JP2016146471A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型単結晶シリコン基板100および高濃度n型不純物拡散源106上に裏面側誘電体層109を形成した後、高濃度n型不純物拡散源106とともに、高濃度n型不純物拡散源106上に位置する裏面側誘電体層109をリフトオフし、開口hを形成する。そして開口h内で高濃度n型不純物拡散層107にコンタクトする、負電極113を形成する。n型不純物拡散源106からn型不純物を拡散させ、高濃度n型不純物拡散層107を形成する工程中もしくは工程前に酸素を供給し、n型不純物拡散源106が形成されていない領域に熱酸化膜108を形成する。
【選択図】 図4
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池の製造方法で形成された太陽電池を示す図であり、(a)は、上面図、(b)は、(a)のA−A断面図である。図2は、同太
陽電池の製造方法を示すフローチャート、図3(a)から(c)および図4(a)から(c)は、同太陽電池の製造方法を示す工程断面図である。
以下に、実施の形態2について図面を参照して説明する。図5は、本発明の実施の形態2にかかる太陽電池の製造方法で形成された太陽電池を示す断面図である。なお、上面図は図1(a)と同様である。図6は、同太陽電池の製造方法を示すフローチャート、図7(a)および(b)は、同太陽電池の製造方法を示す工程断面図である。図8は、拡散ステップS103における、拡散炉の温度プロファイルを示す図である。プロセスの大部分は実施の形態1と同様であり、低濃度n型不純物拡散層104を形成せず、n型単結晶シリコン基板100の裏面直上に誘電体層である熱酸化膜108を形成する点が異なる。
以下に、実施の形態3について図面を参照して説明する。図9は、本発明の実施の形態3にかかる太陽電池の製造方法を示すフローチャートである。実施の形態1と大部分は同様であり、n型不純物拡散源のリフトオフステップS105に代えて、n型不純物拡散源レーザー開口ステップS105Sを用い、レーザー照射により全面もしくは一部除去する点のみ異なるため、プロセスの詳細は省略する。
以下に、実施の形態4について図面を参照して説明する。図10は、本発明の実施の形態4にかかる太陽電池の製造方法で形成された太陽電池を示す図であり、(a)は、上面図、(b)は、(a)のB−B断面図である。図11は、同太陽電池の製造方法を示すフローチャート、図12(a)から(c)および図13(a)から(c)は、同太陽電池の製造方法を示す工程断面図である。
以下に、実施の形態5について、図面を参照して説明する。図14は、本発明の実施の形態5にかかる太陽電池の製造方法で形成された太陽電池を示す図であり、(a)は、上面図、(b)は、(a)のC−C断面図である。図15は、同太陽電池の製造方法を示すフローチャート、図16(a)から(c)および図17(a)から(c)は、同太陽電池の製造方法を示す工程断面図である。
Claims (10)
- 第1導電型を有する結晶系の半導体基板の第1主面上の一部に、第1導電型の不純物を含有する拡散源を形成する工程と、前記半導体基板を拡散温度まで昇温し、前記拡散源から前記第1導電型の不純物を前記半導体基板中に拡散させ、第1不純物拡散層を形成する拡散工程と、前記半導体基板の第1主面上および前記拡散源上に誘電体層を形成する工程と、前記拡散源とともに、前記拡散源上に位置する誘電体層をリフトオフし、開口を形成する工程と、前記開口内で前記第1不純物拡散層にコンタクトする電極を形成する工程とを順に含み、
前記拡散工程は、前記半導体基板に酸素を供給し、前記半導体基板の第1主面上に熱酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記拡散工程は、前記拡散温度まで前記半導体基板を昇温する途中で、前記拡散温度に到達するに先立ち、前記半導体基板に酸素を供給する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記拡散工程は、前記拡散温度に到達後、拡散中の前記半導体基板に酸素を供給する工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記拡散源を形成する工程は、前記拡散源が、前記半導体基板の第1主面に直接拡散源を形成する工程であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記半導体基板の前記第1主面に、前記不純物拡散層と同一導電型で、前記第1不純物拡散層よりも不純物濃度の低い、第2不純物拡散層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2不純物拡散層を形成する工程は、前記拡散源を形成する工程に先立ち実施されることを特徴とする請求項5に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記誘電体層は、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜、窒酸化シリコン膜、およびこれらの積層構造体のいずれかであることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記リフトオフ工程が、前記拡散源に前記誘電体層を通してレーザービームを照射することによって行われることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記リフトオフ工程が、ウエットエッチングによって行われることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記半導体基板は、結晶系シリコン基板であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
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