JPH0521890Y2 - - Google Patents
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- JPH0521890Y2 JPH0521890Y2 JP1984105584U JP10558484U JPH0521890Y2 JP H0521890 Y2 JPH0521890 Y2 JP H0521890Y2 JP 1984105584 U JP1984105584 U JP 1984105584U JP 10558484 U JP10558484 U JP 10558484U JP H0521890 Y2 JPH0521890 Y2 JP H0521890Y2
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- conductive film
- metal electrode
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
本考案は、絶縁透明基板上に透明導電膜，半導
体薄膜，金属電極膜が積層された複数の光起電力
発生領域が形成され、隣接する各領域は一方の領
域の透明導電膜と他方の領域の金属電極膜を重ね
ることによつて接続される光起電力素子に関す
る。
体薄膜，金属電極膜が積層された複数の光起電力
発生領域が形成され、隣接する各領域は一方の領
域の透明導電膜と他方の領域の金属電極膜を重ね
ることによつて接続される光起電力素子に関す
る。
非晶質シリコンのような半導体薄膜を用いた光
起電力素子は、導電電極内の抵抗による損失を低
くするためあるいは高い出力電圧を得るため、通
常限られた面積の光起電力発生領域を複数形成
し、それらを直列または並列接続して出力を得る
構造を有する。光起電力発生のためには、光の入
射側に透明導電膜からなる一方の電極を設ける
が、これに隣接領域の他方の電極である金属電極
膜を接触させる必要がある。このような接触部に
おいては、特に高温，高湿雰囲気の中で、例えば
ITO，SnO2からなる透明導電膜と例えばAlのよ
うな耐蝕性の低い金属電極膜の境界面に水分が付
着すると、透明導電膜と金属膜の局部電池作用に
より腐蝕が進行する。また金属電極膜を選択エツ
チングする場合などに発生する水素により透明導
電膜が還元され、透明導電膜の切断または溶解現
象が起こり、通電路がオープンすることがある。
このため従来の透明導電膜と金属膜との接続方法
では、製造歩留りあるいは耐候性の向上について
問題があつた。
起電力素子は、導電電極内の抵抗による損失を低
くするためあるいは高い出力電圧を得るため、通
常限られた面積の光起電力発生領域を複数形成
し、それらを直列または並列接続して出力を得る
構造を有する。光起電力発生のためには、光の入
射側に透明導電膜からなる一方の電極を設ける
が、これに隣接領域の他方の電極である金属電極
膜を接触させる必要がある。このような接触部に
おいては、特に高温，高湿雰囲気の中で、例えば
ITO，SnO2からなる透明導電膜と例えばAlのよ
うな耐蝕性の低い金属電極膜の境界面に水分が付
着すると、透明導電膜と金属膜の局部電池作用に
より腐蝕が進行する。また金属電極膜を選択エツ
チングする場合などに発生する水素により透明導
電膜が還元され、透明導電膜の切断または溶解現
象が起こり、通電路がオープンすることがある。
このため従来の透明導電膜と金属膜との接続方法
では、製造歩留りあるいは耐候性の向上について
問題があつた。
本考案は、上記の問題を解決し、隣接光起電力
発生領域間の接続個所における局部電池作用ある
いは透明導電膜の還元作用が起こらないような光
起電力素子を提供することを目的とする。
発生領域間の接続個所における局部電池作用ある
いは透明導電膜の還元作用が起こらないような光
起電力素子を提供することを目的とする。
本考案によれば、基板上に被着した透明導電膜
の上面が半導体薄膜と金属電極膜とにより完全に
覆われていることによつて上記の目的が達成され
る。
の上面が半導体薄膜と金属電極膜とにより完全に
覆われていることによつて上記の目的が達成され
る。
第１図および第２図は本考案の一実施例を示
し、第２図ａ〜ｆは第１図のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ
−Ｃ，Ｄ−Ｄ，Ｅ−Ｅ，Ｆ−Ｆ線の各断面図であ
る。図において、例えばガラス板，ポリイミド樹
脂等の絶縁透明基板１の上にITOまたはSnO2の
様な透明導電材料の膜２の複数の領域（第１図に
おいては破線で示す）をマスクにより選択被着あ
るいは前面被着後、スクリーンプロセスまたはフ
オトプロセスによる選択エツチングにより部分的
に形成させる。次いで非晶質シリコン（以下ａ−
Siと記す）層３の複数の領域（第１図においては
一点鎖線または実線で示す）をマスクにより選択
成長あるいは全面成長後、スクリーンプロセスま
たはフオトプロセスによる選択エツチングにより
部分的に形成させる。その時ａ−Si層３は隣接複
数領域の隣接のための透明導電膜２の延長部２１
の端部を完全に覆つている。同時に、ａ−Si層３
は各光起電力発生領域の透明導電膜２の領域２２
を完全に覆つている。 次いで、透明導電膜２の対向電極として金属膜
（例えばAl膜またはAl−Ti積層膜４）をマスクに
よる選択蒸着、あるいは全面蒸着後スクリーンプ
ロセスまたはフオトプロセスによる選択エツチン
グにより部分的に形成させる。その時金属膜４の
延長部４１は透明導電膜２の延長部２１のａ−Si
層３によつて覆われていない領域を完全に覆つて
いる。これにより各光起電力発生領域は、透明導
電膜の延長部２１と金属膜の延長部４１の接触に
よつて電気的に直列接続される。 このような構造にすることにより、透明導電膜
２はａ−Si層３と金属膜４とにより完全に覆われ
ているから外部雰囲気に接触することがなく、水
分の付着による局部電池作用により腐食されるこ
とがない。また金属膜４の選択エツチング時に発
生する水素による還元作用を受けることもない。
し、第２図ａ〜ｆは第１図のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ
−Ｃ，Ｄ−Ｄ，Ｅ−Ｅ，Ｆ−Ｆ線の各断面図であ
る。図において、例えばガラス板，ポリイミド樹
脂等の絶縁透明基板１の上にITOまたはSnO2の
様な透明導電材料の膜２の複数の領域（第１図に
おいては破線で示す）をマスクにより選択被着あ
るいは前面被着後、スクリーンプロセスまたはフ
オトプロセスによる選択エツチングにより部分的
に形成させる。次いで非晶質シリコン（以下ａ−
Siと記す）層３の複数の領域（第１図においては
一点鎖線または実線で示す）をマスクにより選択
成長あるいは全面成長後、スクリーンプロセスま
たはフオトプロセスによる選択エツチングにより
部分的に形成させる。その時ａ−Si層３は隣接複
数領域の隣接のための透明導電膜２の延長部２１
の端部を完全に覆つている。同時に、ａ−Si層３
は各光起電力発生領域の透明導電膜２の領域２２
を完全に覆つている。 次いで、透明導電膜２の対向電極として金属膜
（例えばAl膜またはAl−Ti積層膜４）をマスクに
よる選択蒸着、あるいは全面蒸着後スクリーンプ
ロセスまたはフオトプロセスによる選択エツチン
グにより部分的に形成させる。その時金属膜４の
延長部４１は透明導電膜２の延長部２１のａ−Si
層３によつて覆われていない領域を完全に覆つて
いる。これにより各光起電力発生領域は、透明導
電膜の延長部２１と金属膜の延長部４１の接触に
よつて電気的に直列接続される。 このような構造にすることにより、透明導電膜
２はａ−Si層３と金属膜４とにより完全に覆われ
ているから外部雰囲気に接触することがなく、水
分の付着による局部電池作用により腐食されるこ
とがない。また金属膜４の選択エツチング時に発
生する水素による還元作用を受けることもない。
本考案は、光起電力素子の透明導電膜を半導体
薄膜と金属電極膜とで完全に覆うことにより、複
数の光起電力発生領域の接続のために設けられる
透明導電膜と金属電極膜の接触部が外部雰囲気に
触れることがないので腐食が起きることがない。
また透明導電膜の露出部がなくなるので還元作用
による変質が起きることもない。従つて耐候性
能、特に高温，高湿雰囲気に耐える性能が著しく
向上し、また通電路のオープンによる不良品の発
生も抑制されるので得られる効果は極めて大き
い。
薄膜と金属電極膜とで完全に覆うことにより、複
数の光起電力発生領域の接続のために設けられる
透明導電膜と金属電極膜の接触部が外部雰囲気に
触れることがないので腐食が起きることがない。
また透明導電膜の露出部がなくなるので還元作用
による変質が起きることもない。従つて耐候性
能、特に高温，高湿雰囲気に耐える性能が著しく
向上し、また通電路のオープンによる不良品の発
生も抑制されるので得られる効果は極めて大き
い。
第１図は本考案の一実施例の部分平面図、第２
図はａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆはそれぞれ第１図の
Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ，Ｅ−Ｅ，Ｆ−
Ｆ各線の断面図である。 １……絶縁透明基板、２……透明導電膜、３…
…ａ−Si層、４……金属電極膜。
図はａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆはそれぞれ第１図の
Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ，Ｅ−Ｅ，Ｆ−
Ｆ各線の断面図である。 １……絶縁透明基板、２……透明導電膜、３…
…ａ−Si層、４……金属電極膜。
Claims (1)
- 絶縁透明基板上に透明導電膜，半導体薄膜，金
属電極膜が順次積層されて成る複数の光起電力発
生領域を有し、隣接する各光起電力発生領域が一
方の領域の透明導電膜と他方の領域の金属電極膜
を重ねることによつて接続されるものにおいて、
前記絶縁透明基板上の透明導電膜が前記半導体薄
膜と前記金属電極膜とにより完全に覆われたこと
を特徴とする光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10558484U JPS6122370U (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10558484U JPS6122370U (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122370U JPS6122370U (ja) | 1986-02-08 |
| JPH0521890Y2 true JPH0521890Y2 (ja) | 1993-06-04 |
Family
ID=30664899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10558484U Granted JPS6122370U (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122370U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4909032B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP2010118703A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-05-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124274A (en) * | 1980-02-04 | 1980-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar battery |
| JPS5955079A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池 |
| JPS5976480A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
-
1984
- 1984-07-12 JP JP10558484U patent/JPS6122370U/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124274A (en) * | 1980-02-04 | 1980-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar battery |
| JPS5955079A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池 |
| JPS5976480A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122370U (ja) | 1986-02-08 |
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