JPH0442944Y2 - - Google Patents
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- JPH0442944Y2 JPH0442944Y2 JP1983163687U JP16368783U JPH0442944Y2 JP H0442944 Y2 JPH0442944 Y2 JP H0442944Y2 JP 1983163687 U JP1983163687 U JP 1983163687U JP 16368783 U JP16368783 U JP 16368783U JP H0442944 Y2 JPH0442944 Y2 JP H0442944Y2
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- electrode
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- insulating protective
- solar cell
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、絶縁性保護膜が形成された太陽電
池、特にそのリード線取出し構造に関する。
池、特にそのリード線取出し構造に関する。
従来、光入射側に透光性基板を有し、該基板の
主面上に透明電極、半導体層及び背面電極が順次
被着され、更にその上に湿度、汚染などから活性
層の保護のための絶縁性保護膜が形成された太陽
電池からリード線を導出するには、第１図示のよ
うに該保護膜ａから露出する前記透明電極及び背
面電極に連なる少なくとも一対の導出電極ｂ，ｂ
にリード線ｃ，ｃをはんだあるいは導電性接着剤
ｄで接続するか、第２図示のように該導出電極
ｂ，ｂに導電性ゴムあるいはりん青銅等の金属板
ｅを接触させていた。
主面上に透明電極、半導体層及び背面電極が順次
被着され、更にその上に湿度、汚染などから活性
層の保護のための絶縁性保護膜が形成された太陽
電池からリード線を導出するには、第１図示のよ
うに該保護膜ａから露出する前記透明電極及び背
面電極に連なる少なくとも一対の導出電極ｂ，ｂ
にリード線ｃ，ｃをはんだあるいは導電性接着剤
ｄで接続するか、第２図示のように該導出電極
ｂ，ｂに導電性ゴムあるいはりん青銅等の金属板
ｅを接触させていた。
しかしこれ等のものは太陽電池の小型化の要望
に伴い基板の有効受光面積を最大限にする目的か
らリード線引出部の面積が最小に制限されるた
め、リード線の接続あるいは接触が困難になり、
リード線の引張り強度が低下し、あるいは静電気
により導出電極ｂと導電ゴムｅ等間に放電が生じ
て接触が不完全となり、接続又は接触の信頼性が
低下する不都合があつた。
に伴い基板の有効受光面積を最大限にする目的か
らリード線引出部の面積が最小に制限されるた
め、リード線の接続あるいは接触が困難になり、
リード線の引張り強度が低下し、あるいは静電気
により導出電極ｂと導電ゴムｅ等間に放電が生じ
て接触が不完全となり、接続又は接触の信頼性が
低下する不都合があつた。
本考案は従来のかかる不都合を解消することを
その目的としたもので、光入射側に透光性基板１
を有し、該基板１の主面上に透明電極２、半導体
層３及び背面電極４が順次被着され、更にその上
に絶縁性保護膜５が形成された太陽電池におい
て、該絶縁性保護膜５は前記透明電極２及び背面
電極４に連なる少なくとも一対の導出電極６を露
出するように形成され、該絶縁性保護膜５上に
は、前記導出電極６と接続され、リード線等を接
続するための少なくとも一対の外部接続用端子７
が形成されることを特徴とする。
その目的としたもので、光入射側に透光性基板１
を有し、該基板１の主面上に透明電極２、半導体
層３及び背面電極４が順次被着され、更にその上
に絶縁性保護膜５が形成された太陽電池におい
て、該絶縁性保護膜５は前記透明電極２及び背面
電極４に連なる少なくとも一対の導出電極６を露
出するように形成され、該絶縁性保護膜５上に
は、前記導出電極６と接続され、リード線等を接
続するための少なくとも一対の外部接続用端子７
が形成されることを特徴とする。
第３図Ａ〜Ｄは、例えば腕時計に実装される本
発明の太陽電池の製作過程を示す図である。約
1000ÅのSiO2をコートした厚さ0.4mm、長さ20mm、
幅２mmの青板ガラスからなる透光性基板１に厚み
750、750Åの酸化インジウム錫を被着し、ホトレ
ジスト法により第３図Ａに示すように６個の透明
電極２を形成し、次いで、この電極２の上に第３
図Ｂに示すように活性層としての非晶質シリコン
である半導体層３をプラズマCVD法によりｐ層、
ｉ層、ｎ層の順で形成した。この各層の形成のた
めに、シランを主原料とし、ｐ層はジボラン、ｎ
層はホスフインをドーピングガスとして主原料に
添加する。この各層の厚みはそれぞれ100Å、
5000Å、500Åとし、これをホトエツチング法に
より５個の半導体３を形成した。更にその上にア
ルミニウムを真空蒸着法により膜厚約1500Åに形
成し、、これをホトエツチング法によりパターン
ニングして第３図Ｃに示すように５個の裏面電極
４とし、５個のユニツト電池７が直列に接続され
るようにした。
発明の太陽電池の製作過程を示す図である。約
1000ÅのSiO2をコートした厚さ0.4mm、長さ20mm、
幅２mmの青板ガラスからなる透光性基板１に厚み
750、750Åの酸化インジウム錫を被着し、ホトレ
ジスト法により第３図Ａに示すように６個の透明
電極２を形成し、次いで、この電極２の上に第３
図Ｂに示すように活性層としての非晶質シリコン
である半導体層３をプラズマCVD法によりｐ層、
ｉ層、ｎ層の順で形成した。この各層の形成のた
めに、シランを主原料とし、ｐ層はジボラン、ｎ
層はホスフインをドーピングガスとして主原料に
添加する。この各層の厚みはそれぞれ100Å、
5000Å、500Åとし、これをホトエツチング法に
より５個の半導体３を形成した。更にその上にア
ルミニウムを真空蒸着法により膜厚約1500Åに形
成し、、これをホトエツチング法によりパターン
ニングして第３図Ｃに示すように５個の裏面電極
４とし、５個のユニツト電池７が直列に接続され
るようにした。
以上で太陽電池としての機能を有する素子は完
成したのであるが、このまゝでは活性層である非
晶質シリコンや裏面電極が露出していて湿気や
酸、アルカリ等の影響を直接受けるため第３図Ｄ
に示すように裏面電極４及び半導体層３を覆つて
これを保護する絶縁性保護膜５を両端１mmづつを
残して被着した。例えば該保護膜５としてプラズ
マCVD法により膜厚2000Åの窒化硅素膜を形成
し、メタルマスクを使用して両端部をエツチング
した。
成したのであるが、このまゝでは活性層である非
晶質シリコンや裏面電極が露出していて湿気や
酸、アルカリ等の影響を直接受けるため第３図Ｄ
に示すように裏面電極４及び半導体層３を覆つて
これを保護する絶縁性保護膜５を両端１mmづつを
残して被着した。例えば該保護膜５としてプラズ
マCVD法により膜厚2000Åの窒化硅素膜を形成
し、メタルマスクを使用して両端部をエツチング
した。
以上は従来のものと特に異なるところがない
が、この太陽電池の電力を取出すための導出電極
６の寸法は例えば２mm×１mmと小さいので、本考
案によれば、第４図Ａ及びＢに示すように、絶縁
性保護膜５上に前期導出電極６と接続される少な
くとも一対の外部接続用端子７としてクロム・銀
を例えば真空蒸着法によりクロムを約500Å、銀
を約1000Åの膜厚で例えば２mm×５mmの大きさに
形成した。
が、この太陽電池の電力を取出すための導出電極
６の寸法は例えば２mm×１mmと小さいので、本考
案によれば、第４図Ａ及びＢに示すように、絶縁
性保護膜５上に前期導出電極６と接続される少な
くとも一対の外部接続用端子７としてクロム・銀
を例えば真空蒸着法によりクロムを約500Å、銀
を約1000Åの膜厚で例えば２mm×５mmの大きさに
形成した。
かくして、従来の導出電極６より例えば５倍広
い外部接続用端子７に第５図示のようにリード線
８を広い面積ではんだあるいは導電性接着剤９で
接続するか又は第６図示のように、導電性ゴム
（又はりん青銅のような金属板）１０を広い面積
で接続することができる。
い外部接続用端子７に第５図示のようにリード線
８を広い面積ではんだあるいは導電性接着剤９で
接続するか又は第６図示のように、導電性ゴム
（又はりん青銅のような金属板）１０を広い面積
で接続することができる。
第７図Ｅは第７図Ａ〜第７図Ｄを経て作成され
た本考案の他の実施例の平面図を示し、第８図Ｅ
は第８図Ａ〜第８図Ｄを経て作成された本考案の
更に他の実施例の平面図を示す。
た本考案の他の実施例の平面図を示し、第８図Ｅ
は第８図Ａ〜第８図Ｄを経て作成された本考案の
更に他の実施例の平面図を示す。
第７図及び第８図の実施例では半導体層３は３
個のユニツト電池に連続して形成した。第７図の
実施例では、２個の導出電極６を絶縁性保護膜５
から露出させたのに対して、第８図の実施例では
２個の導出電極６の外にユニツトセルを相互に接
続する接続電極１１も前記保護膜５から露出さ
せ、外部でユニツト電池を直列に接続するように
したものである。
個のユニツト電池に連続して形成した。第７図の
実施例では、２個の導出電極６を絶縁性保護膜５
から露出させたのに対して、第８図の実施例では
２個の導出電極６の外にユニツトセルを相互に接
続する接続電極１１も前記保護膜５から露出さ
せ、外部でユニツト電池を直列に接続するように
したものである。
その他の作成過程は前述の実施例と同じであ
り、それと同一のものは同一の符号で示した。
り、それと同一のものは同一の符号で示した。
このように本考案によれば、導出電極６以外が
絶縁性保護膜５で被覆された太陽電池において、
該保護膜５上に前記導出電極６と接続される外部
接続用端子７が形成されたので、導出電極６の面
積が小さくても太陽電池の導出電極６へのリード
線８等への接続又は接触が容易であり、リード線
８の引張り強度が増大し、あるいは静電気により
導出電極６と導電ゴム等１０との間に放電が生じ
た場合でも接触が不完全となりにくく、接続又は
接触の信頼性が向上する。また、セル面積を発電
のために有効に活用でき、太陽電池の小型化にも
有効であるの効果を有する。
絶縁性保護膜５で被覆された太陽電池において、
該保護膜５上に前記導出電極６と接続される外部
接続用端子７が形成されたので、導出電極６の面
積が小さくても太陽電池の導出電極６へのリード
線８等への接続又は接触が容易であり、リード線
８の引張り強度が増大し、あるいは静電気により
導出電極６と導電ゴム等１０との間に放電が生じ
た場合でも接触が不完全となりにくく、接続又は
接触の信頼性が向上する。また、セル面積を発電
のために有効に活用でき、太陽電池の小型化にも
有効であるの効果を有する。
第１図及び第２図はそれぞれ従来の太陽電池と
リード線及び導電ゴムとの接続関係を示す側面
図、第３図Ａ〜Ｄは例えば腕時計に実装される本
発明の太陽電池の製作過程を示す平面図、第４図
Ａ及びＢは第３図示の製作過程を経て完成した本
考案の一実施例の平面図及び側面図、第５図及び
第６図はそれぞれ本考案の太陽電池とリード線及
び導電ゴムとの接続関係を示す側面図、第７図Ｅ
及び第８図Ｅはそれぞれ本考案の他の実施例の平
面図、第７図Ａ〜Ｄ及び第８図Ａ〜Ｄはそれぞれ
第７図Ｅ及び第８図Ｅの製作過程を示す平面図で
ある。 １……透光性基板、２……透明電極、３……半
導体層、４……背面電極、５……絶縁性保護膜、
６……導出電極、７……外部接続用端子。
リード線及び導電ゴムとの接続関係を示す側面
図、第３図Ａ〜Ｄは例えば腕時計に実装される本
発明の太陽電池の製作過程を示す平面図、第４図
Ａ及びＢは第３図示の製作過程を経て完成した本
考案の一実施例の平面図及び側面図、第５図及び
第６図はそれぞれ本考案の太陽電池とリード線及
び導電ゴムとの接続関係を示す側面図、第７図Ｅ
及び第８図Ｅはそれぞれ本考案の他の実施例の平
面図、第７図Ａ〜Ｄ及び第８図Ａ〜Ｄはそれぞれ
第７図Ｅ及び第８図Ｅの製作過程を示す平面図で
ある。 １……透光性基板、２……透明電極、３……半
導体層、４……背面電極、５……絶縁性保護膜、
６……導出電極、７……外部接続用端子。
Claims (1)
- 光入射側に透光性基板１を有し、該基板１の主
面上に透明電極２、半導体層３及び背面電極４が
順次被着され、更にその上に絶縁性保護膜５が形
成された太陽電池において、該絶縁性保護膜５は
前記透明電極２及び背面電極４に連なる少なくと
も一対の導出電極６を露出するように形成され、
該絶縁性保護膜５上には、前記導出電極６と接続
され、リード線等の接続に用いられる少なくとも
一対の外部接続用端子７が形成されることを特徴
とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16368783U JPS6071151U (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16368783U JPS6071151U (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6071151U JPS6071151U (ja) | 1985-05-20 |
| JPH0442944Y2 true JPH0442944Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=30359088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16368783U Granted JPS6071151U (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6071151U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9430819B2 (en) | 2007-06-28 | 2016-08-30 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661175A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-26 | Seiko Epson Corp | Thin-film solar cell |
-
1983
- 1983-10-22 JP JP16368783U patent/JPS6071151U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661175A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-26 | Seiko Epson Corp | Thin-film solar cell |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9430819B2 (en) | 2007-06-28 | 2016-08-30 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
| US11847768B2 (en) | 2007-06-28 | 2023-12-19 | Accuvein Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6071151U (ja) | 1985-05-20 |
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