、
前記多孔質シリコン層の表面上にp + 型層およびp型層を順次エピタキシャル成長する工程と、
前記p型層上にn型層を拡散またはエピタキシャル成長により形成する工程と、
エキシマレーザを用いてレーザ・アブレーションによって所定のパターンで前記n型層を除去し、前記p型層を露出させる工程と、
前記n型層および前記露出した前記p型層の表面を熱酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、
エキシマレーザを用いてレーザ・アブレーションによって前記シリコン酸化膜に電極窓明けを行った後、前記p型層上に陽極を形成し、前記n型層上に陰極を形成する工程と、
前記p型単結晶シリコン基板の前記陽極および前記陰極側の表面に接着剤を用いて不透明なプラスチックフィルムを接着する工程と、
前記多孔質シリコン層を破壊することにより前記p型単結晶シリコン基板を剥離する工程とを有するバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 前記p型単結晶シリコン基板を剥離した後、前記p + 型層の裏面の前記多孔質シリコン層を除去し、前記p + 型層の表面にシリカを有機溶媒に溶解した溶液を塗布してシリカ含有層を形成し、その後このシリカ含有層に紫外線を照射することによりオゾンを発生させ、前記シリカ含有層中の前記有機溶媒を蒸発させ、さらに前記シリカ含有層中のシリカを酸化して酸化シリコンの保護膜を形成する工程をさらに有する請求項3に記載のバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記酸化シリコンの保護膜上に酸化チタン反射防止膜を形成した後、前記酸化チタン反射防止膜の表面にプラスチックフィルムを接着剤を用いて接着する工程をさらに有する請求項4に記載のバックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- p型単結晶シリコン基板の表面に多孔質シリコン層を形成する工程と、
前記多孔質シリコン層の表面上にp + 型層およびp型層を順次エピタキシャル成長する工程と、
前記p型層上にn型層を拡散またはエピタキシャル成長により形成する工程と、
前記n型層、前記p型層および前記p + 型層を貫通し、前記多孔質シリコン層に達する多孔質シリコン層を形成する工程と、
熱酸化により、前記n型層、前記p型層および前記p + 型層を貫通する前記多孔質シリコン層をセル間を分離する絶縁分離層に転化するとともに、前記n型層の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
エキシマレーザを用いてレーザ・アブレーションによって所定のパターンで前記n型層を除去し、前記p型層を露出させる工程と、
エキシマレーザを用いてレーザ・アブレーションによって前記シリコン酸化膜に電極窓明けを行った後、前記絶縁分離層を跨いで、隣接するセルの前記n型層および前記p型層に接続された電極、一端のセルの前記p型層上の陽極および他端のセルの前記n型層上の陰極を形成する工程と、
前記p型単結晶シリコン基板の前記電極、前記陽極および前記陰極側の表面に接着剤を用いて不透明なプラスチックフィルムを接着する工程と、
前記多孔質シリコン層を破壊することにより前記p型単結晶シリコン基板を剥離する工程とを有する集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 前記p型単結晶シリコン基板を剥離した後、前記p + 型層の裏面の前記多孔質シリコン層を除去し、前記p + 型層の表面にシリカを有機溶媒に溶解した溶液を塗布してシリカ含有層を形成し、その後このシリカ含有層に紫外線を照射することによりオゾンを発生させ、前記シリカ含有層中の前記有機溶媒を蒸発させ、さらに前記シリカ含有層中のシリカを酸化して酸化シリコンの保護膜を形成する工程をさらに有する請求項6に記載の集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記酸化シリコンの保護膜上に酸化チタン反射防止膜を形成した後、前記酸化チタン反射防止膜の表面にプラスチックフィルムを接着剤を用いて接着する工程をさらに有する請求項7に記載の集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29288599A JP4329183B2 (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
GB0024398A GB2360391A (en) | 1999-10-14 | 2000-10-05 | Method of manufacturing a solar cell |
DE10050577A DE10050577A1 (de) | 1999-10-14 | 2000-10-12 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils |
US09/689,191 US6426235B1 (en) | 1999-10-14 | 2000-10-12 | Method of manufacturing semiconductor device |
KR1020000060219A KR20010051010A (ko) | 1999-10-14 | 2000-10-13 | 반도체 디바이스 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29288599A JP4329183B2 (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001111080A JP2001111080A (ja) | 2001-04-20 |
JP4329183B2 true JP4329183B2 (ja) | 2009-09-09 |
Family
ID=17787649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29288599A Expired - Fee Related JP4329183B2 (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6426235B1 (ja) |
JP (1) | JP4329183B2 (ja) |
KR (1) | KR20010051010A (ja) |
DE (1) | DE10050577A1 (ja) |
GB (1) | GB2360391A (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7404990B2 (en) * | 2002-11-14 | 2008-07-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films |
KR100835512B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 장치 및 방법 |
FR2854497B1 (fr) * | 2003-04-29 | 2005-09-02 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur a metallisations auto-alignees |
JP2005142285A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Seiko Epson Corp | 太陽電池装置とその製造方法及び電子機器 |
DE102004050269A1 (de) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle |
US7846759B2 (en) * | 2004-10-21 | 2010-12-07 | Aonex Technologies, Inc. | Multi-junction solar cells and methods of making same using layer transfer and bonding techniques |
FR2880989B1 (fr) * | 2005-01-20 | 2007-03-09 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee |
DE102005040871A1 (de) * | 2005-04-16 | 2006-10-19 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
JP4656996B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2011-03-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
US20080302418A1 (en) * | 2006-03-18 | 2008-12-11 | Benyamin Buller | Elongated Photovoltaic Devices in Casings |
US20080047599A1 (en) * | 2006-03-18 | 2008-02-28 | Benyamin Buller | Monolithic integration of nonplanar solar cells |
US7235736B1 (en) * | 2006-03-18 | 2007-06-26 | Solyndra, Inc. | Monolithic integration of cylindrical solar cells |
US20100326429A1 (en) * | 2006-05-19 | 2010-12-30 | Cumpston Brian H | Hermetically sealed cylindrical solar cells |
US20100300532A1 (en) * | 2006-05-19 | 2010-12-02 | Cumpston Brian H | Hermetically sealed nonplanar solar cells |
US20100132765A1 (en) * | 2006-05-19 | 2010-06-03 | Cumpston Brian H | Hermetically sealed solar cells |
DE102006044545A1 (de) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Solarworld Industries Deutschland Gmbh | Dünnschicht-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
US20080083449A1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-10 | Solyndra, Inc., A Delaware Corporation | Sealed photovoltaic apparatus |
WO2008045382A2 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Solyndra, Inc. | A sealed photovoltaic apparatus |
JP2008112847A (ja) | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2008112840A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2008112848A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2008112843A (ja) | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2008153195A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用負極の製造方法と製造装置および非水電解質二次電池 |
JP5090716B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
JP5166745B2 (ja) | 2007-03-07 | 2013-03-21 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
JP5048380B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2012-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
DE102007032283A1 (de) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Stein, Wilhelm, Dr. | Dünnschichtsolarzellen-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8158504B2 (en) * | 2008-05-30 | 2012-04-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices—organic medium components |
DE102008047675B4 (de) * | 2008-06-13 | 2014-05-15 | Ctf Solar Gmbh | Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule |
US20100108130A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Crystal Solar, Inc. | Thin Interdigitated backside contact solar cell and manufacturing process thereof |
JP5172783B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
US20110041910A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
MY166305A (en) * | 2009-12-09 | 2018-06-25 | Solexel Inc | High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using thin planar semiconductor absorbers |
JP5485060B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2014-05-07 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
KR20140009208A (ko) * | 2010-10-27 | 2014-01-22 | 바스프 에스이 | 열전 모듈 및 이의 제조 방법 |
FR2969377B1 (fr) * | 2010-12-16 | 2013-09-27 | St Microelectronics Crolles 2 | Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés |
FR2969376B1 (fr) | 2010-12-16 | 2013-09-27 | St Microelectronics Crolles 2 | Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés |
CN102637767B (zh) * | 2011-02-15 | 2015-03-18 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池的制作方法以及太阳能电池 |
CN102569492B (zh) * | 2010-12-17 | 2014-11-05 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片 |
KR20140064854A (ko) * | 2011-08-09 | 2014-05-28 | 솔렉셀, 인크. | 고효율 태양 광기전 전지 및 박형 결정 반도체 흡수체를 이용한 모듈 |
US8883612B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-11-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for manufacturing a semiconductor device |
GB2499192A (en) * | 2012-02-02 | 2013-08-14 | Rec Cells Pte Ltd | Method for producing a solar cell with a selective emitter |
KR101948206B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2019-02-14 | 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 | 태양 전지와, 이의 제조 방법 |
DE102012216416A1 (de) * | 2012-03-05 | 2013-09-05 | Roth & Rau Ag | Verfahren zur Herstellung optimierter Solarzellen |
JP2015153934A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
NL2014040B1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-10-12 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of making a curent collecting grid for solar cells. |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1981002948A1 (en) * | 1980-04-10 | 1981-10-15 | Massachusetts Inst Technology | Methods of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom |
DE3727826A1 (de) * | 1987-08-20 | 1989-03-02 | Siemens Ag | Serienverschaltetes duennschicht-solarmodul aus kristallinem silizium |
US5248621A (en) * | 1990-10-23 | 1993-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing solar cell devices of crystalline material |
JP3381443B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2003-02-24 | ソニー株式会社 | 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびsoi基板の製造方法 |
JPH09135036A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
DE69738307T2 (de) * | 1996-12-27 | 2008-10-02 | Canon K.K. | Herstellungsverfahren eines Halbleiter-Bauelements und Herstellungsverfahren einer Solarzelle |
JPH11312815A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
-
1999
- 1999-10-14 JP JP29288599A patent/JP4329183B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-05 GB GB0024398A patent/GB2360391A/en not_active Withdrawn
- 2000-10-12 DE DE10050577A patent/DE10050577A1/de not_active Withdrawn
- 2000-10-12 US US09/689,191 patent/US6426235B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-13 KR KR1020000060219A patent/KR20010051010A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6426235B1 (en) | 2002-07-30 |
DE10050577A1 (de) | 2001-04-19 |
KR20010051010A (ko) | 2001-06-25 |
GB2360391A (en) | 2001-09-19 |
JP2001111080A (ja) | 2001-04-20 |
GB0024398D0 (en) | 2000-11-22 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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