JP3667079B2

JP3667079B2 - 薄膜の形成方法

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Publication number: JP3667079B2
Application number: JP07222698A
Authority: JP
Inventors: 正晃岩根; 隆夫米原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-03-26
Filing date: 1998-03-20
Publication date: 2005-07-06
Anticipated expiration: 2018-03-20
Also published as: JPH10326759A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＳＯＩ基板あるいは、太陽電池やエリアセンサーなどの光電変換装置に用いる薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＳＯＩ（セミコンダクター・オン・インシュレータ）構造の基板に作製した集積回路は、通常のＳｉウェハに作製した集積回路に比べて、さまざまな優位点がある。例えば、▲１▼誘電体分離が容易で高集積化が可能、▲２▼対放射線耐性に優れている、▲３▼浮遊容量が低減し高速化が可能、▲４▼ウェル工程が省略できる、▲５▼ラッチアップを防止できる、▲６▼薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが形成できるので高速化、低消費電力化できることである。
【０００３】
このＳＯＩ構造の基板を提供する製造方法として、米国特許第５，３７１，０３７号明細書やアプライドフィジックスレターズ第６４巻２１０８頁（Ｔ．Ｙｏｎｅｈａｒａｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．ｖｏｌ．６４，２１０８（１９９４）に開示されているような方法がある。図１６の（ａ）〜（ｅ）と図１７の（ａ）〜（ｄ）は、この製造工程を表す。図中、１と５はＳｉウェハ、２は非多孔質Ｓｉ層、３は多孔質Ｓｉ層、４はエピタキシャルＳｉ層、６は単結晶Ｓｉ層、７は酸化Ｓｉ層である。まず、図１６（ａ）のようにデバイス基板となるＳｉウェハ１を用意し、Ｓｉウェハ１を陽極化成することによって、図１６（ｂ）のように非多孔質Ｓｉ層２の表面に多孔質Ｓｉ層３がある基板を作製する。そして、図１６（ｃ）のように多孔質Ｓｉ層２の表面にエピタキシャルＳｉ層４を形成する。
【０００４】
一方で、図１６（ｄ）のように支持基板となるＳｉウェハ５を用意し、その表面を酸化して、図１６（ｅ）のように単結晶Ｓｉ層６の表面に酸化Ｓｉ層７がある基板を作製する。そして、図１６（ｃ）で作製した基板（２，３，４）を裏返し、図１６（ｅ）で作製した基板６，７の上に、図１７（ａ）のようにエピタキシャルＳｉ層４と酸化Ｓｉ層７とを向かい合わせ、図１７（ｂ）のようにエピタキシャルＳｉ層４と酸化Ｓｉ層７を接合させて両基板を貼り合わせる。その後、図１７（ｃ）のように非多孔質Ｓｉ層２を非接合面側からグライディングによって機械的に取り除き、多孔質Ｓｉ層３を露出させる。その後、多孔質Ｓｉ層３を選択的にエッチングするエッチング液で、ウェットエッチングをすることによって、図１７（ｄ）のように多孔質Ｓｉ層３を取り除く。すると、ＳＯＩ基板の半導体層となるエピタキシャルＳｉ層４の膜厚がきわめて均一なＳＯＩ基板ができる。
【０００５】
ＳＯＩ構造の基板を作製するうえで、以上説明した製造方法は、図１７（ｂ）の基板から図１７（ｃ）の基板にする上で、非多孔質Ｓｉ層２をグラインディングによって、除去してしまう為、非多孔質層２及び多孔質層３となる基板１は、一枚のＳＯＩ基板を作製する毎に一枚必要になる。このため、特開平７−３０２８８９号公報には、ＳＯＩ基板の製造工程のなかで、非多孔質Ｓｉ層２を何度も使用することが提案されている。つまり、図１７（ｂ）の基板から図１７（ｃ）の基板にする上で、図１７（ｂ）の基板に引っ張り力、押しつぶす力、せん断力などをかけたり、多孔質Ｓｉ層３に治具を挿入するなどの方法を用い、多孔質Ｓｉ層３でＳＯＩ基板となる４，７，６と２を分離する。そして、残った非多孔質Ｓｉ層２を、図１６（ａ）のＳｉウェハ１として何度も使用するのである。
【０００６】
一方、太陽電池は、大面積に向く構造としてアモルファスＳｉを使ったものが現在主流であるが、変換効率、寿命の点から、単結晶Ｓｉや多結晶Ｓｉの太陽電池も注目されている。特開平８−２１３６４５号公報は、低コストに薄膜太陽電池を提供する方法を開示している。この方法では、図１８のように、Ｓｉウェハ１上に多孔質Ｓｉ層３を形成し、その上に太陽電池層となるｐ⁺ 型Ｓｉ層２１、ｐ型Ｓｉ層２２およびｎ⁺ 型Ｓｉ層２３をエピタキシャル成長させる。ｎ⁺ 型Ｓｉ層２３上に保護膜３０を形成した後、Ｓｉウェハ１の裏面に治具３１を接着するとともに、保護膜３０の表面にも治具３２を接着剤３４で接着する。次に、治具３１，３２を互いに反対方向に引っ張ることにより多孔質Ｓｉ層３を機械的に破断し、太陽電池層２１，２２，２３をＳｉウェハ１から分離する。そして、この太陽電池層２１，２２，２３を２枚のプラスチック基板の間にはさんでフレシキシブルな薄膜太陽電池を製造することを開示している。このなかで、Ｓｉウェハ１を何度も使用できることを開示している。また、引っ張り力をかける前に、機械的な方法あるいはレーザビームの照射などで、多孔質Ｓｉ層３の側壁に部分的な傷３３をつけておくことを開示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ＳＯＩ基板を製造するうえで、特開平７−３０２８８９号公報に開示されている方法は、Ｓｉウェハを何度も利用してコストを削減することができる。しかしながら、この方法も再現性の点で十分なものではない。
【０００８】
一方、太陽電池において、特開平８−２１３６４５号公報のような製造方法では、多孔質Ｓｉ層できれいに分離できるとは限らない。このため、エピタキシャル層に割れ目が生じることが多く、歩留まりが小さくなる。また、この方法は、多孔質Ｓｉ層を引っ張って分離しているので、治具と単結晶Ｓｉ層の間に強力な接着力が必要であり、大量生産に向いていない。
【０００９】
本発明の目的は、太陽電池などの光電変換装置の製造方法においても、コスト的に有利で、分離能力に優れ、ウェハを無駄なく使うことで地球の資源の有効利用できる再現性の高い方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者が以上の課題を解決するために鋭意努力した結果、以下の発明を得た。すなわち、本発明の薄膜の形成方法は、非多孔質層上に多孔質層があり、前記多孔質層上に前記多孔質層より多孔度の小さい層がある基板を用意し、レーザ光を前記基板の側面から前記多孔質層に沿って照射して前記多孔質層に前記レーザ光を吸収させることにより、前記多孔質層で前記基板を分離することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の薄膜の形成方法は、イオン注入による欠陥層を内部に有する基板を用意し、レーザ光を前記基板の側面から前記欠陥層に沿って照射して前記欠陥層に前記レーザ光を吸収させることにより、該欠陥層で該基板を分離することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態１〜８によって説明する。実施形態１〜４は、ＳＯＩ基板を製造する形態であり、実施形態５〜７は太陽電池やエリアセンサなどの光電変換装置を製造する形態である。実施形態８は分離箇所となる層の形成方法にイオン注入を用いる形態である。本発明は、それぞれの実施形態のみに限らず、それぞれの実施形態を組み合わせた形態も含む。
【００１６】
実施形態１はＳＯＩ基板を製造する形態であり、再利用するウェハＳＯＩ基板を多孔質層で分離するのにレーザ光を使用する。
【００１７】
レーザ光は板状の基板の側面（端面）に基板の表面及び裏面に水平に向けて照射し、基板の中心付近にもレーザ光が到達するようにレーザ光の強度を調整する。
【００１８】
レーザ光は、基板内に形成されている多孔度の大きな層あるいはマイクロバブルによる欠陥層等の比較的脆い層に照射され、そこで吸収される。
【００１９】
レーザ光を吸収した層は、更により一層脆くなり、基板はその層を境にして２枚に分離される。
【００２０】
レーザ光の照射方法については以下の実施の形態で詳しく述べる。
【００２１】
（実施形態１）
図１は、本形態の分離方法を表す図である。図中、図１６，図１７と同じ符号は同じものを表す。１０はレンズ、１１は光学顕微鏡、１２は真空チャック、１３はレーザ光を表す。ＬＳはレーザ光源、ＡＴＬは分離前の物品であり、各層２、３、４、７、６からなる。多孔質層３の側壁にレーザ光を照射する。レーザ光源ＬＳは、大出力の出せるＸｅＣｌ，ＫｒＦ，ＡｒＦ等のエキシマレーザであり、その出力は、３００ｍＪ／ｃｍ² 〜１Ｊ／ｃｍ² が望ましい。特に望ましくは、５００ｍＪ／ｃｍ² 程度である。エキシマレーザのレーザ光は、紫外光なので、レンズ１０は紫外光を透過させる石英又は蛍石でできており、この光学系で、０．１μｍ幅まで、レーザ光１３の照射面積を絞ることができる。光学顕微鏡１１は、必要に応じて設けられるものでレーザ光１３が０．１μｍ〜３０μｍの厚さの多孔質層３に正しく照射できているか確かめるために使用する。ここで、多孔質層３は、多孔質構造になっていない非多孔質層２や多孔度の小さい層であるエピタキシャル層４に比べて、脆く分離されやすい。このため、レーザ光１３が厳密に多孔質層３のみに照射されなくてもいい。レーザ光１３を発する光源ＬＳとしては、大出力のエキシマレーザ装置を用いるのが望ましいが、別にＡｒレーザ、ＹＡＧレーザなどでもいい。分離を助長するために、多孔質層３の孔の水、アルコール、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの液体を注入乃至吸着させておいてもいい。これら液体はＳｉなどの固体に比べて熱膨張係数が大きいため、液体の膨張が分離を助長する。
【００２２】
基板ホルダーとしての真空チャック１２は、内部に気体の入る領域があって、非多孔質層２と単結晶層６の外側と接触させて、内部の気体を抜くことによって、分離する前の物品である基板ＡＴＬを固定することができる。本形態では、真空チャック１２が基板の中心を軸として、回転できるようになっており、多孔質層３の側壁すべてにレーザ光１３を照射することができる。真空チャック１２は、基板を固定し、回転させるだけに用いてもいいが、分離を容易にするために、真空チャック１２から基板に微小な引っ張り力をかけてやってもいい。レーザ光は、多孔質層３の側壁から基板ＡＴＬの中心付近まで到達する。光を吸収した多孔質層はより一層脆くなり、非多孔質の部分を破壊することなく、基板ＡＴＬが分離できる。
【００２３】
以上の分離工程の結果、図２のように、多孔質層３で、ＳＯＩ基板となる側の基板４，７，６と再利用する基板２を分離することができる。図２では、それぞれの基板の表面（分離面）に多孔質部分３’が残っているが、陽極化成の工程で、多孔質層３を膜厚を十分小さくしておけば、実質的に分離した後、多孔質部分３’が片方、あるいは両方の基板に残らないようにすることも可能である。
【００２４】
図１に示したウェハの分離方法による薄膜形成法について述べる。
【００２５】
まず貼り合わせ基板の準備を行う。図３は、Ｓｉウェハの陽極化成をする装置の断面図である。図中、１はＳｉウェハ、２７は容器ＲＶ中に貯められたフッ酸系のエッチング液、２８は正の金属電極、２９は負の金属電極を表す。陽極化成するＳｉウェハ１はｐ型の方が望ましいが、低抵抗ならｎ型でもいい。また、ｎ型のＳｉウェハでも光を照射し、ホールを生成した状態にすれば多孔質化することが容易にできる。図３のように正電極２８を左に、負電極２９を右にして両電極間に電圧をかけ、この電圧が引き起こすエッチング液中の電界がＳｉウェハ１の面に垂直な方向にかかるように両電極とウェハを平行にすると、Ｓｉウェハ１の負電極２９側から多孔質化される。フッ酸系のエッチング液２７としては、濃フッ酸（４９％ＨＦ）を用いる。陽極化成中は、Ｓｉウェハ１から気泡が発生するので、この気泡を効率よく取り除く目的から、界面活性剤としてのアルコールを液２７に加えるとよい。
【００２６】
アルコールとしてはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールなどが望ましい。また、界面活性剤の添加の代わりに攪拌器をもちいて、攪拌しながら陽極化成をしてもいい。
【００２７】
多孔質化される層の厚さは０．１μｍ〜３０μｍにするとよい。
【００２８】
負電極２９に、フッ酸溶液に対して浸食されないような材料、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを用いるのが望ましい。正電極２８は、一般に用いる金属材料で構わないが、やはりフッ酸に対して浸食されないような材料の方が望ましい。陽極化成をおこなう電流密度は最大数１００ｍＡ／ｃｍ² であり、最小値は０でなければよい。電流密度は、形成される多孔質Ｓｉ層上に良質のエピタキシャルＳｉ層ができ、かつ、多孔質Ｓｉ層で分離での分離が容易になるように設定する。具体的には、多孔質Ｓｉは、陽極化成時に電流密度が大きい場合、多孔質Ｓｉ層内のＳｉの密度が小さくなる。このため、電流密度が大きいほど孔の体積が大きくなり、多孔度（ｐｏｒｏｓｉｔｙ；多孔度は多孔質層の総体積に対する孔の体積の割合で定義する）が大きくなる。多孔質Ｓｉ層はＳｉ層の内部に多くの孔をもつものであるが、その単結晶性は維持されている。このため、多孔質Ｓｉ層の上部に単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させることが可能である。
【００２９】
しかし、積層欠陥のないエピタキシャルＳｉ層を形成するためには、エピタキシャルＳｉ層に接する多孔質Ｓｉ層の多孔度は小さい方がいい。一方、多孔質Ｓｉ層を境界としてデバイス基板とＳＯＩ基板との分離を容易にするためには、多孔質Ｓｉ層の多孔度が大きい方がいい。つまり、多孔質Ｓｉ層の最表面側は多孔度が小さく、多孔質Ｓｉ層の非多孔質Ｓｉ層に近い側は多孔度が大きいのが理想的な形である。図４は、この多孔質Ｓｉ層の理想的な形を表す断面図である。多孔質Ｓｉ層３の表面側に多孔度の小さい多孔質Ｓｉ層３ａを形成し、多孔質Ｓｉ層３の非多孔質Ｓｉ層側に多孔度の大きい多孔質Ｓｉ層３ｂを形成する。この構造を形成するためには、３ａの部分を陽極化成する始めのうちは小さい電流密度で陽極化成をして、後の３ｂの部分の陽極化成をするときは大きい電流密度で陽極化成をおこなう。この構造で、基板の分離面を３ｂに特定することができ、さらに、この多孔質Ｓｉ層３ａ上に積層欠陥のないエピタキシャルＳｉ層を形成することができる。このエピタキシャルＳｉ層は、分子線エピタキシャル成長、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、バイアス・スパッター法、液相成長法などの方法とりわけ低温成長が望ましい。
【００３０】
以上説明した方法に従って、図５の（ａ）に示すようにＳｉウェハ１を用意し、図５の（ｂ）に示すようにその表面を多孔質化する。こうして、Ｓｉウェハ１は非多孔質Ｓｉ層２上に多孔質Ｓｉ層３が積層された構造に変化する。
【００３１】
次いで図５の（ｃ）に示すように多孔質Ｓｉ層３上に多孔度の小さい層としての非多孔質エピタキシャルＳｉ層４を形成する。
【００３２】
次に必要に応じて、図５の（ｄ）に示すようにエピタキシャルＳｉ層４の表面を熱酸化して、厚さ０．０５μｍ〜２μｍの酸化Ｓｉ層８を形成する。
【００３３】
以上が、プライムウェハ又はボンドウェハ或いはデバイス基板と呼ばれる基板ＰＷ側の貼り合わせ前の処理である。
【００３４】
ハンドルウェハ又はベースウェハ或いは支持基板と呼ばれる基板ＨＷ側の処理は次のとおりである。
【００３５】
Ｓｉウェハを用意して、必要に応じてその表面を熱酸化して、厚さ０．０５μｍ〜３μｍの酸化Ｓｉ膜を表面に形成する。
【００３６】
次に図６を参照して基板の貼り合わせ及び分離工程について説明する。
【００３７】
図６の（ａ）に示すように、基板ＰＷのエピタキシャルＳｉ層４上の酸化Ｓｉ層８の表面と、基板ＨＷの酸化Ｓｉ層７の表面とを対向させて、該表面同士を室温下で密着させる。
【００３８】
その後、陽極接合、加圧、熱処理あるいはこれらを組み合わせた方法で、酸化Ｓｉ層８と酸化Ｓｉ層７とを強固に結合させ、図６の（ｂ）に示すような貼り合わせ基板からなる物品ＡＴＬを形成する。
【００３９】
次に、図１に示した装置の真空チャック１２に図６（ｂ）に示した構造の貼り合わせ物品ＡＴＬを搭載し、物品ＡＴＬを自転させながら、物品ＡＴＬの側面のうち、多孔質Ｓｉ層３の部分に焦点をあてて、エキシマレーザー光を照射する。エキシマレーザー光は多孔質Ｓｉ層全体に照射され吸収される。
【００４０】
こうして図６の（ｃ）に示すように基板ＰＷ側の非多孔質Ｓｉ層２を、基板ＨＷから分離する。この時基板ＨＷ表面にはエピタキシャルＳｉ層４が転写されている。
【００４１】
レーザ光の吸収により破壊された多孔質Ｓｉ層３は、非多孔質Ｓｉ層２側及びエピタキシャルＳｉ層４側の少なくともいずれか一方に残留することがある。図６の（ｃ）は、エピタキシャルＳｉ層４側にのみ残留している様子を示している。
【００４２】
多孔質Ｓｉ層３が残っている場合、基板ＨＷ側に残った多孔質Ｓｉ層３を選択エッチングによって除去する。選択エッチングのとき、エッチング液にフッ酸、フッ酸にアルコールを混ぜた混合液、フッ酸に過酸化水素水を混ぜた混合液などを使って、無電解湿式化学エッチングをおこなうと、多孔質Ｓｉ層が非多孔質Ｓｉ層に比べ多くエッチングされる。特に、フッ酸に過酸化水素水を混ぜた混合液を使ったときは、多孔質Ｓｉ層の非多孔質Ｓｉ層に対する選択エッチング比が、〜１０⁵ となる。こうして、図６の（ｄ）のように基板ＨＷの表面には均一な厚さのエピタキシャルＳｉ層４が残る。こうして絶縁層上の半導体層４のきわめて均一なＳＯＩ基板が得られる。
【００４３】
分解された非多孔質層２は、更にもう一枚のＳＯＩ基板を作製する為に、再びプライムウェハとして利用される。
【００４４】
また、本形態のＳＯＩ基板を作る工程で、支持基板をガラスや石英基板などの完全な絶縁基板にすることもできる。図７は支持基板に石英基板を使ったときのＳＯＩ基板の製造工程を表す図である。図７の（ａ）の上部のデバイス基板ＰＷは、図５を参照して説明した方法と同様にして作製する。そして、支持基盤ＨＷとしての石英基板９と酸化Ｓｉ層８を向かい合わせ、図７の（ｂ）のように石英基板９と酸化Ｓｉ層８を密着させ、陽極接合、加圧、熱処理あるいはこれらを組合わせた方法で、酸化Ｓｉ層８と石英基板９とを強固に結合する。
【００４５】
次に前述した方法と同様にしてレーザ光を用いて両基板を分離する。石英基板９上には転写されたエピタキシャルＳｉ層４と多孔質Ｓｉ層３とが残留している（図７の（ｃ））。更に、前述した方法により、残留した多孔質Ｓｉ層３を選択的に除去する。こうして石英基板９上に非多孔質の単結晶Ｓｉ薄膜を有するＳＯＩ基板が得られる（図７の（ｄ））。
【００４６】
さらに、本形態のＳＯＩ基板を作る工程で、支持基板にＳｉウェハを使用し、Ｓｉウェハ側に酸化Ｓｉ層を形成することなく、デバイス基板側のエピタキシャルＳｉ層に酸化Ｓｉ層を形成することでＳＯＩ構造の絶縁層を形成することもできる。図８はこの工程を表す。図８の（ａ）の上部のデバイス基板は、図５を参照して説明した方法と同様にして作製する。そして、Ｓｉウェハからなる単結晶Ｓｉ層５の表面と酸化Ｓｉ層８の表面を向かい合わせ、単結晶Ｓｉ層の表面と酸化Ｓｉ層８の表面を密着させ結合させる。この時陽極接合、加圧、熱処理あるいはこれらを組み合わせた方法で、酸化Ｓｉ層８と単結晶Ｓｉ層５を強固に結合させるとよい。こうして、図８の（ｂ）に示すように物品ＡＴＬが得られる。
【００４７】
そして、図１に示した装置を用いて、物品ＡＴＬを多孔質Ｓｉ層３を境に分離し、支持基板ＨＷである非多孔質のＳｉ層５側に非多孔質の単結晶ＳｉからなるエピタキシャルＳｉ層４を転写する。この時、図８の（ｃ）に示すように多孔質Ｓｉ層３が支持基板ＨＷ上のエピタキシャルＳｉ層４の上に残留している場合には、前述した方法により、多孔質Ｓｉ層を選択的に除去すれば図８の（ｄ）に示すようなＳＯＩ基板が得られる。
【００４８】
（実施形態２）
実施形態２はＳＯＩ基板を製造する形態であり、再利用するＳｉウェハと最終的にＳＯＩ基板となる基板を多孔質Ｓｉ層で分離するのにエキシマレーザを使用する。このとき、エキシマレーザの光を一点に絞り、基板を固定し、レーザ光をスキャンすることによって分離をおこなう。
【００４９】
図９は、本形態の分離工程を表す図であり、１４はレンズ１０の位置を分離する物品ＡＴＬ側面に焦点を絞りながら円周に沿ってスキャンできるようにすることができるガイドである。他の部品番号は図１で説明したものと同じものを表す。本形態では、チャック１２によって、物品ＡＴＬを構成する単結晶Ｓｉ層６と非多孔質Ｓｉ層２の外側を固定しておく。そして、レンズ１０によって、エキシマレーザ装置のレーザ光１３を多孔質Ｓｉ層３の側壁の一点に絞り、照射する。そして、ガイド１４によってレンズ１０をスキャンするのと同時に、レーザ光１３もスキャンし、層４，７，６，からなるＳＯＩ基板と、製造工程に再利用する基板２を多孔質Ｓｉ層３を境に分離する。他の工程や用いる材料等は、実施形態１と同じである。
【００５０】
（実施形態３）
実施形態３はＳＯＩ基板を製造する形態であり、再利用するＳｉウェハとＳＯＩ基板を多孔質Ｓｉ層で分離するのにエキシマレーザを使用する。このとき、エキシマレーザの光をシリンドリカルレンズによって、直線状に絞り、多孔質Ｓｉ層に沿ってレーザ光を照射する。
【００５１】
図１０は、本形態の分離工程を表す図であり、１５はシリンドリカルレンズである。他の部品番号は図１で説明したものと同じものを表す。シリンドリカルレンズ１５は、縦に走る直線状にレーザ光１３を絞ることができる。このため、０．１μｍ−３０μｍという薄い膜厚の多孔質Ｓｉ層３の側壁に効率よくレーザ光を照射することができる。また、シリンドリカルレンズ１５の代わりにトーイックレンズを使って、多孔質Ｓｉ層３の側壁の曲面に合わせて、直線状の焦点でレーザ照射してもいい。他の工程は、実施形態１と同じである。
【００５２】
（実施形態４）
実施形態４はＳＯＩ基板を製造する形態であり、再利用するＳｉウェハとＳＯＩ基板を多孔質Ｓｉ層で分離するのにエキシマレーザを使用する。このとき、エキシマレーザの光をシリンドリカルレンズによって、直線状に絞り、多孔質Ｓｉ層に沿ってレーザ光を照射する。このとき、図１１のように、レーザ光１３を４つに分離し、４つのシリンドリカルレンズ１５を使って、レーザ光１３を多孔質Ｓｉ層３に沿って直線状に絞って４方向から多孔質Ｓｉ層を照射する。本形態では、チャック１２によって、単結晶Ｓｉ層６と非多孔質Ｓｉ層２の外側を固定しておく。他の工程は、実施形態１と同様である。
【００５３】
（実施形態５）
実施形態５は太陽電池を製造する形態である。図１２は、光を電気に変換する光電変換層を形成するまでの工程を表す図である。まず、図１２の（ａ）のように、ｐ型Ｓｉウェハ１を用意し、図３を用いて説明したのと同様の陽極化成の方法によって、Ｓｉウェハ１の表面を多孔質化する。すると、図１２の（ｂ）のように、ウェハ１の非多孔質Ｓｉ層２上に多孔質Ｓｉ層３がある基板ができる。そして、図１２（ｃ）のように、多孔質Ｓｉ層３上に光電変換層１８となるエピタキシャルＳｉ層を、分子線エピタキシャル成長、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、バイアス・スパッター法、液相成長法などの方法で形成する。こうして一方の基板ＰＷが得られる。
【００５４】
エピタキシャルＳｉ層は、光電変換層として用いる為、ドーパントを添加しながらエピタキシャル成長させる。この為、エピタキシャルＳｉ層は、多孔質Ｓｉ層３上にｎ⁺ 層、その上にｐ^- 層、更にその上にｐ⁺ 層が積層されたＰＮ接合を有する。
【００５５】
そして、エピタキシャル成長させた光電変換層１８のｐ⁺ 層の表面と、プラスチック基板１７の表面に予じめ形成されている裏面金属電極１６と、を貼り合わせて接合させる。
【００５６】
その後、真空チャック１２を非多孔質Ｓｉ層２の外側に密着させ、エキシマレーザ装置からのレーザ光１３をレンズ１０を使って多孔質Ｓｉ層３に絞り、照射する。図１３はレンズでレーザ光を一点に絞る形態を図示しているが、レーザ光の照射の仕方は、実施形態１〜４で説明した何れの形態でもよい。すると、図１４のような多孔質Ｓｉ層において、最終的に太陽電池となる基板ＨＷと、製造工程に再利用するＳｉウェハとなる基板ＰＷの分離がおこなえる。
【００５７】
その後、図１５の（ａ）のように、光電変換層１８の表面に網目上の表面金属電極１９を形成する。つぎ、配線２４を表面金属電極１９と裏面金属電極１６に接続し、表面金属電極１９上に保護層２０を形成する。図１５の（ｂ）は、図１５の（ａ）のＡＡ’での断面図である。光電変換層１８は、上から表面金属電極１９に接するｎ⁺ 層２３、ｐ層２２、裏面金属電極１６に接するｐ⁺ 層２１で構成されている。図１５で表面金属電極１９は、光を透過するように網目上になっているように図示しているが、これはＩＴＯなどの透明電極に置き換えてもいい。また、裏面金属電極１６は、光電変換層１８で、吸収されずに透過してきた光を光電変換層１８に戻すバックリフレクタとしての働きもあるので、反射率の大きい金属材料で形成することが望ましい。
【００５８】
本形態は、一つのＳｉウェハからいくつもの単結晶薄膜の太陽電池を形成できるので、変換効率、寿命、製造コストなどの点で優れている。また、レーザ光を照射して多孔質Ｓｉ層に吸収させ多孔質Ｓｉ層の熱膨張を引き起こし、結晶に歪みを起こさせて基板の分離をおこなうので、強力な引っ張り力を必要としない。このため、基板と治具などとの間に強力な接着力を必要としないことからも、製造コストの点で優れている。
【００５９】
（実施形態６）
実施形態６も実施形態５と同様に太陽電池を製造する形態である。実施形態５は光電変換層１８を多孔質Ｓｉ層３上に形成したエピタキシャルＳｉ層で構成するものである。これに対して実施形態６は、多孔度の小さい多孔質Ｓｉ層をそのまま光電変換層１８として用いる。実施形態１で、陽極化成工程での電流密度を変化させれば、多孔質Ｓｉ層の多孔度を変化させられることを説明している。つまり、図３を使って説明した陽極化成工程で、電極２８から電極２９へ流れる電流密度を大きくすれば、Ｓｉウェハ１に形成される多孔質Ｓｉ層の多孔度が大きくなり、電流濃度を小さくすれば多孔度も小さくなることを説明している。この現象を使い、ｐ⁺ 型Ｓｉウェハ１の表面を多孔質化するときは、電流密度を小さくして多孔度の小さい多孔質Ｓｉ層を形成し、その下且つ非多孔質Ｓｉ層２の上に多孔度の大きい多孔質Ｓｉ層３ｂを形成する。そして、多孔度の小さい多孔質Ｓｉ層３ａの最表面にｎ型を作るＰ，Ａｓなどのドナーとなるイオンをイオン注入して、小多孔度の多孔質Ｓｉ層ｐｎ接合を有する光電変換層の一部に用いる。
【００６０】
その後、図１３に示したものと同じように、光電変換層となった多孔度の小さい多孔質Ｓｉ層と裏面金属電極１６とを貼り合わせる。その他の工程は実施形態５と同様である。本形態は、一つのＳｉウェハからいくつもの単結晶薄膜の太陽電地を形成できるので、変換効率、寿命、製造コストなどの点で優れている。また、エピタキシャル成長工程がないので、実施形態５より、さらに製造コストが小さい。また、光電変換層１８は、多孔度の小さい多孔質Ｓｉ層でできているので、単結晶性は保たれ、適当に孔で光散乱を起こすので変換効率も高い。
【００６１】
（実施形態７）
実施形態７は、エリアセンサを製造する形態である。本形態は、実施形態５や６と同様にＳｉウェハから、単結晶薄膜の光電変換層を形成する。そして、この光電変換層に２次元的に光センサを配置して、マトリックス配線を設ける。マトリックス配線は、例えば、図１５で表面金属電極１９を配置する代わりに列配線を設け、裏面金属電極１６を配置する代わりに行配線を設ける。本形態は、一つのＳｉウェハからいくつもの単結晶薄膜のエリアセンサを形成できるので、交換効率、寿命、製造コスト、大面積化などの点で優れている。
【００６２】
（実施形態８）
まず、一方の基板としてＳｉウェハを用意する。
【００６３】
次にＳｉウェハをイオン注入装置に設置してＳｉウェハ全面に水素イオン又は稀ガスイオンを一定の深さに到達するようイオン注入する。こうして、Ｓｉウェハ内部にマイクロバブルによる欠陥層を形成する。
【００６４】
一方、支持基板として別のＳｉウェハを用意して表面を酸化させ、上記マイクロバブルによる欠陥層を有するＳｉウェハの表面と、貼り合わせ熱処理する。
【００６５】
こうして形成された貼り合わせウェハからなる物品を図１，９，１０，１１，１３のような方法で、エキシマレーザ光を物品側面のマイクロバブルによる欠陥層付近に照射して、エキシマレーザ光を欠陥層に吸収させて欠陥層をより一層脆くして両ウェハを分離する。
【００６６】
こうして一方の基板であるＳｉウェハの欠陥層上にあった単結晶Ｓｉ層は、他方の基板の酸化シリコン膜上に転写される。
【００６７】
上述したイオン注入によるマイクロバブルの生成は、米国特許第５，３７４，５６４号明細書に詳しく記載されている。
【００６８】
以上はＳｉウェハの場合は別に挙げて説明したが、本発明は、Ｓｉ以外のＳｉＧｅ，Ｇｅ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の他の半導体にも適用可能である。
【００６９】
【発明の効果】
本発明によれば、レーザ光を基板の周囲だけでなく中心付近の多孔質層にまで基板の側面から照射し、多孔質層にレーザ光を吸収させることにより容易に、Ｓｉ基板から多くの単結晶の薄膜Ｓｉを得ることができる。また、分離に不純物の混ざることのないレーザ光を使用しているので、得られるＳｉ薄膜は良質なものになる。このため、ＳＯＩ基板自体の品質も良質になる。また、ＳＯＩ基板を製造するときは、材料を無駄なく使用できるので、低製造コストで省資源な製造方法を提供することができる。また、光電変換装置自体の品質も良質になる。さらに、光電変換装置を製造するときも、材料を無駄なく使用できるので、低製造コストで省資源な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】レーザ光を多孔質Ｓｉ層に照射する実施形態１の分離工程を表す図。
【図２】分離した後の基板を表す図。
【図３】実施形態１によって、下地にＳｉウェハを使ったＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図４】実施形態１によって、下地にＳｉウェハを使ったＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図５】実施形態１によって、下地に石英基板を使ったＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図６】実施形態１によって、下地にＳｉウェハを使ったＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図７】別のＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図８】別のＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図９】レーザ光を多孔質Ｓｉ層に照射する実施形態２の分離工程を表す図。
【図１０】レーザ光を多孔質Ｓｉ層に照射する実施形態３の分離工程を表す図。
【図１１】レーザ光を多孔質Ｓｉ層に照射する実施形態４の分離工程を表す図。
【図１２】単結晶Ｓｉ太陽電池を製造する工程を表す図。
【図１３】レーザ光を多孔質Ｓｉ層に照射する実施形態５の分離工程を表す。
【図１４】分離した後の基板を表す図。
【図１５】単結晶Ｓｉ太陽電池の斜視図（ａ）と断面図（ｂ）。
【図１６】ＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図１７】ＳＯＩ基板の製造工程を表す図。
【図１８】従来の太陽電池の製造方法を表す図。
【符号の説明】
１，５Ｓｉウェハ
２非多孔質Ｓｉ層
３多孔質Ｓｉ層
４エピタキシャルＳｉ層
６単結晶Ｓｉ層
７，８酸化Ｓｉ層
９石英基板
１０レンズ
１１光学顕微鏡
１２真空チャック
１３レーザ光
１４ガイド
１５シリンドリカルレンズ
１６裏面金属電極
１７プラスティック基板
１８光電変換層
１９金属電極
２０保護膜
２１ｐ⁺ 層
２２ｐ層
２３ｎ⁺ 層
２４配線
２７フッ酸系のエッチング液
２８正電極
２９負電極
３０保護膜
３１，３２治具
３３傷

Claims

非多孔質層上に多孔質層があり、前記多孔質層上に前記多孔質層より多孔度の小さい層がある基板を用意し、
レーザ光を前記基板の側面から前記多孔質層に沿って照射して前記多孔質層に前記レーザ光を吸収させることにより、前記多孔質層で前記基板を分離することを特徴とする薄膜の形成方法。
前記非多孔質層上の多孔質層を、Ｓｉウェハの陽極化成によって形成する請求項１に記載の薄膜の形成方法。
前記多孔度の小さい層は、前記多孔質層上にエピタキシャル成長させて形成した非多孔質のエピタキシャル層である請求項２に記載の薄膜の形成方法。
イオン注入による欠陥層を内部に有する基板を用意し、
レーザ光を前記基板の側面から前記欠陥層に沿って照射して前記欠陥層に前記レーザ光を吸収させることにより、前記欠陥層で前記基板を分離することを特徴とする薄膜の形成方法。