JP3685964B2

JP3685964B2 - 光電変換装置

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Publication number: JP3685964B2
Application number: JP27347799A
Authority: JP
Inventors: 康行荒井; 節男中嶋
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1999-09-27
Filing date: 1999-09-27
Publication date: 2005-08-24
Anticipated expiration: 2020-08-24
Also published as: JP2000082832A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜太陽電池の集積構造およびその作製方法に関するものであり、生産性および信頼性の高い薄膜膜太陽電池を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）を用いた薄膜太陽電池は、安価なガラス基板上に大面積で設けることができ、しかも半導体層の厚さを１μｍ以下の厚さで形成できるので生産コスト、資源節約の点から有望視されている。特に、レーザースクライブ（レーザー光による切断加工）を用いた集積化方法は、生産性が高く大面積化が容易に計れるという特徴がある。
【０００３】
ここでいう薄膜太陽電池というのは、気相化学反応法、蒸着法、スパッタ法等で作製される薄膜の半導体を用いた太陽電池のことをいうものである。
ａ−Ｓｉを用いた薄膜太陽電池は、ガラス基板だけではなく、可とう性すなわち柔軟性を有したプラスチックフィルム基板等の表面にも形成が可能であることが知られている。このプラスチックフィルム基板を用いた薄膜太陽電池は、可とう性を有しており、曲面等にも設置することができ、しかも極めて軽量にすることができるので応用範囲が極めて広いという特徴を有している。
【０００４】
以下、図２を用いて従来のレーザースクライブ法を用いて集積構造を有した薄膜太陽電池を作製する際の工程を示す。
【０００５】
先ず、ガラス基板２１上に透明電極としてＳｎＯ₂やＩＴＯ等の透明導電膜２２を成膜し、レーザースクライブにより図２（Ａ）のような状態を得る。つづいて、ＰＩＮ型に光電変換層２３を形成する。この光電変換層２３としては、ａ−Ｓｉを用いたものが一般的である。そしてレーザースクライブ法を再び用いることにより図２（Ｃ）に示すように加工する。この後、裏面電極となるメタル電極２４をアルミやクロムで形成することにより図２（Ｄ）の状態を得る。もちろん２２をアルミやクロムで形成し、２４を透明導電膜として形成されているものもあるし、２２、２４の両方を透明導電膜としたシースルータイプのものもあるが基本的構成は同一である。
【０００６】
そして、最後に再びレーザースクライブ法によって加工を行い図２（Ｅ）に示すような状態を得て、集積型の薄膜太陽電池を完成する。
【０００７】
図２（Ｅ）には、２５、２６、２７で示す各光電変換ユニットが直列に接続されている様子が示されている。実際には、必要に応じてこのような集積構造が適当に選ばれる。ここでいう光電変換ユニットというのは、それ一つで薄膜太陽電池を構成する最小単位の光電変換装置をいう。そして、この光電変換ユニットを複数集積化したものを薄膜太陽電池と記載することにする。
【０００８】
一方、前述のようにガラス基板の代わりにフレキシブルな可とう性の基板であるプラスチックフィルム基板を用いてフレキシブルな薄膜太陽電池を作製する方法が知られており、このフレキシブルな薄膜太陽電池を上記のようなレーザースクライブ法によって集積化することが試みられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
集積型の薄膜太陽電池を作製する際には、以下（Ａ）（Ｂ）に示すような問題があった。
【００１０】
〔問題点（Ａ）について〕
この問題点（Ａ）は、基板の種類に関係なく、基板上に集積化される薄膜太陽電池を作製する際の問題である。
【００１１】
図２（Ｅ）に示すガラス基板を用いた従来の集積化された薄膜太陽電池を作製する際においては、図２（Ｄ）から図（Ｅ）に至最終工程において行われる裏面電極２４のみをレーザースクライブによって切断する工程で不都合が生じることが多かった。すなわち、この工程は裏面電極２４のみを切断する選択加工であるのであるが、裏面電極のみを切断しようとして最小パワーでレーザースクライブを行うと、裏面電極を上手く切断できずショートしまい、また裏面電極を確実に切断しようとしてレーザーのパワーを高くして加工部分の切断を行うと、光電変換層２３と透明電極２２をも同時に切断してしまったり、ダメージを与えたりしてしまい、集積化された薄膜太陽電池の歩留りを低下させる原因となっていた。
【００１２】
以上のように集積型の薄膜太陽電池を作製しようとする際には、裏面電極を選択的にレーザースクライブする際に問題が生じていた。
【００１３】
〔問題点（Ｂ）について〕
この問題点（Ｂ）は、プラスチックフィルム等の可とう性を有する基板上に集積化される薄膜太陽電池を作製する際に特に問題となる点である。
【００１４】
可とう性の基板であるプラスチックフィルム基板を用いて集積型の薄膜太陽電池を作製する場合も、図２に示すガラス基板を用いた場合と同様の作製方法を適用することができる。もっとも、プラスチックフィルム基板が耐えうる温度以下で作製を行わなければならないことはいうまでもない。一般に可とう性を有する基板としては、プラスチックフィルム基板に代表される工業用プラスチックや樹脂フィルム等を用いることが知られている。また、可とう性すなわち柔軟性を有するフレキシブルな材料は、耐熱性が低く、１００度以上の温度では変質してしまうものが一般的である。
【００１５】
ここでは可とう性基板としてプラスチックフィルム基板を用いた例で従来の問題点を指摘するが、これは一般的に可とう性基板を用いた場合の共通の問題点である。
【００１６】
以下、図２（Ａ）において、基板はプラスチックフィルム基板であるとする。この場合、図２（Ａ）に示すようにプラスチックフィルム基板２１上に成膜された透明導電膜２２をレーザースクライブ法によって切断しなければならないのであるが、この際、レーザー光が基板表面にも当然到達してしまう。前述のようにプラスチックフィルム基板に代表される可とう性基板は耐熱性が乏しので、瞬間的にしても１０００度以上に被照射面が加熱されるレーザー光の照射によって、図３に示すようにプラスチックフィルム基板３０の広い範囲わたって基板表面がダメージを受け変質してしまう。この図３は、図２（Ａ）のレーザースクライブされた部分を拡大して図示したものである。
【００１７】
このプラスチックフィルム基板表面のダメージの状況は、図３に示すようにレーザー光が照射された部分である所望の加工幅よりもさらに広い範囲わたって生じてしまうので、図３に示すようにそのレーザースクライブが行われた部分で、透明導電膜３１がプラスチックフィルム基板３０から剥離したり、フレークが発生するという現象が生じてしまっていた。これは、プラスチックフィルム基板の表面が変質することで、透明導電膜がプラスチックフィルム基板の表面から剥がれてしまうのが原因である。
【００１８】
このように、従来の集積化方法では、透明導電膜がこのレーザースクライブされた部分周辺において部分的に剥離したり、フレークが発生したりしてしまっていた。この剥離による凹凸は容易に数μｍに達し、またフレークも数μｍのものが発生するので、１μｍ以下の厚さしかない光電変換層２３を設けた場合、容易に裏面電極２４と透明電極（透明導電膜）２２との間でショートが発生してしまっていた。この問題は、プラスチックフィルム基板等の可とう性を有した基板を用いた場合には非常に高い割合で発生してしまい、可とう性を有しつつしかもレーザー照射に従う瞬間的な加熱に耐えうる材料がない現状においては避けがたい問題であった。
【００１９】
このようにプララスチックフィルム基板を用いた集積型の薄膜太陽電池を作製しようとする場合、従来のガラス基板を用いた集積型の薄膜太陽電池を作製する際に問題であった、上記問題点（Ａ）に加えて、上記問題点（Ｂ）が加わり、さらにレーザースクライブ法を用いた集積化工程を困難にしているという問題があった。
【００２０】
もちろん上記問題点は、それほど顕著なものではないにしても従来のガラス基板上に設けられた光電変換装置についてもいえることである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、図１に示すように、絶縁基板４１上に第１の電極である透明導電膜４２１と光電変換層４３１と第２の電極である裏面電極４６１とからなる第１の光電変換ユニット４０１と、第１の電極である透明導電膜４２２と光電変換層４３２と第２の電極である裏面電極４６２とからなる第２の光電変換ユニット４０３とを有し、開溝４０４に充填された絶縁物４４によって第１の光電変換ユニット４０１の第１の電極である透明導電膜４２１と第２の光電変換ユニット４０３の第１の電極である透明導電膜４２２とが分離され、同時に第１の光電変換ユニット４０１の光電変換層４３１と第２の光電変換ユニット４０３の光電変換層４３２とが分離され、開溝４０５に充填された裏面電極４６１を構成する導電材料によって第１の光電変換ユニットの第２の電極である裏面電極４６１と第２の光電変換ユニットの第１の電極である透明導電膜４２２とは接続され、開溝４６３によって第１の光電変換ユニット４０１の第２の電極である裏面電極４６１と第２の光電変換ユニット４０３の第２の電極である裏面電極４６２とは分離された構成をとることによって、第１の光電変換ユニットと第２の光電変換ユニットとが直列に接続されていることを特徴とする薄膜太陽電池である。
【００２２】
上記構成を要約すると、第１の光電変換ユニットの第１の電極〜光電変換層〜第２の電極〜第２の光電変換ユニットの第１の電極〜光電変換層〜第２の電極と電気的な接続がされていることになる。そして、この構成を繰り返すことにより任意の数の光電変換ユニットを直列に連結した構成を得ることができる。
【００２３】
ここで、４５は絶縁物の層であり、開溝４６３をレーザー光によって形成する際に光電変換層４３２や透明導電膜４２２にレーザー光が到達しないように作用するものである。特に、この絶縁物の層４５を設けることは、裏面電極のレーザー加工の際に、レーザー光が光電変換層４３２や透明導電膜４２２を切断することが無くなるので、歩留りを大幅に高めることができるという顕著な効果を得ることができる。
【００２４】
上記構成において、基板としては絶縁基板であれば何ら限定されるものではないのであるが、特に本発明においては特に耐熱性の低い、可とう性を有するプラスチックフィルム基板や樹脂の基板、その他工業用プラスチックを材料とする基板を用いた薄膜太陽電池を主な対象としている。もちろん一般に用いられるガラス基板であってもよいことはいうまでもない。
【００２５】
透明導電膜としてはＩＴＯ、ＳｎＯ₂等を用いることができる。また、裏面電極としてはアルミ、クロム等を用いることができる。また、光電変換層としては、ＰＩＮ型に構成されたアモルファスシリコンが一般に用いられるが、本発明の構成においては何ら限定されるものではなく、必要に応じて適当な構成を採用することができる。
【００２６】
光電変換層というのは、ＰＩＮ型やＰＩＮＰＩＮ型に構成された半導体層であり、透明導電膜と裏面電極で挟み込むことによって、光電変換装置または太陽電池となるものである。
【００２７】
光電変換ユニットというのは、一対の電極である第１の電極と第２の電極、例えば透明導電膜と裏面電極とに挟まれた光電変換層からなる最小単位の光電変換装置のことである。
【００２８】
なお、ここでは透明な基板側を光入射側として、基板から第１の電極として透明導電膜、光電変換層、第２の電極として裏面電極としたが、この形式に限定されるものではなく、基板側から第１の電極、光電変換層、第２の電極と構成されて、第１の電極または第２の電極の何れか一方または両方が透明電極となるな構成をとってもよいことはいうまでもない。
【００２９】
また、開溝の大きさも作製条件やその他の都合によって自由に設定してよいことはいうまでもない。
【００３０】
絶縁物としては、酸化珪素、有機樹脂（レジスト、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコンゴム）等適当なものを用いることができる。特に、有機樹脂を用いた場合には、スクレーン印刷法を用いることができるので作製工程が簡単になり有利である。
【００３１】
また、本発明は上記構成を得るために以下の作製工程をとるものである。図１において、その一部分を示す薄膜太陽電池を作製する方法であって、基板４１上に透明導電膜４２と光電変換層４３とを積層する工程と、レーザー光の照射によって開溝４０４と開溝４０５とを形成する工程と、開溝４０４に絶縁物４４を充填するとともに開溝４０５によって分離された光電変換層４３上に絶縁物の層４５を設ける工程と、裏面電極４６を形成するとともに開溝４０５を裏面電極４６を構成する導電材料で充填する工程と、前記絶縁物の層４５上の裏面電極４６をレーザー光によって切断することによって開溝４６３を形成する工程とによって、第１の光電変換ユニット４０１の第１の電極（透明導電膜４２１）〜光電変換層４３１〜第２の電極（裏面電極４６１）〜第２の光電変換ユニットの第１の電極（透明導電膜４２２）〜光電変換層４３２〜第２の電極（裏面電極４６２）と電気的な接続がされている集積化された薄膜太陽電池を作製する方法である。
【００３２】
上記工程において用いられるレーザー光としては、波長６００ｎｍ以下のものを用いることが好ましい、なぜならば、絶縁物の層４５として有機樹脂を用いた場合には、有機樹脂の種類によっては、６００ｎｍ以上の波長を有するレーザー光を透過してしまう場合があり、この場合には、レーザー光に対するバリアである絶縁物の層４５の作用が半減してしまうからである。しかしながら、波長６００ｎｍ以上のレーザー光も吸収してしまうような絶縁物を用いて層４５を形成すならば、必要に応じてレーザー光の波長を設定すればよい。以下実施例を用いて本発明の構成、特にその作製工程を詳細に説明する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
【００３４】
【実施例】
〔実施例１〕
図１に示す本実施例において、集積化された薄膜太陽電池は、プラスチックフィルム基板４１、透明導電膜４２、ＰＩＮ型の光電変換層４３、裏面電極４６、絶縁物であるエポキシ樹脂からなる絶縁物４４、４５からなる。
【００３５】
ここで４０１、４０３がそれぞれ光電変換装置の一つのユニットとなる。そして、第２の溝４０５を埋めた裏面電極４６の導電性材料によって光電変換ユニット４０１の裏面電極４６１と光電変換ユニット４０３の透明導電膜４２２とが電気的に接続されている。また、第１の開溝４０４によって光電変換ユニット４０１と第２の光電変換ユニット４０３の透明導電膜である４２１と４２２、並びに光電変換層４３１と４３２とはそれぞれ絶縁され、裏面電極４６はレーザースクライブによって４６１と４６２に分割され開溝４６３によって互いに絶縁されている。結果として、裏面電極４６２〜光電変換層４３２〜透明導電膜４２２（以上、光電変換ユニット４０３）〜裏面電極４６１〜光電変換層４３１〜透明導電膜４２１（以上、光電変換ユニット４０１）という経路でもって、２つの光電変換ユニットが直列に接続された集積型の薄膜太陽電池が構成される。そして、上記集積化構造を多数箇所において用いることによって、任意の数の光電変換ユニットを集積化できるものである。
【００３６】
以下、本実施例の作製工程を図４以下を用いて説明する。まず、柔軟性を有する可とう性基板であるプラスチックフィルム基板（以下単に基板と記す）４１上に透明導電膜４２としてＩＴＯをスパッタ法によって４０００Åの厚さに成膜し、図４の状態を得る。本実施例では、プラスチックフィルム基板としてポリエチレンテレフタレートを用いた。
【００３７】
ＩＴＯの成膜はＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、以下の成膜条件で行った。
アルゴン分圧６×１０^-3Ｔｏｒｒ
酸素分圧１×１０^-4Ｔｏｒｒ
ＤＣ電流１Ａ
基板温度室温
【００３８】
この後、図５に示すように光電変換層４３を形成する。この光電変換層は何ら限定されるものではないが、プラスチックフィルム基板の耐熱性を考えると１００度以下の基板温度で形成できる方法が好ましい。
【００３９】
本実施例においては、光電変換層４３として光入射側である基板側からＰ型、Ｉ型、Ｎ型の順に成膜しＰＩＮ型の光電変換層（計４５００Å厚）を作製した。作製はプラズマＣＶＤ法を用い、以下に示す条件で行った。

【００４０】
こうして図５の状態を得たら、レーザースクライブ法（レーザー光を用いた加工方法）により図６に示すごとく透明導電膜４２と光電変換層４３とからなる積層を２ヶ所において切断する。この際、レーザースクライブが行われた部分は開溝が形成され、第１の開溝４０４と第２の開溝４０５が形成される。
【００４１】
このレーザースクライブは、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を用い以下の条件で行った。
第１の開溝に対して
１．０Ｊ／ｃｍ² ×７ショット
第２の開溝に対して
１．０Ｊ／ｃｍ² ×４ショット
【００４２】
ここで、第１の開溝４０４を形成する際のレーザー光の照射のトータルのパワーが第２の開溝４０５の開溝を形成する際よりも大きいのは、図１に示すように第１の開溝４０４が光電変換ユニット４０１と４０３とを電気的に分離するために設けられるためであるのに対して、第２の開溝４０５は、裏面電極４６１と透明導電膜４２２とを電気的に接続するために設けられるものであり、透明導電膜４２を完全に切断する必要がないからである。もちろん同一条件で行うことも可能である。
【００４３】
また、本実施例においては、レーザービームを線状に光学系で成形したものを用い、１ショットで線状にレーザー加工を行ったが、スポットビームを線状に操作していって加工を行う方法でもよい。
【００４４】
また、レーザースクライブを行うためのレーザー光の種類としては、その用途に応じて、ＡｒＦエキシマレーザー、ＸｅＦエキシマレーザー、ＹＡＧレーザー（スポット加工）等を用いることができる。前述のようにレーザー光の波長としては、６００ｎｍ以下のものが好ましいが、ＹＡＧレーザー（波長１．０６μｍ）でも用いることは可能である。
【００４５】
ここで重要なのは、従来と異なり透明導電膜４２と光電変換層４３とを積層した状態でレーザースクライブを行うことによって、透明導電膜のレーザースクライブ時におけるプラスチックフィルム基板からの剥離、ささくれ、フレークの発生を大幅に抑えることができるという顕著な特徴を有する点である。
【００４６】
これは、プラスチックフィルム基板上に透明導電膜（ここではＩＴＯ）を設け、さらにＰＩＮ構成の光電変換層を積層した状態で、レーザースクライブを行い光電変換層と透明導電膜とを同時に切断した場合、プラスチックフィルム基板上の透明導電膜のみをレーザースクライブによって切断する場合に比較して、透明導電膜の剥離やささくれ、フレークの発生がはるかに減少したという実験事実に基づくものである。ここでは基板としてプラスチックフィルム基板を用いたが、他の可とう性基板においても同様な効果を得ることができる。
【００４７】
図６に示す状態を得たら、図７に示すように絶縁物であるエポキシ樹脂４４、４５をスクリーン印刷法によって２μｍ〜２０μｍの厚さに設けた。こうして、所定のパターンに形成することによって、第１の開溝４０４に絶縁物であるエポキシ樹脂４４が充填され、同時にエポキシ樹脂よりなる絶縁物の層４５が設けられる。ここで、スクリーン印刷法を用いることで絶縁物４４と絶縁物の層４５とを同時に形成すことができ、不良が発生する大きな原因の一つであるパターニング工程が簡略化されるという顕著な効果を得ることができる。さらに、本発明の構成をとるとパターニング工程が上記の絶縁物の加工のみですむので、上記のようなスクリーン印刷法を用いて、絶縁物のパターニング工程における不良の発生を抑えることは、完成品の歩留りを向上させるのに大きな効果がある。
【００４８】
また、ここでは加工がし易すいのでエポキシ樹脂を絶縁物をして用いたが、絶縁物であれば特に限定されるものではなく、酸化珪素、さらにはポリイミド、シリコンゴム等の有機樹脂、ウレタン、アクリル等を用いることができる。しかしながら、後のレーザースクライブ工程に際してレーザー光が照射されることになるので、弱いレーザー光の照射によって焼ききれたり昇華してしまわない程度に耐熱性を有していた方が好ましく、また、レーザー光を完全に透過してしまうような材料は好ましくない。
【００４９】
この様にして図７の状態を得る。また、開溝４０４、４０５さらには絶縁物４４、４５の実際の位置関係は、パターニング工程（本実施例ではスクリーン印刷法）やレーザースクライブ工程の精度によって決定されるもので、図で示される位置関係に限定されるものでないことはいうまでもない。
【００５０】
図７の状態を得た後、裏面電極４６を３０００Åの厚さに成膜する。この際、第２の溝４０５は裏面電極材料によって充填され、裏面電極４６と透明導電膜４２２とは電気的に接続されることになる。この工程は、裏面電極の形成と同時に行えるので、特別な方法で裏面電極４６と透明導電膜４２２とを電気的に接続する必要がないという作製工程上の特徴を有する。裏面電極としてはアルミを真空蒸着によって成膜したが、他に裏面電極の材料としては、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＳＵＳ等を用いることができ、また裏面電極を透明電極としてＩＴＯやＳｎＯ₂で形成してもよい。また、その形成方法も多様であるが、本実施例のように耐熱性の乏しいプラスチックフィルム基板を用いる場合には、基板に熱ダメージを与えない低温成膜方法が好ましい。
【００５１】
このようにして図８の状態を得る。そして、絶縁物の層４５上に成膜された裏面電極４６をレーザースクライブ法によって切断することによって、図１に示すような集積型の薄膜太陽電池が完成する。この時、絶縁物の層４５が遮蔽物となり光電変換層４３にはレーザー光が届かないようにすることは重要である。従来は、この透明導電膜のみを切断するレーザースクライブ工程で、下の光電変換層４３２と透明導電膜４２２をも一緒に加工してしまうことが多々あり、そうすると、この領域で合金化しショートが発生する等の問題が発生し、集積化を困難としていた。しかしながら、本実施例に示すような構成をとること、絶縁物の層４５がレーザー光によってダメージを受けることになるので、この層が実質的にバリアとなり、光電変換層４３がレーザースクライブによって切断されることがなく、しかも確実に裏面電極を切断することができ、プロセスの再現性および歩留りの向上に極めて優れた効果があった。
【００５２】
以上の工程を経ることによって、プラスチックフィルム基板上に設けられた集積型の薄膜太陽電池を完成することができた。
【００５３】
なお、本実施例においては基板としてプラスチックフィルム基板用いた例を記載したが、他の種類の可とう性基板またはガラス基板等の一般の絶縁基板を用いた場合であっても本実施例と同様にして集積型の薄膜太陽電池が作製できることはいうまでもない。
【００５４】
【発明の効果】
本発明のように、基板上に透明導電膜と光電変換層を積層した状態で、レーザースクライブを行うことによって、耐熱性のない基板を用いた場合であっても欠陥のない開溝を形成することができ、また、透明導電膜並びに光電変換層上に設けられた裏面電極をレーザースクライブによって切断する際、このレーザースクライブされる部分の裏面電極下に絶縁体の層を設けておくことで、他の部分にダメージを与えずにしかも確実に裏面電極をレーザースクライブによって切断することができ、さらにこの絶縁体の層と隣合う光電変換ユニットを絶縁分離する絶縁物を同じ材料で同時に形成することで、結果として３回のレーザースクライブと１回のパターニングのみで集積化構造を形成することができ、この工程を繰り返すことで、任意の数集積化された薄膜太陽電池を再現性良く大量生産できるという顕著な効果を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す。
【図２】従来の集積型の薄膜太陽電池の作製工程を示す。
【図３】従来のレーザースクライブ工程における基板表面の様子を示す。
【図４】本発明の実施例の作製工程を示す。
【図５】本発明の実施例の作製工程を示す。
【図６】本発明の実施例の作製工程を示す。
【図７】本発明の実施例の作製工程を示す。
【図８】本発明の実施例の作製工程を示す。
【符号の説明】
４１プラスチックフィルム基板
４２透明導電膜
４３光電変換層
４４絶縁物
４５絶縁物の層
４６裏面電極
４０１第１の光電変換ユニット
４０３第２の光電変換ユニット
４０４第１の開溝
４０５第２の開溝
４６３第３の開溝
４２１第１の光電変換ユニットの透明導電膜
４２２第２の光電変換ユニットの透明導電膜
４３１第１の光電変換ユニットの光電変換層
４３２第２の光電変換ユニットの光電変換層
４６１第１の光電変換ユニットの裏面電極
４６２第２の光電変換ユニットの裏面電極

Claims

絶縁基板上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上に接して形成された光電変換層と、
レーザースクライブによって前記光電変換層および前記第１の導電膜を貫通して予め設けられた第１の開溝および第２の開溝と、
予め設けられた前記第１の開溝を充填する第１の絶縁体と、
前記光電変換層上に接して、前記第１の絶縁体と同時に形成された第２の絶縁体と、
前記光電変換層、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体の上に接して形成され、かつ予め設けられた前記第２の開溝を充填して前記第１の導電膜に接続する第２の導電膜と、
前記第２の導電膜を貫通して前記第２の絶縁体上に設けられた、第３の開溝とを有し、
前記第２の開溝は、前記第１の開溝と前記第３の開溝との間に位置することを特徴とする光電変換装置。
請求項１において、前記第２の開溝は前記第１の開溝に平行であることを特徴とする光電変換装置。
請求項１または２において、前記絶縁基板は透光性であることを特徴とする光電変換装置。
請求項１、２または３において、前記絶縁基板は可撓性であることを特徴とする光電変換装置。
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体は、同時にかつ同一材料で形成されていることを特徴とする光電変換装置。
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体は、酸化珪素、有機樹脂、ウレタンまたはアクリルであることを特徴とする光電変換装置。