JPS61222181A - 電流コレクタグリツドの製造方法及びそのための材料 - Google Patents
電流コレクタグリツドの製造方法及びそのための材料Info
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- JPS61222181A JPS61222181A JP60299665A JP29966585A JPS61222181A JP S61222181 A JPS61222181 A JP S61222181A JP 60299665 A JP60299665 A JP 60299665A JP 29966585 A JP29966585 A JP 29966585A JP S61222181 A JPS61222181 A JP S61222181A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光起電力装置用の表面接触部電流コレクタ
グリッドを形成する方法と材料に関する。特にこの発明
は、電流コレクタの厚さが第１半導体層の厚さを越える
ような薄膜光起電力装置用の表面接触部電流コレクタグ
リッドを形成する方法と、電流コレクタグリッドの好ま
しい組成に関する。
グリッドを形成する方法と材料に関する。特にこの発明
は、電流コレクタの厚さが第１半導体層の厚さを越える
ような薄膜光起電力装置用の表面接触部電流コレクタグ
リッドを形成する方法と、電流コレクタグリッドの好ま
しい組成に関する。
（従来の技術）
光起電力装置では一般に半導体と呼ばれる材料の特殊な
導電特性を利用することによって、太陽エネルギーまた
は放射エネルギーが有用な電気エネルギーに変換される
。この変換はセル（光電側の活性領域における光子エネ
ルギーの吸収で生じ、吸収エネルギーの一部が電子−正
孔対を発生させる。半導体材料中における電子−正孔対
の発生に必要なエネルギーはバンドギヤラグと呼ばれ、
一般的には価電子帯から伝導率へ電子を励起するのに必
要な最小エネルギーである。
導電特性を利用することによって、太陽エネルギーまた
は放射エネルギーが有用な電気エネルギーに変換される
。この変換はセル（光電側の活性領域における光子エネ
ルギーの吸収で生じ、吸収エネルギーの一部が電子−正
孔対を発生させる。半導体材料中における電子−正孔対
の発生に必要なエネルギーはバンドギヤラグと呼ばれ、
一般的には価電子帯から伝導率へ電子を励起するのに必
要な最小エネルギーである。
光起電力装置の有用性を表わすのに２つの主な尺度があ
る。８ｇ／は装置の効率で、これは光子エネルギーのう
ち有用なエネルギーＫＫ換され得る比率でおる。結晶材
から成る高効率の光起電力装置は、内部の格子欠陥を最
少限にすることによって効率を最大限化する。光起電力
装置の有用性を責わす第２尺度は、そのコストである。
る。８ｇ／は装置の効率で、これは光子エネルギーのう
ち有用なエネルギーＫＫ換され得る比率でおる。結晶材
から成る高効率の光起電力装置は、内部の格子欠陥を最
少限にすることによって効率を最大限化する。光起電力
装置の有用性を責わす第２尺度は、そのコストである。
単結晶装置は複雑で、製造にコストがかか９１大量生産
を行うのが容易でない。
を行うのが容易でない。
光起電力装置のコス）１−減じる７つの手法は、多結晶
性の薄膜材料とへテロ接合を利用することである。ヘテ
ロ接合とは、Ｂａ５ｏ１等の米国特許第４１、３Ｋｇ、
４ｔざ３号に教示されているように、硫化カドミウム
とテルル化カドミウム等のλつの異なる材料間の境界に
形成され次活性接會を意味する。
性の薄膜材料とへテロ接合を利用することである。ヘテ
ロ接合とは、Ｂａ５ｏ１等の米国特許第４１、３Ｋｇ、
４ｔざ３号に教示されているように、硫化カドミウム
とテルル化カドミウム等のλつの異なる材料間の境界に
形成され次活性接會を意味する。
Ｂａ５ｏ１等の特許は、活性ノーが元素周期律表第１８
族中の少なくとも７つの金属元素と、元素周期律表第Ｖ
ＩＡ族中の７つの非金属元素から成るような薄膜へテロ
接合の光電池を記述している。かかる光起電力装置の１
つの特徴は、極薄膜の活性層を用いていることにある。
族中の少なくとも７つの金属元素と、元素周期律表第Ｖ
ＩＡ族中の７つの非金属元素から成るような薄膜へテロ
接合の光電池を記述している。かかる光起電力装置の１
つの特徴は、極薄膜の活性層を用いていることにある。
−例としてＢａ５ｏ １等は、０．０２〜０．Ｏ５μｍ
の硫化カドミウム層と約１．３μｍのテルル化カドミウ
ム層を用い友。このような材料の節約は明らかに利点で
あるが、同時に電流の収集に関して予期せぬ問題がもた
らされ友。
の硫化カドミウム層と約１．３μｍのテルル化カドミウ
ム層を用い友。このような材料の節約は明らかに利点で
あるが、同時に電流の収集に関して予期せぬ問題がもた
らされ友。
上記のような薄膜光起電力装置は一般に、光学的に透明
な基板、この透明基板上に形成され次第／の半導体層、
この第１半導体層と反対の導電型で第１層と接合を形成
する第２の半導体層、及び導電性膜から成る裏面接触部
で構成されている。
な基板、この透明基板上に形成され次第／の半導体層、
この第１半導体層と反対の導電型で第１層と接合を形成
する第２の半導体層、及び導電性膜から成る裏面接触部
で構成されている。
基板が導電性でないときは、基板と第１半導体層の間に
、透明な導電性酸化物等の透明な導電層から成る表面接
触部が介設される。このノーが、光起電力装置用の電流
コレクターとして機能する。しかし、インジウム・ス、
ｅａｌＩ化書、インジウム酸化物、スズ酸化物及び亜鉛
酸化物等の透明な導電性酸化物は、約／θオーム／ｃｉ
ｔという同有のシート抵抗率のため、約／ｄよシ大きい
サイズの電池において有効な電流コレクタとならない。
、透明な導電性酸化物等の透明な導電層から成る表面接
触部が介設される。このノーが、光起電力装置用の電流
コレクターとして機能する。しかし、インジウム・ス、
ｅａｌＩ化書、インジウム酸化物、スズ酸化物及び亜鉛
酸化物等の透明な導電性酸化物は、約／θオーム／ｃｉ
ｔという同有のシート抵抗率のため、約／ｄよシ大きい
サイズの電池において有効な電流コレクタとならない。
透明の導電層は、もつと効率のよいコレクタ手段で補わ
れねばならない。しかし、薄膜起電力装置用の表面接触
部電流コレクタ手段を形成することは、透明な２４１ｉ
Ｃ層と接触して配設される表面接触部グリッド形電流コ
レクタの全厚が一般に第１半導体層の組合わせ厚を越え
、第２活性層内に延出するという新たな問題を生じる。
れねばならない。しかし、薄膜起電力装置用の表面接触
部電流コレクタ手段を形成することは、透明な２４１ｉ
Ｃ層と接触して配設される表面接触部グリッド形電流コ
レクタの全厚が一般に第１半導体層の組合わせ厚を越え
、第２活性層内に延出するという新たな問題を生じる。
そしてこの幾何構造は、装置のショート及び半導体層自
体の一様な形成に関わる問題をもたらす。
体の一様な形成に関わる問題をもたらす。
（発明の目的）
本発明の一つの目的は、電流コレクタグリッドの厚さが
第１半導体層の厚さを越えているが、上記の欠点金談ら
ないような光起電力装置用の表面接触部電流コレクタグ
リッドを提供することにある。
第１半導体層の厚さを越えているが、上記の欠点金談ら
ないような光起電力装置用の表面接触部電流コレクタグ
リッドを提供することにある。
本発明の別の目的は、電流コレクタグリッドの厚さが＠
７半導体層の厚さを越えるような光起電力装置の電流コ
レクタダリツドとして使うのに適し友材料を提供するこ
とＫある。
７半導体層の厚さを越えるような光起電力装置の電流コ
レクタダリツドとして使うのに適し友材料を提供するこ
とＫある。
本発明のさらに別の目的は、第１半導体層の厚さを越え
る厚さを持つ次電流コレクタグリッドを光起電力装置内
に形成する方法を提供することにある。
る厚さを持つ次電流コレクタグリッドを光起電力装置内
に形成する方法を提供することにある。
本発明の上記及びその他の目的は、以下の説明と特許請
求の範囲から当業者に明らかとなろう。
求の範囲から当業者に明らかとなろう。
（発明の構成）
一般に本発明は、透明な基板；該基板上の透明な導電膜
、該透明な導電膜上に形成された第１半導体層；該第１
半導体層と反対の導電形で、第１半導体層上に接して施
されζそれとの間に接合を形成する第２半導体層；該第
２半導体層上に施されて裏面電気接触部を形成する導電
膜；及び第１半導体層と接触し、第１半導体層を貫いて
延びた電流コレクタグリッドを備えて成り、電流コレク
タグリッドが該グリッドと第２半導体層との間で阻止接
触を形放し、電流コレクタグリッドが第１半導体層とオ
ーミック接触し、裏面電気接触部がＩＩ２半導体層とオ
ーミック接触する薄膜光起電力装置に係わる。これらの
薄膜光起電力装置はしばしば、第１及び第２半導体層の
組合わせ厚を越える厚さの異面接触部電流コレクタグリ
ッドを有することを特徴とし、この場合には電気絶縁材
の層が電流コレクタグリッドと裏面電気接触部の間に施
される。
、該透明な導電膜上に形成された第１半導体層；該第１
半導体層と反対の導電形で、第１半導体層上に接して施
されζそれとの間に接合を形成する第２半導体層；該第
２半導体層上に施されて裏面電気接触部を形成する導電
膜；及び第１半導体層と接触し、第１半導体層を貫いて
延びた電流コレクタグリッドを備えて成り、電流コレク
タグリッドが該グリッドと第２半導体層との間で阻止接
触を形放し、電流コレクタグリッドが第１半導体層とオ
ーミック接触し、裏面電気接触部がＩＩ２半導体層とオ
ーミック接触する薄膜光起電力装置に係わる。これらの
薄膜光起電力装置はしばしば、第１及び第２半導体層の
組合わせ厚を越える厚さの異面接触部電流コレクタグリ
ッドを有することを特徴とし、この場合には電気絶縁材
の層が電流コレクタグリッドと裏面電気接触部の間に施
される。
また本発明は、表面接触部電流コレクタグリッドが第１
及び第２半導体層と物理的に接触し、両生導体層が反対
の導電形を有し、電流コレクタグリッドが第１半導体層
とオーミック接触を、第２半導体層と電流阻止接触を形
成するものに係わる。
及び第２半導体層と物理的に接触し、両生導体層が反対
の導電形を有し、電流コレクタグリッドが第１半導体層
とオーミック接触を、第２半導体層と電流阻止接触を形
成するものに係わる。
電流コレクタグリッドの組成は、上記のような電流コレ
クタグリッドの電気接触特性を与えるものとされる。
クタグリッドの電気接触特性を与えるものとされる。
さらに本発明は、光起電力装置を製造する方法で：
ａ）透明な基板上に透明な導電膜を被着する工程；ｂ）
透明な導電膜上に第１半導体層を被着する工程； Ｃ）第１半導体層と反対の導電形を有する第２半導体層
ｔ−第１半導体層上に被着する工程；ｄ）＠／及び第２
半導体層を貫いて延びるチャネルをエツチング形成する
工程； ｅ）チャネル内に導電材を被着し、電流コレクタグリッ
ドを形成する工程で、該導電材が第２半導体層と阻止接
合をそれぞれ形成するように選ばれていること； ｆ） 電流コレクタグリッド上に電気絶縁材を被着する
工程；及び ｇ） 第２半導体層上と絶縁された電流コレクタグリッ
ド上に導電膜を被着し、第２半導体層との間にオーミッ
ク接触を与える工程； から成る方法に係わる。
透明な導電膜上に第１半導体層を被着する工程； Ｃ）第１半導体層と反対の導電形を有する第２半導体層
ｔ−第１半導体層上に被着する工程；ｄ）＠／及び第２
半導体層を貫いて延びるチャネルをエツチング形成する
工程； ｅ）チャネル内に導電材を被着し、電流コレクタグリッ
ドを形成する工程で、該導電材が第２半導体層と阻止接
合をそれぞれ形成するように選ばれていること； ｆ） 電流コレクタグリッド上に電気絶縁材を被着する
工程；及び ｇ） 第２半導体層上と絶縁された電流コレクタグリッ
ド上に導電膜を被着し、第２半導体層との間にオーミッ
ク接触を与える工程； から成る方法に係わる。
（作用）
こ＼で使われるものとして、大面積薄膜光起電力装置を
参照する。このような光起電力装置は、少なくとも／ｄ
の露出活性表面と、約２μｍ以下の組会わせ半導体層厚
ｔ−Ｗし、反対の導電盤の半導体層から成ることを特徴
とする。このような半導体層の組会わせ例には、ＣｄＴ
ｅ／ＣｄＳ 、 ＨｇＧｄＴｅ／ＣｄＳ 、 ＣｕｇＳ
／ＣｄＳ 、 Ｃｕ１ｎＳｅ＊／ＣｄＳ、 ＺｎＴｅ／
ＣｄＳ及びＺｎＴａ／ＣｄＳｅがある。半導体層は元素
周期律我第１［Ｂ簾中の少なくとも１つの金属元素と、
第ＶＩＡ簾中の７つの非金属元素とで構成されたＣｄＳ
、 ＣｄＴｅ 。
参照する。このような光起電力装置は、少なくとも／ｄ
の露出活性表面と、約２μｍ以下の組会わせ半導体層厚
ｔ−Ｗし、反対の導電盤の半導体層から成ることを特徴
とする。このような半導体層の組会わせ例には、ＣｄＴ
ｅ／ＣｄＳ 、 ＨｇＧｄＴｅ／ＣｄＳ 、 ＣｕｇＳ
／ＣｄＳ 、 Ｃｕ１ｎＳｅ＊／ＣｄＳ、 ＺｎＴｅ／
ＣｄＳ及びＺｎＴａ／ＣｄＳｅがある。半導体層は元素
周期律我第１［Ｂ簾中の少なくとも１つの金属元素と、
第ＶＩＡ簾中の７つの非金属元素とで構成されたＣｄＳ
、 ＣｄＴｅ 。
ＨｇＣｄＴｅ等から成るのが好ましい。
以下本発明ｔｍ化カドミウムとテルル化カドミウムの両
生導体層を用いた例について説明するが、かかる実施例
はそれに制限されるものとして解釈されるべきでない。
生導体層を用いた例について説明するが、かかる実施例
はそれに制限されるものとして解釈されるべきでない。
つまシ本発明は、表面接触部用圧電流コレクタグリッド
が使われ、グリッドの厚さが第１半導体層の厚さを越え
るようなどんな半導体装置にも適用可能である。
が使われ、グリッドの厚さが第１半導体層の厚さを越え
るようなどんな半導体装置にも適用可能である。
こ＼に参考資料として含めるＢａ５ｏ１等の米国特許第
ダ、３ｇｇ、弘ｇ３号は、硫化カドミウムのｎ形半導体
層とテルル化カドミウムのｎ形半導体層を持つ薄膜光起
電力装置を教示している。光は透明な基板を通ってセル
内に入り、硫化カドミウム層を通過してテルル化カドミ
ウム層内に入る。硫化カドミウム層が硫化カドミウム／
テルル化カドミウム間のへテロ接合に達する光を減衰す
るので、厚さ範囲が約０．０／μｍ〜約０．／＾ｍの非
常に薄い硫化カドミウム層とするのが望ましい。テルル
化カドミウム層は光の効率的な吸収体なので、入射する
使用可能な太陽スペクトルのはソ全部金有効に利用する
のに１約／、２μｍの厚さがあればよい。
ダ、３ｇｇ、弘ｇ３号は、硫化カドミウムのｎ形半導体
層とテルル化カドミウムのｎ形半導体層を持つ薄膜光起
電力装置を教示している。光は透明な基板を通ってセル
内に入り、硫化カドミウム層を通過してテルル化カドミ
ウム層内に入る。硫化カドミウム層が硫化カドミウム／
テルル化カドミウム間のへテロ接合に達する光を減衰す
るので、厚さ範囲が約０．０／μｍ〜約０．／＾ｍの非
常に薄い硫化カドミウム層とするのが望ましい。テルル
化カドミウム層は光の効率的な吸収体なので、入射する
使用可能な太陽スペクトルのはソ全部金有効に利用する
のに１約／、２μｍの厚さがあればよい。
硫化カドばラム層は、硫化カドミウム層と透明基板の間
に配設され友インゾウム・スズ酸化物等光学的に透明で
、導電性の材料から成る層に隣接している。インジウム
・スズ酸化物層の電流収集を高める九めに、電流コレク
タグリッドが使われる・この表面接触部電流コレクタグ
リッドは、効率的な電流収集全可能とす、る任意の幾例
形状トシ得る。太陽輻射の最大量がセル内へ入射可能と
するように、グリッドは複数の細い帯状片から成るのが
好ましい。グリッド全体が細いので、導電透明層と比ベ
グリッドが低い抵抗率を持つように、各帯状片は比較的
大きい厚さを有する。か＼るグリッドの典盤的な厚さは
、グリッドに使う材料とグリッドの中に依存し、一般に
約−μｍ〜約１０μｍである。従って、グリッドの厚さ
が第１半導体層の厚さ、さらに一般的には第１及び第２
半導体層の組合わせ厚を越えることが理解されよう。
に配設され友インゾウム・スズ酸化物等光学的に透明で
、導電性の材料から成る層に隣接している。インジウム
・スズ酸化物層の電流収集を高める九めに、電流コレク
タグリッドが使われる・この表面接触部電流コレクタグ
リッドは、効率的な電流収集全可能とす、る任意の幾例
形状トシ得る。太陽輻射の最大量がセル内へ入射可能と
するように、グリッドは複数の細い帯状片から成るのが
好ましい。グリッド全体が細いので、導電透明層と比ベ
グリッドが低い抵抗率を持つように、各帯状片は比較的
大きい厚さを有する。か＼るグリッドの典盤的な厚さは
、グリッドに使う材料とグリッドの中に依存し、一般に
約−μｍ〜約１０μｍである。従って、グリッドの厚さ
が第１半導体層の厚さ、さらに一般的には第１及び第２
半導体層の組合わせ厚を越えることが理解されよう。
こ＼で明らかなように、上記の物理的構成は、電流コレ
クタグリッドがテルル化カドミウム層から電流を分路し
ない限シにおいて動作可能である。
クタグリッドがテルル化カドミウム層から電流を分路し
ない限シにおいて動作可能である。
グリッドに過剰なリーク電流をテルル化カドミウム層と
コレクタグリッド間の接＠−ヲ通して流し、リーク電流
は裏面の電気接点かテルル化カドミウム膜を通り表面接
触部電流コレクタへ通過可能な電流として定義される。
コレクタグリッド間の接＠−ヲ通して流し、リーク電流
は裏面の電気接点かテルル化カドミウム膜を通り表面接
触部電流コレクタへ通過可能な電流として定義される。
リーク電流の大きさけテルル化カドミウムの抵抗率、裏
面電気接触部のエツジとコレクタグリッド間の距離、及
びコレクタグリッドの作成方法と組成に依存する。テル
ル化カドミウムの低い抵抗率層等から成る低抵抗率の第
２半導体層が使われる場曾、及び／又はリーク電流が横
切らねばならない裏面と表面の電流コレクタ間の距離が
非常に小さい場曾には、上記のリーク電流が光起電力装
置の全体効率を減少させる。
面電気接触部のエツジとコレクタグリッド間の距離、及
びコレクタグリッドの作成方法と組成に依存する。テル
ル化カドミウムの低い抵抗率層等から成る低抵抗率の第
２半導体層が使われる場曾、及び／又はリーク電流が横
切らねばならない裏面と表面の電流コレクタ間の距離が
非常に小さい場曾には、上記のリーク電流が光起電力装
置の全体効率を減少させる。
接合を通過するリーク電流は、コレクタグリッド／テレ
クタグリッド間の接触が阻止接會となるようにコレクタ
グリッドの組Ｗ、１！Ｉ：選べは減少できる。これによ
ってリーク電流は、光応答装置の全体効率に有意な影響
を及ぼさない程度にまで減じられる。低い抵抗率を持つ
周知のコレクタグリッド材料は、こうしえ薄い光起電力
装置で良好に機能し得ない。銅、金、銀等の周知材料は
、硫化カドミウムとテルル化カドミウムの両方とオーピ
ンク電気接触全形成するので、光起電力装置を通るリー
ク電流用の通路を開く。またこうした材料は、それらを
電流コレクタとして被着するのに必要なｆｌＫで、テル
ル化カドミウム等第１ＩＳ−ＶＩＡ族ノキノ半導体内速
く拡散する。例えば、銅や銀のグリッドを基板上に蒸着
する場合、機械的に安定な接点を形成するには、基板温
度は約７３θ℃〜２００℃であるのが好ましい。テルル
化カドミウム等のｐ形半導体材料と阻止接合を形成する
材料には、アルミニウム、インジウム、カドミウム、ス
ズ、鉛、または亜鉛、あるいはそれら少なくとも２ｆ／
１１の混仕物また／ｒｉ曾金がある。表面接触部電流コ
レクタグリッドの組成はアルミニウムであるのが好まし
い。
クタグリッド間の接触が阻止接會となるようにコレクタ
グリッドの組Ｗ、１！Ｉ：選べは減少できる。これによ
ってリーク電流は、光応答装置の全体効率に有意な影響
を及ぼさない程度にまで減じられる。低い抵抗率を持つ
周知のコレクタグリッド材料は、こうしえ薄い光起電力
装置で良好に機能し得ない。銅、金、銀等の周知材料は
、硫化カドミウムとテルル化カドミウムの両方とオーピ
ンク電気接触全形成するので、光起電力装置を通るリー
ク電流用の通路を開く。またこうした材料は、それらを
電流コレクタとして被着するのに必要なｆｌＫで、テル
ル化カドミウム等第１ＩＳ−ＶＩＡ族ノキノ半導体内速
く拡散する。例えば、銅や銀のグリッドを基板上に蒸着
する場合、機械的に安定な接点を形成するには、基板温
度は約７３θ℃〜２００℃であるのが好ましい。テルル
化カドミウム等のｐ形半導体材料と阻止接合を形成する
材料には、アルミニウム、インジウム、カドミウム、ス
ズ、鉛、または亜鉛、あるいはそれら少なくとも２ｆ／
１１の混仕物また／ｒｉ曾金がある。表面接触部電流コ
レクタグリッドの組成はアルミニウムであるのが好まし
い。
第１の問題は、半導体層の形成中またはその後の素子処
理中に生じる高い処理温度でグリッド材料が半導体層内
へ拡散することに関連している。
理中に生じる高い処理温度でグリッド材料が半導体層内
へ拡散することに関連している。
半導体層が浴中で電着される場合には、浴液がグリッド
材料ｔ−Ｓ解し、形成中のグリッド及び半導体層に悪影
響を及ぼす可能性がある。この場合、グリッドが劣化す
る他、溶出したグリッド材料で浴が汚され、被着半導体
層に悪影響を及ぼす。米国特許第り、３ざＳ、グｔ３号
に教示された電着法では、硫化カドミウムとテルル化カ
ドミウムから成る半導体層の被着のために選んだ電解浴
内での侵食に耐えるグリッド材料として銅、金、銀、ニ
ッケル等が確認されている。しかし、これらの材料は同
時に、硫化カドミウムとテルル化カドミウム両層と良好
な電気接触を形成し、上記のととくテルル化カドミウム
層とグリッド間で高いリーク電流路を生じ易い。テルル
化カドミウ□ム等ｐ形牛導体と電流阻止バリヤーを形成
する好ましいグリッド材料として上記し友アルミニウム
、インジウム、カドミウム、スズ、鉛等は急速にメッキ
浴中に浴解し、不純物となるため、従来の方法で形成さ
れる電流コレクタグリッド用の組成として適切でない。
材料ｔ−Ｓ解し、形成中のグリッド及び半導体層に悪影
響を及ぼす可能性がある。この場合、グリッドが劣化す
る他、溶出したグリッド材料で浴が汚され、被着半導体
層に悪影響を及ぼす。米国特許第り、３ざＳ、グｔ３号
に教示された電着法では、硫化カドミウムとテルル化カ
ドミウムから成る半導体層の被着のために選んだ電解浴
内での侵食に耐えるグリッド材料として銅、金、銀、ニ
ッケル等が確認されている。しかし、これらの材料は同
時に、硫化カドミウムとテルル化カドミウム両層と良好
な電気接触を形成し、上記のととくテルル化カドミウム
層とグリッド間で高いリーク電流路を生じ易い。テルル
化カドミウ□ム等ｐ形牛導体と電流阻止バリヤーを形成
する好ましいグリッド材料として上記し友アルミニウム
、インジウム、カドミウム、スズ、鉛等は急速にメッキ
浴中に浴解し、不純物となるため、従来の方法で形成さ
れる電流コレクタグリッド用の組成として適切でない。
ｓｇ−の問題は、電流コレクタグリッドの形成後におけ
る半導体層の被着と関連して生じる。つま力、比較的大
きい厚さの電流コレクタグリッドが透明な導電層上に設
けられているため、被着が一様または完全とならない。
る半導体層の被着と関連して生じる。つま力、比較的大
きい厚さの電流コレクタグリッドが透明な導電層上に設
けられているため、被着が一様または完全とならない。
硫化カドミウムとテルル化カドミウム両層のグリッド近
くにおける被着が不完全で、酸性浴液内におけるテルル
化カドミウムの電気メッキ等、その後の電着工程中にエ
ツチングと侵食にさらされる露出部分を透明な導電層に
残してしまうことがよくある。このような場合、グリッ
ドは半導体層から電気的に絶縁されるかまたは高抵抗に
よってそれらから電気的に分離され、効率的な電流コレ
クタとならない。これは光起電力装置の直列抵抗を増大
させるという悪影響を生じ、究極的に光起電力装置の不
良を引き起す恐れがある。
くにおける被着が不完全で、酸性浴液内におけるテルル
化カドミウムの電気メッキ等、その後の電着工程中にエ
ツチングと侵食にさらされる露出部分を透明な導電層に
残してしまうことがよくある。このような場合、グリッ
ドは半導体層から電気的に絶縁されるかまたは高抵抗に
よってそれらから電気的に分離され、効率的な電流コレ
クタとならない。これは光起電力装置の直列抵抗を増大
させるという悪影響を生じ、究極的に光起電力装置の不
良を引き起す恐れがある。
上記の困難は、活性半導体層の形成後に電流コレクタグ
リッドが被着されるこの発明に基づく方法によって解消
できる。本方法では、まず半導体層が透明な導電層上に
被着され、その後電流コレクタグリッドとして所望なパ
ータンで、チャネルがエツチング、スクライビング（創
設）またはその他により半導体層を貫いて形成される。
リッドが被着されるこの発明に基づく方法によって解消
できる。本方法では、まず半導体層が透明な導電層上に
被着され、その後電流コレクタグリッドとして所望なパ
ータンで、チャネルがエツチング、スクライビング（創
設）またはその他により半導体層を貫いて形成される。
エツチングは化学的エツチング、スクライビングは物理
的、機械的、レーザスクライビングやその他の手法で行
える。次いで、導電材料がチャネル内に被着され、この
導電材料は第２半導体層と電流阻止接合を形成するよう
に選ばれる。これらの材料は、上記において確認された
ものである。その後、電気絶縁材がグリッド上へ選択的
に被着される。次いで、第２半導体層と接触し電流コレ
クタグリッドから絶縁された裏面接触点として、導電膜
が光起電力装置に被着される。
的、機械的、レーザスクライビングやその他の手法で行
える。次いで、導電材料がチャネル内に被着され、この
導電材料は第２半導体層と電流阻止接合を形成するよう
に選ばれる。これらの材料は、上記において確認された
ものである。その後、電気絶縁材がグリッド上へ選択的
に被着される。次いで、第２半導体層と接触し電流コレ
クタグリッドから絶縁された裏面接触点として、導電膜
が光起電力装置に被着される。
この方法によれば、連続的で一様な半導体層を、先に透
明な導電膜で被着され九基材上に被着することができる
。半導体層の形成後にコレクタグリッドが被着されるの
で、半導体層の形成に必要な熱処理はコレクタグリッド
材料の不在で成される結果、半導体層の形成中における
グリッド材料の活性半導体ｊ−内への拡散は排除される
。さらに本方法は、半導体層の被着にとって好ましい工
程と適合しないグリッド材料の使用を可能とする。−例
として、テルル化カドミウムのメッキ浴中に溶解するア
ルミニウムも、硫化カドミウム／テルル化カドミウム光
起電力装置でのグリッド材料として使え、アルミニウム
がグリッドチャネルに被着される前に半導体層が形成さ
れる。こうして、テルル化カドミウムに対する低コスト
の電流阻止ノ櫂リヤを形成するアルミニウムを、従来の
グリッド被着方法で生じる欠点を伴わずに、表面接触部
電流コレクタグリッドとして使うことができる。
明な導電膜で被着され九基材上に被着することができる
。半導体層の形成後にコレクタグリッドが被着されるの
で、半導体層の形成に必要な熱処理はコレクタグリッド
材料の不在で成される結果、半導体層の形成中における
グリッド材料の活性半導体ｊ−内への拡散は排除される
。さらに本方法は、半導体層の被着にとって好ましい工
程と適合しないグリッド材料の使用を可能とする。−例
として、テルル化カドミウムのメッキ浴中に溶解するア
ルミニウムも、硫化カドミウム／テルル化カドミウム光
起電力装置でのグリッド材料として使え、アルミニウム
がグリッドチャネルに被着される前に半導体層が形成さ
れる。こうして、テルル化カドミウムに対する低コスト
の電流阻止ノ櫂リヤを形成するアルミニウムを、従来の
グリッド被着方法で生じる欠点を伴わずに、表面接触部
電流コレクタグリッドとして使うことができる。
以下の図面の説明と実験例は、本発明の有効性ヲ夷証す
るものである。尚、これらの図面と実験例は例示だけを
目的としてお９、いかなる意味においても本発８Ａｔ−
制限するものでない。
るものである。尚、これらの図面と実験例は例示だけを
目的としてお９、いかなる意味においても本発８Ａｔ−
制限するものでない。
（実施例）
第１図に示すように、全体を参照番号１０で示し九本発
明による光起電力装置の好ましい実施例は、ガラス等の
透明な基板１４を有し、概略的に矢印１２で示し比光が
そこを通って装置に入射する。光学的に透明な導電性材
料の層１６が基板１４上に被着され、これと接触してい
る。電流コレクタグリッド１８が、透明な導電層１６に
接触して示しである。電流コレクタグリッド１８の各部
片間に、透明な導電層１６上に設けられた第１半導体層
２０と、該第１半導体層上に設けられ几第−半導体層２
２が配されている。第１半導体層の抵抗率が充分に低け
れば、上記に代え、電流コレクタグリッド１８を第１半
導体層２０と接触させてもよい、つま）第１半導体層２
０内に終端させてもよい。
明による光起電力装置の好ましい実施例は、ガラス等の
透明な基板１４を有し、概略的に矢印１２で示し比光が
そこを通って装置に入射する。光学的に透明な導電性材
料の層１６が基板１４上に被着され、これと接触してい
る。電流コレクタグリッド１８が、透明な導電層１６に
接触して示しである。電流コレクタグリッド１８の各部
片間に、透明な導電層１６上に設けられた第１半導体層
２０と、該第１半導体層上に設けられ几第−半導体層２
２が配されている。第１半導体層の抵抗率が充分に低け
れば、上記に代え、電流コレクタグリッド１８を第１半
導体層２０と接触させてもよい、つま）第１半導体層２
０内に終端させてもよい。
肉半導体層２０．２２の導電形は同じでない。
−例として、第１半導体層２０ｔｉ（Ａ化カドばラムの
ｎ形半導体層、第２半導体層２２はテルル化カドミウム
のｐ形半導体層から成る。電流コレクタダリツドの厚さ
は、第１及び第２半導体層の組会わせ厚を越えるものと
して示しである。
ｎ形半導体層、第２半導体層２２はテルル化カドミウム
のｐ形半導体層から成る。電流コレクタダリツドの厚さ
は、第１及び第２半導体層の組会わせ厚を越えるものと
して示しである。
尚こ＼で、図中の各形状の寸法は個々の形状について尋
人で示し友ものでないことは当業者にとって明らかであ
ろう。代狭的な薄膜光起電力装置は、約／μｍ〜約ＩＯ
μｍの範Ｈの組付わせ厚を有する活性半導体層を含み、
約／μｍ〜／θμｍの厚さの電流コレクタグリッド管用
いている。また、図面中の各形状は本発明を明確にする
目的でのみ図示されていることが理解されよう。
人で示し友ものでないことは当業者にとって明らかであ
ろう。代狭的な薄膜光起電力装置は、約／μｍ〜約ＩＯ
μｍの範Ｈの組付わせ厚を有する活性半導体層を含み、
約／μｍ〜／θμｍの厚さの電流コレクタグリッド管用
いている。また、図面中の各形状は本発明を明確にする
目的でのみ図示されていることが理解されよう。
表面接触部１６と電流コレクタグリッド１８が表面接触
部２６とショートしないように１絶縁膜２４がグリッド
１Ｂ上に設けられている。電流コレクタグリッドは透明
な導電層１６、第１半導体層２０及び第２半導体層２２
と接触しているのスゲリッド１８は上記し友ように、透
明な導電層１６及び第１半導体層２０と効率的な電気接
触を形成するが、第二半導体層２２に対しては阻止）４
リヤーを形成する組成から成ることが重要である。
部２６とショートしないように１絶縁膜２４がグリッド
１Ｂ上に設けられている。電流コレクタグリッドは透明
な導電層１６、第１半導体層２０及び第２半導体層２２
と接触しているのスゲリッド１８は上記し友ように、透
明な導電層１６及び第１半導体層２０と効率的な電気接
触を形成するが、第二半導体層２２に対しては阻止）４
リヤーを形成する組成から成ることが重要である。
裏面接触部２６は第２半導体層２２と電気的に接触し、
その境界で効率的な電流コレクタの役割を果す材料から
成る。各種構成の裏面接触部電流コレクタ手段が周知で
あり、本発明による光電池で使用可能である。
その境界で効率的な電流コレクタの役割を果す材料から
成る。各種構成の裏面接触部電流コレクタ手段が周知で
あり、本発明による光電池で使用可能である。
認コ図は、本発明によるものではない表面接触部電流コ
レクタグリッドを用いた光起電力装置の断面図を示して
いる。同図から明らかなように、全体を参照番号３０で
示した光起電力装置は透明な基板３４ｔ−有し、矢印３
２で示した輻射エネルギーがこ＼を通って光起電力装置
に入射する。光学的に透明な導電材３６ｄｔ基板３４上
に被着されている。この彼我面接触部電流コレクタグリ
ッド３８と被着されると、これに続く活性半導体層の形
成はグリッドライン間に完全に延びた層を生じ得ない。
レクタグリッドを用いた光起電力装置の断面図を示して
いる。同図から明らかなように、全体を参照番号３０で
示した光起電力装置は透明な基板３４ｔ−有し、矢印３
２で示した輻射エネルギーがこ＼を通って光起電力装置
に入射する。光学的に透明な導電材３６ｄｔ基板３４上
に被着されている。この彼我面接触部電流コレクタグリ
ッド３８と被着されると、これに続く活性半導体層の形
成はグリッドライン間に完全に延びた層を生じ得ない。
つまシ第２図に示すごとく、第１半導体層４０と第２半
導体層４２は、それらが電流コレクタグリッド３８と完
全く接触するように被着できない。Ｂａ５ｏ Ｉ等の米
国特許第４ｔ、３ｇｇ、 ４１ｇ３号によるように、半
導体層が電着によって被着される揚台、メッキ浴とそれ
らの間のエツチング工程がグリッド材料を部分的に溶出
する及び／又は透明な導電層３６ｔ−エッチする。従っ
て、グリッドフィンガーが両生導体層から電気的に隔離
れ、その目的と使用を無効にしてしまう。絶縁材４４が
、電流コレクタグリッド３８と半導体層４Ｇ、４２間に
形成される他、半導体層の電着中にエッチされ、半導体
材料によって覆われていない透明な導電７１１３６内へ
部分的にされるものとして示しである。
導体層４２は、それらが電流コレクタグリッド３８と完
全く接触するように被着できない。Ｂａ５ｏ Ｉ等の米
国特許第４ｔ、３ｇｇ、 ４１ｇ３号によるように、半
導体層が電着によって被着される揚台、メッキ浴とそれ
らの間のエツチング工程がグリッド材料を部分的に溶出
する及び／又は透明な導電層３６ｔ−エッチする。従っ
て、グリッドフィンガーが両生導体層から電気的に隔離
れ、その目的と使用を無効にしてしまう。絶縁材４４が
、電流コレクタグリッド３８と半導体層４Ｇ、４２間に
形成される他、半導体層の電着中にエッチされ、半導体
材料によって覆われていない透明な導電７１１３６内へ
部分的にされるものとして示しである。
裏面電気接触部４６も、第−半導体層４２と絶縁材４４
と接触して示しである。つまり第２図は、表面接触部電
流コレクタグリッドを用いた光起電力装置の形成に伴う
明らかな危険を示している。
と接触して示しである。つまり第２図は、表面接触部電
流コレクタグリッドを用いた光起電力装置の形成に伴う
明らかな危険を示している。
表面接触部電流コレクタグリッドを形成するための本発
明による方法は第２図に示した危険を回避でき、第８Ａ
−Ｄ図に例示しである。第８Ａ図に示すごとく、本方法
では、光学的に透明な光導電膜５２がその上に被着され
た透明な基板ｓＯを用いる。透明な導電膜５２上に、第
１半導体層５４と第２半導体層５６が設けられている。
明による方法は第２図に示した危険を回避でき、第８Ａ
−Ｄ図に例示しである。第８Ａ図に示すごとく、本方法
では、光学的に透明な光導電膜５２がその上に被着され
た透明な基板ｓＯを用いる。透明な導電膜５２上に、第
１半導体層５４と第２半導体層５６が設けられている。
これら両層は、Ｔｙａｎの米国特許第物２０２．１７９
号、名称「多結晶性薄膜ＣｄＶＣｄＴｅ光電池」及びＵ
ｄａ等の論文「全スクリーン式プリン） ＣｄＳ／Ｃｄ
Ｔｅセ刈、第１６回Ｉ ＥＥＥ光起電力専門家会議、ざ
Ｏ／員、１９ｇ２に教示されているような方法を含め、
各種周知の方法で形成できる。次に１第８Ｂ図に示すご
とく、第１及び第２導電層５４．５６１それぞれ貞いて
チャネル５８が形成され、透明な導電層５２ｔ−露出す
る。別の実施例では、チャネルが第２半導体層だけを貫
いて延びるか、第２半導体層を貫いて第１半導体層へ部
分的に延びるか、あるいは透明な導電層内へと延びてお
シ、その目的はチャネル内に形成すべきグリッドと透明
な導電層間で電気的な接触を達成することにある。嵌置
電流コレクタグリッドとして所望なパターンで光起電力
装置にチャネルが形成されたら、導電材をチャネル内に
被着することＫよって、電流コレクタグリッドが形成さ
れる。グリッドの被着は蒸着や電着など周知の方法で行
え、最適な被着法は主に対象となる特定の半導体層及び
被着すべきグリッド材料によって決まる。第２半導体層
の露出面残部がそこへの被着を防ぐためマスクされれば
、蒸着または電着によってチャネル内へだけ有効に導電
材を被着できる。こうして形成された電流コレクタグリ
ッド６０Ｆｉ、グリッドに必要な全抵抗率に応じた厚さ
上官する。電流コレクタグリッドは一般に第８Ｃ図に示
すごとく、第１半導体層の厚さ、ひいては＠／及び第２
半導体層の組会わせ厚を越えている。電流コレクタグリ
ッドの被着後、グリッドは第８０図に示すごとく電気絶
縁材６２によって覆われる。かかる絶縁材は当業者にと
って周知である。この絶縁材が、第２半導体層５６とオ
ーミック接触するように形成されるのが好ましい裏面電
気接触部６４から電流コレクタグリッド６０ｔ−’１気
的に隔離する。
号、名称「多結晶性薄膜ＣｄＶＣｄＴｅ光電池」及びＵ
ｄａ等の論文「全スクリーン式プリン） ＣｄＳ／Ｃｄ
Ｔｅセ刈、第１６回Ｉ ＥＥＥ光起電力専門家会議、ざ
Ｏ／員、１９ｇ２に教示されているような方法を含め、
各種周知の方法で形成できる。次に１第８Ｂ図に示すご
とく、第１及び第２導電層５４．５６１それぞれ貞いて
チャネル５８が形成され、透明な導電層５２ｔ−露出す
る。別の実施例では、チャネルが第２半導体層だけを貫
いて延びるか、第２半導体層を貫いて第１半導体層へ部
分的に延びるか、あるいは透明な導電層内へと延びてお
シ、その目的はチャネル内に形成すべきグリッドと透明
な導電層間で電気的な接触を達成することにある。嵌置
電流コレクタグリッドとして所望なパターンで光起電力
装置にチャネルが形成されたら、導電材をチャネル内に
被着することＫよって、電流コレクタグリッドが形成さ
れる。グリッドの被着は蒸着や電着など周知の方法で行
え、最適な被着法は主に対象となる特定の半導体層及び
被着すべきグリッド材料によって決まる。第２半導体層
の露出面残部がそこへの被着を防ぐためマスクされれば
、蒸着または電着によってチャネル内へだけ有効に導電
材を被着できる。こうして形成された電流コレクタグリ
ッド６０Ｆｉ、グリッドに必要な全抵抗率に応じた厚さ
上官する。電流コレクタグリッドは一般に第８Ｃ図に示
すごとく、第１半導体層の厚さ、ひいては＠／及び第２
半導体層の組会わせ厚を越えている。電流コレクタグリ
ッドの被着後、グリッドは第８０図に示すごとく電気絶
縁材６２によって覆われる。かかる絶縁材は当業者にと
って周知である。この絶縁材が、第２半導体層５６とオ
ーミック接触するように形成されるのが好ましい裏面電
気接触部６４から電流コレクタグリッド６０ｔ−’１気
的に隔離する。
（実験例）
この発明による電流コレクタグリッドの有効性ｔ−実証
する定め、２つの光起電力装置を製造した。
する定め、２つの光起電力装置を製造した。
約２ａｎＸ２ａｎの大面積で、第１図に示した光起電力
装置と同様な太陽電池を、第８Ａ〜Ｄ図に例示した方法
によって作製した。光起電力装置はガラス基板を用い、
その片側に光学的に透明な導電材であるインジウム・ス
ズ酸化物の層を被榎した。
装置と同様な太陽電池を、第８Ａ〜Ｄ図に例示した方法
によって作製した。光起電力装置はガラス基板を用い、
その片側に光学的に透明な導電材であるインジウム・ス
ズ酸化物の層を被榎した。
インジウム・スズ酸化物層の上に１厚さ約０．０６μｍ
の硫化カドミウム層と、厚さ約７．２μｍのテルル化カ
ドミウム層を電着した。これら両生導体層は、米国特許
第物３ｇｇ、 ’ＩｇＪ号で教示且つ請求され次男法に
従って被着された。
の硫化カドミウム層と、厚さ約７．２μｍのテルル化カ
ドミウム層を電着した。これら両生導体層は、米国特許
第物３ｇｇ、 ’ＩｇＪ号で教示且つ請求され次男法に
従って被着された。
電流コレクタグリッドのパターンを有するシャドーマス
クが、テルル化カドミウム層の表面上に整合された。上
記パターンは、各々約０．０３鋼巾で、約０．７ｃｍ相
互に離間した複数の帯条片またはフィンガーで構成され
ていた。パターンがテルル化カドミウムと硫化カドミウ
ム両肩を貫いて物理的に刻設され、チャネルを形成して
、その部分のインジウム・スズ酸化物層を露出させた。
クが、テルル化カドミウム層の表面上に整合された。上
記パターンは、各々約０．０３鋼巾で、約０．７ｃｍ相
互に離間した複数の帯条片またはフィンガーで構成され
ていた。パターンがテルル化カドミウムと硫化カドミウ
ム両肩を貫いて物理的に刻設され、チャネルを形成して
、その部分のインジウム・スズ酸化物層を露出させた。
これらのチャネルは、所望な電流コレクタグリッドのパ
ターンを持っていた。
ターンを持っていた。
第１の光起電力装置では、銀がチャネル内に蒸着され、
約／ＳＯ℃の基板温度で異面接触部電流コレクタグリッ
ドを形成した。銀グリッドの厚さは約ダμｍであった。
約／ＳＯ℃の基板温度で異面接触部電流コレクタグリッ
ドを形成した。銀グリッドの厚さは約ダμｍであった。
次いで電気絶縁材を用い、電流コレクタグリッドの露出
部分を覆った。その後、金の裏面電気接触部が露出して
いるテルル化カドミウム層と絶縁されている電流コレク
タグリッド上に蒸着され、太陽電池を完成した。銀が硫
化カドミウム及びテルル化カドミウムと良好なオーミッ
ク接触を生じること、及び銀が素速くテルル化カドミウ
ム内に拡散することは知られている。 −従って、
この電流コレクタグリッドは、テルル化カドミウム層と
銀の電流コレクタ間の接合を通る高いリーク電流を生じ
た。つまりこの装置は、約ｏ、ｉｉｖという非常に低い
開回路電圧を生じた。またこの装置の充満係数（ｆｉｌ
ｌ ｆａｃｔｏｒ ）は約０．３と見積られた。
部分を覆った。その後、金の裏面電気接触部が露出して
いるテルル化カドミウム層と絶縁されている電流コレク
タグリッド上に蒸着され、太陽電池を完成した。銀が硫
化カドミウム及びテルル化カドミウムと良好なオーミッ
ク接触を生じること、及び銀が素速くテルル化カドミウ
ム内に拡散することは知られている。 −従って、
この電流コレクタグリッドは、テルル化カドミウム層と
銀の電流コレクタ間の接合を通る高いリーク電流を生じ
た。つまりこの装置は、約ｏ、ｉｉｖという非常に低い
開回路電圧を生じた。またこの装置の充満係数（ｆｉｌ
ｌ ｆａｃｔｏｒ ）は約０．３と見積られた。
第２の光起電力装置では、テルル化カドばラムと硫化カ
ドミウム両層を貫いて刻設されたチャネル内にアルミニ
ウムが蒸着さｔシ、約／ＳＯ℃の基板温度で表面接触部
電流コレクタグリッドを形成した。次いで上記と同じく
、電流コレクタグリッドの蕗出部分上に電気絶縁層を被
着し、さらに絶縁材上とテルル化カドミウム半導体層の
嬉出部分上に金の裏面電気接触部を蒸着することによっ
て、太陽電池が完成された。アルミニウムはインジウム
・スズ酸化物及び硫化カドミウムと良好なオーミック接
触を生じるが、テルル化カドミウム等ｐ形の半導体化付
物とは阻止接＠−を形成することか知られている。テス
トの結果、この太陽電池は約θ、７Ｖの開回路電圧と約
Ｏ１Ｓの充満係数を示した。
ドミウム両層を貫いて刻設されたチャネル内にアルミニ
ウムが蒸着さｔシ、約／ＳＯ℃の基板温度で表面接触部
電流コレクタグリッドを形成した。次いで上記と同じく
、電流コレクタグリッドの蕗出部分上に電気絶縁層を被
着し、さらに絶縁材上とテルル化カドミウム半導体層の
嬉出部分上に金の裏面電気接触部を蒸着することによっ
て、太陽電池が完成された。アルミニウムはインジウム
・スズ酸化物及び硫化カドミウムと良好なオーミック接
触を生じるが、テルル化カドミウム等ｐ形の半導体化付
物とは阻止接＠−を形成することか知られている。テス
トの結果、この太陽電池は約θ、７Ｖの開回路電圧と約
Ｏ１Ｓの充満係数を示した。
ま友この電池では、約６０ｇ％の効率の活性領域が得ら
れた。
れた。
本発明はその詳細において種々に改変、変更及び変形可
能で、その多くは上記で明示し九が、本明細書を通じて
説明したシ添付の図面に示したすべての事項は例示であ
り、制限を意味しないものと解釈されるべきである。ま
た、本発明の概念に従って構成された装置またはそれを
製造する方法、さらにはそれらとの正当な同等物が、本
発明の目的を達成すること／Ｉ′ｉ明らかであろう。本
発明の範囲には、特許請求の範囲内に入る変更及び変形
がすべて含まれる。
能で、その多くは上記で明示し九が、本明細書を通じて
説明したシ添付の図面に示したすべての事項は例示であ
り、制限を意味しないものと解釈されるべきである。ま
た、本発明の概念に従って構成された装置またはそれを
製造する方法、さらにはそれらとの正当な同等物が、本
発明の目的を達成すること／Ｉ′ｉ明らかであろう。本
発明の範囲には、特許請求の範囲内に入る変更及び変形
がすべて含まれる。
第１図は表面接触部電流コレクタグリッドが組込まれた
本発明による光起電力装置の横断面図；第２図は光起電
力装置の横断面図で、電流コレクタグリッドのエツジに
おける半導体層の不完全な被Ｎを示し、グリッドの形成
後に半導体層が被着される揚台；及び 第８Ａ−Ｄ図は光起電力装置の横断面図で、本発明によ
る底面接触部電流コレクタグリッドの形成を順を追って
示している。 １０・・・光起電力装置、１４．５０・・・ガラス（透
明）基板、１６．５２・・・透明な導電膜、１８．６０
・・・電流コレクタグリッド、２０．５４・・・第１半
導体層、２２．５６・・・第−半導体層、２４．６２・
・・絶縁膜、２６．６４・・・裏面接触部、５８・・・
チャネル０ ＦＩＧ、 ３Ａ ＦＩＧ、３８Ｒθ３
ＣＦｌθ３Ｄ 昭和 年 月 日 ３．補正をする者 事件との関係 出願人 名 称 ソヒオ コマーシャル ディベロップメント コムパニー 外１名 ４、代理人
本発明による光起電力装置の横断面図；第２図は光起電
力装置の横断面図で、電流コレクタグリッドのエツジに
おける半導体層の不完全な被Ｎを示し、グリッドの形成
後に半導体層が被着される揚台；及び 第８Ａ−Ｄ図は光起電力装置の横断面図で、本発明によ
る底面接触部電流コレクタグリッドの形成を順を追って
示している。 １０・・・光起電力装置、１４．５０・・・ガラス（透
明）基板、１６．５２・・・透明な導電膜、１８．６０
・・・電流コレクタグリッド、２０．５４・・・第１半
導体層、２２．５６・・・第−半導体層、２４．６２・
・・絶縁膜、２６．６４・・・裏面接触部、５８・・・
チャネル０ ＦＩＧ、 ３Ａ ＦＩＧ、３８Ｒθ３
ＣＦｌθ３Ｄ 昭和 年 月 日 ３．補正をする者 事件との関係 出願人 名 称 ソヒオ コマーシャル ディベロップメント コムパニー 外１名 ４、代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１半導体層、該第１半導体層と導電形が反対でそ
れとの間に接合を形成する第２半導体層、及び第１及び
第２両半導体層と物理的に接触する表面接触部電流コレ
クタグリッドを有し、該電流コレクタグリッドが第１半
導体層とオーミック接触を形成し、第２半導体層と電流
阻止接触を形成する光起電力装置。 ２ 光学的に透明な導電性基板；該透明な導電性基板上
に形成された第１半導体層；該第１半導体層と反対の導
電形で、第１半導体層上に接して施され、それとの間に
接合を形成する第２半導体層；該第２半導体層上に施さ
れて裏面電気接触部を形成する導電膜；及び第１半導体
層と接触し、少なくとも第１半導体層を貫いて延びた電
流コレクタグリッドを備えて成り、電流コレクタグリッ
ドが第２半導体層と電気的に阻止接触し、電流コレクタ
グリッドが第１半導体層とオーミック接触し、裏面電気
接触部が第２半導体層とオーミック接触する薄膜光起電
力装置。 ３ 前記第１半導体層が元素周期律表第IIＢ族中から選
ばれた１つの金属元素と、第VIＡ族中から選ばれた少な
くとも１つの非金属元素とを有する化合物から成り、前
記第２半導体層が元素周期律表第IIＢ族中から選ばれた
１つの金属元素と、第VIＡ族中から選ばれた少なくとも
１つの非金属元素とを有する化合物から成る特許請求の
範囲第２項記載の光起電力装置。 ４ 前記光学的に透明な導電性基板が、透明な導電性酸
化物の層が被覆されたガラス層から成る特許請求の範囲
第２項記載の光起電力装置。 ５ 前記電流コレクタグリッドがアルミニウム、インジ
ウム、カドミウム、スズ、鉛、または亜鉛、あるいはこ
れら少なくとも２種の混合物または合金から成る特許請
求の範囲第２項記載の光起電力装置。 ６ 前記電流コレクタグリッドがアルミニウムから成る
特許請求の範囲第２項記載の光起電力装置。 ７ 前記電流コレクタグリッドの厚さが第１及び第２導
体層の組合わせ厚を越えている特許請求の範囲第２項記
載の光起電力装置。 ８ ａ）透明な基板上に透明な導電膜を被着する工程； ｂ）透明な導電膜上に第１半導体層を被着する工程； ｃ）第１半導体層と反対の導電形を有する第２半導体層
を第１半導体層に被着する工程で、第２半導体層が第１
半導体層と光起電性接合を形成すること； ｄ）第１及び第２半導体層を貫いて延びるチャネルをエ
ッチング形成する工程； ｅ）チャネル内に導電材を被着し、電流コレクタグリッ
ドを形成する工程で、該導電材が第１半導体層とオーミ
ック接触を、第２半導体層と阻止接合をそれぞれ形成す
るように選ばれていること； ｆ）電流コレクタグリッドのうち、第１または第２半導
体層と接触していない部分上に電気絶縁材を被着する工
程；及び ｇ）第２半導体層上と絶縁された電流コレクタグリッド
上に導電膜を被着し、第２半導体層との間にオーミック
接触を与える工程； から成る光起電力装置の製造方法。 ９ 前記チャネル内に被着される導電材がアルミニウム
、インジウム、カドミウム、スズ、鉛、または亜鉛、あ
るいはこれら少なくとも２種の混合物または合金から成
る特許請求の範囲第８項の方法。 １０ 前記チャネル内に被着される導電材がアルミニウ
ムから成る特許請求の範囲第８項の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US687079 | 1984-12-28 | ||
| US06/687,079 US4595790A (en) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | Method of making current collector grid and materials therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222181A true JPS61222181A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=24758958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60299665A Pending JPS61222181A (ja) | 1984-12-28 | 1985-12-25 | 電流コレクタグリツドの製造方法及びそのための材料 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4595790A (ja) |
| EP (1) | EP0186351B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61222181A (ja) |
| AU (1) | AU582199B2 (ja) |
| CA (1) | CA1231164A (ja) |
| DE (1) | DE3582871D1 (ja) |
| ES (1) | ES8801065A1 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU570309B2 (en) * | 1984-03-26 | 1988-03-10 | Unisearch Limited | Buried contact solar cell |
| US4675468A (en) * | 1985-12-20 | 1987-06-23 | The Standard Oil Company | Stable contact between current collector grid and transparent conductive layer |
| JP3416707B2 (ja) * | 1991-12-09 | 2003-06-16 | パシフィック ソーラー ピー ティ ワイ リミテッド | 光電池を有する半導体基板材料 |
| JPH05235388A (ja) * | 1992-02-24 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 低抵抗線状パターンの形成方法及び形成装置並びに太陽電池 |
| US5268037A (en) * | 1992-05-21 | 1993-12-07 | United Solar Systems Corporation | Monolithic, parallel connected photovoltaic array and method for its manufacture |
| US5922142A (en) * | 1996-11-07 | 1999-07-13 | Midwest Research Institute | Photovoltaic devices comprising cadmium stannate transparent conducting films and method for making |
| US6137048A (en) * | 1996-11-07 | 2000-10-24 | Midwest Research Institute | Process for fabricating polycrystalline semiconductor thin-film solar cells, and cells produced thereby |
| US7170001B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-30 | Advent Solar, Inc. | Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias |
| US7649141B2 (en) * | 2003-06-30 | 2010-01-19 | Advent Solar, Inc. | Emitter wrap-through back contact solar cells on thin silicon wafers |
| US8502064B2 (en) * | 2003-12-11 | 2013-08-06 | Philip Morris Usa Inc. | Hybrid system for generating power |
| US7144751B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-12-05 | Advent Solar, Inc. | Back-contact solar cells and methods for fabrication |
| US20050172996A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Advent Solar, Inc. | Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells |
| US20060060238A1 (en) * | 2004-02-05 | 2006-03-23 | Advent Solar, Inc. | Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells |
| US7335555B2 (en) * | 2004-02-05 | 2008-02-26 | Advent Solar, Inc. | Buried-contact solar cells with self-doping contacts |
| CA2568136C (en) * | 2006-11-30 | 2008-07-29 | Tenxc Wireless Inc. | Butler matrix implementation |
| WO2008080160A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Advent Solar, Inc. | Interconnect technologies for back contact solar cells and modules |
| WO2008078771A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法 |
| US20090126786A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-21 | Advent Solar, Inc. | Selective Emitter and Texture Processes for Back Contact Solar Cells |
| US20090229667A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Solarmer Energy, Inc. | Translucent solar cell |
| JP2011519182A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-06-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | モノリシックモジュール組立て技法を使用して製造した光起電モジュール |
| US8367798B2 (en) * | 2008-09-29 | 2013-02-05 | The Regents Of The University Of California | Active materials for photoelectric devices and devices that use the materials |
| TW201025622A (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Ind Tech Res Inst | Electrode for solar cell and fabricating method thereof |
| US20100276071A1 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Solarmer Energy, Inc. | Tandem solar cell |
| US8217259B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-07-10 | International Business Machines Corporation | Enhanced efficiency solar cells and method of manufacture |
| US8440496B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-05-14 | Solarmer Energy, Inc. | Solar cell with conductive material embedded substrate |
| US8372945B2 (en) | 2009-07-24 | 2013-02-12 | Solarmer Energy, Inc. | Conjugated polymers with carbonyl substituted thieno[3,4-B]thiophene units for polymer solar cell active layer materials |
| US8399889B2 (en) | 2009-11-09 | 2013-03-19 | Solarmer Energy, Inc. | Organic light emitting diode and organic solar cell stack |
| WO2011081829A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-07-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic window layer |
| US9337363B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-05-10 | International Business Machines Corporation | Low resistance, low reflection, and low cost contact grids for photovoltaic cells |
| CN113113503A (zh) * | 2019-12-24 | 2021-07-13 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3112230A (en) * | 1959-11-27 | 1963-11-26 | Transitron Electronic Corp | Photoelectric semiconductor device |
| US3902920A (en) * | 1972-11-03 | 1975-09-02 | Baldwin Co D H | Photovoltaic cell |
| US3880633A (en) * | 1974-01-08 | 1975-04-29 | Baldwin Co D H | Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath |
| GB1487747A (en) * | 1974-09-24 | 1977-10-05 | Photon Power Inc | Photovoltaic cells |
| US4042418A (en) * | 1976-08-02 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Photovoltaic device and method of making same |
| JPS5563885A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photovoltaic device |
| US4267398A (en) * | 1979-05-29 | 1981-05-12 | University Of Delaware | Thin film photovoltaic cells |
| JPS5724578A (en) * | 1980-07-22 | 1982-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared ray detecting element |
| ATE15734T1 (de) * | 1980-12-12 | 1985-10-15 | Prutec Ltd | Verfahren zum herstellen lichtelektrischer einrichtungen. |
| JPS5941872A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力装置の製造方法 |
-
1984
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-
1985
- 1985-11-29 CA CA000496495A patent/CA1231164A/en not_active Expired
- 1985-12-05 DE DE8585308873T patent/DE3582871D1/de not_active Expired - Lifetime
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