JPS6095979A - 光電変換半導体装置作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光電変換素子またはセル（以下単にセルと
いう）を絶縁表面を有する可曲性の透光性有機樹脂基板
上にレーザスクライブ方法を用いて複合化するに関し、
装置全体としての低価格化を成就した光電変換装置の作
製方法に関する。

この発明は、有機樹脂薄膜とこの上面の透光性導電Ｉｌ
ｌ　（ＣＴＦという）とがレーザスクライブ（以下ＬＳ
という）を実施するのに際し、ＣＴＰをスクライブしつ
つも有機樹脂薄膜にまったく損傷を与えることのない条
件が実験的に存在することを見いだし、この事実を利用
して半導体装置特に光電変換装置を作製せんとしたもの
である。

このため、本発明においては、活性領域に設けられたセ
ルにおける透光性有機樹脂薄膜（以下ＯＦという）の基
板上に、第１の電極と、この電極上に光照射により光起
電力を発生する非単結晶半導体と、該半導体上の第２の
電極とよりなる複数の素子を直列接続して配設するに関
し、隣合った素子間の電気的連結を活性領域の内部にコ
ンタクトを設けて成就したことを特長とする。

光電変換装置の安価、多量生産のための基板として可曲
性の有機薄膜の使用がめられてきた。

本発明はこのｏｐ側よりの光照射を可能とする透光性の
ＯＦと、その上の酸化インジュームまたは酸化スズを主
成分とする導電性酸化膜よりなるＣＴＦに対して、レー
ザ光を照射した時、このＯＦを損傷せずにＣＴＦを選択
的に除去することができる条件を実験的に検討したとこ
ろ、そのレーザ光を１つの場所に長時間（数十ｍ秒以上
）照射することなく、また走査（スキャン）スピードを
適切化することにより、ＣＴＦのみを除去することが可
能であることを見いだした。

即ち、レーザ光の照射によりＯＦは熱伝導率が小さい（
一般には１〜７　ＸＩ（１’ｃａｌ　／ｓｅｃ　／ｃ４
／”ｃ／ｃｍ）ため、同じ位置に繰り返しレーザパルス
を加えると、この有機樹脂内に熱が蓄積され、この熱で
樹脂が炭化され切断されてしまう。しかしその繰り返し
を１回または数回とすると、このＯＦの熱伝導率がＣＴ
Ｆの１　／１０”であるため、逆にＣＴＦ　’のみを選
択的にレーザ光の照射された場所のみ除去することがで
きることを見いだした。

従来、非単結晶半導体即ちアモルファスシリコンを含む
非単結晶シリコンを主成分としたＰＩＮ接合により、光
起電力を光照射により発生させんとしていた。しかしか
かる接合を有する半導体の上下の電極は直列接続をする
ため、１つのセルの下側電極と隣のセルの上側電極とを
電気的に連結を活性領域の「外側」でさせなければなら
ず、かつ各セル間は互いに電気的にアイソレイトされて
いることを必要な条件としていた。

第１図は従来構造の代表的な例を示している。

第１図（Ａ）は光電変換装置（１）を透光性のガラス基
板（２）を下側にした背面より見た平面図である。

図面において、光照射により光起電力を発生する活性領
域（１４）と、各セル（１１）、＜　１３　）を連結す
る連結部（１２）を有する非活性領域（１５）とを有す
る。第１図（Ａ）のｐ、−Ａｌ’、　Ｂ−Ｂ’の縦断面
図を対応させて（Ｂ　）、（Ｃ）に示していることより
明らかなごとく、活性領域において各セル（１１）、（
１３）はガラス基板（２）上の第１の電極の透光性導電
ＭＷ　（ＣＴＦ　）の（３）は各セル間で互いに分離さ
れている。また半導体（４）は各セル間にて互いに連結
されている。また非活性領域において、セル（１３）の
上側電極は、セル（１１）の下側電極と連結部（６匁（
７）でのコンタクト（１８）で連結し、これを繰り返し
５つのセルを外部電極（８）、（９）間にて直列接続を
させている。

しかしこの従来構造は一見半導体（４）が１枚であるた
め製造歩留りが高いように見える。しかし実際には３種
類（第１の導電膜のバターニング用の第１のマスク、非
活性領域形成のための第２のマスク、第２の導電膜のバ
ターニング用の第３のマスク）のマスクを用いるが、そ
のマスクにおいて第１のマスクと第３のマスクとがセル
ファライン方式でないため、マスクずれを起こしゃすい
。

このずれ（即ち金属マスクにおいては０．３〜ＩＩＩＩ
Ｉ１１のずれはごく当然である）により、セルの有効面
積が１０〜２０％も実質的に減少してしまうことが判明
した。

さらにマスクを用いるため、第１図（Ｂ）の活性領域で
の電極間の開溝であるアイソレイション領域（２２）は
、０．２〜１ａ＋ｍ例えば０．５　ｍｍを有するため、
セル中をＩＯ＋ｎｍとする時、２ＩＩＩＩＷずれるとす
るとセル中（１１）は８ｍｍとなり、アイソレイション
巾（２２）は２．５ａ＋ｍとなってしまい、２０％近く
も有効面積が減少してしまう。またセルの外枠（１０）
の占める面積も５〜７％もある。

このため上下の電極の組合せをセルフレジストレイジョ
ン化することがその効率の向上のために強くめられてい
た。

また第１図の従来例においては、基板に非活性領域（１
５）が設けられ、この非活性領域は基板全体における２
０〜３０％も占めてしまう、このためプロセス上の効率
が低くなり、ひいては製造コストの低下を図ることがで
きない。

このため非活性領域が存在しない光電変換装置を作るこ
とがきわめて重要であった。

さらに基板がガラス基板であるため、機械ストレスによ
り破損しやすい、このため基板として透光性の可曲性の
ｏｐが低価格化、耐機械破損防止のためめられていた。

本発明はかかる目的を成就するためになされたものであ
る。即ち本発明においては、光照射面側からは複数の第
１の電極の分離用の開溝（巾５〜７０μ）が見られるの
みである。さらに第１図（Ａ）における領域（１５）の
ごとき非活性領域がまったく存在せず、連結部が即ち各
セルのアイソレイション領域を構成せしめている。加え
てＬＳを用いるマスクレスプロセスであるため、第１の
開溝をテレビモニターで積層して、その開溝を基準とし
て所定の位置に光学的にパターニングを行ういわゆるコ
ンピュータ・エイデツド・セルフレジストレイジョン方
式を採用することが可能になった。

また第１のセルの第１の電極と、第２のセルの第２の電
極との連結部のコンタクトは、基板の平導体「内部」　
（この第２図では中央部）に設け、従来例とそのコンタ
クトの位置がまったく異なる。

さらにこの内部コンタクトにより、透光性導電膜の光電
変換装置に与える直列抵抗を小さくできる。この結果、
連結部をセルの外側に設けなかったことにより、著しく
その有効面積の効率の向上を図ることができた。

さらにこのコンタクトが隣合うセル間の半導体をすべて
切断する構造で開溝を作るのではなく、その開溝（２０
〜９０ｐφ）を１つまたは複数個不連続に設けることに
より、この開溝の存在が透光牲ＯＦ面側より実質的に肉
眼で見い出し得ず、商品的にスクライブラインが目障り
にならないようにできたという他の特長を有する。

またコンタクトが開孔であるため、その孔の側周辺のす
べての側面が第１の電極と第２の電極との連結部のコン
タクトを構成させることができ、この部分での接触抵抗
を１Ω以下に下げることができた。

本発明はかかる多くの特長を有するものであって、以下
に図面に従ってその詳細を記す。

第２図は本発明の光電変換装置の製造工程および装置を
示すものである。

図面において、絶縁表面を有する透光性有機樹脂ｉ膜基
板例えば住人ベークライト社製スミライト（連続使用温
度１５０〜３００℃、光線透光率　８０〜９２％（厚さ
１００μ）、熱伝導率　３〜７　Ｘ　１０　）Ｃａｌ／
　ｓｅｃ　／　ｄ　／　℃／　ｃ＋ｎ）を透光性基板（
２）（例えば厚さ１００μ、長さく図面では左右方向）
　６０ｃｍ、中２０ｃｍ）として用いた。さらにこの上
面に全面にわたって透光性導電膜例えばＩＴＯ（約１５
００人）　＋ＳｎＯ□（２００〜４００人）またはハロ
ゲン元素が添加された酸化スズを主成分とする透光性導
電膜（１５００〜２０００人）を真空蒸着法、プラズマ
ＣｖＤ法またはスプレー法により形成させた。ＯＦとし
て例えば住人ベークライト社製スミライトＦＳ−１３０
０を用いた。

このＯＦは連続使用温度温度１８０℃、熱伝導率４．３
Ｘ１０’４Ｃａｌ　／ｓｅｃ　／ｃ＋Ｊ／’ｃ／ａｍ、
光線透光率８６．３％（１００μの厚さとする）、表面
抵抗率５．４　Ｘｌ０Ｉ４Ω、体積抵抗率１．７　Ｘ１
０１６Ωｃ＋ｗをその代表例として有する。

このＯＦ上にスパッタ法にてＩＴＯを７００　人の厚さ
に形成させた。するとそのシート抵抗は２００Ω／口を
有していた。

この図面は４つのセルを直列接続せしめた場合である。

即ち本発明の光電変換装置は、活性領域（１４）を同一
基板に１００〜２０００ケ同時に有するより大きい２０
ｃｍ　Ｘ　６０ｃ＋＋＋の基体を用いた。

各セルでは、第１の導電膜を基体全面に形成した。さら
にこの導電膜を所定の形状にレーザ（ここでは１．０６
μまたは０．５３μの波長のＹＡＧ　レーザ）スクライ
ブをマイクロコンピュータにより記憶され制御されたパ
ターンに従って行って第１の開溝（１６）を形成した。

さらにセルの外側でのリークを除去するため、分離用開
溝（２６）、（２６’）を形成させた。そしてセル領域
（１１）、（１３）および外部接続用電極部（８）、（
９）を形成させた。

即ち、ここにＹＡＧレーザ（発光波長１．０６μ、焦点
距離５０１Ｉｌ１１１、光径５０μ）を照射した。その
条（牛として、繰り返し同時に６ＫＨ２，平均出力１．
３Ｗ、スキャンスピード（走査速度、以下ｓｓとむ）う
）　６０ｃｍ／分とした。

スクライビングにより形成された開溝（１６）　＆よ巾
約７０μ、長さ２０ｃｍ　（図面では１　ｃｍ）、深さ
番よＯＦのそれぞれの第１の電極を完全に切断分離した
。

第１の素子（１１）および第２の素子（１３）を半鼻成
する巾は１０ｍｍとした。

この時電子顕微鏡にて調べた範囲で番よ、ＯＦ裏表面は
何等の損傷もまた部分的な劣化も見られな力１った。こ
のレーザ光は１６００℃以上の温度を有すると准察され
るが、連続使用上限温度が１８０℃程度の低い耐熱性し
か有さないＯＦに何等損傷を与えなかった。

即ち、ＯＦ上のＣＴＰに対し、選択的に開溝（１６）を
作製することができることがわかった。その上、２つの
プローブ間にはＩＭΩ以上の抵抗（巾番よ１ＣＩ１１と
する）を得ることができた。

第３図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもので
、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。

図面において、スキャンスピード６０ｃ＋ｗ／分、平均
出力０．８％１．光径５０μのＹＡＧ　レーザを用いた
。するとその周波数をｌ０ＫＨ２より下げてゆくと、曲
線（４５）は７ＫＨｚ以下で不連続にＩＭΩ以上（４５
’）となって電気的にアイソレイションを行うことがで
きるようになったことが判明した。

しかしこの周波数が４ＫＨｚ以下ではこのＣＴＦに加え
て下地のｏｐをもその中心部（ガウス分布のエネルギ密
度の最も高い領域）で損傷してしまった。

このことにより、ＯＦ上のＣＴＦのＬＳ　（レーザスク
ライブ）には（４４）に示す範囲が適していた。

さらに、この下地の６ｐに損傷を与えることなくＣＴＦ
のみを除去する領域を調べたところ、第４図を得た。

即ち、ＳＳを０〜１２０ｃｍ　７分、平均出力０〜３Ｗ
。

繰り返し周波数６ＫＨ２、焦点距Ｍ１５０ｃｍ、レーザ
光の直径５０μのＹＡＧレーザとすると、領域（４９）
即ち点＾、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆで囲まれる範囲はＯＦの
損傷がなくＣＴＦのみで除去することができた。

さらに領域（４７）はＣＴＦすらも除去することができ
ない領域であり、領域（４６）はパルス光がＣＴＦ上で
連続せず、破線のごとく不連続な大溝を得たのみであっ
た。領域（４８）はＣＴＦのみならず下地のＯＦに対し
ても損傷を与えてしまった領域であった。

このことにより下地のＯＦに対して損傷を与えることな
く　、ｃＴｐのみを選択的に開溝として除去することの
できる領域（１９）があることがわかった。

第２図（Ａ）の平面図またＡ−Ａ’、Ｆ−Ｆ’における
縦断面図を（Ａ−１＞＜　（Ａ−２）にそれぞれ示す。

次に第２図（Ｂ）の平面図に示すごとく、光照射により
光起電力を発生する水素または弗素が添加された非単結
晶半導体を、この電極（３）、開溝（１６）のすべての
上面に均質の膜厚に形成させる。

この半導体（４）は例えば５ｉｘＣ１ｚ　（０＜　ｘ　
＜　１一般には！　＝０．７〜０．８　）のＰ型を約１
００人の厚さに、さらにｉ型の水素またはハロゲン元素
が添加された珪素を主成分とする半導体を０．４〜０．
８μの厚さに、さらにＮ型の微結晶化した珪素またはＮ
型の５ｉｘＣ１−ｘ（０＜ｘ＜１　ｘ〜０．９＞を主成
分とする半導体のＰＩＮ接合構造とした。もちろんこれ
をＰ　（ＳｉｘＣ＋−ｘ　ｘ＝０．７〜０．８　）　−
１（Ｓｌ）−Ｎ　（＃Ｃ５ｉ　）　−Ｐ　（ＳｉｘＣｌ
−ｘ　ｘ　＝０．７〜０．８　）−Ｉ　（ＳｉｘＧｅ　
Ｉ−Ｘ　Ｘ　＝０．６〜０．８　）　−Ｎ　（微結晶化
Ｃ５ｉまたは５ｌｘＣ１−ｘＯ’Ｃｘ　＜　１　）とい
ったＰＩＮＰＩＮ構造のタンデム構造としてもよい。

さらに第２の開孔（１５）をレーザ光により形成させ、
第２図（Ｂ）におけるＢ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’の縦断面図を
（Ｂ−１）、（Ｂ−２）に対応して示している。

かくして第２の開孔（１５）はＯＦの表面には損傷を与
えずに第１の電極の側面（１７）を露出させた。

この時、ＣＴＦの上端部を０〜５μの巾で露呈させる結
果、連結はＣＴＦ　（３）の側面および上面が連結部の
コンタクトを構成する。この第２の開孔（１５）の形成
条件は第１の開溝を形成する条件とレーザ光をパルスを
不連続に（１５）の位置のみに加える以外は同一である
。即ち、半導体の存在は実質的に無視しても差支えなく
、第３図、第４図の特性を用いることができた。

もちろん、このレーザ光をさらに１／２程度に弱くして
ＣＴＦをスクライブさせず半導体のみをスクライブし、
コンタクトとしてＣＴＦの上部（上表面）としてもよい
。

次に第２図（Ｃ）のパターンを形成させた。第２図（Ｃ
）のＤ−Ｄ’、　Ｅ−Ｅ’、　Ｇ−Ｇ’に対応した縦断
面図を（Ｃ−２）、（Ｃ−３＞、＜　Ｃ−１）に示して
いる。

即ち、半導体（４）上に第２の電極を電子ビーム蒸着法
によりＩＴＯを１００〜１６００人例えば１０５０人の
厚さに設け、さらにクロムを主成分とする金属を５００
〜２０００人の厚さに形成させた。

すると、開口（１５）において、第１の透光性導電膜（
３）の側面（１７）に対し、ＩＴＯの導電性酸化物がコ
ンタクトし、オーム接触をさせることができた。

このクロムは融点１８００℃、沸点２６６０℃、熱伝導
度０．２ｃａｌ／　（ｃｍ、ｓｅｃ、ｄｅｇ）を有して
いる。特にこの熱伝導率は他が金属例えばチタンの０．
０５に比べて４倍を有し、銀の０．９’１８の１１５で
あり、この熱伝導率が０．１〜０．３の範囲がレーザ加
工にもっとも好ましいと措定される。即ち、レーザ照射
でアルミニューム等の酸化物を作りにくく、かつ下地と
反応しにくい金属として特にすぐれたものであった。ま
たこの下のＩＴＯがないとレーザ光は下側の半導体をも
容易にスクライブし、その周辺を多結晶半導体化してし
まった。またＩＴＯのみではレーザ光が透過し、半導体
のみを実質的にスクライブしてしまった。これらのこと
より、裏面電極はＩＴＯとクロムとの２層膜が最適であ
った。

裏面電極の反射性を利用して特性改良を図るには、前記
したＩＴＯ（１０５０人）　＋Ｔｉ　（２０人）または
Ａｇ　（１００〜２００人）　＋Ｃｒ　（１０００〜３
０００人）が好ましかった。

この後、第２図（Ｃ）においてレーザスクライブ（２０
）を行った。これはＹＡＧレーザ（波長１．０６μ、０
．５３μ）をテレビモニターにて第１の開溝をモニター
しつつ、それより５０〜２００μ第２のセル側（１３）
にはいった位置にて開溝を作った。レーザ光の平均出力
０．５〜１．３−とし、ビーム径３０〜５０μφ、ビー
ム走査スピード０．１〜１ｍ／分、一般には０．３ｍ／
分として行った。

かくするとＩＴＯ＋Ｃｒの組合せにより熱伝導率が他の
金属に比べて適度に小さいため、半導体にその熱を伝え
、この半導体に導電性の多結晶体とずれることなくこの
第２の電極用の導体のみをスクライブして除去させるこ
とができた。さらにこの第３の開溝（２０）をアセトン
等の洗浄溶液にて溶去することは残存物を除去するため
に好ましい。

またこの半導体（３）がＰ型半導体層、Ｉ型半導体層、
Ｎ型半導体層と例えば１つのＰＩＮ接合を有し、このＮ
型半導体層が微結晶または多結晶構造を有する。その電
気伝導度が１〜２００（０ｃｍ）’と高い伝導度を持つ
場合、本発明のＮ型半導体層を室温〜１５０℃の温度で
酸化（１０〜２００時間）させ、絶縁物化することによ
りバンシベイションおよびリーク電流発生を防止するこ
とはきわめて重要であった。

かくして、連結部（１２）において、セル（１３）の第
１の電極（２３’）と、セル（１１）の第２の電極（２
５）　とが酸化物コンタクトによりオーム接触を第２の
開溝（１８）を介してしている。特に連結部（１２）に
おけるコンタクト（１７）は、第２の開孔（１５）によ
り作られた第１の電極の側面または側面と０〜５μの巾
の第１の電極の上端面とで成就され、いわゆるサイドコ
ンタクト構造を有している。即ち２つのセルはわずか１
０〜７ｏμφの第２の開孔のサイドコンタクトで十分で
あり、この部分に第２の電極を構成する材料を密接させ
て電気的に直列接続をさせている。　（Ｃ−１＞、（Ｃ
−２＞の縦断面図より明らかなごとく、半導体（４）上
に第２の電極（５）が形成されているにすぎない。

そしてこの第３の開溝（２０）はその下の半導体を多結
晶化することなく、また実質的に半導体をえぐることな
く電極のみを分離して各素子の第２の電極間を電気的に
アイソレイトさせることができた。

さらに第２図（Ｃ）において、これらの上面に有機樹脂
（２８）例えばシリコーン、エポキシまたはポリイミド
を１０〜１００μの厚さにコーティングして完成させて
いる。

その結果、この図面より明らかなごとく、この光電変換
装置は、例えば図面に示されているごと＜　、　１ｃａ
＋　ｘ５ｃｍの光電変換装置を同じ大きさの透光性ＯＦ
上に１つ作るのではなく　、２０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍま
たは２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは４０ｃｍ　Ｘ　４０
ｃｍの大きな同−透光性ＯＦ基板上に一度に多数の光電
変換装置を作ることが可能となった。

そして最後にこれらを（７０）の境界で裁断法により切
断し、それぞれの光電変換装置にした。このためには、
従来より知られた光電変換装置のごとく活性領域と非活
性領域とを作るのではなく、すべて実質的に活性領域と
し、かつレーザ光による開溝を端から端まで作り、レー
ザ光の走査スピードを大きなＯＦ上で常に一定にさせて
いることが重要である。さもないと、ＳＳが遅い部分で
はＯＦに損傷がおきてしまうからである。　゛ 第２図（Ｃ）での開溝（２０）、（２７）、（２７’）
が端から端まで走査されているのは、量産化を考えた時
重要である。もちろんこれらの開溝は入射光側からはま
ったく見られないため高商品価値化を下げない。

また第２図（Ｃ）において明らかなどと（、セルの有効
面積は連結部（１２）の１０〜３００μ中のきわめてわ
ずかな部分を除いて他のすべてが有効であり、実効面積
は９０％以上を得ることができ、従来例の８０％に比べ
本発明構造は格段に優れたものであった。

これらのことを考慮すると、本発明は以下の大きな特長
を有することが判明した。

即ち、本発明は〔１〕透光性有機樹脂膜の大面積基板に
同時に多数の光電変換装置を作り、これを分割して各基
板上に１つの光電変換装置を作る方式を採用することに
より低価格の製造が可能となった。このため、従来の１
／３〜１１５の価格（１ケあたり３０〜５０円）での製
造が可能である。

〔２〕第１の開溝と第２の開孔、第３の開溝とがコンビ
ニーりにより制御されたセルフレジストレイジョン方式
のため、セルの有効面積が大きく、かつその同一バッチ
で作られた各光電変換装置間のバラツキが少ない（３）
ＬＳによるマスクレス工程、であるため、製造歩留りが
高い〔４〕各セル間分離の第１の開溝のスクライブライ
ンの中がｌＯ〜１００μときわめて小さく、かつ第２の
開孔も１０〜５０μφときわめて小さく、また第３の開
溝は透光性０１面側からはまったく見えない。その結果
肉眼によりハイブリット化がされていることを確認され
得す、高付加商品価値を与えることができた。

第２図において、第２の開孔（１５）は１つのみを半導
体内部の特に中央付近に存在させた。しかしこの開孔は
、複数ケ（２〜４ケ）を破線的にＹ方向に第１および第
３の開溝の間に作製しても、また横目形状に半導体（３
）の内部に第１の開演（１６）にそって形成させてもよ
い。

以上の説明は本発明の第２図のパターンには限定されな
い。セルの数、大きさはその設計仕様によって定められ
るものである。また半導体はプラダマＣＶＤ法、減圧Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法または光プラズマＣｖＤ法を用いた
。

非単結晶シリコンを主成分とするＰＩＮ接合、ヘテロ接
合、タンデム接合のみに限らず多くの構造への応用が可
能である。

なお本発明は透光性有機樹脂上に透光性導電膜を密接さ
せた場合を示した。しかし本発明は、有機樹脂上に窒化
珪素または酸化珪素の膜を３００〜３０００人の厚さに
バリア層として形成し、その上に透光性導電膜を形成し
てもよいことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 第２図は本発明の光電変換装置の平面図および縦断面図
を製造工程に従って示したものである。 第３図は本発明の有機樹脂上の透明導電膜をレーザスク
ライブした時のレーザスクライブによる電気抵抗の変化
を示す。 第４図は本発明の有機樹脂上の透明導電膜をレーザスク
ライブした時のレーザスクライブの可能な領域を示す。 尊１艶 ＜＋）４・１．（１４＠　ＣｋＴｏ） γ３■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する透光性有機樹脂基板上の透光性導
   電膜に前記有機樹脂を損傷しない程度にレーザ光を照射
   して開溝を形成し、複数の第１の電極に分割する工程と
   、該第１の電極および該電極間の開溝上に光照射により
   光起電力を発生させる非単結晶半導体を形成させる工程
   と、前記非単結晶半導体内部にレーザ光を照射して、前
   記非単結晶半導体に開孔を形成せしめ、該半導体下の第
   １の電極の上面または側面を露呈させる工程と、この後
   第２の電極を前記第１の電極に対応して前記半導体上に
   形成させるとともに、隣合う光電変換素子の第１および
   第２の電極を前記開孔により電気的に直列に連結した工
   程とを有することを特徴とする充電変換半導体装置作製
   方法。 ２、絶縁表面を有する基板上に配列された透光性導電膜
   の複数の第１の電極、該第１の電極および該電極間の開
   溝上に設けられた光照射により光起電力を発生させる非
   単結晶半導体を形成する工程と、前記非単結晶半導体内
   部にレーザ光を照射して前記非単結晶半導体に開孔を形
   成せしめ、該半導体下の第１の電極の上面または側面を
   露呈せしめる工程と、前記半導体上および前記開孔の第
   １の電極の側面または上面に透光性酸化物導電膜を密接
   せしめ、該膜上のクロムを主成分とする金属を形成した
   後レーザ光を照射して前記第１の電極に対応して複数の
   第２の電極を形成せしめるとともに、隣合う光電変換素
   子の第１および第２の電極を前記開孔により電気的に直
   列に連結したことを特徴とする光電変換半導体装置作製
   方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において、非単
   結晶半導体に開孔をその下の有機樹脂を損傷させない程
   度の強度でレーザ光を照射して形成せしめて、透光性導
   電酸化膜の第１の電極上面または側面を露呈せしめ、該
   第１の電極の側面または側面と上面とに第２の電極を構
   成する導電性酸化物材料を密接して設けさせてコンタク
   トを形成させたことを特徴とする光電変換半導体装置作
   製方法。