JPH06169096A - 宇宙用シリコン太陽電池 - Google Patents
宇宙用シリコン太陽電池Info
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- JPH06169096A JPH06169096A JP43A JP32061792A JPH06169096A JP H06169096 A JPH06169096 A JP H06169096A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 32061792 A JP32061792 A JP 32061792A JP H06169096 A JPH06169096 A JP H06169096A
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- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 開放電圧が改善されたシリコン太陽電池を提
供することを目的とする。 【構成】 シリコン太陽電池は、表面が平坦なＰ型シリ
コン結晶基板１の前面に形成されたＮ+ 層と、その上に
形成された前面電極３と、基板１の背面に分散して形成
された複数のＰ+ 領域５ｂと、基板１の背面上に形成さ
れた絶縁層６と、絶縁層６内に形成された開口を介して
Ｐ+ 領域に接続した背面電極７を備えており、複数のＰ
+ 領域が基板１の背面中に占有する面積が１％以上で９
％未満であることを特徴としている。
供することを目的とする。 【構成】 シリコン太陽電池は、表面が平坦なＰ型シリ
コン結晶基板１の前面に形成されたＮ+ 層と、その上に
形成された前面電極３と、基板１の背面に分散して形成
された複数のＰ+ 領域５ｂと、基板１の背面上に形成さ
れた絶縁層６と、絶縁層６内に形成された開口を介して
Ｐ+ 領域に接続した背面電極７を備えており、複数のＰ
+ 領域が基板１の背面中に占有する面積が１％以上で９
％未満であることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン太陽電池に関
し、特に、宇宙用として使用されるシリコン太陽電池の
出力電圧の改善に関するものである。
し、特に、宇宙用として使用されるシリコン太陽電池の
出力電圧の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光エネルギを電気エネルギに変換する太
陽電池として、シリコン太陽電池が広く用いられてい
る。
陽電池として、シリコン太陽電池が広く用いられてい
る。
【０００３】図２は、先行技術において知られた従来の
シリコン太陽電池の一例を示す断面図である。この太陽
電池において、Ｐ型シリコン基板１の前面には、Ｎ型不
純物を熱拡散することによってＮ+ 層２が形成されてい
る。Ｎ+ 層２上には、櫛歯状の前面電極３が形成されて
いる。そして、Ｎ+ 層２と前面電極３は、入射する光の
表面反射を低減するための反射防止膜４によって覆われ
ている。
シリコン太陽電池の一例を示す断面図である。この太陽
電池において、Ｐ型シリコン基板１の前面には、Ｎ型不
純物を熱拡散することによってＮ+ 層２が形成されてい
る。Ｎ+ 層２上には、櫛歯状の前面電極３が形成されて
いる。そして、Ｎ+ 層２と前面電極３は、入射する光の
表面反射を低減するための反射防止膜４によって覆われ
ている。
【０００４】他方、Ｐ型シリコン基板１の背面には、さ
らにＰ型不純物を熱拡散することによってＢＳＦ（Ｂａ
ｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層として働くＰ+
層５が形成されている。このＢＳＦ層５は、シリコン太
陽電池の長波長感度を高めるように作用するものであ
る。そして、ＢＳＦ層５上には、背面電極７が形成され
ている。
らにＰ型不純物を熱拡散することによってＢＳＦ（Ｂａ
ｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層として働くＰ+
層５が形成されている。このＢＳＦ層５は、シリコン太
陽電池の長波長感度を高めるように作用するものであ
る。そして、ＢＳＦ層５上には、背面電極７が形成され
ている。
【０００５】しかし、図２に示されているようなシリコ
ン太陽電池においては、開放電圧Ｖ OCが約６０５ｍＶの
ように低いという課題があり、シリコン太陽電池の高効
率化を図るためには開放電圧ＶOCの向上が不可欠であっ
た。
ン太陽電池においては、開放電圧Ｖ OCが約６０５ｍＶの
ように低いという課題があり、シリコン太陽電池の高効
率化を図るためには開放電圧ＶOCの向上が不可欠であっ
た。
【０００６】シリコン太陽電池の高効率化に関する報告
で、局所的に形成された複数のＢＳＦ領域を含む技術が
たとえばＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｒｅｃｏｒｄ，２１ｔ
ｈＩＥＥＥ，Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｐｅｃｉａ
ｌｉｓｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｆｌｏｒｉｄａ，
Ｍａｙ １９９０，ｐｐ．２３３−２３８およびｐｐ．
３３３−３３５において提案されている。
で、局所的に形成された複数のＢＳＦ領域を含む技術が
たとえばＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｒｅｃｏｒｄ，２１ｔ
ｈＩＥＥＥ，Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｐｅｃｉａ
ｌｉｓｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｆｌｏｒｉｄａ，
Ｍａｙ １９９０，ｐｐ．２３３−２３８およびｐｐ．
３３３−３３５において提案されている。
【０００７】図３は、上記の文献のｐｐ．３３３−３３
５に示されたシリコン太陽電池の断面図を示している。
図３の太陽電池においては、Ｐ型シリコン基板１の前面
は無反射形状２ａであり、当該前面にはＮ+ 層２が形成
されている。Ｎ+ 層２上には、櫛歯状の前面電極３が形
成され、そして、Ｎ+ 層２と前面電極３は、入射する光
の表面反射を低減するための反射防止膜４によって覆わ
れている。また、Ｐ型シリコン基板１の背面上にはシリ
コン酸化膜６が形成されている。その酸化膜６内におい
て局所的に開けられた複数の開口を介して、シリコン基
板１の背面に複数のＬＢＳＦ（Ｌｏｃａｌ ＢＳＦ）領
域５ｂが形成されている。そして、シリコン酸化膜６上
に背面電極７が形成されており、背面電極７はその酸化
膜６中の複数の開口を介して複数のＬＢＳＦ領域５ｂに
接続されている。
５に示されたシリコン太陽電池の断面図を示している。
図３の太陽電池においては、Ｐ型シリコン基板１の前面
は無反射形状２ａであり、当該前面にはＮ+ 層２が形成
されている。Ｎ+ 層２上には、櫛歯状の前面電極３が形
成され、そして、Ｎ+ 層２と前面電極３は、入射する光
の表面反射を低減するための反射防止膜４によって覆わ
れている。また、Ｐ型シリコン基板１の背面上にはシリ
コン酸化膜６が形成されている。その酸化膜６内におい
て局所的に開けられた複数の開口を介して、シリコン基
板１の背面に複数のＬＢＳＦ（Ｌｏｃａｌ ＢＳＦ）領
域５ｂが形成されている。そして、シリコン酸化膜６上
に背面電極７が形成されており、背面電極７はその酸化
膜６中の複数の開口を介して複数のＬＢＳＦ領域５ｂに
接続されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３に示され
ているシリコン太陽電池は地上用としてのシリコン太陽
電池に関する技術で、シリコン基板１の前面は無反射形
状２ａであり、宇宙用として使用する場合には太陽光吸
収率が高くなるという問題があった。また、母材シリコ
ンウェーハの抵抗率は０．５Ωｃｍであってセル厚さは
２８０μｍであり、宇宙用として使用するには耐放射線
特性が悪いという問題があった。よって上記論文に開示
されている条件は宇宙用としてのシリコン太陽電池に適
用することができず、宇宙用シリコン太陽電池に適する
ＬＢＳＦ領域５ｂの形成条件は不明であった。
ているシリコン太陽電池は地上用としてのシリコン太陽
電池に関する技術で、シリコン基板１の前面は無反射形
状２ａであり、宇宙用として使用する場合には太陽光吸
収率が高くなるという問題があった。また、母材シリコ
ンウェーハの抵抗率は０．５Ωｃｍであってセル厚さは
２８０μｍであり、宇宙用として使用するには耐放射線
特性が悪いという問題があった。よって上記論文に開示
されている条件は宇宙用としてのシリコン太陽電池に適
用することができず、宇宙用シリコン太陽電池に適する
ＬＢＳＦ領域５ｂの形成条件は不明であった。
【０００９】そこで、本発明は、シリコン基板の背面に
対して好ましい割合で形成された複数のＬＢＳＦ領域を
含むことによって開放電圧ＶOCが顕著に改善された宇宙
用シリコン太陽電池を提供することを目的としている。
対して好ましい割合で形成された複数のＬＢＳＦ領域を
含むことによって開放電圧ＶOCが顕著に改善された宇宙
用シリコン太陽電池を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるシリコン太
陽電池は、表面が平坦な前面と背面を有するＰ型シリコ
ン基板と、その基板の前面に形成されたＮ+ 層と、Ｎ+
層上に形成された前面電極と、基板の背面に分散して形
成されていてＬＢＳＦ領域として作用する複数のＰ+ 領
域と、基板の背面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に
形成されていてその絶縁層に開けられた複数の開口を介
して複数のＰ+ 領域に接続された背面電極とを含み、複
数のＰ+ 領域が基板の背面中で占有する面積は１％以上
で９％未満であることを特徴としている。
陽電池は、表面が平坦な前面と背面を有するＰ型シリコ
ン基板と、その基板の前面に形成されたＮ+ 層と、Ｎ+
層上に形成された前面電極と、基板の背面に分散して形
成されていてＬＢＳＦ領域として作用する複数のＰ+ 領
域と、基板の背面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に
形成されていてその絶縁層に開けられた複数の開口を介
して複数のＰ+ 領域に接続された背面電極とを含み、複
数のＰ+ 領域が基板の背面中で占有する面積は１％以上
で９％未満であることを特徴としている。
【００１１】
【作用】本発明によるシリコン太陽電池においては、Ｌ
ＢＳＦ領域として作用する複数のＰ+ 領域がシリコン基
板の背面上で占有する面積が１％以上で９％未満にされ
ているので、そのシリコン太陽電池は高い開放電圧ＶOC
を示すことができ、その太陽電池の高効率化が達成され
る。
ＢＳＦ領域として作用する複数のＰ+ 領域がシリコン基
板の背面上で占有する面積が１％以上で９％未満にされ
ているので、そのシリコン太陽電池は高い開放電圧ＶOC
を示すことができ、その太陽電池の高効率化が達成され
る。
【００１２】
【実施例】図１を参照して、本発明の一実施例によるシ
リコン太陽電池が断面図で概略的に示されている。図１
のシリコン太陽電池においては、シリコン基板１とし
て、たとえば５０μｍ〜２００μｍの厚さと１０Ωｃｍ
の抵抗率を有するＰ型シリコン結晶板が用いられ得る。
また、図１の太陽電池の前面の構造は図２のものと類似
しており、対応する部分には同一の参照符号が付されて
いる。
リコン太陽電池が断面図で概略的に示されている。図１
のシリコン太陽電池においては、シリコン基板１とし
て、たとえば５０μｍ〜２００μｍの厚さと１０Ωｃｍ
の抵抗率を有するＰ型シリコン結晶板が用いられ得る。
また、図１の太陽電池の前面の構造は図２のものと類似
しており、対応する部分には同一の参照符号が付されて
いる。
【００１３】しかし、図１の太陽電池においては、シリ
コン基板１の背面上には、パッシベーション膜として働
くシリコン酸化膜６がたとえば熱酸化によって形成され
ている。この酸化膜６には、たとえばフォトリソグラフ
ィー法によって複数の窓６ａが開けられている。これら
の窓６ａは、シリコン基板１の背面を占有する面積比
（以下、「ＬＢＳＦ面積率」と称す）が１％以上で９％
未満になるように設定されている。たとえば、これらの
窓６ａは、２０μｍの１辺を有する正方形の形で１００
μｍのピッチで分布するように形成することができ、そ
のときのＬＢＳＦ面積率は４％になる。
コン基板１の背面上には、パッシベーション膜として働
くシリコン酸化膜６がたとえば熱酸化によって形成され
ている。この酸化膜６には、たとえばフォトリソグラフ
ィー法によって複数の窓６ａが開けられている。これら
の窓６ａは、シリコン基板１の背面を占有する面積比
（以下、「ＬＢＳＦ面積率」と称す）が１％以上で９％
未満になるように設定されている。たとえば、これらの
窓６ａは、２０μｍの１辺を有する正方形の形で１００
μｍのピッチで分布するように形成することができ、そ
のときのＬＢＳＦ面積率は４％になる。
【００１４】複数の窓６ａを通して、シリコン基板１の
背面にＰ型不純物である三臭化ホウ素を用いてホウ素を
拡散させるか、または、ホウ素イオンを打込むことによ
って、複数のＬＢＳＦ領域５ｂが形成されている。な
お、これらの複数のＬＢＳＦ領域５ｂは、シリコン酸化
膜６を形成する前に、スクリーン印刷技術を利用してシ
リコン基板１の背面上の複数の局所的領域にアルミニウ
ム等のＰ型不純物を含むペーストを塗り、それを焼成し
てシリコン基板１と合金化することによっても形成され
得る。また、シリコン基板１の背面にアルミニウム等の
Ｐ型不純物材料を真空蒸着し、これを公知のホトリソグ
ラフィー技術を用いて局所的領域にパターニングし、そ
れを焼成してシリコン基板１と合金化することによって
も形成され得る。
背面にＰ型不純物である三臭化ホウ素を用いてホウ素を
拡散させるか、または、ホウ素イオンを打込むことによ
って、複数のＬＢＳＦ領域５ｂが形成されている。な
お、これらの複数のＬＢＳＦ領域５ｂは、シリコン酸化
膜６を形成する前に、スクリーン印刷技術を利用してシ
リコン基板１の背面上の複数の局所的領域にアルミニウ
ム等のＰ型不純物を含むペーストを塗り、それを焼成し
てシリコン基板１と合金化することによっても形成され
得る。また、シリコン基板１の背面にアルミニウム等の
Ｐ型不純物材料を真空蒸着し、これを公知のホトリソグ
ラフィー技術を用いて局所的領域にパターニングし、そ
れを焼成してシリコン基板１と合金化することによって
も形成され得る。
【００１５】酸化膜６に開けられた複数の窓６ａは、そ
の酸化膜６上に形成された背面電極７がシリコン基板１
の背面への電気的接続を得るためのコンタクトホールと
しても利用される。このとき、背面電極７は複数のＬＢ
ＳＦ領域５ｂを介してシリコン基板１の背面に接続し、
ＬＢＳＦ領域５ｂを介することなく直接Ｐ型シリコン基
板１の背面に接続することはない。このような背面電極
７は、たとえばＡｌ−Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる金属層
で形成され得る。
の酸化膜６上に形成された背面電極７がシリコン基板１
の背面への電気的接続を得るためのコンタクトホールと
しても利用される。このとき、背面電極７は複数のＬＢ
ＳＦ領域５ｂを介してシリコン基板１の背面に接続し、
ＬＢＳＦ領域５ｂを介することなく直接Ｐ型シリコン基
板１の背面に接続することはない。このような背面電極
７は、たとえばＡｌ−Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｇからなる金属層
で形成され得る。
【００１６】図４に、図１のシリコン太陽電池のＬＢＳ
Ｆ面積率を変化させた場合の開放電圧ＶOCの変化が示さ
れている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳＦ面積率
（％）を表し、縦軸は開放電圧ＶOCを表している。
Ｆ面積率を変化させた場合の開放電圧ＶOCの変化が示さ
れている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳＦ面積率
（％）を表し、縦軸は開放電圧ＶOCを表している。
【００１７】図５に、同じく図１のシリコン太陽電池の
ＬＢＳＦ面積率を変化させた場合の短絡電流ＩSCの変化
が示されている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳＦ
面積率（％）を表わし、縦軸は短絡電流ＩSCを表わして
いる。
ＬＢＳＦ面積率を変化させた場合の短絡電流ＩSCの変化
が示されている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳＦ
面積率（％）を表わし、縦軸は短絡電流ＩSCを表わして
いる。
【００１８】図６に、同じく図１のシリコン太陽電池の
ＬＢＳＦ面積率を変化させた場合の曲線因子ＦＦの変化
が示されている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳＦ
面積率（％）を表わし、縦軸は曲線因子ＦＦを表わして
いる。
ＬＢＳＦ面積率を変化させた場合の曲線因子ＦＦの変化
が示されている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳＦ
面積率（％）を表わし、縦軸は曲線因子ＦＦを表わして
いる。
【００１９】図７に、同じく図１のシリコン太陽電池の
ＬＢＳＦ面積率を変化させた場合の最大出力Ｐmax の変
化が示されている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳ
Ｆ面積率（％）を表わし、縦軸は最大出力Ｐmax を表わ
している。図４〜７は、すべて面積２ｃｍ×２ｃｍの太
陽電池のＡＭ０と２８℃における測定値を示している。
ＬＢＳＦ面積率を変化させた場合の最大出力Ｐmax の変
化が示されている。このグラフにおいて、横軸はＬＢＳ
Ｆ面積率（％）を表わし、縦軸は最大出力Ｐmax を表わ
している。図４〜７は、すべて面積２ｃｍ×２ｃｍの太
陽電池のＡＭ０と２８℃における測定値を示している。
【００２０】図４と７のグラフから明らかなように、Ｌ
ＢＳＦ面積率が１％以上であって９％未満である場合に
は、ＶOCおよびＰmax の向上が顕著であることがわか
る。
ＢＳＦ面積率が１％以上であって９％未満である場合に
は、ＶOCおよびＰmax の向上が顕著であることがわか
る。
【００２１】太陽電池の最大出力Ｐmax がＶOCの向上に
伴って大きくなった理由は、Ｐmaxが Ｐmax （Ｗ）＝ＶOC（Ｖ）×ＩSC（Ａ）×ＦＦ で表わされ、ＬＢＳＦ面積率が１％以上であって９％未
満であるの場合にＩSCの変化（図５）およびＦＦの変化
（図６）が比較的小さいので、Ｐmax がＶOCに伴って変
化したためである。図２に示すようにＶOCがＬＢＳＦ面
積率が１％以上９％未満で向上する理由は、複数のＬＢ
ＳＦ領域５ｂを１％以上９％未満に設定することによっ
て、シリコン基板１の背面近傍における少数キャリアの
ライフタイムの増大が図れ、飽和電流密度が減少したた
めであると考えられる。ＬＢＳＦ面積率が９％以上の場
合には、シリコン基板１の背面における少数キャリアの
再結合が増大し、ライフタイムが減少するため飽和電流
密度が増加し、その結果としてＶOCが減少し、Ｐmax は
低下する傾向になると考えられる。また、ＬＢＳＦ面積
率が１％未満の場合には、シリコン太陽電池中の直列接
続が大きくなってＦＦが若干低下するため、Ｐmax は低
下する傾向になると考えられる。
伴って大きくなった理由は、Ｐmaxが Ｐmax （Ｗ）＝ＶOC（Ｖ）×ＩSC（Ａ）×ＦＦ で表わされ、ＬＢＳＦ面積率が１％以上であって９％未
満であるの場合にＩSCの変化（図５）およびＦＦの変化
（図６）が比較的小さいので、Ｐmax がＶOCに伴って変
化したためである。図２に示すようにＶOCがＬＢＳＦ面
積率が１％以上９％未満で向上する理由は、複数のＬＢ
ＳＦ領域５ｂを１％以上９％未満に設定することによっ
て、シリコン基板１の背面近傍における少数キャリアの
ライフタイムの増大が図れ、飽和電流密度が減少したた
めであると考えられる。ＬＢＳＦ面積率が９％以上の場
合には、シリコン基板１の背面における少数キャリアの
再結合が増大し、ライフタイムが減少するため飽和電流
密度が増加し、その結果としてＶOCが減少し、Ｐmax は
低下する傾向になると考えられる。また、ＬＢＳＦ面積
率が１％未満の場合には、シリコン太陽電池中の直列接
続が大きくなってＦＦが若干低下するため、Ｐmax は低
下する傾向になると考えられる。
【００２２】なお、本発明は図１の実施例に限定される
ものではなく、たとえば、シリコン基板１としてＮ型の
シリコン結晶板をも用いて前面にＰ+ 拡散層を形成し、
背面はＮ型拡散不純物としてオキシ塩化リンを用いるこ
ともできる。また、２Ωｃｍの抵抗率を有するシリコン
基板を用いることもできる。さらに、ＬＢＳＦ領域内に
ドープされるＰ型不純物としてアルミニウムを用いるこ
ともでき、酸化膜６はＣＶＤ法によっても形成され得
る。また、ここでは絶縁膜の一例として酸化膜で説明し
てきたが、酸化膜のみならずたとえば窒化膜であっても
よい。さらにまた、シリコン基板１として、シリコン単
結晶板のみならずシリコン多結晶板をも用い得る。ま
た、シリコン基板の表面（前面）にパッシベーション膜
を形成しても良いし、しなくても良い。
ものではなく、たとえば、シリコン基板１としてＮ型の
シリコン結晶板をも用いて前面にＰ+ 拡散層を形成し、
背面はＮ型拡散不純物としてオキシ塩化リンを用いるこ
ともできる。また、２Ωｃｍの抵抗率を有するシリコン
基板を用いることもできる。さらに、ＬＢＳＦ領域内に
ドープされるＰ型不純物としてアルミニウムを用いるこ
ともでき、酸化膜６はＣＶＤ法によっても形成され得
る。また、ここでは絶縁膜の一例として酸化膜で説明し
てきたが、酸化膜のみならずたとえば窒化膜であっても
よい。さらにまた、シリコン基板１として、シリコン単
結晶板のみならずシリコン多結晶板をも用い得る。ま
た、シリコン基板の表面（前面）にパッシベーション膜
を形成しても良いし、しなくても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、１％以
上で９％未満のＬＢＳＦ面積率を有することによって開
放電圧ＶOCが改善されたシリコン太陽電池を提供するこ
とができる。
上で９％未満のＬＢＳＦ面積率を有することによって開
放電圧ＶOCが改善されたシリコン太陽電池を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例によるシリコン太陽電池を概
略的に示す断面図である。
略的に示す断面図である。
【図２】先行技術による従来のシリコン太陽電池の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】先行技術によるシリコン太陽電池のもう１つの
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図４】図１のシリコン太陽電池におけるＬＢＳＦ面積
率と開放電圧との関係を示すグラフである。
率と開放電圧との関係を示すグラフである。
【図５】図１のシリコン太陽電池におけるＬＢＳＦ面積
率と短絡電流との関係を示すグラフである。
率と短絡電流との関係を示すグラフである。
【図６】図１のシリコン太陽電池におけるＬＢＳＦ面積
率と曲線因子との関係を示すグラフである。
率と曲線因子との関係を示すグラフである。
【図７】図１のシリコン太陽電池におけるＬＢＳＦ面積
率と最大出力との関係を示すグラフである。
率と最大出力との関係を示すグラフである。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ+ 型層 ２ａ 前面無反射形状 ３ 櫛歯形状の前面電極 ４ 反射防止膜 ５ｂ ＬＢＳＦ領域 ６ 絶縁膜 ６ａ 絶縁膜６中に開けられた開口 ７ 背面電極 ８ 前面パッシベーション膜
Claims (1)
- 【請求項１】 表面が平坦な前面と背面を有するＰ型シ
リコン基板と、 前記基板の前面に形成されたＮ+ 層と、 前記Ｎ+ 層上に形成された前面電極と、 前記基板の背面に分散して形成されていてＬＢＳＦ領域
として作用する複数のＰ+ 領域と、 前記基板の背面上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成されていて前記絶縁層に開けられた
複数の開口を介して前記複数のＰ+ 領域に接続された背
面電極とを含み、 前記複数のＰ+ 領域が前記基板の背面中で占有する面積
は１％以上で９％未満であることを特徴とする宇宙用シ
リコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32061792A JP3203076B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 宇宙用シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32061792A JP3203076B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 宇宙用シリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169096A true JPH06169096A (ja) | 1994-06-14 |
| JP3203076B2 JP3203076B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=18123414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32061792A Expired - Lifetime JP3203076B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 宇宙用シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3203076B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0993052A2 (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Space solar cell |
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