JPH06314808A

JPH06314808A - 光電変換半導体装置

Info

Publication number: JPH06314808A
Application number: JP5173708A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1993-06-21
Filing date: 1993-06-21
Publication date: 1994-11-08

Abstract

(57)【要約】【目的】光電変換素子を複数直列接続した構造の光電
変換装置の直列抵抗を小さくすること。【構成】絶縁表面を有する透光性有機樹脂基板上に導
電膜の第１の電極、該第１の電極上の光照射により光起
電力を発生させる非単結晶半導体、および前記非単結晶
半導体上の第２の電極を有する光電変換素子を複数個集
積化して前記有機樹脂基板上に設けるに際し、隣合う前
記光電変換素子の第１および第２の電極は前記非単結晶
半導体の両側端部に至らない内部で電気的に直列に連結
させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光電変換素子または
セル（以下単にセルという）を絶縁表面を有する可曲性
の透光性有機樹脂基板上にレーザスクライブ方法を用い
て複合化するに関し、装置全体としての低価格化を成就
した光電変換装置の作製方法に関する。

【０００２】

【発明の概要】この発明は、有機樹脂薄膜とこの上面の
透光性導電膜（ＣＴＦという）とがレーザスクライブ
（以下ＬＳという）を実施するのに際し、ＣＴＦをスク
ライブしつつも有機樹脂薄膜にまったく損傷を与えるこ
とのない条件が実験的に存在することを見いだし、この
事実を利用して半導体装置特に光電変換装置を作製せん
としたものである。このため、本発明においては、活性
領域に設けられたセルにおける透光性有機樹脂薄膜（以
下ＯＦという）の基板上に、第１の電極と、この電極上
に光照射により光起電力を発生する非単結晶半導体と、
該半導体上の第２の電極とよりなる複数の素子を直列接
続して配設するに関し、隣合った素子間の電気的連結を
活性領域の内部にコンタクトを設けて成就したことを特
長とする。光電変換装置の安価、多量生産のための基板
として可曲性の有機薄膜の使用が求められてきた。

【０００３】本発明はこのＯＦ側よりの光照射を可能と
する透光性のＯＦと、その上の酸化インジュームまたは
酸化スズを主成分とする導電性酸化膜よりなるＣＴＦに
対して、レーザ光を照射した時、このＯＦを損傷せずに
ＣＴＦを選択的に除去することができる条件を実験的に
検討したところ、そのレーザ光を１つの場所に長時間
（数十ｍ秒以上）照射することなく、また走査（スキャ
ン）スピードを適切化することにより、ＣＴＦのみを除
去することが可能であることを見いだした。即ち、レー
ザ光の照射によりＯＦは熱伝導率が小さい（一般には１
〜７×１０^-4Ｃａｌ／ｓｅｃ／ｃｍ²／℃／ｃｍ）た
め、同じ位置に繰り返しレーザパルスを加えると、この
有機樹脂内に熱が蓄積され、この熱で樹脂が炭化され切
断されてしまう。しかしその繰り返しを１回または数回
とすると、このＯＦの熱伝導率がＣＴＦの１／１０³で
あるため、逆にＣＴＦのみを選択的にレーザ光の照射さ
れた場所のみ除去することができることを見いだした。

【０００４】

【従来の技術】従来、非単結晶半導体即ちアモルファス
シリコンを含む非単結晶シリコンを主成分としたＰＩＮ
接合により、光起電力を光照射により発生させんとして
いた。しかしかかる接合を有する半導体の上下の電極は
直列接続をするため、１つのセルの下側電極と隣のセル
の上側電極とを電気的に連結を活性領域の「外側」でさ
せなければならず、かつ各セル間は互いに電気的にアイ
ソレイトされていることを必要な条件としていた。

【０００５】図１は従来構造の代表的な例を示してい
る。図１（Ａ）は光電変換装置（１）を透光性のガラス
基板（２）を下側にした背面より見た平面図である。図
面において、光照射により光起電力を発生する活性領域
（１４）と、各セル（１１），（１３）を連結する連結
部（１２）を有する非活性領域（１５）とを有する。図
１（Ａ）のＡ─Ａ’，Ｂ−Ｂ’の縦断面図を対応させて
（Ｂ），（Ｃ）に示していることより明らかなごとく、
活性領域において各セル（１１），（１３）はガラス基
板（２）上の第１の電極の透光性導電膜（ＣＴＦ）の
（３）は各セル間で互いに分離されている。また半導体
（４）は各セル間にて互いに連結されている。また非活
性領域において、セル（１３）の上側電極は、セル（１
１）の下側電極と連結部（６），（７）でのコンタクト
（１８）で連結し、これを繰り返し５つのセルを外部電
極（８），（９）間にて直列接続をさせている。

【０００６】しかしこの従来構造は一見半導体（４）が
１枚であるため製造歩留りが高いように見える。しかし
実際には３種類（第１の導電膜のパターニング用の第１
のマスク、非活性領域形成のための第２のマスク、第２
の導電膜のパターニング用の第３のマスク）のマスクを
用いるが、そのマスクにおいて第１のマスクと第３のマ
スクとがセルファライン方式でないため、マスクずれを
起こしやすい。このずれ（即ち金属マスクにおいては
０．３〜１ｍｍのずれはごく当然である）により、セル
の有効面積が１０〜２０％も実質的に減少してしまうこ
とが判明した。さらにマスクを用いるため、図１（Ｂ）
の活性領域での電極間の開溝であるアイソレイション領
域（２２）は、０．２〜１ｍｍ例えば０．５ｍｍを有す
るため、セル巾を１０ｍｍとする時、２ｍｍずれるとす
るとセル巾（１１）は８ｍｍとなり、アイソレイション
巾（２２）は２．５ｍｍとなってしまい、２０％近くも
有効面積が減少してしまう。またセルの外枠（１０）の
占める面積も５〜７％もある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このため上下の電極の
組合せをセルフレジストレイション化することがその効
率の向上のために強く求められていた。また第１図の従
来例においては、基板に非活性領域（１５）が設けら
れ、この非活性領域は基板全体における２０〜３０％も
占めてしまう。このためプロセス上の効率が低くなり、
ひいては製造コストの低下を図ることができない。この
ため非活性領域が存在しない光電変換装置を作ることが
きわめて重要であった。さらに基板がガラス基板である
ため、機械ストレスにより破損しやすい。このため基板
として透光性の可曲性のＯＦが低価格化、耐機械破損防
止のため求められていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明はかかる目的を成
就するためになされたものである。即ち本発明において
は、光照射面側からは複数の第１の電極の分離用の開溝
（巾５〜７０μ）が見られるのみである。さらに図１
（Ａ）における領域（１５）のごとき非活性領域がまっ
たく存在せず、連結部が即ち各セルのアイソレイション
領域を構成せしめている。加えてＬＳを用いるマスクレ
スプロセスであるため、第１の開溝をテレビモニターで
積層して、その開溝を基準として所定の位置に光学的に
パターニングを行ういわゆるコンピュータ・エイデッド
・セルフレジストレイション方式を採用することが可能
になった。また第１のセルの第１の電極と、第２のセル
の第２の電極との連結部のコンタクトは、基板の半導体
「内部」（この図２では中央部）に設け、従来例とその
コンタクトの位置がまったく異なる。さらにこの内部コ
ンタクトにより、透光性導電膜の光電変換装置に与える
直列抵抗を小さくできる。この結果、連結部をセルの外
側に設けなかったことにより、著しくその有効面積の効
率の向上を図ることができた。さらにこのコンタクトが
隣合うセル間の半導体をすべて切断する構造で開溝を作
るのではなく、その開溝（２０〜９０μφ）を１つまた
は複数個不連続に設けることにより、この開溝の存在が
透光性ＯＦ面側より実質的に肉眼で見い出し得ず、商品
的にスクライブラインが目障りにならないようにできた
という他の特長を有する。またコンタクトが開孔である
ため、その孔の側周辺のすべての側面が第１の電極と第
２の電極との連結部のコンタクトを構成させることがで
き、この部分での接触抵抗を1 Ω以下に下げることがで
きた。本発明はかかる多くの特長を有するものであっ
て、以下に図面に従ってその詳細を記す。

【０００９】

【実施例】図２は本発明の光電変換装置の製造工程およ
び装置を示すものである。図面において、絶縁表面を有
する透光性有機樹脂薄膜基板例えば住友ベークライト社
製スミライト（連続使用温度１５０〜３００℃、光線透
光率８０〜９２％（厚さ１００μ）。熱伝導率３〜７×
１０^-4Ｃａｌ／ｓｅｃ／ｃｍ²／℃／ｃｍ）を透光性基
板（２）（例えば厚さ１００μ、長さ（図面では左右方
向）６０ｃｍ、巾２０ｃｍ）として用いた。さらにこの
上面に全面にわたって透光性導電膜例えばＩＴＯ（約１
５００Å）＋ＳｎＯ₂（２００〜４００Å）またはハロ
ゲン元素が添加された酸化スズを主成分とする透光性導
電膜（１５００〜２０００Å）を真空蒸着法、プラズマ
ＣＶＤ法またはスプレー法により形成させた。ＯＦとし
て例えば住友ベークライト社製スミライトＦＳ−１３０
０を用いた。このＯＦは連続使用上限温度１８０℃、熱
伝導率４．３×１０^-4Ｃａｌ／ｓｅｃ／ｃｍ²／℃／ｃ
ｍ、光線透光率８６．３％（１００μの厚さとする）、
表面抵抗率５．４×１０¹⁴Ω、体積抵抗率１．７×１０
¹⁶Ωｃｍをその代表例として有する。このＯＦ上にスパ
ッタ法にてＩＴＯを７００Åの厚さに形成させた。する
とそのシート抵抗は２００Ω／□を有していた。

【００１０】この図面は４つのセルを直列接続せしめた
場合である。即ち本発明の光電変換装置は、活性領域
（１４）を同一基板に１００〜２０００ケ同時に有する
より大きい２０ｃｍ×６０ｃｍの基体を用いた。各セル
では、第１の導電膜を基体全面に形成した。さらにこの
導電膜を所定の形状にレーザ（ここでは１．０６μまた
は０．５３μの波長のＹＡＧレーザ）スクライブをマイ
クロコンピュータにより記憶され制御されたパターンに
従って行って第１の開溝（１６）を形成した。さらにセ
ルの外側でのリークを除去するため、分離用開溝（２
６），（２６’）を形成させた。そしてセル領域（１
１），（１３）および外部接続用電極部（８），（９）
を形成させた。即ち、ここにＹＡＧレーザ（発光波長
１．０６μ、焦点距離５０ｍｍ、光径５０μ）を照射し
た。その条件として、繰り返し同時に６ＫＨｚ，平均出
力１．３Ｗ，スキャンスピード（走査速度、以下ＳＳと
いう）６０ｃｍ／分とした。

【００１１】スクライビングにより形成された開溝（１
６）は巾約７０μ、長さ２０ｃｍ（図面では１ｃｍ）、
深さはＯＦのそれぞれの第１の電極を完全に切断分離し
た。第１の素子（１１）および第２の素子（１３）を構
成する巾は１０ｍｍとした。この時電子顕微鏡にて調べ
た範囲では、ＯＦ表面には何等の損傷もまた部分的な劣
化も見られなかった。このレーザ光は１６００℃以上の
温度を有すると推察されるが、連続使用上限温度が１８
０℃程度の低い耐熱性しか有さないＯＦに何等損傷を与
えなかった。即ち、ＯＦ上のＣＴＦに対し、選択的に開
溝（１６）を作製することができることがわかった。そ
の上、２つのプロープ間には１ＭΩ以上の抵抗（巾は１
ｃｍとする）を得ることができた。

【００１２】図３はレーザ光の繰り返し周波数を可変に
したもので、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
図面において、スキャンスピード６０ｃｍ／分、平均出
力０．８Ｗ，光径５０μのＹＡＧレーザを用いた。する
とその周波数を１０ＫＨｚより下げてゆくと、曲線（４
５）は７ＫＨｚ以下で不連続に１ＭΩ以上（４５’）と
なって電気的にアイソレイションを行うことができるよ
うになったことが判明した。しかしこの周波数が４ＫＨ
ｚ以下ではこのＣＴＦに加えて下地のＯＦをもその中心
部（ガウス分布のエネルギ密度の最も高い領域）で損傷
してしまった。このことにより、ＯＦ上のＣＴＦのＬＳ
（レーザスクライブ）には（４４）に示す範囲が適して
いた。

【００１３】さらに、この下地のＯＦに損傷を与えるこ
となくＣＴＦのみを除去する領域を調べたところ、図４
を得た。即ち、ＳＳを０〜１２０ｃｍ／分、平均出力０
〜３Ｗ、繰り返し周波数６ＫＨｚ、焦点距離５０ｃｍ、
レーザ光の直径５０μのＹＡＧレーザとすると、領域
（４９）即ち点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆで囲まれる範囲
はＯＦの損傷がなくＣＴＦのみで除去することができ
た。

【００１４】さらに領域（４７）はＣＴＦすらも除去す
ることができない領域であり、領域（４６）はパルス光
がＣＴＦ上で連続せず、破線のごとく不連続な穴溝を得
たのみであった。領域（４８）は。ＣＴＦのみならず下
地のＯＦに対しても損傷を与えてしまった領域であっ
た。このことにより下地のＯＦに対して損傷を与えるこ
となく、ＣＴＦのみを選択的に開溝として除去すること
のできる領域（１９）があることがわかった。

【００１５】図２（Ａ）の平面図またＡ─Ａ’, Ｆ─
Ｆ’における縦断面図を（Ａ─１）（（Ａ─２）にそれ
ぞれ示す。次に図２（Ｂ）の平面図に示すごとく、光照
射により光起電力を発生する水素または弗素が添加され
た非単結晶半導体を、この電極（３）、開溝（１６）の
すべての上面に均質の膜厚に形成させる。この半導体
（４）は例えばＳｉ_xＣ_1-x（０＜ｘ＜１一般にはｘ＝
０．７〜０．８）のＰ型を約１００Åの厚さに、さらに
Ｉ型の水素またはハロゲン元素が添加された珪素を主成
分とする半導体を０．４〜０．８μの厚さに、さらにＮ
型の微結晶化した珪素またはＮ型のＳｉ_xＣ_1-x（０＜
ｘ＜１ｘ〜０．９）を主成分とする半導体のＰＩＮ接
合構造とした。もちろんこれをＰ（Ｓｉ_xＣ_1-x ｘ＝
０．７〜０．８）─Ｉ（Ｓｉ）─Ｎ（μＣＳｉ）─Ｐ
（Ｓｉ_xＣ_1-x ｘ＝０．７〜０．８）─Ｉ（Ｓｉ_xＧ
ｅ_1-x ｘ＝０．６〜０．８）─Ｎ（微結晶化ＣＳｉま
たはＳｉ_xＣ_1-x ０＜ｘ＜１）といったＰＩＮＰＩＮ
構造のタンデム構造としてもよい。

【００１６】さらに第２の開孔（１５）をレーザ光によ
り形成させ、図２（Ｂ）におけるＢ−Ｂ’，Ｃ−Ｃ’の
縦断面図を（Ｂ−１）、（Ｂ─２）に対応して示してい
る。かくして第２の開孔（１５）はＯＦの表面には損傷
を与えずに第１の電極の側面（１７）を露出させた。こ
の時、ＣＴＦの上端部を０〜５μの巾で露呈させる結
果、連結はＣＴＦ（３）の側面および上面が連結部のコ
ンタクトを構成する。この第２の開孔（１５）の形成条
件は第１の開溝を形成する条件とレーザ光をパルスを不
連続に（１５）の位置のみに加える以外は同一である。
即ち、半導体の存在は実質的に無視しても差支えなく、
図３、図４の特性を用いることができた。もちろん、こ
のレーザ光をさらに１／２程度に弱くしてＣＴＦをスク
ライブさせず半導体のみをスクライブし、コンタクトと
してＣＴＦの上部（上表面）としてもよい。

【００１７】次に図２（Ｃ）のパターンを形成させた。
図２（Ｃ）のＤ−Ｄ’，Ｅ−Ｅ’，Ｇ─Ｇ’に対応した
縦断面図を（Ｃ─２），（Ｃ─３），（Ｃ─１）に示し
ている。即ち、半導体（４）上に第２の電極を電子ビー
ム蒸着法によりＩＴＯを１００〜１６００Å例えば１０
５０Åの厚さに設け、さらにクロムを主成分とする金属
を５００〜２０００Åの厚さに形成させた。すると、開
口（１５）において、第１の透光性導電膜（３）の側面
（１７）に対し、ＩＴＯの導電性酸化物がコンタクト
し、オーム接触をさせることができた。

【００１８】このクロムは融点１８００℃、沸点２６６
０℃、熱伝導度０．２ｃａｌ／（ｃｍ．ｓｅｃ．ｄｅ
ｇ）を有している。特にこの熱伝導率は他が金属例えば
チタンの０．０５に比べて４倍を有し、銀の０．９９８
の１／５であり、この熱伝導率が０．１〜０．３の範囲
がレーザ加工にもっとも好ましいと推定される。即ち、
レーザ照射でアルミニューム等の酸化物を作りにくく、
かつ下地と反応しにくい金属として特にすぐれたもので
あった。またこの下のＩＴＯがないとレーザ光は下側の
半導体をも容易にスクライブし、その周辺を多結晶半導
体化してしまった。またＩＴＯのみではレーザ光が透過
し、半導体のみを実質的にスクライブしてしまった。こ
れらのことより、裏面電極はＩＴＯとクロムとの２層膜
が最適であった。

【００１９】裏面電極の反射性を利用して特性改良を図
るには、前記したＩＴＯ（１０５０Å）＋Ｔｉ（２０
Å）またはＡｇ（１００〜２００Å）＋Ｃｒ（１０００
〜３０００Å）が好ましかった。この後、図２（Ｃ）に
おいてレーザスクライブ（２０）を行った。これはＹＡ
Ｇレーザ（波長１．０６μ，０．５３μ）をテレビモニ
ターにて第１の開溝をモニターしつつ、それより５０〜
２００μ第２のセル側（１３）にはいった位置にて開溝
を作った。レーザ光の平均出力０．５〜１．３Ｗとし、
ビーム径３０〜５０μφ、ビーム走査スピード０．１〜
１ｍ／分、一般には０．３ｍ／分として行った。

【００２０】かくするとＩＴＯ＋Ｃｒの組合せにより熱
伝導率が他の金属に比べて適度に小さいため、半導体に
その熱を伝え、この半導体に導電性の多結晶体とずれる
ことなくこの第２の電極用の導体のみをスクライブして
除去させることができた。さらにこの第３の開溝（２
０）をアセトン等の洗浄溶液にて溶去することは残存物
を除去するために好ましい。

【００２１】またこの半導体（３）がＰ型半導体層、Ｉ
型半導体層、Ｎ型半導体層と例えば１つの，ＰＩＮ接合
を有し、このＮ型半導体層が微結晶または多結晶構造を
有する。その電気伝導度が１〜２００（Ωｃｍ）^-1と高
い伝導度を持つ場合、本発明のＮ型半導体層を室温〜１
５０℃の温度で酸化（１０〜２００時間）させ、絶縁物
化することによりパッシベイションおよびリーク電流発
生を防止することはきわめて重要であった。

【００２２】かくして、連結部（１２）において、セル
（１３）の第１の電極（２３’）と、セル（１１）の第
２の電極（２５）とが酸化物コンタクトによりオーム接
触を第２の開溝（１８）を介してしている。特に連結部
（１２）におけるコンタクト（１７）は、第２の開孔
（１５）により作られた第１の電極の側面または側面と
０〜５μの巾の第１の電極の上端面とで成就され、いわ
ゆるサイドコンタクト構造を有している。即ち２つのセ
ルはわずか１０〜７０μφの第２の開孔のサイドコンタ
クトで十分であり、この部分に第２の電極を構成する材
料を密接させて電気的に直列接続をさせている。（Ｃ─
１），（Ｃ─２）の縦断面図より明らかなごとく、半導
体（４）上に第２の電極（５）が形成されているにすぎ
ない。そしてこの第３の開溝（２０）はその下の半導体
を多結晶化することなく、また実質的に半導体をえぐる
ことなく電極のみを分離して各素子の第２の電極間を電
気的にアイソレイトさせることができた。さらに図２
（Ｃ）において、これらの上面に有機樹脂（２８）例え
ばシリコーン、エポキシまたはポリイミドを１０〜１０
０μの厚さにコーティングして完成させている。

【００２３】その結果、この図面より明らかなごとく、
この光電変換装置は、例えば図面に示されているごと
く、１ｃｍ×５ｃｍの光電変換装置を同じ大きさの透光
性ＯＦ上に１つ作るのではなく、２０ｃｍ×２０ｃｍま
たは２０ｃｍ×６０ｃｍまたは４０ｃｍ×４０ｃｍの大
きな同一透光性ＯＦ基板上に一度に多数の光電変換装置
を作ることが可能となった。

【００２４】そして最後にこれらを（７０）の境界で裁
断法により切断し、それぞれの光電変換装置にした。こ
のためには、従来より知られた光電変換装置のごとく活
性領域と非活性領域とを作るのではなく、すべて実質的
に活性領域とし、かつレーザ光による開溝を端から端ま
で作り、レーザ光の走査スピードを大きなＯＦ上で常に
一定にさせていることが重要である。さもないと、ＳＳ
が遅い部分ではＯＦに損傷がおきてしまうからである。

【００２５】図２（Ｃ）での開溝（２０），（２７），
（２７’）が端から端まで走査されているのは、量産化
を考えた時重要である。もちろんこれらの開溝は入射光
側からはまったく見られないため高商品価値化を下げな
い。また図２（Ｃ）において明らかなごとく、セルの有
効面積は連結部（１２）の１０〜３００μ巾のきわめて
わずかな部分を除いて他のすべてが有効であり、実効面
積は９０％以上を得ることができ、従来例の８０％に比
べ本発明構造は格段に優れたものであった。これらのこ
とを考慮すると、本発明は以下の大きな特長を有するこ
とが判明した。

【００２６】

【発明の効果】即ち、本発明は〔１〕透光性有機樹脂膜
の大面積基板に同時に多数の光電変換装置を作り、これ
を分割して各基板上に１つの光電変換装置を作る方式を
採用することにより低価格の製造が可能となった。この
ため、従来の１／３〜１／５の価格（１ケあたり３０〜
５０円）での製造が可能である。〔２〕第１の開溝と第
２の開孔、第３の開溝とがコンピュータにより制御され
たセルフレジストレイション方式のため、セルの有効面
積が大きく、かつその同一バッチで作られた各光電変換
装置間のバラツキが少ない〔３〕ＬＳによるマスクレス
工程であるため、製造歩留りが高い〔４〕各セル間分離
の第１の開溝のスクライブラインの巾が１０〜１００μ
ときわめて小さく、かつ第２の開孔も１０〜５０μφと
きわめて小さく、また第３の開溝は透光性ＯＦ面側から
はまったく見えない。その結果肉眼によりハイブリット
化がされていることを確認され得ず、高付加商品価値を
与えることができた。

【００２７】図２において、第２の開孔（１５）は１つ
のみを半導体内部の特に中央付近に存在させた。しかし
この開孔は、複数ケ（２〜４ケ）を破線的にＹ方向に第
１および第３の開溝の間に作製しても、また櫛目形状に
半導体（３）の内部に第１の開溝（１６）にそって形成
させてもよい。

【００２８】以上の説明は本発明の図２のパターンには
限定されない。セルの数、大きさはその設計仕様によっ
て定められるものである。また半導体はプラズマＣＶＤ
法、減圧ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法または光プラズマＣＶＤ
法を用いた。非単結晶シリコンを主成分とするＰＩＮ接
合、ヘテロ接合、タンデム接合のみに限らず多くの構造
への応用が可能である。

【００２９】なお本発明は透光性有機樹脂上に透光性導
電膜を密接させた場合を示した。しかし本発明は、有機
樹脂上に窒化珪素または酸化珪素の膜を３００〜３００
０Åの厚さにバリア層として形成し、その上に透光性導
電膜を形成してもよいことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光電変換装置の縦断面図である。

【図２】本発明の光電変換装置の平面図および縦断面
図を製造工程に従って示したものである。

【図３】本発明の有機樹脂上の透明導電膜をレーザス
クライブした時のレーザスクライブによる電気抵抗の変
化を示す。

【図４】本発明の有機樹脂上の透明導電膜をレーザス
クライブした時のレーザスクライブの可能な領域を示
す。

【符号の説明】

２透光性基板３第１の電極４半導体５第２の電極１５開孔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁表面を有する透光性有機樹脂基板上
に導電膜の第１の電極、該第１の電極上の光照射により
光起電力を発生させる非単結晶半導体、および前記非単
結晶半導体上の第２の電極を有する光電変換素子を複数
個集積化して前記有機樹脂基板上に設けるに際し、隣合
う前記光電変換素子の第１および第２の電極は前記非単
結晶半導体の両側端部に至らない内部で電気的に直列に
連結した連結部を有することを特徴とする光電変換半導
体装置。
【請求項２】絶縁表面を有する透光性有機樹脂基板上
に配列された複数の第１の電極、該第１の電極および該
電極間の開溝を覆って設けられた光照射により光起電力
を発生させる非単結晶半導体、および前記第１の電極に
対応して前記半導体上に設けられた複数の第２の電極と
を有する複数の光電変換素子を備え、隣合う前記光電変
換素子の第１および第２の電極は前記非単結晶半導体の
端部に至らない内部で電気的に直列に連結した連結部を
有するとともに、前記第１の電極または第２の電極のう
ち少なくともどちらか一方の電極の外周部領域のうち電
極間連結部分以外の領域に、前記電極の端部に沿ってリ
ーク防止のための分離用開溝を設けたことを特徴とする
光電変換半導体装置。