JPH08274356A - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- JPH08274356A JPH08274356A JP7071961A JP7196195A JPH08274356A JP H08274356 A JPH08274356 A JP H08274356A JP 7071961 A JP7071961 A JP 7071961A JP 7196195 A JP7196195 A JP 7196195A JP H08274356 A JPH08274356 A JP H08274356A
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- JP
- Japan
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- back surface
- semiconductor substrate
- solar cell
- layer
- cell element
- Prior art date
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 半導体基板内に半導体接合部を設け、この半
導体基板の表面側に表面電極を設けると共に、裏面側に
裏面電界層と裏面電極を設けた太陽電池素子であって、
上記裏面電極をくし歯状若しくは格子状に形成すると共
に、裏面電界層を上記裏面電極に対応する形状にした。 【効果】 半導体基板の裏面側の一部に裏面電界層３を
形成すると、製造工程中に半導体基板のソリなどが発生
しなくなり、半導体基板に亀裂が発生したり、搬送工程
で搬送具に収納できないなどの不具合がなくなる。ま
た、半導体基板の裏面電界層上にしか裏面電極５を設け
ないことから、この裏面電極は厚膜手法で形成でき、太
陽電池素子を低コストに製造できる。
導体基板の表面側に表面電極を設けると共に、裏面側に
裏面電界層と裏面電極を設けた太陽電池素子であって、
上記裏面電極をくし歯状若しくは格子状に形成すると共
に、裏面電界層を上記裏面電極に対応する形状にした。 【効果】 半導体基板の裏面側の一部に裏面電界層３を
形成すると、製造工程中に半導体基板のソリなどが発生
しなくなり、半導体基板に亀裂が発生したり、搬送工程
で搬送具に収納できないなどの不具合がなくなる。ま
た、半導体基板の裏面電界層上にしか裏面電極５を設け
ないことから、この裏面電極は厚膜手法で形成でき、太
陽電池素子を低コストに製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池素子の改良に関
し、特に単結晶半導体基板や多結晶半導体基板を用いた
太陽電池素子の改良に関する。
し、特に単結晶半導体基板や多結晶半導体基板を用いた
太陽電池素子の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の太陽電池素子の構造を図４に示
す。図４において、１１は例えばｐ型の半導体基板、１
２は半導体基板１１中に形成されたｎ層、１３は裏面電
界層、１４は表面電極、１５は裏面電極である。ｐ型半
導体基板１１とｎ層１２で半導体接合部が形成され、こ
の半導体接合部に光が照射されると裏面電極１５側から
表面電極１４側に電流が流れる。
す。図４において、１１は例えばｐ型の半導体基板、１
２は半導体基板１１中に形成されたｎ層、１３は裏面電
界層、１４は表面電極、１５は裏面電極である。ｐ型半
導体基板１１とｎ層１２で半導体接合部が形成され、こ
の半導体接合部に光が照射されると裏面電極１５側から
表面電極１４側に電流が流れる。
【０００３】また、半導体基板１１の裏面側には、アル
ミニウムなどのｐ型の半導体不純物を多量に含有する裏
面電界層１３が設けてある。このように、半導体基板１
１の裏面側に裏面電界層１３を設けると、裏面電極１５
部分における少数キャリアの再結合が減少し、太陽電池
としての効率が向上する。すなわち、このような裏面電
界層１３を設けない太陽電池素子では、裏面電極１５は
オーム性接触であるから、接触部における表面再結合速
度は無限大であり、半導体基板１１の裏面近傍で発生し
た少数キャリアは光電流に寄与するまでに裏面電極１５
の方へ拡散してここで再結合するが、図４に示すよう
に、半導体基板１の裏面側に裏面電界層１３を設ける
と、ｐ層１１とｐ+ 層１３のキャリア濃度の違いによっ
て伝導帯の底にポテンシャルの跳びが存在するようにな
り、少数キャリアである電子はｐ+ 層に入り込めないか
らである。
ミニウムなどのｐ型の半導体不純物を多量に含有する裏
面電界層１３が設けてある。このように、半導体基板１
１の裏面側に裏面電界層１３を設けると、裏面電極１５
部分における少数キャリアの再結合が減少し、太陽電池
としての効率が向上する。すなわち、このような裏面電
界層１３を設けない太陽電池素子では、裏面電極１５は
オーム性接触であるから、接触部における表面再結合速
度は無限大であり、半導体基板１１の裏面近傍で発生し
た少数キャリアは光電流に寄与するまでに裏面電極１５
の方へ拡散してここで再結合するが、図４に示すよう
に、半導体基板１の裏面側に裏面電界層１３を設ける
と、ｐ層１１とｐ+ 層１３のキャリア濃度の違いによっ
て伝導帯の底にポテンシャルの跳びが存在するようにな
り、少数キャリアである電子はｐ+ 層に入り込めないか
らである。
【０００４】このような太陽電池素子は、ｐ型の半導体
不純物を含む半導体基板１１にリンなどのｎ型の半導体
不純物を拡散してｎ層１２を形成した後、半導体基板１
１の裏面側の全面にアルミニウムペーストを塗布して約
８００℃で焼き付けることにより、アルミニウムを裏面
側に拡散して裏面電界層１３を形成し、最後に厚膜手法
や薄膜手法で表面電極１４および裏面電極１５を形成す
る。
不純物を含む半導体基板１１にリンなどのｎ型の半導体
不純物を拡散してｎ層１２を形成した後、半導体基板１
１の裏面側の全面にアルミニウムペーストを塗布して約
８００℃で焼き付けることにより、アルミニウムを裏面
側に拡散して裏面電界層１３を形成し、最後に厚膜手法
や薄膜手法で表面電極１４および裏面電極１５を形成す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
太陽電池素子では、半導体基板１１の裏面側に裏面電界
層１３を形成する場合に、半導体基板１１の裏面側の全
面にアルミニウムペーストを印刷して焼付けることか
ら、半導体基板１１とアルミニウムの熱膨張係数の相違
に起因して、半導体基板１１にソリが発生するという問
題があった。半導体基板１１にソリが発生すると、半導
体基板１１中に亀裂が発生して少数キャリアの再結合中
心になったり、製造工程で搬送容器への収納ができなく
なるという問題を誘発する。このようなソリは半導体基
板１１の厚みが薄い場合や半導体基板１１が大面積の場
合に顕著に現れる。
太陽電池素子では、半導体基板１１の裏面側に裏面電界
層１３を形成する場合に、半導体基板１１の裏面側の全
面にアルミニウムペーストを印刷して焼付けることか
ら、半導体基板１１とアルミニウムの熱膨張係数の相違
に起因して、半導体基板１１にソリが発生するという問
題があった。半導体基板１１にソリが発生すると、半導
体基板１１中に亀裂が発生して少数キャリアの再結合中
心になったり、製造工程で搬送容器への収納ができなく
なるという問題を誘発する。このようなソリは半導体基
板１１の厚みが薄い場合や半導体基板１１が大面積の場
合に顕著に現れる。
【０００６】また、裏面電界層１３を形成する場合に、
アルミニウムペーストを焼き付けるのに代えて、アルミ
ニウムを薄膜手法で蒸着させて熱処理したり、ＢＢｒ3
を拡散源としてボロン（Ｂ）を拡散させたり、ｐ型不純
物を含有する非晶質若しくは微結晶状のシリコン層を半
導体基板１１の裏面側に形成する方法も提案されている
が、いずれも太陽電池素子の高コスト化を招来するとい
う問題があった。
アルミニウムペーストを焼き付けるのに代えて、アルミ
ニウムを薄膜手法で蒸着させて熱処理したり、ＢＢｒ3
を拡散源としてボロン（Ｂ）を拡散させたり、ｐ型不純
物を含有する非晶質若しくは微結晶状のシリコン層を半
導体基板１１の裏面側に形成する方法も提案されている
が、いずれも太陽電池素子の高コスト化を招来するとい
う問題があった。
【０００７】さらに、図５に示すように、半導体基板２
１の裏面側にｐ+ 領域２３を部分的に形成すると共に、
電気絶縁性の酸化膜２６を形成し、この酸化膜２６上の
略全面に裏面電極２５を形成することにより、半導体基
板２１の裏面側における表面再結合を減らすことも提案
されている（M.A.Green, "23.5% EFFICIENCY AND OTHER
RECENT IMPROVEMENTS IN SILICON SOLAR CELL AND MOD
ULE PERFORMANCE", 12TH EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR
ENERGY CONFERENCE, pp776-779 ）。なお、図５におい
て、２２はｎ層、２４は表面電極である。ところが、こ
の従来の太陽電池素子では、半導体基板２１の裏面側に
酸化膜２６を形成して、さらにこの酸化膜２６上に、裏
面電極２５を形成することから、この裏面電極２５は真
空蒸着法などの薄膜手法で形成しなければならず、太陽
電池素子が高コストになるという問題があった。
１の裏面側にｐ+ 領域２３を部分的に形成すると共に、
電気絶縁性の酸化膜２６を形成し、この酸化膜２６上の
略全面に裏面電極２５を形成することにより、半導体基
板２１の裏面側における表面再結合を減らすことも提案
されている（M.A.Green, "23.5% EFFICIENCY AND OTHER
RECENT IMPROVEMENTS IN SILICON SOLAR CELL AND MOD
ULE PERFORMANCE", 12TH EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR
ENERGY CONFERENCE, pp776-779 ）。なお、図５におい
て、２２はｎ層、２４は表面電極である。ところが、こ
の従来の太陽電池素子では、半導体基板２１の裏面側に
酸化膜２６を形成して、さらにこの酸化膜２６上に、裏
面電極２５を形成することから、この裏面電極２５は真
空蒸着法などの薄膜手法で形成しなければならず、太陽
電池素子が高コストになるという問題があった。
【０００８】
【発明の目的】本発明に係る太陽電池素子は、このよう
な従来技術の問題点に鑑みて発明されたものであり、製
造工程中における半導体基板のソリを解消すると共に、
高コスト化を解消した太陽電池素子を提供することを目
的とする。
な従来技術の問題点に鑑みて発明されたものであり、製
造工程中における半導体基板のソリを解消すると共に、
高コスト化を解消した太陽電池素子を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池素子は、半導体基板内に半導
体接合部を設け、この半導体基板の表面側に表面電極を
設けると共に、裏面側に裏面電界層と裏面電極を設けた
太陽電池素子において、前記裏面電極をくし歯状若しく
は格子状に形成すると共に、前記裏面電界層を前記裏面
電極に対応する形状にしたことを特徴とする。
に、本発明に係る太陽電池素子は、半導体基板内に半導
体接合部を設け、この半導体基板の表面側に表面電極を
設けると共に、裏面側に裏面電界層と裏面電極を設けた
太陽電池素子において、前記裏面電極をくし歯状若しく
は格子状に形成すると共に、前記裏面電界層を前記裏面
電極に対応する形状にしたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記のように、半導体基板の裏面側の一部に裏
面電界層を形成すると、製造工程中に半導体基板にソリ
などが発生しなくなり、半導体基板に亀裂が発生した
り、搬送工程で搬送具に収納できないなどの不具合を解
消できる。また、半導体基板の裏面電界層上にしか裏面
電極を設けないことから、この裏面電極は厚膜手法で形
成でき、太陽電池素子が低コストになる。
面電界層を形成すると、製造工程中に半導体基板にソリ
などが発生しなくなり、半導体基板に亀裂が発生した
り、搬送工程で搬送具に収納できないなどの不具合を解
消できる。また、半導体基板の裏面電界層上にしか裏面
電極を設けないことから、この裏面電極は厚膜手法で形
成でき、太陽電池素子が低コストになる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明に係る太陽電池素子の一
実施例を示す断面図であり、１はｐ型半導体不純物を含
有する半導体基板、２はｐ型半導体基板１の裏面側に形
成されたｎ型の半導体不純物を含有する層、３はｐ型半
導体基板１の裏面側に形成されたｐ型の半導体不純物を
多量に含有する裏面電界層、４は表面電極、５は裏面電
極、６は反射防止膜である。
細に説明する。図１は、本発明に係る太陽電池素子の一
実施例を示す断面図であり、１はｐ型半導体不純物を含
有する半導体基板、２はｐ型半導体基板１の裏面側に形
成されたｎ型の半導体不純物を含有する層、３はｐ型半
導体基板１の裏面側に形成されたｐ型の半導体不純物を
多量に含有する裏面電界層、４は表面電極、５は裏面電
極、６は反射防止膜である。
【００１２】半導体基板１は単結晶シリコン基板や多結
晶シリコン基板などから成り、引き上げ法や鋳造法など
で形成され、０．３〜０．４ｍｍ程度の厚みで１０〜１
５ｃｍ角程度に切り出したものである。この半導体基板
１は、ボロンなどのｐ型の半導体不純物を１×１０16〜
１×１０17atoms ／ｃｍ3 程度含有し、１〜３Ωｃｍ程
度の抵抗を有する。半導体基板１の表面側には、リン
（Ｐ）などのｎ型の不純物を表面濃度で１×１０19〜１
×１０20atoms ／ｃｍ3 程度含有するｎ層２が０．３〜
０．５μｍ程度の厚みに形成されている。ｎ層２とｐ型
半導体基板１のｐ層で光電流を発生する半導体接合が形
成される。
晶シリコン基板などから成り、引き上げ法や鋳造法など
で形成され、０．３〜０．４ｍｍ程度の厚みで１０〜１
５ｃｍ角程度に切り出したものである。この半導体基板
１は、ボロンなどのｐ型の半導体不純物を１×１０16〜
１×１０17atoms ／ｃｍ3 程度含有し、１〜３Ωｃｍ程
度の抵抗を有する。半導体基板１の表面側には、リン
（Ｐ）などのｎ型の不純物を表面濃度で１×１０19〜１
×１０20atoms ／ｃｍ3 程度含有するｎ層２が０．３〜
０．５μｍ程度の厚みに形成されている。ｎ層２とｐ型
半導体基板１のｐ層で光電流を発生する半導体接合が形
成される。
【００１３】また、半導体基板１の裏面側には、ｐ型の
半導体不純物を多量に含有する裏面電界層３が部分的に
形成されている。この裏面電界層３は、裏面近くで光生
成されるキャリアを内部電場で有効に収集するために形
成するものである。この裏面電界層３は、図２に示すよ
うに、半導体基板１を裏面側から見た場合は、くし歯状
若しくは格子状の形状となっている。このように、半導
体基板１の裏面側に形成される裏面電界層３の領域を少
なくすると、全面に裏面電界層がある場合に比べてキャ
リアの表面再結合が少なくなり、高効率な太陽電池素子
を得ることができる。
半導体不純物を多量に含有する裏面電界層３が部分的に
形成されている。この裏面電界層３は、裏面近くで光生
成されるキャリアを内部電場で有効に収集するために形
成するものである。この裏面電界層３は、図２に示すよ
うに、半導体基板１を裏面側から見た場合は、くし歯状
若しくは格子状の形状となっている。このように、半導
体基板１の裏面側に形成される裏面電界層３の領域を少
なくすると、全面に裏面電界層がある場合に比べてキャ
リアの表面再結合が少なくなり、高効率な太陽電池素子
を得ることができる。
【００１４】この裏面電界層３の輪郭形状にそって裏面
電極５が形成されている。すなわち、裏面電極５もしく
はくし歯状若しくは格子状に形成される。この裏面電極
５は例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などから
成る。また、半導体基板１の裏面側の裏面電極５が存在
しない部分には、５０Å以上の膜厚を有する酸化シリコ
ン膜（ＳｉＯ2 ）や窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などか
ら成るパシベーション膜（不図示）を設けてもよい。こ
の場合、半導体基板１の裏面電極５が存在しない部分
は、ｐ型の不純物を低濃度にしか含有しないことから、
高濃度に含有する場合に比べて優れたパシベーション効
果が得られ、高効率な太陽電池素子となる。
電極５が形成されている。すなわち、裏面電極５もしく
はくし歯状若しくは格子状に形成される。この裏面電極
５は例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などから
成る。また、半導体基板１の裏面側の裏面電極５が存在
しない部分には、５０Å以上の膜厚を有する酸化シリコ
ン膜（ＳｉＯ2 ）や窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などか
ら成るパシベーション膜（不図示）を設けてもよい。こ
の場合、半導体基板１の裏面電極５が存在しない部分
は、ｐ型の不純物を低濃度にしか含有しないことから、
高濃度に含有する場合に比べて優れたパシベーション効
果が得られ、高効率な太陽電池素子となる。
【００１５】また、半導体基板１の表面側には、反射防
止膜６が略全面に形成され、この反射防止膜６上には、
例えば銀（Ａｇ）などから成る表面電極４が形成されて
いる。この表面電極４は、裏面電極５と必ずしも同一で
はないが、くし歯状もしくは格子状に形成されている。
止膜６が略全面に形成され、この反射防止膜６上には、
例えば銀（Ａｇ）などから成る表面電極４が形成されて
いる。この表面電極４は、裏面電極５と必ずしも同一で
はないが、くし歯状もしくは格子状に形成されている。
【００１６】次に、上記太陽電池素子の製造方法を図３
に基づいて説明する。まず、同図（ａ）に示すように、
ｐ型の半導体不純物を含有する半導体基板１の表面をフ
ッ酸と硝酸の混合比率が１：９の混酸で、５分間エッチ
ングした後、水洗を行う。
に基づいて説明する。まず、同図（ａ）に示すように、
ｐ型の半導体不純物を含有する半導体基板１の表面をフ
ッ酸と硝酸の混合比率が１：９の混酸で、５分間エッチ
ングした後、水洗を行う。
【００１７】次に、同図（ｂ）に示すように、拡散炉中
で、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）を拡散源として、９
００℃の温度で気相反応によりリン（Ｐ）を拡散して、
半導体基板１の表面側にｎ層２を形成する。上述のよう
に、リンの表面濃度は１×１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 になるような時間、具体的には３０分間程度拡散
する。
で、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）を拡散源として、９
００℃の温度で気相反応によりリン（Ｐ）を拡散して、
半導体基板１の表面側にｎ層２を形成する。上述のよう
に、リンの表面濃度は１×１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 になるような時間、具体的には３０分間程度拡散
する。
【００１８】この拡散後、同図（ｃ）に示すように、半
導体基板１の受光面側にエッチングレジストを塗布し
て、フッ酸と硝酸の混合比率が１：９の混酸でエッチン
グすることにより、表面側のｎ層２のみを残して裏面と
側面のｎ層２を除去する。このエッチングレジストを有
機溶剤で除去した後に純水で洗浄する。
導体基板１の受光面側にエッチングレジストを塗布し
て、フッ酸と硝酸の混合比率が１：９の混酸でエッチン
グすることにより、表面側のｎ層２のみを残して裏面と
側面のｎ層２を除去する。このエッチングレジストを有
機溶剤で除去した後に純水で洗浄する。
【００１９】この後、同図（ｄ）に示すように、半導体
基板１の表面に窒化シリコン（ＳｉＮX ）から成る反射
防止膜６をプラズマＣＶＤ法で２５０℃程度の基板温度
で堆積する。堆積に使用するガス及びその量はシラン
（ＳｉＨ4 ）４０ｃｃ／ｍｉｎ、アンモニア（ＮＨ3 ）
１０００ｃｃ／ｍｉｎで、厚みは８００Å程度である。
なお、この反射防止膜６を形成する前に、半導体基板１
の表面パシベーションのために、半導体基板１の表面及
び／又は裏面に５０Å以上の酸化シリコン膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）若しくは窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）を形成して
もよい。
基板１の表面に窒化シリコン（ＳｉＮX ）から成る反射
防止膜６をプラズマＣＶＤ法で２５０℃程度の基板温度
で堆積する。堆積に使用するガス及びその量はシラン
（ＳｉＨ4 ）４０ｃｃ／ｍｉｎ、アンモニア（ＮＨ3 ）
１０００ｃｃ／ｍｉｎで、厚みは８００Å程度である。
なお、この反射防止膜６を形成する前に、半導体基板１
の表面パシベーションのために、半導体基板１の表面及
び／又は裏面に５０Å以上の酸化シリコン膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）若しくは窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）を形成して
もよい。
【００２０】このように堆積を行った反射防止膜６に、
同図（ｅ）に示すように、電極を形成するために電極パ
ターンに相当する部分の反射防止膜６を除去する目的
で、電極パターンの逆パターンを形づくるようにエッチ
ングレジストを塗布した後、フッ酸と純水の１：３の混
合液で露出した反射防止膜６の部分６ａをエッチングし
て除去する。反射防止膜６をパターン抜きした後にエッ
チングレジストを有機溶剤で除去する。
同図（ｅ）に示すように、電極を形成するために電極パ
ターンに相当する部分の反射防止膜６を除去する目的
で、電極パターンの逆パターンを形づくるようにエッチ
ングレジストを塗布した後、フッ酸と純水の１：３の混
合液で露出した反射防止膜６の部分６ａをエッチングし
て除去する。反射防止膜６をパターン抜きした後にエッ
チングレジストを有機溶剤で除去する。
【００２１】この後、同図（ｆ）に示すように、半導体
基板１の裏面側にアルミニウム（Ａｌ）ペースト７を塗
布して焼成することにより、ｐ+ 層３を形成する。この
場合、アルミニウムペーストは、２０μｍ程度の厚みに
スクリーン印刷法などで塗布されるが、このアルミニウ
ムペーストは、半導体基板１の裏面側全面に塗布される
ものではなく、くし歯状若しくは格子状に塗布されるこ
とから、アルミニウムペーストを焼き付けても、半導体
基板１にソリを生じることは殆どない。
基板１の裏面側にアルミニウム（Ａｌ）ペースト７を塗
布して焼成することにより、ｐ+ 層３を形成する。この
場合、アルミニウムペーストは、２０μｍ程度の厚みに
スクリーン印刷法などで塗布されるが、このアルミニウ
ムペーストは、半導体基板１の裏面側全面に塗布される
ものではなく、くし歯状若しくは格子状に塗布されるこ
とから、アルミニウムペーストを焼き付けても、半導体
基板１にソリを生じることは殆どない。
【００２２】次に、同図（ｇ）に示すように、半導体基
板１の表面及び裏面に銀（Ａｇ）ペーストを塗布して焼
成することにより、表面電極４および裏面電極５を形成
する。この場合、先に反射防止膜６のパターン抜きを行
った部分に銀ペーストが印刷されるようにスクリーン印
刷法で印刷する。なお、表面電極４および裏面電極５を
保護するために、この表面電極４および裏面電極５の上
に半田被覆層（不図示）を形成してもよい。
板１の表面及び裏面に銀（Ａｇ）ペーストを塗布して焼
成することにより、表面電極４および裏面電極５を形成
する。この場合、先に反射防止膜６のパターン抜きを行
った部分に銀ペーストが印刷されるようにスクリーン印
刷法で印刷する。なお、表面電極４および裏面電極５を
保護するために、この表面電極４および裏面電極５の上
に半田被覆層（不図示）を形成してもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池素
子によれば、半導体基板の裏面側にくし歯状若しくは格
子状に裏面電界層を形成することから、製造工程中に基
板のソリなどが発生しなくなり、半導体基板に亀裂が発
生したり、搬送容器に納まらないなどの不具合を解消で
きる。
子によれば、半導体基板の裏面側にくし歯状若しくは格
子状に裏面電界層を形成することから、製造工程中に基
板のソリなどが発生しなくなり、半導体基板に亀裂が発
生したり、搬送容器に納まらないなどの不具合を解消で
きる。
【００２４】また、半導体基板の裏面電界層上にしか裏
面電極を設けないことから、この裏面電極は厚膜手法で
形成でき、太陽電池素子が低コストになる。
面電極を設けないことから、この裏面電極は厚膜手法で
形成でき、太陽電池素子が低コストになる。
【図１】本発明に係る太陽電池素子の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る太陽電池素子を裏面側から見た図
である。
である。
【図３】本発明に係る太陽電池素子の製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図４】従来の太陽電池素子を示す図である。
【図５】従来の他の太陽電池素子を示す図である。
１・・・半導体基板、２・・・ｎ層、３・・・裏面電界
層、４・・・表面電極、５・・・裏面電極、６・・・反
射防止膜
層、４・・・表面電極、５・・・裏面電極、６・・・反
射防止膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板内に半導体接合部を設け、こ
の半導体基板の表面側に表面電極を設けると共に、裏面
側に裏面電界層と裏面電極を設けた太陽電池素子におい
て、前記裏面電極をくし歯状若しくは格子状に形成する
と共に、前記裏面電界層を前記裏面電極に対応する形状
にしたことを特徴とする太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071961A JPH08274356A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071961A JPH08274356A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 太陽電池素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274356A true JPH08274356A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13475587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7071961A Pending JPH08274356A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274356A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009096539A1 (ja) | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
| WO2012053079A1 (ja) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置およびその製造方法 |
| US8178778B2 (en) | 2005-03-24 | 2012-05-15 | Kyocera Corporation | Photovoltaic conversion element and manufacturing method therefor, and photovoltaic conversion module using same |
| US8455754B2 (en) | 2006-10-27 | 2013-06-04 | Kyocera Corporation | Solar cell element manufacturing method and solar cell element |
| JP2017028278A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-02-02 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP2017509153A (ja) * | 2014-03-26 | 2017-03-30 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の受光面のパッシベーション |
-
1995
- 1995-03-29 JP JP7071961A patent/JPH08274356A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178778B2 (en) | 2005-03-24 | 2012-05-15 | Kyocera Corporation | Photovoltaic conversion element and manufacturing method therefor, and photovoltaic conversion module using same |
| US8455754B2 (en) | 2006-10-27 | 2013-06-04 | Kyocera Corporation | Solar cell element manufacturing method and solar cell element |
| WO2009096539A1 (ja) | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
| WO2012053079A1 (ja) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置およびその製造方法 |
| CN103155161A (zh) * | 2010-10-20 | 2013-06-12 | 三菱电机株式会社 | 光伏装置及其制造方法 |
| JP2017509153A (ja) * | 2014-03-26 | 2017-03-30 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の受光面のパッシベーション |
| JP2017028278A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-02-02 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| US10714642B2 (en) | 2015-07-15 | 2020-07-14 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and solar cell module |
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