JP2002319686A - 集積型薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
集積型薄膜太陽電池の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性が高い集積型薄膜太陽電池を製造できる
製造方法を提供する。 【解決手段】 第１の電極膜１１を短冊状に分割する工
程と、第１の電極膜１１上に接合を含む薄膜１２を形成
する工程と、薄膜１２の一部をストライプ状に除去して
溝１２ａを形成することによって、薄膜１２を短冊状に
分割する工程と、第２の電極膜１３を形成する工程と、
第２の電極膜１３の一部をストライプ状に除去して短冊
状に分割する工程とを含む。薄膜１２は、第１の電極膜
１１と接触するように配置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ
族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体層１２ｂを含
む。そして、第３の工程において、第１の電極膜１１の
うち溝１２ａの底部に位置する表面部分を除去する。
製造方法を提供する。 【解決手段】 第１の電極膜１１を短冊状に分割する工
程と、第１の電極膜１１上に接合を含む薄膜１２を形成
する工程と、薄膜１２の一部をストライプ状に除去して
溝１２ａを形成することによって、薄膜１２を短冊状に
分割する工程と、第２の電極膜１３を形成する工程と、
第２の電極膜１３の一部をストライプ状に除去して短冊
状に分割する工程とを含む。薄膜１２は、第１の電極膜
１１と接触するように配置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ
族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体層１２ｂを含
む。そして、第３の工程において、第１の電極膜１１の
うち溝１２ａの底部に位置する表面部分を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｉｂ族元素とIII
ｂ族元素ととVIｂ族元素とを含む化合物半導体薄膜を用
いた集積型薄膜太陽電池の製造方法に関する。
ｂ族元素ととVIｂ族元素とを含む化合物半導体薄膜を用
いた集積型薄膜太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、Ｉｂ族とIIIｂとVIｂ族元素
とからなる化合物半導体薄膜（カルコパライト構造半導
体薄膜）であるＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）、これにＧａ
を固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）、ま
たはＣｕＩｎＳ2を光吸収層に用いた薄膜太陽電池モジ
ュールの構造および製造方法について報告がなされてい
る（たとえば、１３ＴＨ ＥＵＲＯＰＥＡＮ ＰＨＯＴ
ＯＶＯＬＴＡＩＣ ＳＯＬＡＲ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ
１９９５ Ｐ．１４５１−１４５５）。このようなＣ
ＩＳ薄膜太陽電池においては、基板上に複数のユニット
セルを直列接続した集積型構造が一般である。
とからなる化合物半導体薄膜（カルコパライト構造半導
体薄膜）であるＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）、これにＧａ
を固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）、ま
たはＣｕＩｎＳ2を光吸収層に用いた薄膜太陽電池モジ
ュールの構造および製造方法について報告がなされてい
る（たとえば、１３ＴＨ ＥＵＲＯＰＥＡＮ ＰＨＯＴ
ＯＶＯＬＴＡＩＣ ＳＯＬＡＲ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ
１９９５ Ｐ．１４５１−１４５５）。このようなＣ
ＩＳ薄膜太陽電池においては、基板上に複数のユニット
セルを直列接続した集積型構造が一般である。
【０００３】従来の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて、図５を参照しながら一例を説明する。
いて、図５を参照しながら一例を説明する。
【０００４】まず、図５（ａ）に示すように、絶縁性基
板１上に下部電極膜２となるＭｏ膜をスパッタリング法
によって形成した後、連続発振のレーザビームＬ１を照
射することによって、上記Ｍｏ膜等をストライプ状に除
去して短冊状の下部電極膜２を形成する。その後、図５
（ｂ）に示すように、蒸着法、スパッタリング法または
化学浴析出法によって、ｐ形ＣｕＩｎＳｅ2薄膜とｎ形
ＣｄＳ膜との積層膜からなる半導体膜３を形成する。そ
の後、図５（ｃ）に示すように、メカニカルパターニン
グ法によって、半導体膜３をストライプ上に除去する。
その後、図５（ｄ）に示すように、上部電極膜４として
透明導電膜、たとえばＺｎＯ膜やＩＴＯ膜を形成する。
そして、図５（ｅ）に示すように、メカニカルパターニ
ング法によって上部電極膜４を短冊状に分割する。この
ようにして、集積型薄膜太陽電池が形成される。図５
（ｅ）の集積型薄膜太陽電池では、各ユニットセル５の
上部電極膜４が、隣接するユニットセル５の下部電極膜
２と接続することによって、各ユニットセル５が直列接
続している。
板１上に下部電極膜２となるＭｏ膜をスパッタリング法
によって形成した後、連続発振のレーザビームＬ１を照
射することによって、上記Ｍｏ膜等をストライプ状に除
去して短冊状の下部電極膜２を形成する。その後、図５
（ｂ）に示すように、蒸着法、スパッタリング法または
化学浴析出法によって、ｐ形ＣｕＩｎＳｅ2薄膜とｎ形
ＣｄＳ膜との積層膜からなる半導体膜３を形成する。そ
の後、図５（ｃ）に示すように、メカニカルパターニン
グ法によって、半導体膜３をストライプ上に除去する。
その後、図５（ｄ）に示すように、上部電極膜４として
透明導電膜、たとえばＺｎＯ膜やＩＴＯ膜を形成する。
そして、図５（ｅ）に示すように、メカニカルパターニ
ング法によって上部電極膜４を短冊状に分割する。この
ようにして、集積型薄膜太陽電池が形成される。図５
（ｅ）の集積型薄膜太陽電池では、各ユニットセル５の
上部電極膜４が、隣接するユニットセル５の下部電極膜
２と接続することによって、各ユニットセル５が直列接
続している。
【０００５】図５（ｃ）および図５（ｅ）の工程におい
て、メカニカルパターニング法による薄膜の分割は、カ
ッターナイフやニードルのようなものを用いて薄膜の一
部を除去することによって行われる。
て、メカニカルパターニング法による薄膜の分割は、カ
ッターナイフやニードルのようなものを用いて薄膜の一
部を除去することによって行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５
（ｃ）の工程において半導体膜３のみをストライプ状に
除去する従来の製造方法には、以下の課題があった。
（ｃ）の工程において半導体膜３のみをストライプ状に
除去する従来の製造方法には、以下の課題があった。
【０００７】一般に、ｐ形半導体層であるＣｕＩｎＳｅ
2（ＣＩＳ）やＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）と
下部電極膜２であるＭｏ膜との界面には、ＭｏＳｅ2層
が存在することが知られている（たとえば、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． ３８，Ｌ７１（１９９
８））。ＭｏＳｅ2層は、ｐ形ＣＩＧＳ／Ｍｏ界面のヘ
テロ接触をショットキー型からオーミック型に改善する
と考えられている。しかし、Ｍｏに比べてＭｏＳｅ2は
高抵抗である。このため、下部電極膜２と上部電極膜４
との接続部分にＭｏＳｅ2層が存在すると、接続抵抗が
高くなって太陽電池の特性が低下してしまうという問題
がある。従来の製造方法では、鉄などによって形成され
たニードル等を用いてメカニカルパターニングを行って
いるため、下部電極膜２と上部電極膜４との界面に形成
される化合物の除去が十分ではなかった。
2（ＣＩＳ）やＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）と
下部電極膜２であるＭｏ膜との界面には、ＭｏＳｅ2層
が存在することが知られている（たとえば、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． ３８，Ｌ７１（１９９
８））。ＭｏＳｅ2層は、ｐ形ＣＩＧＳ／Ｍｏ界面のヘ
テロ接触をショットキー型からオーミック型に改善する
と考えられている。しかし、Ｍｏに比べてＭｏＳｅ2は
高抵抗である。このため、下部電極膜２と上部電極膜４
との接続部分にＭｏＳｅ2層が存在すると、接続抵抗が
高くなって太陽電池の特性が低下してしまうという問題
がある。従来の製造方法では、鉄などによって形成され
たニードル等を用いてメカニカルパターニングを行って
いるため、下部電極膜２と上部電極膜４との界面に形成
される化合物の除去が十分ではなかった。
【０００８】上記問題を解決するため、本発明は、特性
が高い集積型薄膜太陽電池を製造できる製造方法を提供
することを目的とする。
が高い集積型薄膜太陽電池を製造できる製造方法を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、直列接
続された２以上の太陽電池ユニットセルを基板上に形成
する集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、前記基板
上に第１の電極膜を形成したのち、前記第１の電極膜の
一部をストライプ状に除去して前記第１の電極膜を短冊
状に分割する第１の工程と、前記第１の電極膜上に接合
を含む薄膜を形成する第２の工程と、前記薄膜の一部を
ストライプ状に除去して溝を形成することによって、前
記薄膜を短冊状に分割する第３の工程と、前記薄膜上お
よび前記薄膜が除去されて露出している前記第１の電極
膜上に第２の電極膜を形成する第４の工程と、前記第２
の電極膜の一部をストライプ状に除去して前記第２の電
極膜を短冊状に分割する第５の工程とを含み、前記薄膜
が、前記第１の電極膜と接触するように配置された、Ｉ
ｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半
導体層を含み、前記第３の工程において、前記第１の電
極膜のうち前記溝の底部に位置する表面部分を除去する
ことを特徴とする。上記製造方法によれば、第３の工程
において、第１の電極膜と化合物半導体層との界面に形
成される抵抗率が高い化合物層を除去できるため、特性
が高い太陽電池を製造できる。
に、本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、直列接
続された２以上の太陽電池ユニットセルを基板上に形成
する集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、前記基板
上に第１の電極膜を形成したのち、前記第１の電極膜の
一部をストライプ状に除去して前記第１の電極膜を短冊
状に分割する第１の工程と、前記第１の電極膜上に接合
を含む薄膜を形成する第２の工程と、前記薄膜の一部を
ストライプ状に除去して溝を形成することによって、前
記薄膜を短冊状に分割する第３の工程と、前記薄膜上お
よび前記薄膜が除去されて露出している前記第１の電極
膜上に第２の電極膜を形成する第４の工程と、前記第２
の電極膜の一部をストライプ状に除去して前記第２の電
極膜を短冊状に分割する第５の工程とを含み、前記薄膜
が、前記第１の電極膜と接触するように配置された、Ｉ
ｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半
導体層を含み、前記第３の工程において、前記第１の電
極膜のうち前記溝の底部に位置する表面部分を除去する
ことを特徴とする。上記製造方法によれば、第３の工程
において、第１の電極膜と化合物半導体層との界面に形
成される抵抗率が高い化合物層を除去できるため、特性
が高い太陽電池を製造できる。
【００１０】上記製造方法では、前記第１の工程におい
て、モリブデンを用いて前記第１の電極膜を形成しても
よい。
て、モリブデンを用いて前記第１の電極膜を形成しても
よい。
【００１１】上記製造方法では、前記VI族元素がセレン
であり、前記第１の電極膜と前記化合物半導体層との界
面に、モリブデンとセレンとを含む化合物が形成されて
いてもよい。
であり、前記第１の電極膜と前記化合物半導体層との界
面に、モリブデンとセレンとを含む化合物が形成されて
いてもよい。
【００１２】上記製造方法では、前記第３の工程におい
て、レーザビームを用いて前記薄膜の一部と前記表面部
分とを除去してもよい。
て、レーザビームを用いて前記薄膜の一部と前記表面部
分とを除去してもよい。
【００１３】上記製造方法では、前記第３の工程におい
て、ダイヤモンド・ライク・カーボン、単結晶ダイヤモ
ンド、または多結晶ダイヤモンドで表面がコーディング
された鋼材からなる工具を用いたメカニカルパターニン
グ法によって、前記薄膜の一部と前記表面部分とを除去
してもよい。
て、ダイヤモンド・ライク・カーボン、単結晶ダイヤモ
ンド、または多結晶ダイヤモンドで表面がコーディング
された鋼材からなる工具を用いたメカニカルパターニン
グ法によって、前記薄膜の一部と前記表面部分とを除去
してもよい。
【００１４】上記製造方法では、前記第３の工程におい
て、前記第１の電極膜のうち除去される前記表面部分の
深さが０．０３μｍ〜０．２μｍの範囲内であってもよ
い。
て、前記第１の電極膜のうち除去される前記表面部分の
深さが０．０３μｍ〜０．２μｍの範囲内であってもよ
い。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００１６】本発明の製造方法は、直列接続された２以
上の太陽電池ユニットセルを基板上に形成する集積型薄
膜太陽電池の製造方法である。この製造方法では、ま
ず、図１（ａ）に示すように、基板１０上に第１の電極
膜１１を形成したのち、第１の電極膜１１の一部をスト
ライプ状に除去して溝１１ａを形成し、これによって第
１の電極膜１１を短冊状に分割する（第１の工程）。図
１（ａ）の工程後の、第１の電極膜１１の平面図を図２
に示す。図２に示すように、第１の電極膜１１は、溝１
１ａによって短冊状に分割される。
上の太陽電池ユニットセルを基板上に形成する集積型薄
膜太陽電池の製造方法である。この製造方法では、ま
ず、図１（ａ）に示すように、基板１０上に第１の電極
膜１１を形成したのち、第１の電極膜１１の一部をスト
ライプ状に除去して溝１１ａを形成し、これによって第
１の電極膜１１を短冊状に分割する（第１の工程）。図
１（ａ）の工程後の、第１の電極膜１１の平面図を図２
に示す。図２に示すように、第１の電極膜１１は、溝１
１ａによって短冊状に分割される。
【００１７】基板１０は、少なくとも第１の電極膜１１
側の表面が絶縁性の基板である。具体的には、たとえ
ば、ガラス基板やポリイミド基板、または、表面に絶縁
層を形成したステンレス基板などを用いることができ
る。第１の電極膜１１としては、モリブデン（Ｍｏ）膜
を用いることができる。第１の電極膜１１の厚さは、た
とえば、０．３μｍ〜２．０μｍの範囲内である。第１
の電極膜１１は、スパッタリング法や蒸着法によって形
成できる。溝１１ａは、連続発振のレーザビームを第１
の電極膜１１に照射することによって形成できる。照射
するレーザビームは、たとえば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
（波長：１０６４ｎｍ）、またはＮｄ：ＹＡＧレーザの
第２高調波（波長：５３２ｎｍ）である。
側の表面が絶縁性の基板である。具体的には、たとえ
ば、ガラス基板やポリイミド基板、または、表面に絶縁
層を形成したステンレス基板などを用いることができ
る。第１の電極膜１１としては、モリブデン（Ｍｏ）膜
を用いることができる。第１の電極膜１１の厚さは、た
とえば、０．３μｍ〜２．０μｍの範囲内である。第１
の電極膜１１は、スパッタリング法や蒸着法によって形
成できる。溝１１ａは、連続発振のレーザビームを第１
の電極膜１１に照射することによって形成できる。照射
するレーザビームは、たとえば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
（波長：１０６４ｎｍ）、またはＮｄ：ＹＡＧレーザの
第２高調波（波長：５３２ｎｍ）である。
【００１８】その後、図１（ｂ）に示すように、第１の
電極膜１１上に、接合を含む薄膜１２を形成する（第２
の工程）。薄膜１２は、第１の電極膜１１を覆うように
形成される。薄膜１２は、ｐｎ接合やｐｉｎ接合を含
む。薄膜１２は、第１の電極膜１１と接触するように配
置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを
含む化合物半導体層１２ｂを含む。第１の電極膜１１上
にｐ形の化合物半導体層１２ｂが形成され、その上に
は、通常、ｎ形半導体層として、II族元素とVI族元素と
を含む化合物層が形成される。II族元素とVI族元素とを
含む化合物としては、たとえば、ＣｄＳ、ＺｎＯ、Ｚｎ
（Ｏ，ＯＨ）、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）などを用いること
ができる。化合物半導体層１２ｂは、蒸着法やスパッタ
リング法によって形成できる。また、ｎ形半導体層は、
化学浴析出法やスパッタリング法によって形成できる。
なお、ｐ形の半導体層またはｎ形半導体層に隣接するよ
うに形成されたバッファ層などを含んでもよい。
電極膜１１上に、接合を含む薄膜１２を形成する（第２
の工程）。薄膜１２は、第１の電極膜１１を覆うように
形成される。薄膜１２は、ｐｎ接合やｐｉｎ接合を含
む。薄膜１２は、第１の電極膜１１と接触するように配
置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを
含む化合物半導体層１２ｂを含む。第１の電極膜１１上
にｐ形の化合物半導体層１２ｂが形成され、その上に
は、通常、ｎ形半導体層として、II族元素とVI族元素と
を含む化合物層が形成される。II族元素とVI族元素とを
含む化合物としては、たとえば、ＣｄＳ、ＺｎＯ、Ｚｎ
（Ｏ，ＯＨ）、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）などを用いること
ができる。化合物半導体層１２ｂは、蒸着法やスパッタ
リング法によって形成できる。また、ｎ形半導体層は、
化学浴析出法やスパッタリング法によって形成できる。
なお、ｐ形の半導体層またはｎ形半導体層に隣接するよ
うに形成されたバッファ層などを含んでもよい。
【００１９】化合物半導体層１２ｂは、カルコパイライ
ト構造化合物半導体からなり、Ｉｂ族元素としてＣｕを
用い、IIIｂ族元素としてＩｎおよびＧａから選ばれる
少なくとも１つの元素を用い、VIｂ族元素としてＳｅお
よびＳから選ばれる少なくとも１つの元素を用いて形成
できる。具体的には、ＣｕＩｎＳｅ2や、Ｉｎの一部を
Ｇａで置換したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2や、これらの
Ｓｅの一部をＳで置換した半導体用いることができる。
第１の電極膜１１と化合物半導体層１２ｂ（薄膜１２）
との界面には、両者を構成する元素の化合物層（図示せ
ず。以下、化合物層Ｂという場合がある。）が形成され
る。たとえば、第１の電極膜１１がモリブデンからなる
場合には、モリブデンとVIｂ族元素との化合物からなる
層（たとえば、ＭｏＳｅ2層）が形成される。
ト構造化合物半導体からなり、Ｉｂ族元素としてＣｕを
用い、IIIｂ族元素としてＩｎおよびＧａから選ばれる
少なくとも１つの元素を用い、VIｂ族元素としてＳｅお
よびＳから選ばれる少なくとも１つの元素を用いて形成
できる。具体的には、ＣｕＩｎＳｅ2や、Ｉｎの一部を
Ｇａで置換したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2や、これらの
Ｓｅの一部をＳで置換した半導体用いることができる。
第１の電極膜１１と化合物半導体層１２ｂ（薄膜１２）
との界面には、両者を構成する元素の化合物層（図示せ
ず。以下、化合物層Ｂという場合がある。）が形成され
る。たとえば、第１の電極膜１１がモリブデンからなる
場合には、モリブデンとVIｂ族元素との化合物からなる
層（たとえば、ＭｏＳｅ2層）が形成される。
【００２０】その後、図１（ｃ）に示すように、薄膜１
２の一部をストライプ状に除去して溝１２ａを形成し、
これによって薄膜１２を短冊状に分割する（第３の工
程）。溝１２ａは、溝１２ａによって第１の電極膜１１
の一部が露出するような位置に形成され、たとえば、溝
１１ａに隣接するように形成される。
２の一部をストライプ状に除去して溝１２ａを形成し、
これによって薄膜１２を短冊状に分割する（第３の工
程）。溝１２ａは、溝１２ａによって第１の電極膜１１
の一部が露出するような位置に形成され、たとえば、溝
１１ａに隣接するように形成される。
【００２１】第３の工程においては、薄膜１２の一部に
加えて、第１の電極膜１１のうち溝１２ａの底部に位置
する表面部分を除去する。すなわち、溝１２ａの下方に
位置する第１の電極膜１１の表面の一部を除去する。こ
れによって、第１の電極膜１１と薄膜１２との界面に形
成された化合物層Ｂを除去できる。第１の電極膜１１の
うち、除去される表面部分の深さ（厚さ）は、０．０３
μｍ〜０．２μｍの範囲内であることが好ましい。な
お、第１の電極膜１１の表面部分の除去は、薄膜１２の
一部の除去（溝１２ａの形成）と同時に行ってもよい
し、薄膜１２の一部を除去したのちに、別個に行っても
よい。
加えて、第１の電極膜１１のうち溝１２ａの底部に位置
する表面部分を除去する。すなわち、溝１２ａの下方に
位置する第１の電極膜１１の表面の一部を除去する。こ
れによって、第１の電極膜１１と薄膜１２との界面に形
成された化合物層Ｂを除去できる。第１の電極膜１１の
うち、除去される表面部分の深さ（厚さ）は、０．０３
μｍ〜０．２μｍの範囲内であることが好ましい。な
お、第１の電極膜１１の表面部分の除去は、薄膜１２の
一部の除去（溝１２ａの形成）と同時に行ってもよい
し、薄膜１２の一部を除去したのちに、別個に行っても
よい。
【００２２】溝１２ａは、連続発振のレーザビームを用
いたレーザパターニング法や、膜を除去するための除去
工具を用いたメカニカルパターニング法によって形成で
きる。レーザパターニング法を用いる場合には、波長が
２４０ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲内であるレーザビーム
を用いることが好ましい。メカニカルパターニング法を
用いる場合には、除去工具として、ダイヤモンド・ライ
ク・カーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）、単結晶ダイヤモンド、または多結晶ダイヤモンド
で表面がコーティングされた鋼材からなる工具を用いる
ことが好ましい。
いたレーザパターニング法や、膜を除去するための除去
工具を用いたメカニカルパターニング法によって形成で
きる。レーザパターニング法を用いる場合には、波長が
２４０ｎｍ〜１１００ｎｍの範囲内であるレーザビーム
を用いることが好ましい。メカニカルパターニング法を
用いる場合には、除去工具として、ダイヤモンド・ライ
ク・カーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）、単結晶ダイヤモンド、または多結晶ダイヤモンド
で表面がコーティングされた鋼材からなる工具を用いる
ことが好ましい。
【００２３】その後、図１（ｄ）に示すように、薄膜１
２上および薄膜１２が除去されて露出している第１の電
極膜１１上に、第２の電極膜１３を形成する（第４の工
程）。第２の電極膜１３は、溝１２ａの部分にも形成さ
れ、この溝１２ａの部分を通じて第１の電極膜１１と第
２の電極膜１３とが電気的に接続される。本発明の製造
方法では、第１の電極膜１１の表面に形成された化合物
層Ｂを第３の工程において除去するため、第１の電極膜
１１と第２の電極膜１３との接触抵抗を低減できる。第
２の電極膜１３は、透光性導電膜からなり、具体的に
は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）また
はＺｎＯや、これらの積層膜を用いることができる。第
２の電極膜１３は、スパッタリング法などによって形成
できる。
２上および薄膜１２が除去されて露出している第１の電
極膜１１上に、第２の電極膜１３を形成する（第４の工
程）。第２の電極膜１３は、溝１２ａの部分にも形成さ
れ、この溝１２ａの部分を通じて第１の電極膜１１と第
２の電極膜１３とが電気的に接続される。本発明の製造
方法では、第１の電極膜１１の表面に形成された化合物
層Ｂを第３の工程において除去するため、第１の電極膜
１１と第２の電極膜１３との接触抵抗を低減できる。第
２の電極膜１３は、透光性導電膜からなり、具体的に
は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）また
はＺｎＯや、これらの積層膜を用いることができる。第
２の電極膜１３は、スパッタリング法などによって形成
できる。
【００２４】その後、図１（ｅ）に示すように、第２の
電極膜１３の一部をストライプ状に除去することによっ
て溝１３ａを形成し、これによって第２の電極膜１３を
短冊状に分割する（第５の工程）。溝１３ａは溝１２ａ
に隣接するように形成される。なお、このとき第２の電
極膜１３の一部とともに、薄膜１２の一部もストライプ
状に除去してもよい。このようにして、直列接続された
２以上の太陽電池ユニットセル１４が基板上に集積され
集積型薄膜太陽電池を形成できる。各太陽電池ユニット
の第２の電極膜１３は、隣接する太陽電池ユニットセル
１４の第１の電極膜１１と接続されており、これによっ
て隣接する太陽電池ユニットが直接接続されている。
電極膜１３の一部をストライプ状に除去することによっ
て溝１３ａを形成し、これによって第２の電極膜１３を
短冊状に分割する（第５の工程）。溝１３ａは溝１２ａ
に隣接するように形成される。なお、このとき第２の電
極膜１３の一部とともに、薄膜１２の一部もストライプ
状に除去してもよい。このようにして、直列接続された
２以上の太陽電池ユニットセル１４が基板上に集積され
集積型薄膜太陽電池を形成できる。各太陽電池ユニット
の第２の電極膜１３は、隣接する太陽電池ユニットセル
１４の第１の電極膜１１と接続されており、これによっ
て隣接する太陽電池ユニットが直接接続されている。
【００２５】以下に、第３の工程において除去される第
１の電極膜１１の深さと、第１の電極膜１１と第２の電
極膜１３との接触抵抗との関係について、１１種類のサ
ンプルを作製して評価した結果を示す。
１の電極膜１１の深さと、第１の電極膜１１と第２の電
極膜１３との接触抵抗との関係について、１１種類のサ
ンプルを作製して評価した結果を示す。
【００２６】サンプルの作製方法について、図３を参照
しながら説明する。まず、絶縁性の基板３０上に、第１
の電極膜１１としてＭｏ膜３１（厚さ：０．８μｍ。ハ
ッチングは省略する）を形成した。次に、Ｍｏ膜３１上
に、薄膜１２として、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜とＣ
ｄＳ膜との積層膜３２（ハッチングは省略する）を形成
した。Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜は蒸着法によって形
成した。また、ＣｄＳ膜は化学浴析出法によって形成し
た。積層膜３２の厚さは、１．８μｍとした。そして、
積層膜３２にレーザビームを照射することによって、積
層膜３２の一部とＭｏ膜３１の表面側の一部とをともに
同時に除去し、溝３２ａを形成した。このとき、レーザ
ビームのパワーを１０段階に変化させることによって、
Ｍｏ膜３１のうち除去された部分の深さｂが異なる１０
種類のサンプルを作製した。各サンプルについて３枚ず
つ、合計３０枚作製した。また、比較のために、鉄製の
ニードルを用いたメカニカルパターニング法によって積
層膜３２のみを除去したサンプルも１種類（３枚）作製
した。
しながら説明する。まず、絶縁性の基板３０上に、第１
の電極膜１１としてＭｏ膜３１（厚さ：０．８μｍ。ハ
ッチングは省略する）を形成した。次に、Ｍｏ膜３１上
に、薄膜１２として、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜とＣ
ｄＳ膜との積層膜３２（ハッチングは省略する）を形成
した。Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜は蒸着法によって形
成した。また、ＣｄＳ膜は化学浴析出法によって形成し
た。積層膜３２の厚さは、１．８μｍとした。そして、
積層膜３２にレーザビームを照射することによって、積
層膜３２の一部とＭｏ膜３１の表面側の一部とをともに
同時に除去し、溝３２ａを形成した。このとき、レーザ
ビームのパワーを１０段階に変化させることによって、
Ｍｏ膜３１のうち除去された部分の深さｂが異なる１０
種類のサンプルを作製した。各サンプルについて３枚ず
つ、合計３０枚作製した。また、比較のために、鉄製の
ニードルを用いたメカニカルパターニング法によって積
層膜３２のみを除去したサンプルも１種類（３枚）作製
した。
【００２７】これらの１１種類（３３枚）のサンプルに
ついて、第２の電極膜１３としてＩＴＯ膜３３（厚さ：
約０．３μｍ）をスパッタリング法で形成した。そし
て、Ｍｏ膜３１上およびＩＴＯ膜３３上に、それぞれ、
金からなる計測用の電極３４を形成した。このようにし
て１１種類（３３枚）のサンプルを作製した。
ついて、第２の電極膜１３としてＩＴＯ膜３３（厚さ：
約０．３μｍ）をスパッタリング法で形成した。そし
て、Ｍｏ膜３１上およびＩＴＯ膜３３上に、それぞれ、
金からなる計測用の電極３４を形成した。このようにし
て１１種類（３３枚）のサンプルを作製した。
【００２８】得られたサンプルについて、各種類ごとに
３枚ずつ接触抵抗を計測し、その平均から接触抵抗率を
計算した。また、各サンプルについて、Ｍｏ膜３１のう
ち除去された表面部分の深さｂも測定した。深さｂと接
触抵抗率との関係について得られた結果を表１に示す。
３枚ずつ接触抵抗を計測し、その平均から接触抵抗率を
計算した。また、各サンプルについて、Ｍｏ膜３１のう
ち除去された表面部分の深さｂも測定した。深さｂと接
触抵抗率との関係について得られた結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１から明らかなように、Ｍｏ膜３１を除
去した深さｂが３０ｎｍ（０．０３μｍ）を越えるあた
りから、接触抵抗率が大きく改善されている。また、深
さｂが２００ｎｍ（０．２μｍ）を超えるあたりから、
接触抵抗率にはほとんど変化がなかった。一般に、Ｍｏ
膜上にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜を蒸着した場合、両
者の界面に形成されるＭｏＳｅ2層の厚さは、３０ｎｍ
〜２００ｎｍだといわれている。そのため、２００ｎｍ
以上除去しても、接触抵抗率には大きな変化がないもの
と考えられる。
去した深さｂが３０ｎｍ（０．０３μｍ）を越えるあた
りから、接触抵抗率が大きく改善されている。また、深
さｂが２００ｎｍ（０．２μｍ）を超えるあたりから、
接触抵抗率にはほとんど変化がなかった。一般に、Ｍｏ
膜上にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜を蒸着した場合、両
者の界面に形成されるＭｏＳｅ2層の厚さは、３０ｎｍ
〜２００ｎｍだといわれている。そのため、２００ｎｍ
以上除去しても、接触抵抗率には大きな変化がないもの
と考えられる。
【００３１】次に、第１の電極膜１１と第２の電極膜１
３とが接触している部分の接触距離Ｌｔについて検討す
る。図４に、第１の電極膜１１と第２の電極膜１３との
接触部分の拡大図を示す（ハッチングは省略する）。な
お、図４には、溝１３ａが溝１２ａと重なっている場合
を示す。図４に示すように、接触距離Ｌｔは、第１の電
極膜１１と第２の電極膜１３とが接触している部分の、
溝１２ａの長手方向に垂直な方向の距離である。
３とが接触している部分の接触距離Ｌｔについて検討す
る。図４に、第１の電極膜１１と第２の電極膜１３との
接触部分の拡大図を示す（ハッチングは省略する）。な
お、図４には、溝１３ａが溝１２ａと重なっている場合
を示す。図４に示すように、接触距離Ｌｔは、第１の電
極膜１１と第２の電極膜１３とが接触している部分の、
溝１２ａの長手方向に垂直な方向の距離である。
【００３２】第２の電極膜１３のシート抵抗を１０Ω／
□と仮定した場合、第１の電極膜１１と第２の電極膜１
３との接触抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ2である場合に
は、接触距離Ｌｔは３００μｍ程度であることが好まし
い。一方、接触抵抗率を０．０１Ω・ｃｍ2から０．０
０１Ω・ｃｍ2へと低減できた場合には、好ましい接触
距離Ｌｔを１００μｍ程度に低減することができる。こ
のように、第１の電極膜１１と第２の電極膜１３との接
触抵抗率を低減することによって、必要な接触距離Ｌｔ
を小さくできる。その結果、発電に寄与しない接続部の
面積を減少させることができ、特性が高い太陽電池が得
られる。また、第１の電極膜１１と第２の電極膜１３と
の接触抵抗率を下げることによって、太陽電池の直列抵
抗を低減でき、特性が高い太陽電池が得られる。
□と仮定した場合、第１の電極膜１１と第２の電極膜１
３との接触抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ2である場合に
は、接触距離Ｌｔは３００μｍ程度であることが好まし
い。一方、接触抵抗率を０．０１Ω・ｃｍ2から０．０
０１Ω・ｃｍ2へと低減できた場合には、好ましい接触
距離Ｌｔを１００μｍ程度に低減することができる。こ
のように、第１の電極膜１１と第２の電極膜１３との接
触抵抗率を低減することによって、必要な接触距離Ｌｔ
を小さくできる。その結果、発電に寄与しない接続部の
面積を減少させることができ、特性が高い太陽電池が得
られる。また、第１の電極膜１１と第２の電極膜１３と
の接触抵抗率を下げることによって、太陽電池の直列抵
抗を低減でき、特性が高い太陽電池が得られる。
【００３３】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、特性が高い集積型薄膜太陽電池を製造でき
る。
によれば、特性が高い集積型薄膜太陽電池を製造でき
る。
【図１】 本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて一例を示す工程断面図である。
いて一例を示す工程断面図である。
【図２】 図１に示した製造方法について一部の工程を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】 本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて評価に用いたサンプルを示す断面図である。
いて評価に用いたサンプルを示す断面図である。
【図４】 本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法で製
造される太陽電池について一例の一部を示す断面図であ
る。
造される太陽電池について一例の一部を示す断面図であ
る。
【図５】 従来の集積型薄膜太陽電池の製造方法につい
て一例を示す工程断面図である。
て一例を示す工程断面図である。
１０ 基板 １１ 第１の電極膜 １１ａ、１２ａ、１３ａ 溝 １２ 薄膜 １２ｂ 化合物半導体層 １３ 第２の電極膜 １４ ユニットセル ３１ Ｍｏ膜 ３２ 積層膜 ３３ ＩＴＯ膜 ３４ 電極 Ｌｔ 接触距離
フロントページの続き (72)発明者 北川 雅俊 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 室 真弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 AA10 CB27 CB28 EA16 FA04 FA06 GA03
Claims (6)
- 【請求項１】 直列接続された２以上の太陽電池ユニッ
トセルを基板上に形成する集積型薄膜太陽電池の製造方
法であって、 前記基板上に第１の電極膜を形成したのち、前記第１の
電極膜の一部をストライプ状に除去して前記第１の電極
膜を短冊状に分割する第１の工程と、 前記第１の電極膜上に接合を含む薄膜を形成する第２の
工程と、 前記薄膜の一部をストライプ状に除去して溝を形成する
ことによって、前記薄膜を短冊状に分割する第３の工程
と、 前記薄膜上および前記薄膜が除去されて露出している前
記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成する第４の工程
と、 前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去して前記
第２の電極膜を短冊状に分割する第５の工程とを含み、 前記薄膜が、前記第１の電極膜と接触するように配置さ
れた、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む
化合物半導体層を含み、 前記第３の工程において、前記第１の電極膜のうち前記
溝の底部に位置する表面部分を除去することを特徴とす
る集積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の工程において、モリブデンを
用いて前記第１の電極膜を形成する請求項１に記載の集
積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 前記VI族元素がセレンであり、前記第１
の電極膜と前記化合物半導体層との界面に、モリブデン
とセレンとを含む化合物が形成されている請求項２に記
載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 前記第３の工程において、レーザビーム
を用いて前記薄膜の一部と前記表面部分とを除去する請
求項１ないし３のいずれかに記載の集積型薄膜太陽電池
の製造方法。 - 【請求項５】 前記第３の工程において、ダイヤモンド
・ライク・カーボン、単結晶ダイヤモンド、または多結
晶ダイヤモンドで表面がコーディングされた鋼材からな
る工具を用いたメカニカルパターニング法によって、前
記薄膜の一部と前記表面部分とを除去する請求項１ない
し３のいずれかに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方
法。 - 【請求項６】 前記第３の工程において、前記第１の電
極膜のうち除去される前記表面部分の深さが０．０３μ
ｍ〜０．２μｍの範囲内である請求項１ないし５のいず
れかに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001124839A JP2002319686A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001124839A JP2002319686A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002319686A true JP2002319686A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18974158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001124839A Pending JP2002319686A (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002319686A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064693A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Showa Shell Sekiyu K.K. | 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| WO2009110093A1 (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | 昭和シェル石油株式会社 | Ｃｉｓ系太陽電池の集積構造 |
| CN101958368A (zh) * | 2009-07-14 | 2011-01-26 | 精工爱普生株式会社 | 太阳电池及其制造方法 |
| KR101072170B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR101081251B1 (ko) | 2009-10-01 | 2011-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR101091357B1 (ko) | 2009-11-03 | 2011-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| WO2012015150A1 (ko) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | 엘지이노텍주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
| WO2012086703A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| CN102576762A (zh) * | 2009-10-07 | 2012-07-11 | Lg伊诺特有限公司 | 光伏系统及其制造方法 |
| KR101196387B1 (ko) | 2011-02-10 | 2012-11-05 | 한국철강 주식회사 | 집적형 박막 광기전력 모듈 및 이의 제조방법 |
| US8329494B2 (en) | 2009-09-15 | 2012-12-11 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing solar cell |
| JP2013506991A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| JP2013508945A (ja) * | 2009-10-15 | 2013-03-07 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| CN103003955A (zh) * | 2010-06-17 | 2013-03-27 | 昭和砚壳石油株式会社 | Cis类薄膜太阳电池 |
| KR101273123B1 (ko) | 2011-01-25 | 2013-06-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR101283302B1 (ko) | 2011-04-04 | 2013-07-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| JP2014503127A (ja) * | 2011-01-24 | 2014-02-06 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽電池およびその製造方法｛ｓｏｌａｒｃｅｌｌａｎｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｍｅｔｈｏｄｏｆｔｈｅｓａｍｅ｝ |
| JP2015162632A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び電子機器 |
| US9202947B2 (en) | 2010-06-25 | 2015-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| CN105140320A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-12-09 | 厦门神科太阳能有限公司 | 一种cigs基薄膜太阳能电池及其制造方法 |
-
2001
- 2001-04-23 JP JP2001124839A patent/JP2002319686A/ja active Pending
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064693A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Showa Shell Sekiyu K.K. | 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| WO2009110093A1 (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | 昭和シェル石油株式会社 | Ｃｉｓ系太陽電池の集積構造 |
| JP5156090B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-03-06 | 昭和シェル石油株式会社 | Ｃｉｓ系太陽電池の集積構造 |
| US8575478B2 (en) | 2008-03-07 | 2013-11-05 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Integrated structure of CIS based solar cell |
| CN101958368A (zh) * | 2009-07-14 | 2011-01-26 | 精工爱普生株式会社 | 太阳电池及其制造方法 |
| US8329494B2 (en) | 2009-09-15 | 2012-12-11 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing solar cell |
| JP2013506991A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| KR101081251B1 (ko) | 2009-10-01 | 2011-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| CN102576762A (zh) * | 2009-10-07 | 2012-07-11 | Lg伊诺特有限公司 | 光伏系统及其制造方法 |
| JP2013507766A (ja) * | 2009-10-07 | 2013-03-04 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| US8822809B2 (en) | 2009-10-15 | 2014-09-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2013508945A (ja) * | 2009-10-15 | 2013-03-07 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| KR101091357B1 (ko) | 2009-11-03 | 2011-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR101072170B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| US9269841B2 (en) | 2010-06-17 | 2016-02-23 | Solar Frontier K.K. | CIS-based thin film solar cell |
| CN103003955A (zh) * | 2010-06-17 | 2013-03-27 | 昭和砚壳石油株式会社 | Cis类薄膜太阳电池 |
| US9202947B2 (en) | 2010-06-25 | 2015-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| KR101114099B1 (ko) | 2010-07-30 | 2012-02-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
| WO2012015150A1 (ko) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | 엘지이노텍주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
| US9391215B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-07-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Device for generating photovoltaic power and method for manufacturing same |
| JPWO2012086703A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2014-05-22 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| WO2012086703A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2014503127A (ja) * | 2011-01-24 | 2014-02-06 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽電池およびその製造方法｛ｓｏｌａｒｃｅｌｌａｎｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｍｅｔｈｏｄｏｆｔｈｅｓａｍｅ｝ |
| KR101273123B1 (ko) | 2011-01-25 | 2013-06-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| KR101196387B1 (ko) | 2011-02-10 | 2012-11-05 | 한국철강 주식회사 | 집적형 박막 광기전력 모듈 및 이의 제조방법 |
| KR101283302B1 (ko) | 2011-04-04 | 2013-07-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| JP2015162632A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び電子機器 |
| CN105140320A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-12-09 | 厦门神科太阳能有限公司 | 一种cigs基薄膜太阳能电池及其制造方法 |
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