JPS5976480A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS5976480A JPS5976480A JP57187765A JP18776582A JPS5976480A JP S5976480 A JPS5976480 A JP S5976480A JP 57187765 A JP57187765 A JP 57187765A JP 18776582 A JP18776582 A JP 18776582A JP S5976480 A JPS5976480 A JP S5976480A
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- electrode
- solar battery
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明絶縁基板上に被着された透明導電膜を一方
の電極とし、その上に設けたアモルファスシリコン層の
反基板側の金属膜を他方の電極とする太陽電池セルを接
続してなるアモルファスシリコン太陽電池に関する。
の電極とし、その上に設けたアモルファスシリコン層の
反基板側の金属膜を他方の電極とする太陽電池セルを接
続してなるアモルファスシリコン太陽電池に関する。
このような太陽電池におけるセルは、例えば第１図のよ
うな構造を有しガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウム
すずの酸化物）などからなる透明電極２、アモルファス
シリコン（以下ａ−８ｉと記す）層３、Ａノ、Ｔｉある
いはＮｉ などの蒸着などで形成される上側金属電極４
が積層されている０ａ−８！層は例えば８ｉＨ４ガスの
グロー放電分解により形成され、適時適応した不純物ガ
スを８ｉＨ４に混入することＫよりｐｉｎ構造を有する
。セルの接続は第２図に示すように下側透明電極２と点
線で示す上側金属１！極４を外側の部位５でつなぐ方法
で行なわれる。この場合上側電極４のパターンの形成は
、−面に蒸着した金属膜にホトエツチング、プラズマエ
ツチングなどマスクを用いた選択エツチングを施すこと
により行われる。しかしＡＩなどをエツチングする時水
素を発生し、この水素が第２図でＡで示すように露出し
た下地の透明導電膜を構成する酸化物を還元させること
により、あるいはエツチング液自体の作用により透明電
導膜の抵抗値の増大、透過度の低下などの劣化を起こし
、接続抵抗が高くなり、１．圧降下が生じやすいという
欠点がある。
うな構造を有しガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウム
すずの酸化物）などからなる透明電極２、アモルファス
シリコン（以下ａ−８ｉと記す）層３、Ａノ、Ｔｉある
いはＮｉ などの蒸着などで形成される上側金属電極４
が積層されている０ａ−８！層は例えば８ｉＨ４ガスの
グロー放電分解により形成され、適時適応した不純物ガ
スを８ｉＨ４に混入することＫよりｐｉｎ構造を有する
。セルの接続は第２図に示すように下側透明電極２と点
線で示す上側金属１！極４を外側の部位５でつなぐ方法
で行なわれる。この場合上側電極４のパターンの形成は
、−面に蒸着した金属膜にホトエツチング、プラズマエ
ツチングなどマスクを用いた選択エツチングを施すこと
により行われる。しかしＡＩなどをエツチングする時水
素を発生し、この水素が第２図でＡで示すように露出し
た下地の透明導電膜を構成する酸化物を還元させること
により、あるいはエツチング液自体の作用により透明電
導膜の抵抗値の増大、透過度の低下などの劣化を起こし
、接続抵抗が高くなり、１．圧降下が生じやすいという
欠点がある。
本発明はこの欠点を除去して、上側金属電極パターン形
成のだめのエツチングの影響による下側透明［枠膜の劣
化が起きないようなａ−８ｉ太陽電池を提供することを
目的とする。
成のだめのエツチングの影響による下側透明［枠膜の劣
化が起きないようなａ−８ｉ太陽電池を提供することを
目的とする。
この目的は下（ＩＱ透す１電極の隣接セルとの梓続のた
めの延長部が隣接セルの上側金属電極と接触する部分を
除いてａ−８ｉ層により覆われることによって達成され
る。
めの延長部が隣接セルの上側金属電極と接触する部分を
除いてａ−８ｉ層により覆われることによって達成され
る。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
３図においてａ−８ｉ層３は透明電極２と金Ｉｆｆ＞
電極４のつなぎ部５まで広げられている。この結ＳＱＬ
電極パターン作成のだめにエツチングされる部分ては
蒸着金夙膜と透明導電膜が直接型なることがなくなり、
透明導電膜に対するエツチングの悪影響を阻止すること
ができる。
３図においてａ−８ｉ層３は透明電極２と金Ｉｆｆ＞
電極４のつなぎ部５まで広げられている。この結ＳＱＬ
電極パターン作成のだめにエツチングされる部分ては
蒸着金夙膜と透明導電膜が直接型なることがなくなり、
透明導電膜に対するエツチングの悪影響を阻止すること
ができる。
以上述べたように本発明は太陽電池セルを接続してなる
太陽電池において、酸に弱いＩＴＯなどの透明導電膜の
露出部分をａ−８ｉ層で偉う構造とすることによりＡｌ
、Ｔｉ、Ｎｉなどの上側電極のエツチング時に劣化する
ことを防止したもので、特性良好な安定した太陽電池を
製造する際に極めて有
太陽電池において、酸に弱いＩＴＯなどの透明導電膜の
露出部分をａ−８ｉ層で偉う構造とすることによりＡｌ
、Ｔｉ、Ｎｉなどの上側電極のエツチング時に劣化する
ことを防止したもので、特性良好な安定した太陽電池を
製造する際に極めて有
第１図は従来の太陽電池の断面図、第２図はその平面図
、第３図は本発明実施例の平面図である。 ■・・・透明絶縁基板、２・・・透明導電膜、３ ・ａ
−８ｉ層、４・・金属膜、５・・・つなぎ部。 才１ｖ 才２闇 才３圀
、第３図は本発明実施例の平面図である。 ■・・・透明絶縁基板、２・・・透明導電膜、３ ・ａ
−８ｉ層、４・・金属膜、５・・・つなぎ部。 才１ｖ 才２闇 才３圀
Claims (1)
- ｌ）透明導電基板上の被着された透明導電膜を一方の電
極とし、その上に設けたアモルファスシリコン層の反基
板側の金属膜を他方の電極とする太陽電池セルの透明電
極を隣接する同様のセルの金属電極と接続してなるもの
において、透明電極の隣接セルとの接続のだめの延長部
が脚接セルの金
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187765A JPS5976480A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187765A JPS5976480A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976480A true JPS5976480A (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=16211811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187765A Pending JPS5976480A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122370U (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-08 | 富士電機株式会社 | 光起電力素子 |
| JPS6276786A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS63222467A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| CN107394007A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 渤海大学 | 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107277A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Small-size electronic device |
-
1982
- 1982-10-26 JP JP57187765A patent/JPS5976480A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107277A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Small-size electronic device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122370U (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-08 | 富士電機株式会社 | 光起電力素子 |
| JPH0521890Y2 (ja) * | 1984-07-12 | 1993-06-04 | ||
| JPS6276786A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPH0551190B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1993-07-30 | Sanyo Electric Co | |
| JPS63222467A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPH0542142B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1993-06-25 | Sanyo Electric Co | |
| CN107394007A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 渤海大学 | 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法 |
| CN107394007B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-06-14 | 渤海大学 | 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法 |
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