JP3393842B2 - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents
光電変換装置の作製方法Info
- Publication number
- JP3393842B2 JP3393842B2 JP2000045077A JP2000045077A JP3393842B2 JP 3393842 B2 JP3393842 B2 JP 3393842B2 JP 2000045077 A JP2000045077 A JP 2000045077A JP 2000045077 A JP2000045077 A JP 2000045077A JP 3393842 B2 JP3393842 B2 JP 3393842B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conductive film
- conversion layer
- contact
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
に関し、特に耐熱性の低い可撓性基板を利用した光電変
換装置に関するものである。
には軽量化への市場の要求が高まり、これら部品を構成
する材料も多種多様なものが使用され始めている。太陽
電池等の光電変換装置もこの例外ではなく、様々な仕様
の装置が提案されている。この中で、基板材料として可
撓性(フレキシブル)を持つ有機フィルムや金属薄板を
使った薄型で軽量のものが、他の電気製品、産業機械製
品等への応用を前提として、注目されはじめている。
料を使用した基板の光電変換装置がコスト、特性、作業
性の点から注目され、可撓性基板の光電変換装置の主流
となりつつある。可撓性基板の有機材料基板は金属薄板
基板にくらべ、加工性のよさや軽量である点など優れた
点を多数持つ。
た光電変換装置の一例として、図7にその概略の構造を
示す。可撓性基板1上に、光電変換装置が形成されてい
るが、この図では3つの光電変換素子が直列に集積化さ
れた構造を示している。各々の光電変換素子は第1の電
極71、非単結晶半導体層72および第2の電極73、
74とから構成されている。この例では光は第2の電極
側から照射される構成となっており、そのため第2の電
極は透光性の電極材料であるITO73とグリッド状の
補助電極74とで構成されている。
換素子の第1の電極71と接続されて、各々の素子が直
列に接続されている。このような光電変換装置の出力は
銅リード75から外部に取り出される。このリードは第
2の電極に半田で固定接続されている。
板の有機材料等の耐熱性を有さない基板は他の基板材料
と比較して、熱に対して十分な耐性を有していない。耐
熱性が高いと言われるポリイミドフィルムでも精々30
0〜350℃程度であった。そのため、光電変換装置を
製造する際には極力熱が加わることを避ける方式がとら
れ、実用化されている。しかしながら、光電変換装置を
作製した後、それを利用する際には必ず設けなければな
らない出力取り出し部の形成の際には、半田付けによる
接続が一般的であり、そのため、半田を解かすために、
極部的に熱を加える必要があった。
みに極度の熱がくわわり、この部分だけが熱変形を起こ
す問題があった、また、熱変形を起こさない程度の温度
で、リードと光電変換装置の電極との接続を行うと、今
度は接続部分の接着強度が十分とれず導通不良や、接着
部分の剥離が起こり、信頼性不安がある。この出力取り
出し部分の改良が望まれていた。
は、耐熱性を有さない基板上に設けられた薄膜状の光電
変換装置であって、前記光電変換装置の出力を取り出せ
る出力端は前記基板の前記光電変換装置が設けられた面
とは反対の面上に設けられており、前記光電変換装置の
電極と前記出力端とを導通する導通部を有する光電変換
装置。 (第2の発明)また、上記の光電変換装置において、前
記導通部は可撓性基板に設けられた導通孔に存在する光
電変換装置。 (第3の発明)さらにまた、上記の光電変換装置におい
て、前記導通部は可撓性基板の端面に存在する光電変換
装置。 (第4の発明)本発明は、耐熱性を有さない基板上に設
けられた薄膜状の光電変換装置であって、前記光電変換
装置の出力を取り出せる出力端は前記基板の前記光電変
換装置が設けられた面とは反対の面上に設けられてお
り、前記光電変換装置の電極と前記出力端とを導通する
導通部は前記光電変換装置の電極の一部に使用されてい
る材料と同一であることを特徴とする光電変換装置。
も、光電変換装置の出力を外部へ取り出す際に必要な、
取り出しリードを光電変換装置に設ける際に、リードの
接着とリードと光電変換装置の電極との電気的な接続と
を別々に行い、局部的な高温を印加することなく、十分
な接着強度を実現したものである。そのため、出力取り
出しの出力端を基板の光電変換装置とは反対面側に設
け、基板と出力端とを固定し、その固定された出力端と
光電変換装置の電極とを導電材料にて導通させるもので
ある。これにより、耐熱性を有さない基板に過度の熱を
加えずに、十分な接着強度を持つ出力端を設けることが
できる。以下に実施例より本発明を説明する。
された光電変換装置の一例を示す。プラスチックフィル
ム基板1、第1の電極2、PIN型の光電変換層3、第
2の電極6、7、絶縁物であるエポキシ樹脂からなる絶
縁物4、5を有している。
ぞれ光電変換装置の一つのユニット素子となる。そし
て、接続部9により、光電変換ユニット101の第2の
電極7と光電変換ユニット102の第1の電極2とが電
気的に接続されている。また、第1の開溝8によって光
電変換ユニット101と第2の光電変換ユニット102
の第1の電極並びに光電変換層とはそれぞれ絶縁され、
第2の電極6はレーザースクライブによって形成された
開溝10によって互いに絶縁されている。
出力は集積化構造とする際の第2の電極7の形成工程に
て、同時に光電変換層上に導出され、導出電極15に接
続されている。一方、光電変換ユニット103の第2の
電極の出力は第2の電極7を延長した導出電極14に接
続されている。
導出電極14、15はその下の光電変換装置構成材料な
らびに基板の両方を貫通して設けられた導通孔11の導
通部12によって、裏面に設けられた出力端13に接続
されている。この導通部12は第2の電極7の構成材料
と同一のもので設けられている。これにより、本実施例
の光電変換装置は基板1の光電変換素子とは反対面側に
設けられた出力端13よりその出力を外部へ取り出すこ
とができる。
を図2以下を用いて説明する。まず、柔軟性を有する可
とう性基板であるプラスチックフィルム基板(以下単に
基板と記す)1上に第1の電極2としてCr膜をスパッ
タ法によって2000Åの厚さに成膜する。本実施例で
は、プラスチックフィルム基板としてポリエチレンテレ
フタレートを用いた。
ッタ装置を用い、以下の成膜条件で行った。 アルゴン分圧 6×10-3Torr DC電流 1A 基板温度 加熱無し
の光電変換層3を形成する。この光電変換層は何ら限定
されるものではないが、プラスチックフィルム基板の耐
熱性を考えると100度以下の基板温度で形成できる方
法が好ましい。
て、基板側からN型、I型、P型の順に非単結晶シリコ
ン半導体を成膜しPIN型の光電変換層(計4500Å
厚)を作製した。作製はプラズマCVD法を用い、以下
に示す条件で行った。
クライブ法(レーザー光を用いた加工方法)により第1
の電極2と光電変換層3とからなる積層体の4ヶ所にお
いて第1の開溝8を形成する。このレーザースクライブ
は、KrFエキシマレーザー(波長248nm)を用い
以下の条件で行った。第1の開溝に対して 1.0 J/cm2 ×7ショット
ムを線状に光学系で成形したものを用い、1ショットで
線状にレーザー加工を行ったが、スポットビームを線状
に操作していって加工を行う方法でもよい。
ーザー光の種類としては、その用途に応じて、ArFエ
キシマレーザー、XeFエキシマレーザー、YAGレー
ザー(スポット加工)等を用いることができる。前述の
ようにレーザー光の波長としては、600nm以下のも
のが好ましいが、YAGレーザー(波長1.06μm)
でも使用は可能である。
極2と光電変換層3とを積層した状態でレーザースクラ
イブを行うことによって、第1の電極のレーザースクラ
イブ時におけるプラスチックフィルム基板からの剥離、
ささくれ、フレークの発生を大幅に抑えることができる
という顕著な特徴を有する点である。
キシ樹脂4、5をスクリーン印刷法によって2μm〜2
0μmの厚さに所定の位置に設けた。こうして、これら
を所定のパターンに形成することによって、第1の開溝
8に絶縁物であるエポキシ樹脂4が充填され、同時にエ
ポキシ樹脂よりなる絶縁物の層5が光電変換層3上に設
けられる。ここで、スクリーン印刷法を用いることで絶
縁物4と絶縁物の層5とを同時に形成すことができ、不
良が発生する大きな原因の一つであるパターニング工程
が簡略化されるという顕著な効果を得ることができる。
さらに、本発明の構成をとるとパターニング工程が上記
の絶縁物の加工のみですむので、上記のようなスクリー
ン印刷法を用いて、絶縁物のパターニング工程における
不良の発生を抑えることは、完成品の歩留りを向上させ
るのに大きな効果がある。
シ樹脂を絶縁物をして用いたが、絶縁物であれば特に限
定されるものではなく、酸化珪素、さらにはポリイミ
ド、シリコンゴム等の有機樹脂、ウレタン、アクリル等
を用いることができる。しかしながら、後のレーザース
クライブ工程に際してレーザー光が照射されることにな
るので、弱いレーザー光の照射によって焼ききれたり昇
華してしまわない程度に耐熱性を有していた方が好まし
く、また、レーザー光を完全に透過してしまうような材
料は好ましくない。
溝8さらには絶縁物4、5の実際の位置は、パターニン
グ工程(本実施例ではスクリーン印刷法)やレーザース
クライブ工程の精度によって決定されるもので、図で示
される距離関係に限定されるものでないことはいうまで
もない。
00Åの厚さに成膜する。第2の電極に使用する材料と
しては本実施例ではITO膜を真空蒸着によって成膜し
たが、他に透光性を有するものであれば、その他の材料
例えば、SnO2 やZnO等で形成してもよい。また、
その形成方法も多様であるが、本実施例のように耐熱性
の乏しいプラスチックフィルム基板を用いる場合には、
基板に熱ダメージを与えない低温成膜方法が好ましい。
電極6をレーザースクライブ法によって開溝10を形成
して切断することによって、図4の状態を得る。この
時、絶縁物の層5が遮蔽物となり光電変換層3にはレー
ザー光が届かないようにすることは重要である。従来
は、この透明導電膜のみを切断するレーザースクライブ
工程で、下の光電変換層3と第1の電極2をも一緒に加
工してしまうことが多々あり、そうすると、この領域で
合金化しショートが発生する等の問題が発生し、集積化
を困難としていた。しかしながら、本実施例に示すよう
な構成をとること、絶縁物の層5がレーザー光によって
ダメージを受けとめることになるので、この層が実質的
にバリアとなり、光電変換層3がレーザースクライブに
よって切断されることがなく、しかも確実に裏面電極を
切断することができ、プロセスの再現性および歩留りの
向上に極めて優れた効果があった。
電極6、光電変換層3、第1の電極2および基板1を貫
通する導通孔11をレーザー光により形成する。この導
通孔11は基板まで貫通するため、基板を保持できる程
度には基板をのこす必要があり、本実施例ではこの導通
孔の合計面積が周辺の導通をとる領域の30%程度とな
るようにYAGレーザーを使用して、複数箇所形成し
た。
の基板面に銅薄板13をエポキシ系の接着剤を使用し
て、導通孔以外の部分を固着した。この後、第2の電極
の一部として、グリッド状の補助電極7を第2の電極6
上に設ける。この補助電極7は受光面では櫛状に形成さ
れ、となりの素子との接続部付近では棒状にほぼ全面に
形成されている。
変換素子周辺の導通孔11付近にまで形成し、導出電極
部14、15を設ける。この補助電極7は銀ペーストを
使用し、所定のパターンでスクリーン印刷法によって、
形成される。これによって、導通部12を設け、図5の
状態を得る。この補助電極7を100℃50分の熱処理
を施し、焼成して、補助電極7の完成と導通部12の形
成とを行ない、光電変換装置の出力を基板の裏面に設け
られた出力端13より取り出せるようにする。
極6、7を隣の光電変換素子ユニットの第1の電極と接
続を行なう。この接続にはレーザー光を使用し、第2の
電極6、7側からYAGレーザー光を照射し、この第2
の電極成分を溶融、拡散させてゆき、半導体層3を貫通
して、第1の電極と接続するものであります。この接続
のために照射するレーザー光の照射条件は1.06μm
の波長のYAGレーザー光を使用し、レーザーのQスイ
ッチの発振周波数2KHz、0.2Wのエネルギーで、
導通を取る部分を10mm/秒のスキャンスピードでス
キャンしてゆくことて、第2の電極6、7と第1の電極
2との接続部9を形成する。以上のような、作製工程に
て、本実施例の光電変換装置を完成することができた。
装置の出力端13は基板と直接に強力な接着剤で固定す
ることができ、十分な接着力を持っている。さらに、電
極との接続はAgペーストにより、十分良好な接続を実
現でき、極部的な加熱を行なうことが無く、光電変換装
置の出力端を形成することができた。また、このように
出力端が基板の裏面側に設けることができたので、この
出力を外部に供給する際に光電変換装置の面積で行なう
ことができ、取り出しのための周辺の面積を減らすこと
ができた。
の構造として、図1(B)のような構造とした。この構
造では、第2の電極7と基板裏面にある出力端13との
接続ための導通部12が基板の端面に設けられている例
である。その他の作製工程は、実施例1と同様に作製す
ることができるが、基板を貫通するためレーザー工程が
不要となっている。
るために、出力端13は基板からはみでるように基板裏
面に接着されている。このようにすると、実施例1と同
様な効果を得られながら、より工程数を少なくすること
ができる。また、実施例1のように導通部12が限られ
た大きさではないので、より、接続のための信頼性およ
び製造歩留りを高くすることができる利点がある。
の構造として、図1(C)のような構造とした。この構
造では、第2の電極7と基板裏面にある出力端13との
接続ための導通部12が基板の端面に設けられている例
である。実施例2とは異なり、導通部12が第2の電極
7を構成する材料ではなく、基板裏面に設けられた出力
端13を構成する材料で構成されてており、基板を挟む
ような形状の金属性のクランプとなっている。その他の
作製工程は、実施例1と同様に作製することができる
が、基板を貫通するためレーザー工程が不要となってい
る。
性のクランプは光電変換装置の断面に対してコの字型に
嵌め込むように設けられ、より強力に固定される。当然
ながら、必要により、基板との接着剤を設けてもよい。
また、基板を挟むだけでは、第2の電極6との十分な導
通を確保できないので、第2の電極7(補助電極)をこ
のクランプ上にまで延長し、第2の電極6、7との接続
を確保することで、十分な接続を実現できた。
力の取り出しを基板裏面のみではなく、基板の端面も利
用でき、このような光電変換装置を補助電源とするよう
な製品に組み込む際に優位であった。
を持つ光電変換装置を例にして、説明をおこなったが,
特にこの集積化構造に限定されることはなく、その他の
構造のものでも、本発明を適用できることはいうまでも
ない。
良好な接着強度と十分な導通性を持つ出力端を耐熱性の
ない可撓性基板上に設けることができた。これにより、
基板のそり、歪みの発生しない光電変換装置を実現でき
た。
す。
す。
す。
す。
す。
7・・第2の電極 11・・導通孔 12・・導通部 13・・出力端
Claims (23)
- 【請求項1】樹脂材料でなる基板の表面側に、第1の電
極上に接する光電変換層と、前記光電変換層上に接する
第2の電極とを有する光電変換素子を集積した光電変換
装置の作製方法であって、 前記基板の表面に、前記第1の電極、前記光電変換層、
前記第2の電極の順で積層された積層物を複数形成し、 前記基板の裏面であって、表面側に前記積層物が設けら
れている個所に出力端を形成し、 少なくとも一つの前記積層物上に、当該積層物の第2の
電極に接し、隣接する積層物の光電変換層と第1の電極
および前記基板を貫通して、前記出力端に接する第3の
電極を形成し、 他の前記積層物上にそれぞれ、当該積層物の第2の電極
に接し、隣接する積層物の光電変換層を貫通して、第1
の電極に接する第4の電極を形成することを特徴とする
光電変換装置の作製方法。 - 【請求項2】樹脂材料でなる基板の表面側に、第1の電
極上に接する光電変換層と、前記光電変換層上に接する
第2の電極とを有する光電変換素子を集積した光電変換
装置の作製方法であって、 前記基板の表面に、互いに電気的に分離された前記第1
の電極と前記光電変換層でなる積層物を複数形成し、 隣り合う二つの光電変換層の表面に接するように、前記
積層物上にそれぞれ前記第2の電極を複数形成し、 前記基板の裏面であって、表面側に前記積層物が設けら
れている個所に出力端を形成し、 少なくとも一つの前記第2の電極上に、当該第2の電極
に接し、当該第2の電極が接する一方の積層物および前
記基板を貫通して、前記出力端に接する第3の電極を形
成し、 他の前記第2の電極上に、当該2の電極に接する一方の
積層物の光電変換層を貫通して前記第1の電極に接する
第4の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の
作製方法。 - 【請求項3】前記第2の電極を透明導電膜で形成するこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2の光電変換装置の
作製方法。 - 【請求項4】請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記光電変換層はシリコンでなる半導体層であることを
特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項5】請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記第1の電極を金属でなる膜で形成することを特徴と
する光電変換装置の作製方法。 - 【請求項6】請求項1乃至5のいずれか1項において、
前記第3の電極および第4の電極を導電ペーストで形成
することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項7】樹脂材料でなる基板に、第1の導電膜、光
電変換層及び第2の導電膜を有する光電変換素子を集積
した光電変換装置の作製方法であって、 前記基板の表面に前記第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、 前記光電変換層及び前記第1の導電膜をそれぞれ複数に
分割し、 前記光電変換層上に接して前記第2の導電膜を形成し、 前記第2の導電膜を複数に分割し、 前記基板の裏面側であって、表面側に前記第1の導電
膜、前記光電変換層及び前記第2の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、 分割された前記第2の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、 前記導電体の少なくとも一つに、前記光電変換層、前記
第1の導電膜及び前記基板を貫通して、前記出力端に接
する部分を形成し、 他の前記導電体に、前記光電変換層を貫通して、分割さ
れた前記第1の導電膜の一つに接する部分を形成するこ
とを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項8】樹脂材料でなる基板に、第1の導電膜、光
電変換層及び第2の導電膜を有する光電変換素子を集積
した光電変換装置の作製方法であって、 前記基板の表面に前記第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、 前記光電変換層及び前記第1の導電膜をそれぞれ複数に
分割し、 前記光電変換層上に接して前記第2の導電膜を形成し、 前記第2の導電膜を複数に分割し、分割された前記第2
の導電膜のそれぞれが、隣り合う二つの分割された光電
変換層に接するように形成し、 前記基板の裏面側であって、表面側に前記第1の導電
膜、前記光電変換層及び前記第2の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、 分割された前記第2の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、 前記導電体の少なくとも一つに、前記第2の導電膜、分
割された前記光電変換層の一方、前記第1の導電膜及び
前記基板を貫通して、前記出力端に接する部分を形成
し、 他の前記導電体に、前記第2の導電膜、分割された前記
光電変換層の一方を貫通して、分割された前記第1の導
電膜の一つに接する部分を形成することを特徴とする光
電変換装置の作製方法。 - 【請求項9】樹脂材料でなる基板の表面側に、第1の導
電膜、光電変換層及び第2の導電膜を有する光電変換素
子を集積し、前記基板の裏面側に、前記光電変換素子の
出力を取り出す出力端を設けた光電変換装置の作製方法
であって、 前記基板の表面に前記第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、 前記光電変換層及び前記第1の導電膜それぞれを複数に
分割し、 前記光電変換層上に接して前記第2の導電膜を形成し、 前記第2の導電膜を複数に分割し、 前記第2の導電膜、前記光電変換層、前記第1の導電膜
及び前記基板を貫通する孔を少なくとも一つ形成し、 分割された前記第2の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、 前記基板において、前記孔は前記出力端が形成される部
分を貫通しており、 前記孔を通って、前記出力端に接するように、前記孔が
形成されていない第2の導電膜に接する導電体を形成す
ることを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項10】樹脂材料でなる基板に、第1の導電膜、
光電変換層及び第2の導電膜を有する光電変換素子を集
積した光電変換装置の作製方法であって、 前記基板の表面に前記第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、 前記光電変換層及び前記第1の導電膜を貫通する複数の
第1の溝を形成して、それぞれ複数に分割し、 前記第1の溝に絶縁物を充填し、 前記光電変換層及び前記絶縁物上に接して前記第2の導
電膜を形成し、 前記第2の導電膜を複数に分割し、 前記第2の導電膜を貫通する複数の第2の溝を形成し
て、前記第2の導電膜を複数に分割し、 前記基板の裏面側であって、表面側に前記第1の導電
膜、前記光電変換層及び前記第2の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、 分割された前記第2の導電膜上に接して、それぞれ導電
体を形成することを含んでおり、 前記導電体の少なくとも一つに、前記光電変換層、前記
第1の導電膜及び前記基板を貫通して、前記出力端に接
する部分を形成し、 他の前記導電体に、前記光電変換層を貫通して、分割さ
れた前記第1の導電膜の一つに接する部分を形成するこ
とを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項11】樹脂材料でなる基板の表面側に、第1の
導電膜、光電変換層及び第2の導電膜を有する光電変換
素子を集積し、前記基板の裏面側に、前記光電変換素子
の出力を取り出す出力端を設けた光電変換装置の作製方
法であって、 前記基板の表面に前記第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、 前記光電変換層及び前記第1の導電膜をそれぞれ貫通す
る複数の第1の溝を形成し、 前記第1の溝に絶縁物を充填し、 前記光電変換層及び前記絶縁物上に接して前記第2の導
電膜を形成し、 前記第2の導電膜を貫通する複数の第2の溝を形成し、 前記第2の導電膜、前記光電変換層、前記第1の導電膜
及び前記基板を貫通する孔を少なくとも一つ形成し、 前記基板の裏面側であって、表面側に前記第1の導電
膜、前記光電変換層及び前記第2の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、 分割された前記第2の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、 前記基板において、前記孔は前記出力端が形成される部
分を貫通しており、 前記孔を通って、前記出力端に接するように、前記孔が
形成された第2の導電膜に接する導電体を形成し、 前記光電変換層を貫通して、前記第1の導電膜に接する
ように、前記孔が形成されていない第2の導電膜に接す
る導電体を形成することを特徴とする光電変換装置の作
製方法。 - 【請求項12】前記絶縁物を印刷法で形成することを特
徴とする請求項10又は11の光電変換装置の作製方
法。 - 【請求項13】樹脂材料でなる基板に、第1の導電膜、
光電変換層及び第2の導電膜を有する光電変換素子を集
積した光電変換装置の作製方法であって、 前記基板の表面側に前記第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、 前記光電変換層及び前記第1の導電膜を貫通する複数の
第1の溝を複数形成し、前記第1の溝に絶縁物を充填
し、 前記光電変換層上に接し、前記絶縁物上に近接して前記
第2の絶縁物を複数形成し、 前記光電変換層、前記第1の絶縁物及び前記第2の絶縁
物上に接して前記第2の導電膜を形成し、 前記第2の導電膜の前記第2の絶縁物上の部分を選択的
に除去することで、第2の溝を複数形成して前記第2の
導電膜を複数に分割し、 前記第2の導電膜、前記光電変換層、前記第1の導電膜
及び前記基板を貫通する少なくとも一つ形成し、 前記孔が設けられた個所に基板の裏面側に出力端を形成
し、 分割された前記第2の導電膜上に接して導電体をそれぞ
れ形成し、この際、前記孔が形成された第2の導電膜に
接する導電体は前記孔を通って前記出力端に接するよう
に形成し、 前記孔が形成されていない第2の導電膜に接する導電体
において、前記第1の絶縁物と前記第2の絶縁物の間を
部分的に加熱して溶融させることにより、前記第2の導
電膜及び前記光電変換層を貫通して、前記第1の導電膜
に接する部分を形成することを特徴とする光電変換装置
の作製方法。 - 【請求項14】前記第1の絶縁物及び前記第2の絶縁物
を印刷法で同時に形成することを特徴とする請求項13
の光電変換装置の作製方法。 - 【請求項15】請求項13又は請求項14において、レ
ーザー光を照射することにより、前記孔が形成されてい
ない第2の導電膜に接する導電体を部分的に加熱して溶
融し、前記第2の導電膜及び前記光電変換層を貫通し
て、前記第1の導電膜に接する部分を形成することを特
徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項16】請求項10乃至15のいずれか一項にお
いて、レーザースクライブによって、前記第1の溝を形
成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項17】請求項10乃至16のいずれか一項にお
いて、レーザースクライブによって、前記第2の溝を形
成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項18】請求項7乃至17のいずれか一項におい
て、導電性ペーストを用いて、前記導電体を形成するこ
とを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項19】請求項7乃至18のいずれか一項におい
て、前記第2の導電膜として透明導電膜を形成すること
を特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項20】請求項7乃至19のいずれか一項におい
て、前記光電変換層としてシリコンでなる半導体膜を形
成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項21】請求項7乃至19のいずれか一項におい
て、前記光電変換層にPIN接合を形成することを特徴
とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項22】請求項7乃至21のいずれか一項におい
て、前記第1の導電膜として、金属でなる膜を形成する
ことを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項23】請求項1乃至22のいずれか一項におい
て、前記基板はプラスチックフィルム基板であることを
特徴とする光電変換装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000045077A JP3393842B2 (ja) | 1992-09-11 | 2000-02-17 | 光電変換装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4269697A JPH0697474A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光電変換装置 |
JP2000045077A JP3393842B2 (ja) | 1992-09-11 | 2000-02-17 | 光電変換装置の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4269697A Division JPH0697474A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000196117A JP2000196117A (ja) | 2000-07-14 |
JP3393842B2 true JP3393842B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=26548883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000045077A Expired - Lifetime JP3393842B2 (ja) | 1992-09-11 | 2000-02-17 | 光電変換装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3393842B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4481135B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
EP1523043B1 (en) | 2003-10-06 | 2011-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor and method for manufacturing the same |
US7492028B2 (en) | 2005-02-18 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device |
JP4532418B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ及びその作製方法 |
US8207589B2 (en) * | 2007-02-15 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device, and method for manufacturing photoelectric conversion device |
JP6368921B2 (ja) * | 2013-10-01 | 2018-08-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
TWI656631B (zh) * | 2014-03-28 | 2019-04-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 攝像裝置 |
KR101647976B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2016-08-17 | 충남대학교산학협력단 | 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법 |
-
2000
- 2000-02-17 JP JP2000045077A patent/JP3393842B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000196117A (ja) | 2000-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3035565B2 (ja) | 薄膜太陽電池の作製方法 | |
US10930804B2 (en) | Metallization of solar cells using metal foils | |
EP1039554B1 (en) | Method of manufacturing thin film solar cell-modules | |
US5580509A (en) | Method for electrically contacting thin-film solar modules | |
WO2004064167A1 (ja) | 透光性薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
JPH06342924A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
JP3613851B2 (ja) | 集積化薄膜太陽電池 | |
JP3393842B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
JPH0851229A (ja) | 集積型太陽電池およびその製造方法 | |
JPH0419713B2 (ja) | ||
JPH0476227B2 (ja) | ||
JPH0697474A (ja) | 光電変換装置 | |
JPH0566754B2 (ja) | ||
JP3170914B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
JP3685964B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JPS6059784A (ja) | 光電変換半導体装置の作製方法 | |
JP2585503B2 (ja) | レ−ザ加工方法 | |
JPH0243776A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP3209702B2 (ja) | 光起電力装置製造方法 | |
JPH0758351A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JPH06350115A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
JP2001111079A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JPS60123072A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
JPH0415631B2 (ja) | ||
JPH0566755B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030117 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080131 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090131 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090131 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110131 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110131 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120131 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120131 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130131 Year of fee payment: 10 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130131 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130131 Year of fee payment: 10 |